JPH02258700A - 強誘電体薄膜及びその製造法 - Google Patents
強誘電体薄膜及びその製造法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- -1 BaTiO3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強誘電性を持つペロプスカイト化合物BaTi
n5に関するものである0本発明は、さらに詳しくは、
上記物質の単結晶薄膜及びその製造に適切な方法に関す
るもので、強誘電体薄膜素子、例えば分極反転を用いる
メモリー素子、電気光学効果を用いる光スィッチ、ある
いは光変調素子、焦電効果を用いる受光素子、さらに大
きな誘電率を生かした薄膜コンデンサ等、及びそれらの
製造に用いられるものである。
n5に関するものである0本発明は、さらに詳しくは、
上記物質の単結晶薄膜及びその製造に適切な方法に関す
るもので、強誘電体薄膜素子、例えば分極反転を用いる
メモリー素子、電気光学効果を用いる光スィッチ、ある
いは光変調素子、焦電効果を用いる受光素子、さらに大
きな誘電率を生かした薄膜コンデンサ等、及びそれらの
製造に用いられるものである。
[従来の技術]
従来、BaTi0sil膜は真空中(10−’Torr
) テ酸化物原料を蒸発させて薄膜を得る真空蒸着法、
あるいはスパッタリング法により多結晶体薄膜として作
製されてきた。これらは、例えばジャパニーズ ジャー
ナル オブ アブライフドフィジイックス(Japan
ese Journal of Applied Ph
ysics ) Vol、 24.(1985) 5
upplea+ent 24−2、 pρ401−40
3及び、フェロエレクトリックス(Ferroelec
trics) Vol、 37.(1891)+ p
p681−684に示されている。
) テ酸化物原料を蒸発させて薄膜を得る真空蒸着法、
あるいはスパッタリング法により多結晶体薄膜として作
製されてきた。これらは、例えばジャパニーズ ジャー
ナル オブ アブライフドフィジイックス(Japan
ese Journal of Applied Ph
ysics ) Vol、 24.(1985) 5
upplea+ent 24−2、 pρ401−40
3及び、フェロエレクトリックス(Ferroelec
trics) Vol、 37.(1891)+ p
p681−684に示されている。
BaTi0iは120℃以下の温度で強誘電性を有し、
優れた強誘電的、電気光学的特性を有しており、古くか
らその各種デバイスへの利用が提案されている。しかし
ながら、従来のBaT iO,には以下に述べる問題が
あり、デバイスへの実用化は未だなされていない。Ba
TiO3の結晶構造は正方晶である。その分極軸はC軸
で、C軸とそれに垂直な方向の間で物性の大きな異方性
を持っており、その方位によっては、諸物性、例えば、
分極反転、電気光学効果、焦電効果等が利用できなくな
る為、目的とするデバイスに応じて異なる方位の材料を
用いることが望まれる。
優れた強誘電的、電気光学的特性を有しており、古くか
らその各種デバイスへの利用が提案されている。しかし
ながら、従来のBaT iO,には以下に述べる問題が
あり、デバイスへの実用化は未だなされていない。Ba
TiO3の結晶構造は正方晶である。その分極軸はC軸
で、C軸とそれに垂直な方向の間で物性の大きな異方性
を持っており、その方位によっては、諸物性、例えば、
分極反転、電気光学効果、焦電効果等が利用できなくな
る為、目的とするデバイスに応じて異なる方位の材料を
用いることが望まれる。
従来用いられていた薄膜製造法で得られるBaTtOs
薄膜は多結晶体であり、その特性が多結晶であることに
よって平均化されたものとなるため全体としては良いも
のとならない、また高い動作電圧が必要となる等の欠点
を有している。
薄膜は多結晶体であり、その特性が多結晶であることに
よって平均化されたものとなるため全体としては良いも
のとならない、また高い動作電圧が必要となる等の欠点
を有している。
また、多結晶体であるため、粒界が存在し、さらに、表
面の平滑性も劣るため光学素子として用いる場合には粒
界、膜表面での光の散乱が生じ、伝搬損失の増大を招く
。
面の平滑性も劣るため光学素子として用いる場合には粒
界、膜表面での光の散乱が生じ、伝搬損失の増大を招く
。
また、従来の真空蒸着法では、予め焼結させたBaTi
