JP4907955B2 - ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 - Google Patents
ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4907955B2 JP4907955B2 JP2005326576A JP2005326576A JP4907955B2 JP 4907955 B2 JP4907955 B2 JP 4907955B2 JP 2005326576 A JP2005326576 A JP 2005326576A JP 2005326576 A JP2005326576 A JP 2005326576A JP 4907955 B2 JP4907955 B2 JP 4907955B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- guard ring
- layer
- type semiconductor
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
この実施形態では、第一導電型半導体をN型半導体とし、第二導電型半導体をP型半導体としている。
2 ガードリング層
3 金属層(アノード電極)
4 裏面金属層(カソード電極)
5 凹部
6 酸化膜
7 凹部の内壁面
8 第一の主面
9 第二の主面
11 第一導電型半導体領域
12 ホウ素イオン
13 金属充填部
14 凹部の底面
16 動作領域
18 第一空乏層
19 第二空乏層
Claims (7)
- 不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板の第一の主面から該基板の内部に環状に形成され前記第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として形成されたガードリング層と、
前記第一導電型半導体基板の第一の主面に接触してショットキーバリアを形成し前記ガードリング層表面にも接触するように形成された金属層と、
前記第一導電型半導体基板の動作領域となる部分に前記第一の主面とは反対側の第二の主面から前記ガードリング層と接触しない範囲で形成された凹部と、
前記凹部を充填し該凹部内壁面とオーミックコンタクトする金属充填部とを備え、
前記凹部は筒状であって、その直径が前記ガードリング層の内径より小さく、前記凹部の底面が前記ガードリング層の内側に収まっており、前記ガードリング層の前記第二の主面側の端縁より前記凹部の底面の方が前記第一の主面に近い位置にあることを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記金属層が、第一の電極とされていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記金属充填部が、前記第一の電極とは極性が反対の第二の電極とされていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第一導電型半導体基板の前記第二の主面上に、前記金属充填部と一体的に裏面金属層が形成され、この裏面金属層が、前記第一の電極とは極性が反対の第二の電極とされていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記凹部の周面が、前記ガードリング層の内周面との間で短絡を生じない程度に該ガードリング層内周面に近接していることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記金属層と前記第一導電型半導体基板との接合面から該第一導電型半導体基板の方に延びる第一空乏層による耐圧が前記ガードリング層と前記第一導電型半導体基板との接合面から該第一半導体基板の方に延びる第二空乏層による耐圧以上となる範囲で、前記凹部の底面が前記金属層と前記第一導電型半導体基板との接合面に近接していることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板の第一の主面から該基板の内部に前記第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として環状のガードリング層を形成する工程と、
前記第一導電型半導体基板の第一の主面と前記ガードリング層表面に接触し前記第一導電型半導体基板との間でショットキーバリアを形成する金属層を形成する工程と、
前記第一導電型半導体基板の動作領域となる部分に前記第一の主面とは反対側の第二の主面から前記ガードリング層と接触しない範囲で、直径が前記ガードリング層の内径より小さく、底面が前記ガードリング層の内側に収まっており、前記ガードリング層の前記第二の主面側の端縁より当該底面の方が前記第一の主面に近い位置にある筒状凹部を形成する工程と、
前記筒状凹部を充填し該筒状凹部内壁面とオーミックコンタクトする金属充填部を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005326576A JP4907955B2 (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005326576A JP4907955B2 (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134521A JP2007134521A (ja) | 2007-05-31 |
JP4907955B2 true JP4907955B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=38155929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005326576A Expired - Fee Related JP4907955B2 (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4907955B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5030434B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-09-19 | 新電元工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6812758B2 (ja) * | 2016-11-09 | 2021-01-13 | Tdk株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びこれを備える電子回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000312013A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Rohm Co Ltd | ショットキーバリア半導体装置 |
JP2002170963A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子、半導体装置、及び半導体素子の製造方法 |
JP4126872B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2008-07-30 | サンケン電気株式会社 | 定電圧ダイオード |
WO2004066391A1 (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 半導体装置 |
JP2006156658A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-11-10 JP JP2005326576A patent/JP4907955B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007134521A (ja) | 2007-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5303819B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7183575B2 (en) | High reverse voltage silicon carbide diode and method of manufacturing the same high reverse voltage silicon carbide diode | |
JP2005191227A (ja) | 半導体装置 | |
JP3983671B2 (ja) | ショットキーダイオード | |
JP2008251772A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004127968A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010109221A (ja) | 半導体装置 | |
US8441017B2 (en) | Schottky barrier diode and method for making the same | |
JP2006173297A (ja) | Igbt | |
WO2017187856A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005229071A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
JP4907955B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 | |
JP2012204480A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008251925A (ja) | ダイオード | |
JP4018650B2 (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JP4659490B2 (ja) | ショットキバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JP2007235064A (ja) | ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005005486A (ja) | 炭化けい素半導体装置 | |
JP2002246610A (ja) | 半導体素子 | |
JP4322183B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
JP2000294805A (ja) | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 | |
US8685849B2 (en) | Semiconductor device with buffer layer | |
CN108198758B (zh) | 一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法 | |
JP4383250B2 (ja) | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 | |
JP2008235588A (ja) | ショットキーバリアダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110412 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110826 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |