JP5303707B2 - ペロブスカイト酸化物薄膜の製造方法及びペロブスカイト酸化物薄膜 - Google Patents
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Description
結晶粒子群の堆積はまた、例えばシリコンといった適宜の第2基板上に形成され、前記第2ペロブスカイト酸化物を主成分としたエピタキシャルな基層上に実施することもできる。
ここで格子定数が十分に近いとは、両格子定数の差が10%以内であることをいう。
これによって、堆積工程において、第1ペロブスカイト酸化物を主成分とする結晶粒子がその方位を第1基板又は基層の結晶方位と略揃った様態で堆積されるのである。
また、焼成工程によって結晶粒子が成長するため、第1ペロブスカイト酸化物薄膜が緻密化される。
これによって、第1ペロブスカイト酸化物薄膜上に他のペロブスカイト酸化物薄膜を重層させる積層構造を、両薄膜間の界面での反応を防止しつつ構築することができる。
このように、従来の焼成温度より低い温度で焼成するため、第1基板又は基層との界面における反応を防止することができる。
また、焼成工程によって結晶粒子が成長するため、第1ペロブスカイト酸化物薄膜が緻密化される。これによって、第1ペロブスカイト酸化物薄膜上に他のペロブスカイト酸化物薄膜を重層させる積層構造を、両薄膜間の界面での反応を防止しつつ構築することができる。
また、焼成工程によって結晶粒子が成長するため、第1ペロブスカイト酸化物薄膜が緻密化される。
また、微小直径の結晶粒子にあってはより低い温度で焼成しても所要の機能を発揮させる活性化を行うことができる。従って、第1基板又は基層との界面における反応を更に防止することができる。
本発明のペロブスカイト酸化物薄膜にあっては、前記第1ペロブスカイト酸化物はチタン酸バリウムであるので、強誘電体の薄膜を得ることができる。
図1は、本発明に係るペロブスカイト酸化物薄膜の製造手順を示すフローチャートである。
図1に示したように、成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略5nm以上略15nm以下、好ましくは略5nm以上略10nm以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製する(ステップS1)。
このようにして堆積させた基板を分散液から取り出して乾燥させた後、酸化雰囲気中又は中性雰囲気中、略400℃以上略800℃以下の適宜温度で焼成して所要の薄膜を得る(ステップS3)。
また、焼成温度が略400℃以上略800℃以下と低いため、生成した薄膜と基板との界面において反応が発生することが回避される。
以下、前述した各工程について詳述する。
薄膜に係るペロブスカイト酸化物は、一般式MTiO3で表すことができ、Mは、Ba、Sr又はCaを表す。従って、BaTiO3、SrSiO3、CaTiO3は、対象とするペロブスカイト酸化物に含まれる。さらに、Mは、Ba、Sr又はCaの混合系を表し、したがって、例えば、Ba1-xCaxTiO3、Ba1-x-yCaxSryTiO3などの構造式で表されるものも本発明の対象とするペロブスカイト酸化物に含まれる。
かかるナノ結晶粒子群の平均直径は、前述した如く略5nm以上略15nm以下が好ましく、より好ましくは、略5nm以上略10nm以下である。
かかる直径のナノ結晶粒子を調製するには、例えばゾル−ゲル法を用いることができる。
図2は、ゾル−ゲル法にてナノ結晶粒子液を調製する手順を示すフローチャートである。
図2に示したように、例えば、容量比でメタノール:2−メトキシメタノール(以後、EGMMEという)=3:2となるように混合した混合液に、ジエトキシバリウム(Ba(OC2H5)2)を添加して略24時間撹拌した後、これにテトライソプロポキシチタン(Ti(O-i-C3H7)4)をモル濃度比で、Ba:Ti=1:1になるように添加して略24時間撹拌することによって前駆体溶液を調製する。このとき前駆体溶液の濃度は1.1mol/Lである。なお、前駆体溶液の調製操作は窒素ガス雰囲気中で実施する。
そして、得られたゲルから分離した液体を除去し、適宜の溶媒を添加した後、超音波を24時間程度印加することによってナノ結晶粒子の分散液を得る。
このとき、例えば、エージングの温度をより高温にすることによりナノ結晶粒子の直径を小さくすることができ、エージングの温度をより低温にすることによりナノ結晶粒子の直径を大きくすることができる。