O3セラミックスを数−以下に粉砕し、この粉末を数粒
ずつ真空中で2000’C以上に加熱したタングステン
ヒータの上に落下させ蒸発させる、いわゆるフラッシュ
蒸着法がもちいられている。
O3セラミックスを数−以下に粉砕し、この粉末を数粒
ずつ真空中で2000’C以上に加熱したタングステン
ヒータの上に落下させ蒸発させる、いわゆるフラッシュ
蒸着法がもちいられている。
その為この方法では、薄膜の組成の制御が困難で、薄膜
へのヒータのWの混入も避けられない、更に又、結晶成
長のための条件を適切に制御することも困難で、結果の
再現性、生産性等に多くの問題を持っている。
へのヒータのWの混入も避けられない、更に又、結晶成
長のための条件を適切に制御することも困難で、結果の
再現性、生産性等に多くの問題を持っている。
一方、スパッタリング法では、BaTiO3の様な多元
化合物のターゲットの作製が容易ではなく、また元素に
よるスパッタリング率の違いにより、足止組成の薄膜を
得ることが困難であり、加えて、スパッタリング率の差
あるいはArイオン衝撃に起因するターゲット表面の温
度上昇による元素の蒸発率の差等により、薄膜作製中の
ターゲット表面の組成の経時変化が大きく、さらには、
薄膜がA「プラズマにさらされることで、その結晶性が
乱れるといった問題がある。
化合物のターゲットの作製が容易ではなく、また元素に
よるスパッタリング率の違いにより、足止組成の薄膜を
得ることが困難であり、加えて、スパッタリング率の差
あるいはArイオン衝撃に起因するターゲット表面の温
度上昇による元素の蒸発率の差等により、薄膜作製中の
ターゲット表面の組成の経時変化が大きく、さらには、
薄膜がA「プラズマにさらされることで、その結晶性が
乱れるといった問題がある。
さらに、前記のいずれの方法で得られたBaTiO3薄
膜も一般に強誘電性を示さず、強誘電性のBaT iO
,薄膜を得るためには、薄膜作製時に基板を1000℃
を越える高温に設定したり、あるいは薄膜作製後にその
薄膜を1000℃を越える高温でアニールしたりする必
要があった。また、これらの薄膜ついては、不純物の混
入、あるいは酸素欠陥による、電気抵抗の大幅な減少が
しばしば報告されている。
膜も一般に強誘電性を示さず、強誘電性のBaT iO
,薄膜を得るためには、薄膜作製時に基板を1000℃
を越える高温に設定したり、あるいは薄膜作製後にその
薄膜を1000℃を越える高温でアニールしたりする必
要があった。また、これらの薄膜ついては、不純物の混
入、あるいは酸素欠陥による、電気抵抗の大幅な減少が
しばしば報告されている。
〔課題を解決するための手段〕と〔作用〕本発明は上述
の問題点を解決すべく研究の結果到達したものである。
の問題点を解決すべく研究の結果到達したものである。
即ち本発明は、単結晶からなる下記の強誘電体薄膜を提
供するものである。
供するものである。
(1)、基板上に形成された薄膜で結晶構造がペロプス
カイト構造をなし、化学組成が式BaTiOsで表され
、薄膜が全体として単結晶を成していることを特徴とす
る強誘電体薄膜。
カイト構造をなし、化学組成が式BaTiOsで表され
、薄膜が全体として単結晶を成していることを特徴とす
る強誘電体薄膜。
また、本発明は、BaTiO3薄膜を再現性良く製造す
るに適切な下記の方法に関するものである。
るに適切な下記の方法に関するものである。
(2)、微量の酸素ガスを導入した真空蒸着槽内におい
て、Ba、 Tiの各金属元素を別々の蒸発源からBa
:Tiの比が1:1となるように制御しつつ同時に蒸発
させて基板上に蒸着せしめることを特徴とする強誘電体
薄膜の製造法。
て、Ba、 Tiの各金属元素を別々の蒸発源からBa
:Tiの比が1:1となるように制御しつつ同時に蒸発
させて基板上に蒸着せしめることを特徴とする強誘電体
薄膜の製造法。
(3)、微量の酸素ガスを導入した真空蒸着槽内ににお
いて、プラズマを発生させつつBa、 Tiの各金属元
素を別々の蒸発源からBa : Tiの比がl:1とな
るように制御しつつ同時に蒸発させて基板上に蒸着せし
めることを特徴とする強誘電体薄膜の製造法。
いて、プラズマを発生させつつBa、 Tiの各金属元
素を別々の蒸発源からBa : Tiの比がl:1とな
るように制御しつつ同時に蒸発させて基板上に蒸着せし
めることを特徴とする強誘電体薄膜の製造法。
(4)、 (2)又は(3)記載の方法において、蒸
