JP5299050B2 - ポリエチレン樹脂組成物およびこれよりなる積層体 - Google Patents

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Description

本発明は、ポリエチレン樹脂組成物およびこれよりなる積層体に関するものである。更に詳しくは、押出ラミネートにより得られる製品の外観が優れ、かつ加工性が良好なポリエチレン樹脂組成物およびこれよりなる積層体に関するものである。
押出ラミネート加工によって得られる積層体のうち、ポリエチレン系樹脂を少なくとも一層とする積層体は、クラフト包装、軟包装、印画紙支持体、テープ、各種容器など幅広い用途分野で用いられている。 従来、これらの積層体に用いられるポリエチレン系樹脂としては、その優れた成形加工性から分岐状低密度ポリエチレン(LDPE)が主として用いられてきた。しかしながら、LDPEの密度は一般的に0.918〜0.925g/cmであり、密度と共に変化する物性、例えば、耐熱性、剛性、ガスバリア性などを変えることは困難であり、使用に際して制限があった。また、LDPEは成形速度が速く、さらにラミネート厚みが薄い場合には、溶融フィルムが切れやすく、またこのような条件下では基材接着不良が発生しやすいため、品質の安定した製品を得ることが困難であった。一方、直鎖状低密度ポリエチレン(L−LDPE)や直鎖状高密度ポリエチレン(HDPE)などの直鎖状ポリエチレンは、その短鎖分岐数に応じて密度を幅広く変化させることが可能であるが、成形加工性に劣るため押出ラミネート加工による積層体を得ることが困難であった。そこで、直鎖状ポリエチレンとLDPEの混合物を押出ラミネート加工し、積層体を得る方法が報告されている(例えば、特許文献1〜4参照)。しかしながら、この方法では、ポリエチレン系樹脂の混合工程で熱劣化を生じ積層体に臭気が発生しやすいこと、ポリエチレン系樹脂の混合不良により押出成形時に溶融ムラが発生し、表面の平滑な積層体が得られないことがあった。
また、エチレンの重合触媒を変更することで、L−LDPEやHDPEに長鎖分岐を導入し、LDPEを混合することなく、成形加工性を高める技術が報告されている(例えば、特許文献5参照)。しかし、これらの技術を用いて得られたポリエチレン系樹脂の溶融張力は未だ不足しており、安定して押出ラミネート成形を行うことが困難であった。そのため、結果として得られる積層体は、前述の問題を解決することができなかった。
特開平6−65443号公報 特開平6−322189号公報 特開平7−92610号公報 特開2000−73018号公報 特開2006−43911号公報
本発明の目的は、上記のような従来技術の問題点を解決して、押出ラミネートにより得られる製品の外観が優れ、かつ加工性が良好なポリエチレン樹脂組成物、およびこれよりなる積層体を提供することにある。
本発明は、上記の目的を達成すべく鋭意検討した結果見出されたものである。すなわち、本発明は、高圧ラジカル重合法で得られる密度が915〜935kg/mであり、2.16kg荷重(190℃)で測定したメルトマスフローレート(以下、MFRと言う。)が0.5〜5.0g/10分である低密度ポリエチレン(A)1〜50重量%と、下記(a)〜(c)の要件を満たすポリエチレン系樹脂(B)99〜50重量%からなることを特徴とするポリエチレン樹脂組成物を提供する。
(a)密度が910〜965kg/m
(b)炭素数6以上の長鎖分岐数が1,000個の炭素原子当たり0.01〜3.0個、
(c)190℃で測定した溶融張力(MS190)(mN)と2.16kg荷重(190℃)で測定したMFR(g/10分)が、下記式(1)
MS190>22×MFR−0.88 (1)
を満たすと共に、160℃で測定した溶融張力(MS160)(mN)と2.16kg荷重(190℃)で測定したMFR(g/10分)が、下記式(2)を満たす。
MS160>110−110×log(MFR) (2)
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の押出ラミネート用ポリエチレン樹脂組成物を構成する、高圧ラジカル重合法で得られる低密度ポリエチレン(A)は、その密度が、915〜935kg/mの範囲にある。密度が915kg/m未満ではフィルムの自己粘着性が増して、ブロッキングが起こる恐れがある。一方、密度が935kg/mを超えるものは低密度ポリエチレン(A)の融点が高く、低温ヒートシール性が悪化する恐れがある。
本発明に用いられる低密度ポリエチレン(A)は、2.16kg荷重(190℃)で測定したMFRが0.5〜5.0g/10分の範囲であり、0.7〜3.0g/10分の範囲にあることがさらに好ましい。MFRが0.5g/10分未満では溶融押出時の押出機の負荷が大きくなり、また押出ラミネート用ポリエチレン樹脂組成物を押出ラミネート加工に供し得られる積層体の外観が悪化する恐れがある。一方、MFRが5.0g/10分を超えるものはネックインが大きくなる恐れがある。
本発明に用いられる低密度ポリエチレン(A)は、160℃で測定した溶融張力(MS160)が、好ましくは100mN以上であり、より好ましくは150mN以上である。溶融張力が100mN以上ではラミネート加工時の溶融膜が安定であり、加工性が良好であるとともに、ロール汚染が減少し、優れたクリーン性が得られる。
本発明に用いられる低密度ポリエチレン(A)は、従来公知の高圧ラジカル重合法により得ることができ、本発明の範囲において適宜選択される。
本発明の押出ラミネート用ポリエチレン樹脂組成物を構成するポリエチレン系樹脂(B)の密度は、910kg/m以上、965kg/m以下である。密度が910kg/m未満では得られる積層体の耐熱性が著しく劣る恐れがある。一方、密度が965kg/mを超えると積層体のカールが顕著になる恐れがある。
本発明に用いられるポリエチレン系樹脂(B)の直鎖状ポリエチレン換算の重量平均分子量(M)は、10,000以上、1,000,000以下が好ましい。Mが10,000未満または1,000,000を越えると押出ラミネート成形を行うことが困難になるため、積層体が得られない恐れがある。
本発明に用いられるポリエチレン系樹脂(B)の2.16kg荷重(190℃)で測定したMFRは、0.1〜100g/10分が好ましい。0.1g/10分未満または100g/10分を超えると押出ラミネート成形を行うことが著しく困難になるため、積層体が得られない恐れがある。
本発明に用いられるポリエチレン系樹脂(B)の長鎖分岐数は、1,000個の炭素原子当たり0.01個以上、3.0個以下である。0.01個未満では押出ラミネート成形を行うことが著しく困難になるため、積層体を得られない恐れがある。また、3.0個を超えるとエチレン系樹脂層が力学的性質に劣る積層体となる恐れがある。なお、長鎖分岐数とは、13C−NMR測定で検出されるヘキシル基以上(炭素数6以上)の分岐の数である。
本発明に用いられるポリエチレン系樹脂(B)の190℃で測定した溶融張力MS190(mN)と2.16kg荷重(190℃)で測定したMFR(g/10分、190℃)は、下記式(1)
MS190>22×MFR−0.88 (1)
で示される関係にあり、好ましくは下記式(1)’
MS190>30×MFR−0.88 (1)’
で示される関係にあり、さらに好ましくは下記式(1)”
MS190>5+30×MFR−0.88 (1)”
で示される関係にある。(1)式を満たさない場合、例えば、MS190>22×MFR−0.88を満たさないL−LDPEやHDPEは、押出ラミネート成形を行うことが著しく困難になるため、積層体が得られない恐れがある。
また、本発明に用いられるポリエチレン系樹脂(B)の160℃で測定した溶融張力MS160(mN)と2.16kg荷重(190℃)で測定したMFR(g/10分、190℃)は、下記式(2)
MS160>110−110×log(MFR) (2)
で示される関係にあり、好ましくは下記式(2)’
MS160>130−110×log(MFR) (2)’
で示される関係にあり、さらに好ましくは下記式(2)”
MS160>150−110×log(MFR) (2)”
で示される関係にある。(2)式を満たさない場合、例えば、MS160>110−110×log(MFR)を満たさないL−LDPEやHDPEは、押出ラミネート成形を行うことが著しく困難になるため、積層体が得られない恐れがある。
本発明に用いられる前記要件(a)、(b)、(c)を満たすポリエチレン系樹脂(B)は、好ましくは、オレフィンの重合可能な重合体または共重合体からなるマクロモノマーの存在下に、または、マクロモノマーの合成と同時に、エチレンを重合して得られる(共)重合体である。すなわち、オレフィンを重合することによって得られる末端にビニル基を有するオレフィン重合体または共重合体からなるマクロモノマー、より好ましくは、エチレンを単独で重合することによって得られる末端にビニル基を有するエチレン重合体、または、エチレンと炭素数3以上のオレフィンを共重合することによって得られる末端にビニル基を有するエチレン共重合体からなるマクロモノマーであって、
