JP2007134521A - ショットキーバリアダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ショットキーバリアダイオードは、不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板1の第一の主面8から該基板1の内部に環状に形成され第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として形成されたガードリング層2と、第一導電型半導体基板の第一の主面8に接触してショットキーバリアを形成しガードリング層2表面にも接触するように形成された金属層3と、第一導電型半導体基板1の動作領域となる部分16に第一の主面8とは反対側の第二の主面9からガードリング層2と接触しない範囲で形成された凹部5と、凹部5を充填し該凹部5内壁面7とオーミックコンタクトする金属充填部13とを備える。
【選択図】図1
Description
この実施形態では、第一導電型半導体をN型半導体とし、第二導電型半導体をP型半導体としている。
2 ガードリング層
3 金属層(アノード電極)
4 裏面金属層(カソード電極)
5 凹部
6 酸化膜
7 凹部の内壁面
8 第一の主面
9 第二の主面
11 第一導電型半導体領域
12 ホウ素イオン
13 金属充填部
14 凹部の底面
16 動作領域
18 第一空乏層
19 第二空乏層
Claims (8)
- 不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板の第一の主面から該基板の内部に環状に形成され前記第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として形成されたガードリング層と、
前記第一導電型半導体基板の第一の主面に接触してショットキーバリアを形成し前記ガードリング層表面にも接触するように形成された金属層と、
前記第一導電型半導体基板の動作領域となる部分に前記第一の主面とは反対側の第二の主面から前記ガードリング層と接触しない範囲で形成された凹部と、
前記凹部を充填し該凹部内壁面とオーミックコンタクトする金属充填部と、
を備えたことを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記金属層が、第一の電極とされていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記金属充填部が、前記第一の電極とは極性が反対の第二の電極とされていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第一導電型半導体基板の前記第二の主面上に、前記金属充填部と一体的に裏面金属層が形成され、この裏面金属層が、前記第一の電極とは極性が反対の第二の電極とされていることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記凹部は筒状であって、その直径が前記ガードリング層の内径より小さく、前記凹部の底面が前記ガードリング層の内側に収まっており、前記ガードリング層の前記第二の主面側の端縁より前記凹部の底面の方が前記第一の主面に近い位置にあることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記凹部の周面が、前記ガードリング層の内周面との間で短絡を生じない程度に該ガードリング層内周面に近接していることを特徴とする請求項5に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記金属層と前記第一導電型半導体基板との接合面から該第一導電型半導体基板の方に延びる第一空乏層による耐圧が前記ガードリング層と前記第一導電型半導体基板との接合面から該第一半導体基板の方に延びる第二空乏層による耐圧以上となる範囲で、前記凹部の底面が前記金属層と前記第一導電型半導体基板との接合面に近接していることを特徴とする請求項5に記載のショットキーバリアダイオード。
- 不純物濃度が低い低濃度第一導電型半導体基板の第一の主面から該基板の内部に前記第一導電型とは反対導電型の高濃度第二導電型半導体領域として環状のガードリング層を形成する工程と、
前記第一導電型半導体基板の第一の主面と前記ガードリング層表面に接触し前記第一導電型半導体基板との間でショットキーバリアを形成する金属層を形成する工程と、
前記第一導電型半導体基板の動作領域となる部分に前記第一の主面とは反対側の第二の主面から前記ガードリング層と接触しない範囲で凹部を形成する工程と、
前記凹部を充填し該凹部内壁面とオーミックコンタクトする金属充填部を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。
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