着板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸着基
板付近だけに比較的高い圧力の酸素雰囲気をつくること
を特徴とする強誘電体薄膜の製造法。
着板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸着基
板付近だけに比較的高い圧力の酸素雰囲気をつくること
を特徴とする強誘電体薄膜の製造法。
さらに本発明は、上記(2)、(3)、(4)のいずれ
かの製造法を用いて単結晶からなるBaTi0゜薄膜を
つくり、且つその薄膜を適切な方位の単結晶からなるも
のとするために必要な下記の発明に関するものである。
かの製造法を用いて単結晶からなるBaTi0゜薄膜を
つくり、且つその薄膜を適切な方位の単結晶からなるも
のとするために必要な下記の発明に関するものである。
(5)、 (2)、(3)、(4)のいずれかに記載
の方法において、蒸着基板として単結晶を用い、且つこ
の単結晶をその(001)面が基板表面となるように用
いることを特徴とする(1.)記載の強誘電体薄膜の製
造法。
の方法において、蒸着基板として単結晶を用い、且つこ
の単結晶をその(001)面が基板表面となるように用
いることを特徴とする(1.)記載の強誘電体薄膜の製
造法。
(6)、 (2)、(3)、(4)のいずれかに記載
の方法において、蒸着基板として単結晶を用い、且つこ
の単結晶をその(110)面が基板表面となるように用
いることを特徴とする(1)記載の強誘電体薄膜の製造
法。
の方法において、蒸着基板として単結晶を用い、且つこ
の単結晶をその(110)面が基板表面となるように用
いることを特徴とする(1)記載の強誘電体薄膜の製造
法。
さらに本発明は上記(5)、(6)に示された製造法に
おいて単結晶からなるBaTiO3薄膜を得るための最
適の条件を与える下記の発明に関するものである。
おいて単結晶からなるBaTiO3薄膜を得るための最
適の条件を与える下記の発明に関するものである。
(7)、 (5)又は(6)記載の方法において、5
00℃以上に加熱した蒸着基板上に金属を蒸着せしめる
ことを特徴とする(1)記載の強誘電体薄膜の製造法。
00℃以上に加熱した蒸着基板上に金属を蒸着せしめる
ことを特徴とする(1)記載の強誘電体薄膜の製造法。
(8)、 (5)又は(6)記載の方法において、B
aTi01の蒸着速度が数オングストローム以下である
ことを特徴とする(1)記載の強誘電体薄膜の製造法。
aTi01の蒸着速度が数オングストローム以下である
ことを特徴とする(1)記載の強誘電体薄膜の製造法。
以下本発明の製造法を作用とともにより具体的に説明す
る。
る。
第一に、真空ポンプにより真空蒸着槽をまず10−’T
orr程度に排気する。ついで、真空ポンプで継続的に
槽内を排気しつつ真空蒸着槽内に設けられたノズルより
、微量の酸素ガスを継続的に噴射させ、真空槽の内部に
10−’−10−3Torr程度の酸素雰囲気をつくる
。ここで、酸素ガス圧の上限を10”3Torrとした
のは、同真空槽内にある蒸発源中のBa、及びTiを劣
化させることな(、かつその蒸発をスムーズにおこなわ
せるためである。一方、下限の10−’Torrは、基
板上で金属元素の酸化が安定に進行する目安を与えるも
ので、またプラズマを発生させる場合には放電が安定に
継続するガス圧の下限を示す。
orr程度に排気する。ついで、真空ポンプで継続的に
槽内を排気しつつ真空蒸着槽内に設けられたノズルより
、微量の酸素ガスを継続的に噴射させ、真空槽の内部に
10−’−10−3Torr程度の酸素雰囲気をつくる
。ここで、酸素ガス圧の上限を10”3Torrとした
のは、同真空槽内にある蒸発源中のBa、及びTiを劣
化させることな(、かつその蒸発をスムーズにおこなわ
せるためである。一方、下限の10−’Torrは、基
板上で金属元素の酸化が安定に進行する目安を与えるも
ので、またプラズマを発生させる場合には放電が安定に
継続するガス圧の下限を示す。
ここで、真空蒸着槽に酸素ガスを導入するに際しては、
蒸着基板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸
着基板付近にだけ比較的高い酸素圧の雰囲気をつくると
よく、これにより少ない酸素導入量で基板上での反応を
より促進させることが出来る。この時真空槽内は継続的
に排気されているので真空槽のほとんどの部分は10−