(d)数平均分子量(M)が2,000以上であり、
(e)重量平均分子量(M)と数平均分子量(M)との比(M/M)が2.0〜5.0である
マクロモノマーの存在下に、あるいは該マクロモノマーの合成と同時に、エチレンを単独で重合するか、または、エチレンと炭素数3以上のオレフィンとを重合することにより得られるエチレン(共)重合体である。
マクロモノマーとして用いられる末端にビニル基を有するエチレンの重合体または末端にビニル基を有する、エチレンと炭素数3以上のオレフィンとの共重合体は、特開2004−346304号公報、特開2005−248013号公報、特開2006−321991号公報、特開2007−169341号公報に記載されている。
例えば、ポリエチレン系樹脂(B)は、上記マクロモノマーの存在下に、あるいは上記マクロモノマーの合成と同時に、下記一般式(4)
Figure 0005299050
で表される遷移金属化合物[成分(i)]を主成分とする触媒を用いて、エチレンを単独で重合するか、または、エチレンと炭素数3以上のオレフィンとを共重合する方法により製造することができる。
成分(i)中のMは、チタニウム原子、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、Xは例えば各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。
における炭素数1〜20の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ノルボルニル基、フェニル基、スチリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、トリル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ジエチルフェニル基、ジプロピルフェニル基、ジブチルフェニル基、ジフェニルフェニル基、トリメチルフェニル基、トリエチルフェニル基、トリプロピルフェニル基、トリブチルフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ジフェニルメチル基、ジフェニルエチル基、ジフェニルプロピル基、ジフェニルブチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基等が挙げられる。
また、成分(i)におけるRは、下記一般式(5)、(6)または(7)
Figure 0005299050
で表され、これらの式中の置換基Rは例えば各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。
成分(i)中のRの具体例としては、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、トリエチルシクロペンタジエニル基、テトラエチルシクロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、ジプロピルシクロペンタジエニル基、トリプロピルシクロペンタジエニル基、テトラプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、ジブチルシクロペンタジエニル基、トリブチルシクロペンタジエニル基、テトラブチルシクロペンタジエニル基、フェニルシクロペンタジエニル基、ジフェニルシクロペンタジエニル基、ナフチルシクロペンタジエニル基、メトキシシクロペンタジエニル基、トリメチルシリルシクロペンタジエニル基、インデニル基、メチルインデニル基、ジメチルインデニル基、トリメチルインデニル基、テトラメチルインデニル基、ペンタメチルインデニル基、ヘキサメチルインデニル基、エチルインデニル基、ジエチルインデニル基、トリエチルインデニル基、テトラエチルインデニル基、ペンタエチルインデニル基、ヘキサエチルインデニル基、プロピルインデニル基、ジプロピルインデニル基、トリプロピルインデニル基、テトラプロピルインデニル基、ペンタプロピルインデニル基、ヘキサプロピルインデニル基、ブチルインデニル基、ジブチルインデニル基、トリブチルインデニル基、テトラブチルインデニル基、ペンタブチルインデニル基、ヘキサブチルインデニル基、フェニルインデニル基、ジフェニルインデニル基、ベンゾインデニル基、ナフチルインデニル基、メトキシインデニル基、トリメチルシリルインデニル基等を挙げることができる。
成分(i)におけるRは下記一般式(8)
Figure 0005299050
で表され、置換基Rは例えば各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。
一般式(8)で表されるRの具体例としては、例えばフルオレニル基、メチルフルオレニル基、ジメチルフルオレニル基、トリメチルフルオレニル基、テトラメチルフルオレニル基、ペンタメチルフルオレニル基、ヘキサメチルフルオレニル基、ヘプタメチルフルオレニル基、オクタメチルフルオレニル基、エチルフルオレニル基、ジエチルフルオレニル基、トリエチルフルオレニル基、テトラエチルフルオレニル基、ペンタエチルフルオレニル基、ヘキサエチルフルオレニル基、ヘプタエチルフルオレニル基、オクタエチルフルオレニル基、プロピルフルオレニル基、ジプロピルフルオレニル基、トリプロピルフルオレニル基、テトラプロピルフルオレニル基、ペンタプロピルフルオレニル基、ヘキサプロピルフルオレニル基、ヘプタプロピルフルオレニル基、オクタプロピルフルオレニル基、ブチルフルオレニル基、ジブチルフルオレニル基、トリブチルフルオレニル基、テトラブチルフルオレニル基、ペンタブチルフルオレニル基、ヘキサブチルフルオレニル基、ヘプタブチルフルオレニル基、オクタブチルフルオレニル基、フェニルフルオレニル基、ジフェニルフルオレニル基、ベンジルフルオレニル基、ジベンジルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジメチルアミノフルオレニル基、ビス(ジメチルアミノ)フルオレニル基、メトキシフルオレニル基、ジメトキシフルオレニル基等を挙げることができる。
また成分(i)を表す式(4)におけるRとRとを架橋する架橋基Rは、下記一般式(9)
Figure 0005299050
で表され、置換基Rは、例えば、各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。Yは周期表14族の原子であり、具体的には例えば炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、錫原子等が挙げられ、その中でも好ましくは炭素原子、ケイ素原子等であり、mは1から5の整数である。
一般式(9)の具体例としては、例えばメチレン基、エチリデン基、エチレン基、プロピリデン基、プロピレン基、ブチリデン基、ブチレン基、ペンチリデン基、ペンチレン基、ヘキシリデン基、イソプロピリデン基、メチルエチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、メチルブチルメチレン基、ビス(シクロヘキシル)メチレン基、メチルフェニルメチレン基、ジフェニルメチレン基、フェニル(メチルフェニル)メチレン基、ジ(メチルフェニル)メチレン基、ビス(ジメチルフェニル)メチレン基、ビス(トリメチルフェニル)メチレン基、フェニル(エチルフェニル)メチレン基、ジ(エチルフェニル)メチレン基、ビス(ジエチルフェニル)メチレン基、フェニル(プロピルフェニル)メチレン基、ジ(プロピルフェニル)メチレン基、ビス(ジプロピルフェニル)メチレン基、フェニル(ブチルフェニル)メチレン基、ジ(ブチルフェニル)メチレン基、フェニル(ナフチル)メチレン基、ジ(ナフチル)メチレン基、フェニル(ビフェニル)メチレン基、ジ(ビフェニル)メチレン基、フェニル(トリメチルシリルフェニル)メチレン基、ビス(トリメチルシリルフェニル)メチレン基、ビス(ペンタフルオロフェニル)メチレン基、シランジイル基、ジシランジイル基、トリシランジイル基、テトラシランジイル基、ジメチルシランジイル基、ビス(ジメチルシラン)ジイル基、ジエチルシランジイル基、ジプロピルシランジイル基、ジブチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、シラシクロブタンジイル基、シラシクロヘキサンジイル基等を挙げることができる。
