JPH0280397A - 強誘電体薄膜 - Google Patents
強誘電体薄膜Info
- Publication number
- JPH0280397A JPH0280397A JP22822988A JP22822988A JPH0280397A JP H0280397 A JPH0280397 A JP H0280397A JP 22822988 A JP22822988 A JP 22822988A JP 22822988 A JP22822988 A JP 22822988A JP H0280397 A JPH0280397 A JP H0280397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- axis
- batio3
- ferroelectric thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電形赤外線センサ、圧電素子、電気光学素子
、メモリ素子、キャパシタなどに用いられる強誘電体薄
膜に関するものである。
、メモリ素子、キャパシタなどに用いられる強誘電体薄
膜に関するものである。
従来の技術
強誘電体のエレクトロニクス分野における応用は、赤外
線センサ、圧電素子、電気光学素子、メモリ素子、キャ
パシタなど、さまざまなものかある。
線センサ、圧電素子、電気光学素子、メモリ素子、キャ
パシタなど、さまざまなものかある。
近年の半導体技術の進歩による電子部品の小型化、集積
化にともない９強誘電体素子も小型化。
化にともない９強誘電体素子も小型化。
薄膜化が進みつつある。
一般にＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）のような強誘
電体の誘電率は非常に大きく、また誘電率の異方性も大
きい。この大きい方の誘電率を利用して薄膜の大容量キ
ャパシタを作成する場合、誘電率の大きい方向の結晶軸
が基板に垂直に揃っている（配向している）ことが望ま
しい。ＢａＴｉＯａの結晶構造は室温で正方晶形で、（
００１）軸方向に垂直な面に電極をつけて測定した誘電
率は約２００であるが、（１００）あるいは（０１０）
軸に垂直な面に垂直な面に電極をつけて測定した誘電率
は非常に太きく２０００以上である［ Ｓ、 ｔｌ、
Ｗｅｍｐｌｅ他：ジャーナル・オブ・フィジックス・ア
ンド・ケミストリー・オブ・ソリッド（、Ｊ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｃｈｅｍ−５ｏ１ｉｄｓ２９巻、ページ１７９７
、１９（３８年］。したがって。
電体の誘電率は非常に大きく、また誘電率の異方性も大
きい。この大きい方の誘電率を利用して薄膜の大容量キ
ャパシタを作成する場合、誘電率の大きい方向の結晶軸
が基板に垂直に揃っている（配向している）ことが望ま
しい。ＢａＴｉＯａの結晶構造は室温で正方晶形で、（
００１）軸方向に垂直な面に電極をつけて測定した誘電
率は約２００であるが、（１００）あるいは（０１０）
軸に垂直な面に垂直な面に電極をつけて測定した誘電率
は非常に太きく２０００以上である［ Ｓ、 ｔｌ、
Ｗｅｍｐｌｅ他：ジャーナル・オブ・フィジックス・ア
ンド・ケミストリー・オブ・ソリッド（、Ｊ、 Ｐｈｙ
ｓ、 Ｃｈｅｍ−５ｏ１ｉｄｓ２９巻、ページ１７９７
、１９（３８年］。したがって。
ＢａＴｉＯ：＋を薄膜化して大容量のキャパシタとして
利用するには、（１００）または（０１０）軸が基板に
垂直に配向していることが望ましい。
利用するには、（１００）または（０１０）軸が基板に
垂直に配向していることが望ましい。
薄膜を作成する基板には、セラミクス、囃結晶。
アモルファス物質、金属等が用いられるが、酸化物の薄
膜を作成した場合、基板の種類と作成条件によって、結
晶の方位が変わり易い。石英ガラス（ＳｉＯ２）は、耐
熱性に優れ熱膨張係数が非常に小さいので基板としては
優れている。しかし２石英ガラスはアモルファス形であ
り、結晶性酸化物をその上に配向させることは、一般に
困難である。
膜を作成した場合、基板の種類と作成条件によって、結
晶の方位が変わり易い。石英ガラス（ＳｉＯ２）は、耐
熱性に優れ熱膨張係数が非常に小さいので基板としては
優れている。しかし２石英ガラスはアモルファス形であ
り、結晶性酸化物をその上に配向させることは、一般に
困難である。
今までに、ＢａＴｉＯ３について（１００）軸あるいは
（０１０）軸が石英基板も含めて種々の基板に垂直に配
向した薄膜を作成した実例は見当たらない。
（０１０）軸が石英基板も含めて種々の基板に垂直に配
向した薄膜を作成した実例は見当たらない。
発明が解決しようとする課題
一般には、ＢａＴｉＯ３の（１００）あるいは（０１０
）軸が確実に基板に垂直に配向することはない。
）軸が確実に基板に垂直に配向することはない。
本発明の目的は、！当な基板上に設けた電極面に垂直に
（１００）軸あるいは（０１０）軸を配向させたＢａ’
ｌ”ｉ０３薄膜を得ることである。
（１００）軸あるいは（０１０）軸を配向させたＢａ’
ｌ”ｉ０３薄膜を得ることである。
課題を解決するための手段
本発明は、基板として９石英ガラスを用い、その上に電
極としてＰｔ等の金属薄膜を作成し、一定の条件でスパ
ッタリングを行うことによって、基板に垂直に（１００
）あるいは（０１０）軸が配向したＢａＴｉＯ３強誘電
体薄膜を形成させたものである。
極としてＰｔ等の金属薄膜を作成し、一定の条件でスパ
ッタリングを行うことによって、基板に垂直に（１００
）あるいは（０１０）軸が配向したＢａＴｉＯ３強誘電
体薄膜を形成させたものである。
作用
基板として９石英ガラス上にｐｔ薄膜を作成したものを
選ぶ。基板温度が低すぎるか高すぎるか。
選ぶ。基板温度が低すぎるか高すぎるか。
あるいは、ガス圧力が高すぎるか低すぎると、できた薄
膜は多結晶体あるいはアモルファスである。
膜は多結晶体あるいはアモルファスである。
しかし、適当なガス圧力および基板温度では。
ＢａＴｉＯ３薄膜の（１００）軸あるいは（０１０）軸