’ 10−’Torrの低い圧力になッテイル。
蒸着基板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸
着基板付近にだけ比較的高い酸素圧の雰囲気をつくると
よく、これにより少ない酸素導入量で基板上での反応を
より促進させることが出来る。この時真空槽内は継続的
に排気されているので真空槽のほとんどの部分は10−
’ 10−’Torrの低い圧力になッテイル。
プラズマは、蒸発源と蒸着基板との間に高周波コイルを
置き、真空槽の壁との間で高周波発振させることで発生
させることが出来るが、このプラズマ発生は蒸発金属元
素、酸素原子を活性化する意味で望ましい反面、その発
生が強いと、生成中の薄膜の結晶性を乱すなどの弊害が
生ずるので、プラズマ発生に使用する電力は50−50
0W、望ましくはtoow前後とする。
置き、真空槽の壁との間で高周波発振させることで発生
させることが出来るが、このプラズマ発生は蒸発金属元
素、酸素原子を活性化する意味で望ましい反面、その発
生が強いと、生成中の薄膜の結晶性を乱すなどの弊害が
生ずるので、プラズマ発生に使用する電力は50−50
0W、望ましくはtoow前後とする。
その次に、下記のように蒸発量が制御された金属元素を
蒸着基板上に蒸着して薄膜成長を行う、このときBaT
i0iの結晶化のために基板温度は500℃以上に保た
れていることが望ましいが、基板温度が高すぎると、膜
表面の平滑性の劣化が起こるので、好ましくは約600
℃前後とする。
蒸着基板上に蒸着して薄膜成長を行う、このときBaT
i0iの結晶化のために基板温度は500℃以上に保た
れていることが望ましいが、基板温度が高すぎると、膜
表面の平滑性の劣化が起こるので、好ましくは約600
℃前後とする。
ついで、Ba、Tiの金属を電子ビーム等で加熱し、蒸
発を行う、 BaTiO3薄膜の蒸着に先立ち、Ba、
Tiの各金属が、蒸発源に加えた電力量条件下におい
て、単位時間当たりどの程度蒸発し、BaO、TiOよ
の蒸着膜を形成するかを、真空蒸着槽内の基板付近に設
置した膜厚計により、金属毎に測定し、電力量によるB
a、 Tiの実施時の蒸発量を蒸発源に加える電力量に
よって決定すればよい、このとき、BaTiO3の蒸着
速度が毎秒数Å以下好ましくは4Å以下になるように蒸
着量を調整することで良好に単結晶化した薄膜が得られ
る。早い蒸着速度のもとでは基板上での原子のマイグレ
ーションが十分に行われずに膜成長が進行し、結果とし
て多結晶体薄膜しか得られないことになる。
発を行う、 BaTiO3薄膜の蒸着に先立ち、Ba、
Tiの各金属が、蒸発源に加えた電力量条件下におい
て、単位時間当たりどの程度蒸発し、BaO、TiOよ
の蒸着膜を形成するかを、真空蒸着槽内の基板付近に設
置した膜厚計により、金属毎に測定し、電力量によるB
a、 Tiの実施時の蒸発量を蒸発源に加える電力量に
よって決定すればよい、このとき、BaTiO3の蒸着
速度が毎秒数Å以下好ましくは4Å以下になるように蒸
着量を調整することで良好に単結晶化した薄膜が得られ
る。早い蒸着速度のもとでは基板上での原子のマイグレ
ーションが十分に行われずに膜成長が進行し、結果とし
て多結晶体薄膜しか得られないことになる。
以上、製造法の詳細を説明したが、この製造法は、従来
の真空蒸着法、スパッタリング法との比較において特に
明確なごとく、不純物の介在の余地の無い、しかも制御
しやすい操作条件下で実施しうるため、再現性よく完全
性の高い目的物を得るのに好適である。
の真空蒸着法、スパッタリング法との比較において特に
明確なごとく、不純物の介在の余地の無い、しかも制御
しやすい操作条件下で実施しうるため、再現性よく完全
性の高い目的物を得るのに好適である。
薄膜を成長させる基板として、■その表面が(001)
面となるように切断、鏡面研磨した5rTiO1単結晶
、■その表面が(110)となるように切断、鏡面研磨
した5rTiO,単結晶、■その表面が(001)とな
るように切断、鏡面研磨したMgO単結晶基板上に成長
させた(001)配向した膜厚1000人のpt単結晶
薄膜を用いた。尚、このpt単結晶薄膜はpt金金属蒸
発源に用い、通常の真空蒸着法にて作製した。
面となるように切断、鏡面研磨した5rTiO1単結晶
、■その表面が(110)となるように切断、鏡面研磨
した5rTiO,単結晶、■その表面が(001)とな
るように切断、鏡面研磨したMgO単結晶基板上に成長