一般式(4)で表される具体的な化合物としては、Mをジルコニウム原子、Xを塩素原子とし、架橋基Rをジフェニルメチレン基とすると、例えばジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2−メチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−メチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2,4−ジメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2,5−ジメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3,4−ジメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2,3,4−トリメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2,3,5−トリメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3,4,5−トリメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2,3,4,5−テトラメチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−エチル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−プロピル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−イソプロピル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2−フェニル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−フェニル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−トリメチルシリル−1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−メチル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3,4−ジメチル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−エチル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−プロピル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−イソプロピル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−フェニル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−トリメチルシリル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジエチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−メチル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−イソプロピル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−フェニル−1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−インデニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2−メチル−1−インデニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−メチル−1−インデニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−フェニル−1−インデニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−インデニル)(2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−インデニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(2−メチル−1−インデニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(3−メチル−1−インデニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、等を例示することができる。また上記遷移金属化合物のXをフッ素原子、臭素原子またはヨウ素原子に置換した化合物も例示することができる。また、上記遷移金属化合物のRをメチレン基、エチレン基、イソプロピリデン基、メチルフェニルメチレン基、ジメチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、シラシクロブタンジイル基、シラシクロヘキサンジイル基に置換した化合物も例示することができる。さらに、上記遷移金属化合物のMをチタン原子またはハフニウム原子に置換した化合物も例示することもできる。これらの化合物は複数混合して用いることもできる。
成分(i)を主成分とする触媒としては、成分(i)と活性化助触媒[成分(iii)]を接触をさせることにより得られる触媒を例示することができる。
成分(iii)としては、公知のものはすべて使用することができ、その中でも特に粘土鉱物、有機化合物で処理された粘土鉱物、アルミノオキサン、イオン性化合物、ルイス酸、塩化マグネシウム、表面処理された無機酸化物もしくは無機ハロゲン化物等が好ましい。
好ましいポリエチレン系樹脂(B)の製造に際し、エチレンと共重合される炭素数3以上のオレフィンとしては、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−オクテン、4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ブテンもしくはビニルシクロアルカン等のα−オレフィン、ノルボルネンもしくはノルボルナジエン等の環状オレフィン、ブタジエンもしくは1,4−ヘキサジエン等のジエンまたはスチレンを例示することができる。また、これらのオレフィンを2種類以上混合して用いることもできる。
マクロモノマーとは、末端にビニル基を有するオレフィン重合体であり、好ましくはエチレンを単独で重合することによって得られる末端にビニル基を有するエチレン重合体、またはエチレンと炭素数3以上のオレフィンとを共重合することによって得られる末端にビニル基を有するエチレン共重合体であり、さらに好ましくは、炭素数3以上のオレフィンに由来する分岐以外の分岐のうち、メチル分岐、エチル分岐、プロピル分岐、ブチル分岐、ペンチル分岐等の短鎖分岐が、主鎖メチレン炭素1,000個当たり0.01個未満であると共に、長鎖分岐(すなわち、13C−NMR測定で検出されるヘキシル基以上の分岐)が、主鎖メチレン炭素1,000個当たり0.01個未満である、末端にビニル基を有する直鎖状エチレン重合体または直鎖状エチレン共重合体である。
マクロモノマーの合成に際し、エチレンと共重合される炭素数3以上のオレフィンとしては、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−オクテン、4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ブテンもしくはビニルシクロアルカン等のα−オレフィン、ノルボルネンもしくはノルボルナジエン等の環状オレフィン、ブタジエンもしくは1,4−ヘキサジエン等のジエンまたはスチレンを例示することができる。また、これらのオレフィンを2種類以上混合して用いることもできる。
マクロモノマーとして末端にビニル基を有するエチレン重合体または末端にビニル基を有するエチレン共重合体を用いる場合、その直鎖状ポリエチレン換算の(D)数平均分子量(M)は、2,000以上であり、好ましくは3,000以上であり、さらに好ましくは5,000以上である。M<2,000の場合、式(1)および/または式(2)を満たさなくなり押出ラミネート成形を行うことが著しく困難になるため、積層体が得られない恐れがある。また、(E)重量平均分子量(M)と数平均分子量(M)の比(M/M)は、2.0〜5.0であり、好ましくは2.0〜4.0であり、さらに好ましくは2.0〜3.5である。M/M>5.0の場合、エチレン系樹脂層が力学的強度に劣る積層体となる恐れがある。また、M/M<2.0の場合、押し出しラミネート成形を行うことが困難になるため、積層体が得られない恐れがある。
本発明におけるマクロモノマーの製造方法に関して特に限定はないが、例えば、特開2005−281676号公報、特開2006−28326号公報、特開2006−315999号公報、特開2007−169340号公報、特開2007−246433号公報、特開2008−50278号公報に記載の方法を用いて製造することができる。
具体的なマクロモノマーの製造方法としては、例えば、下記一般式(10)
Figure 0005299050
で表される遷移金属化合物[成分(ii)]を主成分とする触媒を用いて、エチレンを単独で重合するか、または、エチレンと炭素数3以上のオレフィンとを共重合する方法を用いて製造することができる。