が基板面に垂直に揃って、薄膜はエピタキシャル的に配
向成長する。Ｍｇ０（マグネシア）やＣカット・サファ
イア基板では、（１００）配向薄膜を得ることは困難で
あった。
が基板面に垂直に揃って、薄膜はエピタキシャル的に配
向成長する。Ｍｇ０（マグネシア）やＣカット・サファ
イア基板では、（１００）配向薄膜を得ることは困難で
あった。
実施例
以下に、本発明の詳細な説明する。
薄膜は、ＲＦ−マグネトロンスパッタ法により作成した
。ターゲットはＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）粉末
である。ターゲット粉末は銅皿に入れ。
。ターゲットはＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）粉末
である。ターゲット粉末は銅皿に入れ。
２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレスした。
スパッタガスは、Ａｒ（アルゴン）１０２（酸素）が９
０／１０の混合ガスである。ガス圧力は５〜１６０ｍＴ
の範囲で変化させた。基板の温度は３５０〜８５０℃で
ある。基板とターゲットの距離は８ｃｍである。
０／１０の混合ガスである。ガス圧力は５〜１６０ｍＴ
の範囲で変化させた。基板の温度は３５０〜８５０℃で
ある。基板とターゲットの距離は８ｃｍである。
基板には９石英ガラス、（１００）面でへき間したＭｇ
０（マグネシア）単結晶、Ｃカット・サファイアを用い
た。基板表面に約１０００Ａの厚みのＰＬ、 Ａｕ、
Ａｇ薄膜をスパッタリングでつけ電極とした。Ｂａ
ＴｉＯｑの成膜は６時間行なった。
０（マグネシア）単結晶、Ｃカット・サファイアを用い
た。基板表面に約１０００Ａの厚みのＰＬ、 Ａｕ、
Ａｇ薄膜をスパッタリングでつけ電極とした。Ｂａ
ＴｉＯｑの成膜は６時間行なった。
ＢａＴｉＯ３単結晶は１２０℃付近にキュリー点をもつ
ペロブスカイト形の強誘電体である。室温では正方品形
である。誘電率の大きい方向はａ軸。
ペロブスカイト形の強誘電体である。室温では正方品形
である。誘電率の大きい方向はａ軸。
すなわち（１００）あるいはｂ軸すなわち（０１０）方
向で、ａ軸とｂ軸は等価である。したがって、上に述べ
たように、ＢａＴｉＯ３薄膜をキャパシタとして用いる
場合、（１００）あるいは（０１０）軸が基板に垂直に
配向していることが望ましい。
向で、ａ軸とｂ軸は等価である。したがって、上に述べ
たように、ＢａＴｉＯ３薄膜をキャパシタとして用いる
場合、（１００）あるいは（０１０）軸が基板に垂直に
配向していることが望ましい。
ＢａＴｉＯ３粉末のＸ線回折パターンを標準として測定
し、薄膜の結果と比較した。粉末の場合のＸ線回折パタ
ーンの面指数、２θ、相対反射強度を第１表に示す。こ
こで薄膜の（１００）軸が配向している度合を表すため
に配向率ａを［Ｉ（１００）］／［１（００１）＋ Ｉ
（１００）＋ １（１０１）＋ Ｉ（１１０）＋Ｉ（１
１１）］で定義する。 Ｉ（１００）は（１００）面の
Ｘ線反射強度を意味する。
し、薄膜の結果と比較した。粉末の場合のＸ線回折パタ
ーンの面指数、２θ、相対反射強度を第１表に示す。こ
こで薄膜の（１００）軸が配向している度合を表すため
に配向率ａを［Ｉ（１００）］／［１（００１）＋ Ｉ
（１００）＋ １（１０１）＋ Ｉ（１１０）＋Ｉ（１
１１）］で定義する。 Ｉ（１００）は（１００）面の
Ｘ線反射強度を意味する。
第１表 ＢａＴｉＯ３粉末のＸ線回折パターン。
もしも薄膜が全く配向していなくて粉末と同じ状態なら
ば、α＝０．０４２になる。ａ軸が配向していなくて（
００１）、（１０１）および（１１１）が観測されない
状態では、αは０．４４となる。そして完全に（１００
）軸が基板に垂直に配向しているならばαは１になる。
ば、α＝０．０４２になる。ａ軸が配向していなくて（
００１）、（１０１）および（１１１）が観測されない
状態では、αは０．４４となる。そして完全に（１００
）軸が基板に垂直に配向しているならばαは１になる。
基板温度とガス圧を変えて作成した薄膜について、まず
αを求めた。次に表面に直径的１ｍｔｎのＰｔ電極を設
けて、誘電率εを１ ｋＨｚで測定した。
αを求めた。次に表面に直径的１ｍｔｎのＰｔ電極を設
けて、誘電率εを１ ｋＨｚで測定した。
ｐｔの代わりに電極としてＡｕあるいはＡｇを用いても
、Ｐｔの結果と同様であった。第２表に、３種類の基板
を用いた場合の基板温度、ガス圧とαおよびεの測定結
果を示す。表で、「Ｃす」はＣカット・サファイアであ
る。この結果から２Ｍ８０およびＣカット・サファイア
を用いた場合、試みた基板温度範囲で、配向率αは小さ
く、シたがって誘電率もあまり大きくならないことがわ
かる。一方。
、Ｐｔの結果と同様であった。第２表に、３種類の基板
を用いた場合の基板温度、ガス圧とαおよびεの測定結
果を示す。表で、「Ｃす」はＣカット・サファイアであ
る。この結果から２Ｍ８０およびＣカット・サファイア
を用いた場合、試みた基板温度範囲で、配向率αは小さ
く、シたがって誘電率もあまり大きくならないことがわ
かる。一方。
石英ガラス基板では、基板温度が５５０〜８００℃、ガ
ス圧がｌＯ〜４０ ｍ Ｔの範囲で作成した薄膜は、α
が０．５よりかなり大きく、非常に大きなεが得られる
ことがわかる。このように石英ガラス基板上に設けた金
属電極上に、適当な基板温度とガス圧で作成した薄膜は
（１００）あるいはく０１０）軸が基板に垂直に優勢に
配向していて、非常に大きい誘電率εをもっている。得
られた薄膜は大容量のキャパシタを構成するのに最適で
ある。
ス圧がｌＯ〜４０ ｍ Ｔの範囲で作成した薄膜は、α
が０．５よりかなり大きく、非常に大きなεが得られる
ことがわかる。このように石英ガラス基板上に設けた金
属電極上に、適当な基板温度とガス圧で作成した薄膜は
（１００）あるいはく０１０）軸が基板に垂直に優勢に
配向していて、非常に大きい誘電率εをもっている。得
られた薄膜は大容量のキャパシタを構成するのに最適で
ある。
第２表
ＢａＴｉＯ３薄膜の基板、基板温度、ガス圧と配向率α