させた(001)配向した膜厚1000人のpt単結晶
薄膜を用いた。尚、このpt単結晶薄膜はpt金金属蒸
発源に用い、通常の真空蒸着法にて作製した。
真空槽内に設置された加熱機構を備えた基板ホルダーに
前記基板(約15X15龍りを固定し、真空蒸着槽(7
50mmΦxlo00h)を10−’T。
前記基板(約15X15龍りを固定し、真空蒸着槽(7
50mmΦxlo00h)を10−’T。
rrまで油拡散ポンプにより排気し、基板を600℃に
加熱する。その後、真空槽内に設けられたノズルから酸
素ガスを40cc 7分の割合で導入する。ついで、金
属Ba、及びTiをそれぞれ独立した蒸発源から基板上
で原子比で1:1になるような蒸発速度(例えば、Ba
=1.36人/sec、 Ti−1,0人/5ec)で
蒸発させる。さらに、蒸発源と蒸着基板の間に高周波コ
イルを置いて、100WO高周波(13,56MHz)
を入力し酸素プラズマを発生させて、蒸着基板上での反
応を促進させる、この時、真空槽内の圧力は10−’T
orr程度であった0以上のようにして膜厚4000人
のBaTiOs薄膜を得た。
加熱する。その後、真空槽内に設けられたノズルから酸
素ガスを40cc 7分の割合で導入する。ついで、金
属Ba、及びTiをそれぞれ独立した蒸発源から基板上
で原子比で1:1になるような蒸発速度(例えば、Ba
=1.36人/sec、 Ti−1,0人/5ec)で
蒸発させる。さらに、蒸発源と蒸着基板の間に高周波コ
イルを置いて、100WO高周波(13,56MHz)
を入力し酸素プラズマを発生させて、蒸着基板上での反
応を促進させる、この時、真空槽内の圧力は10−’T
orr程度であった0以上のようにして膜厚4000人
のBaTiOs薄膜を得た。
本実施例で得られた薄膜について測定したX線回折の結
果を第1図に示す、第1図aは基板■を用いた場合、第
1図すは基板■を用いた場合、第1図Cは基板■を用い
た場合のX線回折図形である。
果を第1図に示す、第1図aは基板■を用いた場合、第
1図すは基板■を用いた場合、第1図Cは基板■を用い
た場合のX線回折図形である。
第1図a、Cにはペロプスカイト構造の(001)のピ
ークが明瞭に観測されており、また第1図すにはペロプ
スカイト構造の(110) 、 (220) 、 (3
30)のピークが明瞭に観察されており、基板の結晶構
造、」称性を反映した方位に強く配向した結晶膜が得ら
れていることが分かる。
ークが明瞭に観測されており、また第1図すにはペロプ
スカイト構造の(110) 、 (220) 、 (3
30)のピークが明瞭に観察されており、基板の結晶構
造、」称性を反映した方位に強く配向した結晶膜が得ら
れていることが分かる。
更に、第2図にこの薄膜の結晶構造を示す電子線回折パ
ターンを示す、第2図a、bは基板■を用いた場合で、
第2図aは5rTiOsの[0101方向から電子線を
入射した場合、第2図すは基板の[1101方向から電
子線を入射した場合の回折パターンである。第2図c、
dは基板■を用いた場合で、第2図Cは基板の[001
1方向から電子線を入射した場合、第2図dは[110
]方向から電子線を入射した場合、第2図e、fは基板
■を用いた場合で、第2図eは基板の[0101方向か
ら、第2図fは基板の[0011方向から電子線を入射
した場合の回折パターンである。
ターンを示す、第2図a、bは基板■を用いた場合で、
第2図aは5rTiOsの[0101方向から電子線を
入射した場合、第2図すは基板の[1101方向から電
子線を入射した場合の回折パターンである。第2図c、
dは基板■を用いた場合で、第2図Cは基板の[001
1方向から電子線を入射した場合、第2図dは[110
]方向から電子線を入射した場合、第2図e、fは基板
■を用いた場合で、第2図eは基板の[0101方向か
ら、第2図fは基板の[0011方向から電子線を入射
した場合の回折パターンである。
これらの結果より明らかなように、BaTi0zはいず
れの基板上にもエピタキシャルに成長しており、その回
折パターンがいずれもシャープなストリーク状になって
いることから、得られた膜がいずれも単結晶で、その膜
表面はいずれも原子レベルで平滑であることが分かる。
れの基板上にもエピタキシャルに成長しており、その回
折パターンがいずれもシャープなストリーク状になって
いることから、得られた膜がいずれも単結晶で、その膜
表面はいずれも原子レベルで平滑であることが分かる。