基板への堆積は電気泳動電着(EPD)法にて行うことができる。
図3は、堆積に用いる電気泳動装置の構成を説明する模式的説明図であり、図中、1は貯留槽である。貯留槽1内には、前述した如くナノ結晶粒子を分散させた分散液Sが貯留してあり、該分散液S中に、正極4及び負極3が所定の距離を隔てて対向配置してある。正極4及び負極3には電源装置2から直流電圧が所定時間だけ印加されるようになっており、電源装置2から正極4及び負極3に直流電圧が印加された場合、分散液S中のナノ結晶粒子P,P,…が電気泳動によって負極3(又は正極4)の表面に移動してそこに堆積し、薄膜を形成する。
このとき、堆積対象の電極の表面に所要パターンのマスクを予め形成しておくことにより、所要パターンのナノ結晶粒子膜を生成することができる。
なお、膜厚は印加時間及び/又は印加電圧によって調整することができる。
また、堆積された際に結晶方位が揃っていない場合であっても、後述するような焼成操作中に、当該ナノ結晶粒子が回動して結晶方位が揃うものと考えられる。
ここで格子定数が十分に近いとは、両格子定数の差が10%以内であることをいう。
一方、100nm以下の厚さであって、マスクを用いない場合は、前述した分散液に基板を所定時間浸漬させるディップ法によっても行うことができる。
次に、このような電気泳動電着法によってナノ結晶粒子の薄膜が形成された基板を焼成することによって、所要の機能を発揮し得るようになす、所謂活性化を行ってペロブスカイト酸化物薄膜を得る。
次に、本発明方法によってペロブスカイト酸化物薄膜を製造した結果について説明する。
薄膜の形成には、(001)SrTiO3にNbを導入してなる基板、及びBaTiO3からなり平均直径が8nmから10nmのナノ結晶粒子を用いた。ナノ結晶粒子は、図2に示したゾル−ゲル法に従って調製した。
そして、この基板を空気中、800℃又は600℃で30分間焼成してBaTiO3薄膜を得た。なお、昇温速度は20℃/分とした。
図4から明らかな如く、基板の表面には複数のナノ結晶粒子が均一に堆積されていた。
なお、このときの膜厚は略100nmであった。
図5から明らかな如く、基板上にBaTiO3のナノ結晶粒子が略均一に堆積されており、堆積されたナノ結晶粒子は焼成操作によって直径が50nm程度に生長していた。
次に、このように形成した薄膜がエピタキシャルなものであるか否かを検討した結果について説明する。
ポールフィギュア測定は、あおり角を0°から90°まで2.5°ずつ変化させ、各あおり角においてφスキャンを行うことによって実施した。
また、BaTiO3のナノ結晶粒子に代えてCaTiO3のナノ結晶粒子を用いることもできる。
2 電源装置
3 負極
4 正極
S 分散液
P ナノ粒子
Claims (4)
- 一般式MTiO3で表される第1ペロブスカイト酸化物(Mは、Ba、Sr若しくはCa、又はそれらの混合物を表す)を主成分としたエピタキシャルな薄膜を製造する方法において、
前記第1ペロブスカイト酸化物を主成分とし、適宜直径の結晶粒子群を所定の溶媒に分散させた分散液を調製する工程と、
前記結晶粒子群の調製に用いた第1ペロブスカイト酸化物とは異なる適宜の第2ペロブスカイト酸化物を主成分とした単結晶からなる第1基板上、又は、適宜の 第2基板上に形成され、前記第2ペロブスカイト酸化物を主成分としたエピタキシャルな基層上に、前記分散液中の結晶粒子群を堆積させる堆積工程と、
堆積させて得られた第1基板又は第2基板を1000℃未満の適宜温度で焼成する焼成工程と
を実施することを特徴とするペロブスカイト酸化物薄膜の製造方法。 - 前記分散液として、平均直径が略5nm以上略15nm以下の適宜寸法の結晶粒子群を分散させたものを用いる請求項1記載のペロブスカイト酸化物薄膜の製造方法。
- 前記焼成工程は略400℃以上略800℃以下の適宜温度で行う請求項1又は2記載のペロブスカイト酸化物薄膜の製造方法。
- 前記堆積工程は、導電性の第1基板又は導電性の基層が形成された導電性の第2基板を用い、前記分散液中に浸漬された前記第1基板又は第2基板に所定の電圧を印加することによって行う請求項1から3のいずれかに記載のペロブスカイト酸化物薄膜の製造方法。
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