成分(ii)中のMはチタニウム原子、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、Xは例えば各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。
における炭素数1〜20の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ノルボルニル基、フェニル基、スチリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、トリル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ジエチルフェニル基、ジプロピルフェニル基、ジブチルフェニル基、ジフェニルフェニル基、トリメチルフェニル基、トリエチルフェニル基、トリプロピルフェニル基、トリブチルフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ジフェニルメチル基、ジフェニルエチル基、ジフェニルプロピル基、ジフェニルブチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基等が挙げられる。
また、成分(ii)におけるRおよびRは下記一般式(11)、(12)または(13)
Figure 0005299050
で表され、それぞれ同じでも異なっていてもよく、Mとともにサンドイッチ構造を形成する。一般式(11)、(12)または(13)におけるR10は例えば各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基である。
一般式(11)、(12)または(13)におけるR10の炭素数1〜20の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ノルボルニル基、フェニル基、スチリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、トリル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ジエチルフェニル基、ジプロピルフェニル基、ジブチルフェニル基、ジフェニルフェニル基、トリメチルフェニル基、トリエチルフェニル基、トリプロピルフェニル基、トリブチルフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ジフェニルメチル基、ジフェニルエチル基、ジフェニルプロピル基、ジフェニルブチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基等が挙げられる。
一般式(10)中のRおよびRの具体的としては、例えばシクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、トリエチルシクロペンタジエニル基、テトラエチルシクロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、ジプロピルシクロペンタジエニル基、トリプロピルシクロペンタジエニル基、テトラプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、ジブチルシクロペンタジエニル基、トリブチルシクロペンタジエニル基、テトラブチルシクロペンタジエニル基、フェニルシクロペンタジエニル基、ジフェニルシクロペンタジエニル基、ナフチルシクロペンタジエニル基、メトキシシクロペンタジエニル基、トリメチルシリルシクロペンタジエニル基、インデニル基、メチルインデニル基、ジメチルインデニル基、トリメチルインデニル基、テトラメチルインデニル基、ペンタメチルインデニル基、ヘキサメチルインデニル基、エチルインデニル基、ジエチルインデニル基、トリエチルインデニル基、テトラエチルインデニル基、ペンタエチルインデニル基、ヘキサエチルインデニル基、プロピルインデニル基、ジプロピルインデニル基、トリプロピルインデニル基、テトラプロピルインデニル基、ペンタプロピルインデニル基、ヘキサプロピルインデニル基、ブチルインデニル基、ジブチルインデニル基、トリブチルインデニル基、テトラブチルインデニル基、ペンタブチルインデニル基、ヘキサブチルインデニル基、フェニルインデニル基、ジフェニルインデニル基、ベンゾインデニル基、ナフチルインデニル基、メトキシインデニル基、トリメチルシリルインデニル基等を挙げることができる。
また、一般式(10)におけるR、Rを架橋する架橋基Rは下記一般式(14)、(15)または(16)
Figure 0005299050
で表され、これらの式(14)、(15)、(16)において、置換基R11は例えば各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。また、Yは周期表14族の原子であり、具体的には例えば炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、錫原子等が挙げられ、その中でも好ましくは炭素原子、ケイ素原子であり、nは1から5の整数である。
一般式(14)、(15)または(16)のR11における炭素数1〜20の炭化水素基としては、例えばR10における炭素数1〜20の炭化水素基と同じものを挙げることができる。
一般式(14)の具体例としては、例えばメチレン基、エチリデン基、エチレン基、プロピリデン基、プロピレン基、ブチリデン基、ブチレン基、ペンチリデン基、ペンチレン基、ヘキシリデン基、イソプロピリデン基、メチルエチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、メチルブチルメチレン基、ビス(シクロヘキシル)メチレン基、メチルフェニルメチレン基、ジフェニルメチレン基、フェニル(メチルフェニル)メチレン基、ジ(メチルフェニル)メチレン基、ビス(ジメチルフェニル)メチレン基、ビス(トリメチルフェニル)メチレン基、フェニル(エチルフェニル)メチレン基、ジ(エチルフェニル)メチレン基、ビス(ジエチルフェニル)メチレン基、フェニル(プロピルフェニル)メチレン基、ジ(プロピルフェニル)メチレン基、ビス(ジプロピルフェニル)メチレン基、フェニル(ブチルフェニル)メチレン基、ジ(ブチルフェニル)メチレン基、フェニル(ナフチル)メチレン基、ジ(ナフチル)メチレン基、フェニル(ビフェニル)メチレン基、ジ(ビフェニル)メチレン基、フェニル(トリメチルシリルフェニル)メチレン基、ビス(トリメチルシリルフェニル)メチレン基、ビス(ペンタフルオロフェニル)メチレン基、シランジイル基、ジシランジイル基、トリシランジイル基、テトラシランジイル基、ジメチルシランジイル基、ビス(ジメチルシラン)ジイル基、ジエチルシランジイル基、ジプロピルシランジイル基、ジブチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、シラシクロブタンジイル基、シラシクロヘキサンジイル基、ジビニルシランジイル基、ジアリルシランジイル基、(メチル)(ビニル)シランジイル基、(アリル)(メチル)シランジイル基等を挙げることができる。一般式(15)の具体例としては、例えば1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン−1,3−ジイル基、1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン−1,3−ジイル基、1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン−1,3−ジイル基、1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン−1,3−ジイル基等を挙げることができる。
一般式(16)の具体例としては、例えば1,1−ジメチル−1−シラエタン−1,2−ジイル基、1,1−ジエチル−1−シラエタン−1,2−ジイル基、1,1−ジイソプロピル−1−シラエタン−1,2−ジイル基、1,1−ジフェニル−1−シラエタン−1,2−ジイル基等を挙げることができる。