このことは走査形電子顕微鏡による薄膜表面の観察でも
確認されており、粒界なとは観察されない。
確認されており、粒界なとは観察されない。
得られた薄膜は、電気抵抗がいずれも10’Ω・1以上
の高い抵抗率を有している。更にこれらの薄膜で強誘電
性を有することを示す強誘電ヒステリシスループが観察
された。ソーヤ・タワー回路を用い、周波数60七で観
察したヒステリシスループの一例を第3図に示す、残留
分極Prが約5μC/d、抗電界15KV/C1lの明
瞭な強誘電ヒステリシスループである。
の高い抵抗率を有している。更にこれらの薄膜で強誘電
性を有することを示す強誘電ヒステリシスループが観察
された。ソーヤ・タワー回路を用い、周波数60七で観
察したヒステリシスループの一例を第3図に示す、残留
分極Prが約5μC/d、抗電界15KV/C1lの明
瞭な強誘電ヒステリシスループである。
また、膜の誘電率の温度変化を調べたところ一例として
、第4図に示すように120℃付近に、ブロードではあ
るが明瞭なピークが認められ、この薄膜がその温度で、
強誘電相転移を行うことが明らかになった。
、第4図に示すように120℃付近に、ブロードではあ
るが明瞭なピークが認められ、この薄膜がその温度で、
強誘電相転移を行うことが明らかになった。
また、真空槽内に微量の酸素ガスを導入する際、蒸着基
板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸着基板
付近にだけ比較的高い圧力の酸素雰囲気をつくりながら
、上記実施例と同様にしてBaTiO3薄膜の作製を行
ったところ、まったく同様の結果を得た。この時、酸素
ガスの流量は毎分25ccであった。
板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸着基板
付近にだけ比較的高い圧力の酸素雰囲気をつくりながら
、上記実施例と同様にしてBaTiO3薄膜の作製を行
ったところ、まったく同様の結果を得た。この時、酸素
ガスの流量は毎分25ccであった。
本発明(1)のBaTiO3は基板上に単結晶として成
長させたものである。そのため、強誘電薄膜素子として
利用する際に有効な優れた特性を有している。また、単
結晶を成している為、その上に、他の機能材料をエピタ
キシャル成長させたり、半導体材料を積層させることも
可能であり、高機能素子への応用も容易に行える。
長させたものである。そのため、強誘電薄膜素子として
利用する際に有効な優れた特性を有している。また、単
結晶を成している為、その上に、他の機能材料をエピタ
キシャル成長させたり、半導体材料を積層させることも
可能であり、高機能素子への応用も容易に行える。
さらに、本発明による製造法は、強誘電性を有するBa
T its Fl膜を約600°Cという比較的低い温
度基板上に不純物の介在の余地の無い、しかも、制御し
やすい操作条件で再現性よく形成することが出来るもの
で、工業的利用価値の高いものである。
T its Fl膜を約600°Cという比較的低い温
度基板上に不純物の介在の余地の無い、しかも、制御し
やすい操作条件で再現性よく形成することが出来るもの
で、工業的利用価値の高いものである。
第1図a〜第1図Cは、いずれも本発明の実施例で得ら
れたBaT1osi!膜のX線回折図であり、第1図a
は基板として5rTiOsの(001)を用いた場合、
第1図すは基板として5rTiO,の(tlO)を用い
た場合、第1図Cは基板としてPt(001)を用いた
場合のX線回折図である。 第2図a〜第2図fは、いずれも本発明の実施例で得ら
れたBaTi0siii膜の結晶構造を示す反射高速電
子線回折像の図面代用写真であり、第2図a及び第2図
すは基板として5rTiO,の(001)を用いた場合
、第2図C及び第2図dは基板として5rTi03の(
110)を用いた場合、第2図e及び第2図fは基板と
してPL(001)薄膜を用いた場合の反射高速電子線
回折像の図面代用写真である。 第3図は本発明の実施例で得られたBaTiOs薄膜の
強誘電ヒステリシスループで、周波数60)[zでソー
ヤ・タワー回路を用いて観察された。 第4図は本発明の実施例で得られたBaTiOs薄膜の
誘電率の温度変化を示す図である。
れたBaT1osi!膜のX線回折図であり、第1図a
は基板として5rTiOsの(001)を用いた場合、
第1図すは基板として5rTiO,の(tlO)を用い