および誘電率ε［ｌ］。
および誘電率ε［ｌ］。
第２表
ＢａＴｉＯ３薄膜の基板、基板温度、ガス圧と配向率α
および誘電率ε［２］。
および誘電率ε［２］。
第２表
ＢａＴｉＯ３薄膜の基板、基板温度、ガス圧と配向率α
および誘電率ε［３］。
および誘電率ε［３］。
第２表
ＢａＴｉＯ３ｒＪ膜の基板、基板温度、ガス圧と配向率
αおよび誘電率ε［４］。
αおよび誘電率ε［４］。
発明の効果
本発明によれは９石英ガラス上に金属を成膜し。
その上にスパッタ法で、適当な基板温度、ガス圧力で作
成したＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）強誘電体薄膜
は、基板面に垂直に（１００）あるいは（ＯｌＯ）軸が
揃っていて、すなわち（１００）軸が優勢に配向してい
るので、非常に大きい誘電率をもつ。
成したＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）強誘電体薄膜
は、基板面に垂直に（１００）あるいは（ＯｌＯ）軸が
揃っていて、すなわち（１００）軸が優勢に配向してい
るので、非常に大きい誘電率をもつ。
ＢａＴｉｏａ強誘電体薄膜は大容量キャパシタに応用で
きる。
きる。
Claims (1)
- 石英ガラス（ＳｉＯ＿２）基板と、基板上に設けた電極
上に形成された、基板に垂直に（１００）または（０１
０）軸が配向したＢａＴｉＯ＿３（チタン酸バリウム）
薄膜を備えたことを特徴とする強誘電体薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22822988A JPH0280397A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 強誘電体薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22822988A JPH0280397A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 強誘電体薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280397A true JPH0280397A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16873194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22822988A Pending JPH0280397A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 強誘電体薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280397A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02258700A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-19 | Res Inst For Prod Dev | 強誘電体薄膜及びその製造法 |
| EP0451500A2 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | International Business Machines Corporation | Printed circuit boards and cards having buried thin film capacitors and processing techniques for fabricating said boards and cards |
| JPH0478471A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-12 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 超音波振動体及びその製造方法 |
| CN105803395A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-07-27 | 长江大学 | 一种能降低介电损耗的多层Ni／BaTiO3薄膜的制备方法 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22822988A patent/JPH0280397A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02258700A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-19 | Res Inst For Prod Dev | 強誘電体薄膜及びその製造法 |
| EP0451500A2 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | International Business Machines Corporation | Printed circuit boards and cards having buried thin film capacitors and processing techniques for fabricating said boards and cards |
| EP0451500A3 (ja) * | 1990-04-09 | 1995-02-08 | Ibm | |
| JPH0478471A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-12 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 超音波振動体及びその製造方法 |