本発明で用いられる一般式(10)で表される具体的な化合物としては、Mをジルコニウム原子、Xを塩素原子とすると、例えばメチレンビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデンビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)メチレンビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレンビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、エチレンビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、メチレンビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデンビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)メチレンビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレンビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、エチレンビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、メチレン(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)メチレン(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、エチレン(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、メチレンビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデンビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)メチレンビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレンビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、エチレンビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、メチレン(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)メチレン(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、エチレン(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジエチルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジ(n−プロピル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジイソプロピルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジシクロヘキシルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジ(p−トリル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジビニルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジアリルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(ビニル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(アリル)(メチル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(エチル)(メチル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(n−プロピル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(イソプロピル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(シクロヘキシル)(メチル)ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)シランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジエチルシランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジ(n−プロピル)シランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジイソプロピルシランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジシクロヘキシルシランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルシランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(エチル)(メチル)シランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(n−プロピル)シランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(イソプロピル)シランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(シクロヘキシル)(メチル)ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)シランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジエチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジ(n−プロピル)シランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジイソプロピルシランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジシクロヘキシルシランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルシランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(エチル)(メチル)シランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(n−プロピル)シランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(イソプロピル)シランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(シクロヘキシル)(メチル)(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)シランジイル(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジエチルシランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジ(n−プロピル)シランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジイソプロピルシランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジシクロヘキシルシランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルシランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(エチル)(メチル)シランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(n−プロピル)シランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(イソプロピル)シランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(シクロヘキシル)(メチル)ビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(メチル)(フェニル)シランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジエチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジ(n−プロピル)シランジイル(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジイソプロピルシランジイル(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジシクロヘキシルシランジイル(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルシランジイル(シクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(2−メチルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(3−メチルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(3−イソプロピルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(2,3−ジメチルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(2,3,4−トリメチルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(2,3,5−トリメチルシクロペンタジエニル)(インデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(7−エチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(7−フェニルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メトキシ−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−ジメチアミノ−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−トリメチルシリル−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(2,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4−イソプロピル−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4−フェニル−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4−メトキシ−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4−ジメチルアミノ−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4−トリメチルシリル−7−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2,4,7−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(3,4,7−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2,3,4,7−テトラメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(3,4−ジメチルシクロペンタジエニル)(2,4,7−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(3,4−ビス(トリメチルシリル)シクロペンタジエニル)(2,4,7−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(4,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(4−フェニル−7−メチルインデニ
ル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(2,4,7−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(2,4,7−トリメチルインデニル)ジルコニウムジクロリド、(1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン−1,3−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1,3,3−テトライソプロピルジシロキサン−1,3−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン−1,3−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1−ジメチル−1−シラエタン−1,2−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1−ジイソプロピルチル−1−シラエタン−1,2−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1−ジフェニル−1−シラエタン−1,2−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(プロパン−1,3−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1,3,3−テトラメチルプロパン−1,3−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(2,2−ジメチルプロパン−1,3−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(ブタン−1,4−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(ペンタン−1,5−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1,2,2−テトラメチルジシラン−1,2−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1,1,2,2−テトラフェニルジシラン−1,2−ジイル−ビスシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド等を例示することができる。また上記遷移金属化合物のXをフッ素原子、臭素原子またはヨウ素原子に置換した化合物も例示することができる。さらに、上記遷移金属化合物のMをチタン原子またはハフニウム原子に置換した化合物も例示することができる。これらの化合物は複数混合して用いることもできる。
式(10)で表される成分(ii)を主成分とする触媒としては、成分(ii)と活性化助触媒成分(iii)を接触させることにより得られる触媒を例示することができる。成分(iii)の具体例としては、成分(i)を主成分とする触媒について、成分(i)と組み合わせ用いられる前記成分(iii)と同様なものを用いることができる。
本発明のポリエチレン系樹脂(B)の具体的な製造方法は特に限定はないが、(1)成分(ii)を主成分とする触媒を用いてエチレンおよび任意に炭素数3以上のオレフィンを重合しマクロモノマーを合成した後、得られたマクロモノマーの存在下、成分(i)を主成分とする触媒を用いてエチレンおよび任意に炭素数3以上のオレフィンを重合しポリエチレン系樹脂(B)を製造する方法;および(2)成分(i)および成分(ii)を主成分とする触媒を用いてエチレンおよび任意に炭素数3以上のオレフィンを重合し、マクロモノマーの合成と同時にポリエチレン系樹脂(B)を製造する方法を例示することができる。
ポリエチレン系樹脂(B)は、成分(ii)を用いて得られるマクロモノマーの一部をコモノマーとして取り込むことにより、その一部が長鎖分岐を有する樹脂となっている。一般にマクロモノマーの分子量が低いとマクロモノマー数が多くなるため、長鎖分岐量が多くなり、加工性には優れるが、数平均分子量が低くなり、機械的強度は低くなる。一方、マクロモノマーの分子量が高いと機械的強度は高くなるものの、長鎖分岐が生成しなくなり、加工性は低下する。本発明のポリエチレン系樹脂(B)は、好ましくは、長鎖分岐構造を有し、なおかつ数平均分子量が高く、分子量分布が狭いポリエチレン系樹脂(B)であり、優れた加工性を有しつつ、機械強度が高い。
本発明のポリエチレン系樹脂(B)の製造は、気相重合、スラリー重合、溶液重合の何れの方法でも行うことができるが、スラリー重合で行った場合、優れた粒子形態のポリエチレン系樹脂を製造することができる。
マクロモノマーの合成およびポリエチレン系樹脂(B)の製造における、重合温度、重合時間、重合圧力、モノマー濃度などの重合条件について特に制限はないが、重合温度は−100〜120℃、生産性を考慮すると20〜120℃、さらには60〜120℃の範囲で行うことが好ましい。重合時間は10秒〜20時間の範囲で通常行われ、重合圧力は常圧〜300MPaの範囲で行うことができる。また、重合時に水素などを用いて分子量の調節を行うことも可能である。重合はバッチ式、半連続式、連続式のいずれの方法でも行うことが可能であり、重合条件を変えて2段階以上に分けて行うことも可能である。