た場合、第1図Cは基板としてPt(001)を用いた
場合のX線回折図である。 第2図a〜第2図fは、いずれも本発明の実施例で得ら
れたBaTi0siii膜の結晶構造を示す反射高速電
子線回折像の図面代用写真であり、第2図a及び第2図
すは基板として5rTiO,の(001)を用いた場合
、第2図C及び第2図dは基板として5rTi03の(
110)を用いた場合、第2図e及び第2図fは基板と
してPL(001)薄膜を用いた場合の反射高速電子線
回折像の図面代用写真である。 第3図は本発明の実施例で得られたBaTiOs薄膜の
強誘電ヒステリシスループで、周波数60)[zでソー
ヤ・タワー回路を用いて観察された。 第4図は本発明の実施例で得られたBaTiOs薄膜の
誘電率の温度変化を示す図である。
Claims (8)
- (1) 基板上に形成された薄膜で結晶構造がペロプス
カイト構造をなし、化学組成が式BaTiO_3で表さ
れ、薄膜が全体として単結晶を成していることを特徴と
する強誘電体薄膜。 - (2) 微量の酸素ガスを導入した真空蒸着槽内ににお
いて、Ba、Tiの各金属元素を別々の蒸発源からBa
:Tiの比が1:1となるように制御しつつ同時に蒸発
させて基板上に蒸着せしめることを特徴とする強誘電体
薄膜の製造法。 - (3) 微量の酸素ガスを導入した真空蒸着槽内におい
て、プラズマを発生させつつBa、Tiの各金属元素を
別々の蒸発源からBa:Tiの比が1:1となるように
制御しつつ同時に蒸発させて基板上に蒸着せしめること
を特徴とする強誘電体薄膜の製造法。 - (4) 請求項(2)又は(3)記載の方法において、
蒸着基板の表面に、その近傍から酸素ガスを噴射し、蒸
着基板付近だけに比較的高い圧力の酸素雰囲気をつくる
ことを特徴とする強誘電体薄膜の製造法。 - (5) 請求項(2)、(3)、(4)のいずれかに記
載の方法において、蒸着基板として単結晶を用い、且つ
この単結晶をその(001)面が基板表面となるように
用いることを特徴とする請求項(1)記載の強誘電体薄
膜の製造法。 - (6) 請求項(2)、(3)、(4)のいずれかに記
載の方法において、蒸着基板として単結晶を用い、且つ
この単結晶をその(110)面が基板表面となるように
用いることを特徴とする請求項(1)記載の強誘電体薄
膜の製造法。 - (7) 請求項(5)又は(6)記載の方法において、
500℃以上に加熱した蒸着基板上に金属を蒸着せしめ
ることを特徴とする請求項(1)記載の強誘電体薄膜の
製造法。 - (8) 請求項(5)又は(6)記載の方法において、
BaTiO_3の蒸着速度が数オングストローム以下で
あることを特徴とする請求項(1)記載の強誘電体薄膜
の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1080700A JPH02258700A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 強誘電体薄膜及びその製造法 |
EP19900106013 EP0390139A3 (en) | 1989-03-30 | 1990-03-29 | Ferroelectric thin film and method for producing the same |
US08/074,159 US5350606A (en) | 1989-03-30 | 1993-06-09 | Single crystal ferroelectric barium titanate films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1080700A JPH02258700A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 強誘電体薄膜及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02258700A true JPH02258700A (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=13725605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1080700A Pending JPH02258700A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 強誘電体薄膜及びその製造法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0390139A3 (ja) |