| CN105803395A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-07-27 | 长江大学 | 一种能降低介电损耗的多层Ni／BaTiO3薄膜的制备方法 |
| CN105803395B (zh) * | 2016-03-31 | 2018-05-25 | 长江大学 | 一种能降低介电损耗的多层Ni／BaTiO3薄膜的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6312819B1 (en) | Oriented conductive oxide electrodes on SiO2/Si and glass | |
| Si et al. | Epitaxial thin films of the giant-dielectric-constant material CaCu 3 Ti 4 O 12 grown by pulsed-laser deposition | |
| Dixit et al. | Relaxor behavior in sol–gel-derived BaZr (0.40) Ti (0.60) O 3 thin films | |
| Valant et al. | Review of Ag (Nb, Ta) O3 as a functional material | |
| US5077270A (en) | Elements comprising a film of a perovskite compound whose crystallographic axes are oriented and a method of making such elements | |
| Francombe | Ferroelectric films and their device applications | |
| Ouchi | Piezoelectric Properties and Phase Relations of Pb (Mg1/3Nb2/3) O3‐PbTiO3− PbZrO3 Ceramics with Barium or Strontium Substitutions | |
| Garino et al. | Residual stress in PZT thin films and its effect on ferroelectric properties | |
| Zhang et al. | Characteristics of the electromechanical response and polarization of electric field biased ferroelectrics | |
| Nobre et al. | Impedance spectroscopy analysis of high-temperature phase transitions in sodium lithium niobate ceramics | |
| Mallick et al. | Electrocaloric effect and temperature dependent scaling behaviour of dynamic ferroelectric hysteresis studies on modified BTO | |
| JPH0280397A (ja) | 強誘電体薄膜 | |
| JP3127245B1 (ja) | 多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス | |
| Potrepka et al. | Effect of strain on tunability in Ba0. 60Sr0. 40TiO3 thin films on Pt–Si substrates | |
| Surowiak et al. | The structure and the piezoelectric properties of thin Pb (Zr0. 53Ti0. 45W0. 01Cd0. 01) O3 films | |
| JPH045874A (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| JP2990527B2 (ja) | 薄膜基板の製造方法 | |
| EP0767466B1 (en) | Compensation of the temperature coefficient of the dielectric constant of barium strontium titanate | |
| JPH04206871A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR970067621A (ko) | 기판상에 (200)방향으로 우선 배향된 백금 박막을 형성하는 방법. 그 방법에 의하여 형성된 백금 박막을 구비한 기판 및 전자 소자 | |
| Shi et al. | Investigation of crystallographic and pyroelectric properties of lead-based perovskite-type structure ferroelectric thin films | |
| JPH0294209A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPH07300397A (ja) | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法 | |
| Ma et al. | Crystallization evolution and ferroelectric behavior of Bi 3.25 La 0.75 Ti 3 O 12-based thin films prepared by rf-magnetron sputtering | |
| JP2718414B2 (ja) | チタン酸鉛薄膜の製造方法 |