上記の(a)〜(c)の要件を満たすポリエチレン系樹脂(B)は、後述する実施例の製造条件そのもの、あるいは条件因子のマイナー変動によって任意に作り分けることが可能である。条件因子変動の具体例を述べると、用いる成分(ii)および成分(i)の構造、成分(ii)に対する成分(i)の量、用いる助触媒成分の種類など触媒成分に関する要件や、重合温度、エチレン分圧、共存させる水素などの分子量調整剤の量、添加するコモノマー量など重合条件制御によっても作り分けが可能である。またさらに多段重合との組み合わせで、物性の範囲を拡大することも可能である。
より具体的には、例えばエチレン分圧を低下させること、コモノマー添加量を減少させること、成分(ii)の構造を変えること等によって、末端ビニル数を減少させることが可能である。また、溶融張力は、成分(ii)の構造を変えること、末端ビニル数を増加させること、成分(i)の構造を変えること、エチレン分圧を低下させること、長鎖分岐数を増加させること、長鎖分岐長さを増加させること、成分(ii)に対する成分(i)の量を変えること、Mw/Mnを増加させること等により増加させることが可能である。さらに流動の活性化エネルギー(E)は、成分(ii)の構造、末端ビニル数、成分(i)の構造、エチレン分圧、長鎖分岐数、長鎖分岐長さ、成分(ii)に対する成分(i)の量により制御が可能である。
上記要件を満たす低密度ポリエチレン(A)とポリエチレン系樹脂(B)を特定量ブレンドしたポリエチレン樹脂組成物は、押出ラミネートにより得られる製品の外観が優れ、かつ加工性が良好なものとなる。本発明のポリエチレン樹脂組成物は、低密度ポリエチレン(A)1〜50重量%、好ましくは1〜30重量%、さらに好ましくは1〜20重量%、ポリエチレン系樹脂(B)99〜50重量%、好ましくは99〜70重量%、さらに好ましくは99〜80重量%からなるものである。低密度ポリエチレン(A)の配合量が1重量%未満では、安定して押出ラミネート成形を行うことが困難になる恐れがある。一方、低密度ポリエチレン(A)の配合量が50重量%を超える場合は、ラミネート厚みを薄くすることが困難となる恐れがある。
本発明のポリエチレン樹脂組成物の密度は、915〜965kg/mが好ましく、さらに好ましくは920〜960kg/mである。密度が915〜965kg/mの範囲の場合、ラミネート製品の耐熱性とシール性の両立が可能となる。
本発明のポリエチレン樹脂組成物は、2.16kg荷重(190℃)で測定したMFRが3.0〜30.0g/10分が好ましく、さらに好ましくは4.0〜20g/10分である。MFRが3.0〜30.0g/10分の範囲の場合、ラミネート厚みを薄くして安定して押出ラミネート成形が可能となる。
本発明のポリエチレン樹脂組成物は、160℃で測定した溶融張力(MS160)が30mN以上が好ましく、さらに好ましくは40mN以上である。溶融張力(MS160)が30mN以上の場合、安定して押出ラミネート成形を行うことが可能となる。
本発明の押出ラミネート用ポリエチレン樹脂組成物を構成する低密度ポリエチレン(A)、ポリエチレン系樹脂(B)は、それぞれ1種類または2種類以上の混合物であっても良い。
本発明のポリエチレン樹脂組成物は、低密度ポリエチレン(A)とポリエチレン系樹脂(B)とをドライブレンドして調製してもよいが、単軸押出機、二軸押出機、ニーダー、バンバリーミキサー等、従来公知の方法により溶融混練したものの方が、品質の安定した組成物が得られるため好ましい。このうち生産性の点から、一軸押出機または二軸押出機を用いて溶融混練、造粒する方法が一般的である。
本発明のポリエチレン系樹脂には、耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、防曇剤、抗ブロッキング剤、スリップ剤、滑剤、核剤、顔料、タッキファイヤー、カーボンブラック、タルク、ガラス粉、ガラス繊維等の無機充填剤または補強剤、有機充填剤または補強剤、難燃剤、中性子遮蔽剤等の公知の添加剤を配合することができる。また、他の熱可塑性樹脂と混合して用いることもできる。これらの例として、粘着付与樹脂、ワックス、HDPE、L−LDPE、ポリプロピレン、ポリ−1−ブテン、ポリ−4−メチル−1−ペンテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリスチレン、またはこれらの無水マレイン酸グラフト物等を例示することができる。
本発明の積層体は、少なくとも一層を形成するポリエチレン系樹脂組成物を押出ラミネート成形法により各種基材にラミネートおよび/またはコーティングすることで得られる。押出ラミネート成形法は、シングルラミネート、タンデムラミネート、共押出ラミネート、サンドイッチラミネートのいずれでもよく、特に制限を受けない。また、押出ラミネート加工を行う際、基材とポリエチレン系樹脂層との接着性が良好な積層体を得るため、250〜350℃の温度でダイより押出すことが好ましい。
また、ポリエチレン系樹脂組成物の溶融フィルムが少なくとも基材と接する面は、空気もしくはオゾンガスにより酸化されていてもよい。空気による酸化反応を進行させる場合、270℃以上の温度でダイより押出すことが好ましく、また、オゾンガスによる酸化反応を進行させる場合は、250℃以上で押出すことが好ましい。なお、オゾンガスの処理量としては、ダイより押出されたフィルム1m当たり0.5mg以上であることが好ましい。また、基材との接着性を高めるため、基材の接着面に対してアンカーコート剤処理、コロナ放電処理、フレーム処理、プラズマ処理などの公知の表面処理を施してもよい。
基材としては、合成高分子重合体フィルムおよびシート、織布、不織布、金属箔、紙類、セロファン等が挙げられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン等の合成高分子重合体からなるフィルムおよびシート等が挙げられる。さらに、これらの高分子重合体フィルムおよびシートは、さらにアルミ蒸着、アルミナ蒸着、二酸化珪素蒸着されたものでもよい。また、これらの高分子重合体フィルムおよびシートは、さらにウレタン系インキ等を用いて印刷されたものでもよい。金属箔としては、アルミ箔、銅箔などが例示でき、また、紙類としてはクラフト紙、伸張紙、上質紙、グラシン紙、カップ原紙や印画紙原紙等の板紙などが挙げられる。
本発明の積層体は、スナック菓子、インスタントラーメン等の乾燥食品、スープ、味噌、漬物、ソース、飲料等の水物飲食品包装、薬、輸液バッグ等の医薬品包装、シャンプー、化粧品、おむつのバックシートなどのトイレタリー用品、印画紙支持体、紙製容器および蓋、紙皿、離型紙および離型テープ、易解離性フィルム、紙製セミレトルトパックなど広範囲にわたりフィルム、容器、テープ、支持体として用いることができる。
本発明のポリエチレン樹脂組成物は、押出ラミネートにより得られる製品の外観が優れ、かつ加工性が良好であり、押出ラミネート用樹脂として有用である。
以下実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
合成例、実施例および比較例におけるポリエチレン系樹脂の諸物性は、以下に示す方法により測定した。
<分子量、分子量分布>
重量平均分子量(M)および数平均分子量(M)は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によって測定した。GPC装置としては東ソー(株)製 HLC−8121GPC/HTを用い、カラムとしては東ソー(株)製 TSKgel GMHhr−H(20)HTを用い、カラム温度を140℃に設定し、溶離液として1,2,4−トリクロロベンゼンを用いて測定した。測定試料は1.0mg/mLの濃度で調製し、0.3mL注入して測定した。分子量の検量線は、分子量既知のポリスチレン試料を用いて校正されている。なお、MおよびMは直鎖状ポリエチレン換算の値として求めた。
<長鎖分岐数>
長鎖分岐数は、Varian製 VNMRS−400型核磁気共鳴装置を用いて、13C−NMRによってヘキシル基以上の長鎖分岐の数を測定した。溶媒はテトラクロロエタン−dである。主鎖メチレン炭素1,000個当たりの個数として、「マクロモレキュールズ(Macromolecules)」第31巻、25号、8677〜8683ページ(1998年)に記載の下記式(4)から求めた。
長鎖分岐数=IAα/(3×IAtot) (4)
[式中、IAαはヘキシル基以上の長鎖分岐のα−炭素ピーク(化学シフト:34.6ppm)の積分強度であり、IAtotは主鎖メチレン炭素のピーク(30.0ppm)の積分強度である。]
ビニル末端、飽和末端などのポリマーの末端構造は、Varian製 VNMRS−400型核磁気共鳴装置を用いて、13C−NMRによって測定した。溶媒はテトラクロロエタン−dである。ビニル末端数は、主鎖メチレン炭素(化学シフト:30ppm)1,000個当たりの個数として、114ppm、139ppmのピークの平均値から求めた。また、飽和末端数は、同様に32.3ppm、22.9ppm、14.1ppmのピークの平均値から求めた。このビニル末端数(X)と飽和末端数(Y)から、ビニル末端の含有率Z(=X/(X+Y)×2)を求めた。
<密度>
密度は、JIS K6760(1995)に準拠して密度勾配管法で測定した。
<MFR>
MFRは、JIS K6760(1995)に準拠して190℃、2.16kg荷重で測定した。