JP (1) | JPH02258700A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04187759A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-06 | Nec Corp | 誘電体薄膜の成膜方法 |
US5451426A (en) * | 1992-04-10 | 1995-09-19 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Method for formation of barium titanate film |
US5828080A (en) * | 1994-08-17 | 1998-10-27 | Tdk Corporation | Oxide thin film, electronic device substrate and electronic device |
JP2010064942A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Kyushu Univ | ペロブスカイト酸化物薄膜の製造方法及びペロブスカイト酸化物薄膜 |
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JP3762978B2 (ja) | 2001-08-21 | 2006-04-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 面内格子定数調整基板の作製方法及び面内格子定数調整基板 |
WO2004055876A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-01 | Ibule Photonics Inc. | Method for preparation of ferroelectric single crystal film structure using deposition method |
US20210103197A1 (en) | 2018-08-06 | 2021-04-08 | Zhejiang Jingyi New Material Technology Co., Ltd | ABX3 perovskite particles and their application in reverse mode controlling photo-flux |
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JPS63244529A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜の形成方法 |
JPS63264819A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Hitachi Ltd | 酸化物超伝導体薄膜の形成方法 |
JPH0280397A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
JPS6090893A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶性酸化物薄膜の製造方法 |
JPS6096599A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080700A patent/JPH02258700A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-29 EP EP19900106013 patent/EP0390139A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0390139A3 (en) | 1993-06-09 |
EP0390139A2 (en) | 1990-10-03 |
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