JP2007235064A - ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高濃度N型半導体基板10の上に、低濃度N型エピタキシャル層11を積層する。次に、イオン注入法等を用いて、低濃度N型エピタキシャル層11の上にボロンを注入し、低濃度P型ガードリング領域14aを形成する。次に、イオン注入法及びアニール処理等を用いて、低濃度P型ガードリング領域14aの表面部分に、低濃度P型ガードリング領域14aを完全に被覆する状態で高濃度P型ガードリング領域14bを形成する。その後、シリコン酸化膜12、バリア金属層13、電極15及び電極16を、順に形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係るショットキーバリアダイオードの断面図である。図2A及び図2Bは、本発明の一実施形態に係るショットキーバリアダイオードの製造方法を説明するための各製造工程におけるショットキーバリアダイオードの断面図である。
また、高濃度P型ガードリング領域14bを形成する手法は、イオン注入法以外にも、蒸着法、スパッタリング法、固層拡散法、又はガス拡散法等であってもよい。
11、21 低濃度N型エピタキシャル層
12、22 シリコン酸化膜
13、23 バリア金属層
14、24 ガードリング
14a 低濃度P型ガードリング領域
14b 高濃度P型ガードリング領域
15、16、25、26 電極
17 絶縁膜
24a 不純物濃度の高いガードリング領域
24b 不純物濃度の低いガードリング領域
Claims (8)
- ショットキーバリアが形成された半導体装置であって、
高濃度N型半導体基板と、
前記高濃度N型半導体基板の上に積層された低濃度N型エピタキシャル層と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の中に形成された低濃度P型ガードリング領域と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の表面部分に、前記低濃度P型ガードリング領域を被覆しかつ前記低濃度P型ガードリング領域よりも浅く形成された高濃度P型ガードリング領域と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の表面と前記高濃度P型ガードリング領域とに接する金属層と、
前記低濃度N型エピタキシャル層と前記高濃度P型ガードリング領域の一部とを被覆し、かつ前記金属層に接する絶縁層とで構成される、ショットキーバリア半導体装置。 - 前記低濃度P型ガードリング領域が軸となり、前記高濃度P型ガードリング領域が傘となる、キノコ形状を有することを特徴とする、請求項1に記載のショットキーバリア半導体装置。
- 前記低濃度P型ガードリング領域の不純物濃度が、1×1016/cm3〜6×1017/cm3であり、前記高濃度P型ガードリング領域の不純物濃度が、1×1018/cm3〜6×1021/cm3であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のショットキーバリア半導体装置。
- ショットキーバリア半導体装置の製造方法であって、
高濃度N型半導体基板の上に、低濃度N型エピタキシャル層を積層する工程と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の中に、低濃度P型ガードリング領域を形成する工程と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の表面部分に、前記低濃度P型ガードリング領域を被覆しかつ前記低濃度P型ガードリング領域よりも浅い形状で、高濃度P型ガードリング領域を形成する工程と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の上に、前記高濃度P型ガードリング領域の一部と接する酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜の一部を覆うように、バリア金属層を前記低濃度N型エピタキシャル層の表面に蒸着させて、前記低濃度N型エピタキシャル層と当該バリア金属層とでショットキー接合を形成する工程とを含む、ショットキーバリア半導体装置の製造方法。 - ショットキーバリア半導体装置の製造方法であって、
高濃度N型半導体基板の上に、低濃度N型エピタキシャル層を積層する工程と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の中に、低濃度P型ガードリング領域を形成する工程と、
前記低濃度P型ガードリング領域の表面部分に、前記低濃度P型ガードリング領域よりも浅い形状で、高濃度P型ガードリング領域を形成して熱処理する工程と、
前記低濃度N型エピタキシャル層の上に、前記高濃度P型ガードリング領域の一部と接する酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜の一部を覆うように、バリア金属層を前記低濃度N型エピタキシャル層の表面に蒸着させて、前記低濃度N型エピタキシャル層と当該バリア金属層とでショットキー接合を形成する工程とを含む、ショットキーバリア半導体装置の製造方法。 - 前記低濃度P型ガードリング領域及び前記高濃度P型ガードリング領域が、イオン注入法で形成されることを特徴とする、請求項4又は5に記載のショットキーバリア半導体装置の製造方法。
- 前記低濃度P型ガードリング領域及び前記高濃度P型ガードリング領域が、蒸着法で形成されることを特徴とする、請求項4又は5に記載のショットキーバリア半導体装置の製造方法。
- 前記低濃度P型ガードリング領域及び前記高濃度P型ガードリング領域が、スパッタリング法で形成されることを特徴とする、請求項4又は5に記載のショットキーバリア半導体装置の製造方法。
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