<溶融張力>
溶融張力(MS)の測定に用いたポリエチレンは、予め耐熱安定剤としてイルガノックス1010TM(チバスペシャリティケミカルズ社製)1,500ppm、イルガフォス168TM(チバスペシャリティケミカルズ社製)1,500ppmを添加したものを、インターナルミキサー(東洋精機製作所製、商品名:ラボプラストミル)を用いて、窒素気流下、190℃、回転数30rpmで3分間混練した。溶融張力(MS)は、バレル直径9.55mmの毛管粘度計(東洋精機製作所、商品名:キャピログラフ)に、長さ(L)が8mm,直径(D)が2.095mm、流入角が90°のダイを装着し測定した。MS160は、温度を160℃に設定し、ピストン降下速度を10mm/分、延伸比を47に設定し、引き取りに必要な荷重(mN)を測定した。MS190は、温度を190℃に設定し、ピストン降下速度を10mm/分、延伸比を47に設定し、引き取りに必要な荷重(mN)を測定した。
<ネックイン>
ポリエチレン樹脂組成物を90mmφのスクリューを有する押出ラミネーター(ムサシノキカイ(株)製)の押出機へ供給し、315℃の温度で開口幅600mmのTダイより押出し、基材の引取り速度を200m/分として、坪量50g/mのクラフト紙基材上に押出ラミネート用樹脂組成物が20μmの厚さになるよう押出ラミネートした際の、Tダイ開口幅とポリエチレン樹脂組成物のコート幅との差をネックインとし、その値を測定した。この際、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりもネックインが小さい場合を○、多い場合を×、同等の場合を△とした。
<最低膜厚み>
ポリエチレン樹脂組成物を90mmφのスクリューを有する押出ラミネーター(ムサシノキカイ(株)製)の押出機へ供給し、315℃の温度で開口幅600mmのTダイより押出し、基材の引取り速度を200m/分として、坪量50g/mのクラフト紙基材上に押出ラミネート用樹脂組成物が20μmの厚さになるよう押出ラミネートした。その後、吐出量を低減させ、100m以上連続して安定した押出ラミネート成形が不可能となるラミネート厚みを最低膜厚みとし、その値を測定した。この際、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりも最低膜厚みが薄い場合を○、厚い場合を×、同等の場合を△とした。
<溶融フィルムの外観>
ポリエチレン樹脂組成物を90mmφのスクリューを有する押出ラミネーター(ムサシノキカイ(株)製)の押出機へ供給し、315℃の温度で開口幅600mmのTダイより押出し、溶融フィルムの外観を目視で観察した。この際、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりも外観が良好な場合を○、不良の場合を×、同等の場合を△とした。
<冷却ロール表面の汚染>
ポリエチレン樹脂組成物を90mmφのスクリューを有する押出ラミネーター(ムサシノキカイ(株)製)の押出機へ供給し、315℃の温度で開口幅600mmのTダイより押出し、基材の引取り速度を20m/分として、坪量50g/mのクラフト紙基材上に押出ラミネート用樹脂組成物が20μmの厚さになるよう500m連続して押出ラミネート成形を行った。ラミネート成形後、冷却ロール表面の付着物を測定した。この際、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりも冷却ロール表面が良好な場合を○、不良の場合を×、同等の場合を△とした。なお、冷却ロールはミラーロールを使用し、ロール冷却温度は45℃とした。
さらに、変性ヘクトライトの調製、触媒の調製、ポリエチレン系樹脂の製造および溶媒精製は、全て不活性ガス雰囲気下で行った。変性ヘクトライトの調製、触媒の調製、ポリエチレン系樹脂の製造に用いた溶媒等は、全て予め公知の方法で精製、乾燥、脱酸素を行ったものを用いた。ジメチルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、プロパン―1,3−ジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロライド、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン−1,3−ジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、ジフェニルメチレン(1−インデニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリドは公知の方法により合成、同定したものを用いた。トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(0.714M)は東ソー・ファインケム(株)製を用いた。
合成例1
[変性ヘクトライトの調製]
水3リットルにエタノール3リットルと37%濃塩酸100ミリリットルを加えた後、得られた溶液にN,N−ジメチル−オクタデシルアミン330g(1.1mol)を添加し、60℃に加熱することによって、塩酸塩溶液を調製した。この溶液にヘクトライト1kgを加えた。この懸濁液を60℃で、3時間撹拌し、上澄液を除去した後、60℃の水50Lで洗浄した。その後、60℃、10−3torrで24時間乾燥し、ジェットミルで粉砕することによって、平均粒径5.2μmの変性ヘクトライトを得た。
[触媒(p)の調製]
前記変性ヘクトライト500gをヘキサン1.7リットルに懸濁させ、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライド8.25g(20.0mmol)とトリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(0.714M)2.8リットル(2mol)の混合液を添加し、60℃で3時間攪拌した後、静置して上澄み液を除去、さらにトリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(0.15M)を添加して触媒前駆体スラリー(100g/L)とした。
上記で調製した触媒前駆体スラリーにジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライドに対して10mol%のイソプロピリデン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド1.21g(2.22mmol)を添加して室温で6時間撹拌した。静置して上澄み液を除去、さらにトリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(0.15M)を添加して最終的に100g/Lの触媒スラリーを得た。
[ポリエチレン系樹脂(B−1)の製造]
内容積540リットルの重合器に、ヘキサン300リットルおよび1−ブテン5.9リットルを導入し、オートクレーブの内温を70℃に昇温した。このオートクレーブに前記触媒(p)120ミリリットルを添加し、エチレン/水素混合ガス(水素:500ppm含)を分圧が0.9MPaになるまで導入して重合を開始した。重合中、分圧が0.9MPaに保たれるようにエチレン/水素混合ガス(水素:500ppm含)を連続的に導入した。また、重合温度を70℃に制御した。重合開始90分後に重合器の内圧を脱圧した後、内容物をろ過し、乾燥して54kgのポリエチレン系樹脂粉末を得た。得られたポリエチレン系樹脂(B−1)の密度は924kg/m、MFRは25g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.13個、MS190は22mN、MS160は34mNであった。
なお、この製造例では、下記参考例1に示すマクロモノマーの製造と、該マクロモノマーの共存下にエチレンと1−ブテンとの共重合によるポリエチレン系樹脂(B−1)の製造が行われている。
参考例1
[マクロモノマーの製造]
触媒(p)の代わりに合成例1[触媒(p)の調製]で調製した触媒前駆体スラリーを120ミリリットル添加したこと以外は、合成例1[ポリエチレン系樹脂(B−1)の製造]と同様の方法で重合を行い、エチレン共重合体粉末を得た。得られたエチレン共重合体のMn=15,500、Mw/Mn=2.25であり、Z=0.28であった。また、長鎖分岐は検出されなかった。
合成例2
[ポリエチレン系樹脂(B−2)の製造]
1−ブテンを5.6リットル導入し、合成例1[触媒(p)の調製]で調製した触媒(p)を131ミリリットル添加し、エチレン/水素混合ガスの代わりにエチレンのみを用いたこと以外は、合成例1[ポリエチレン系樹脂(B−1)の製造]と同様の方法で重合を行い、57kgのポリエチレン系樹脂粉末を得た。得られたポリエチレン系樹脂(B−2)の密度は924kg/m、MFRは15g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.13個、MS190は24mN、MS160は38mNであった。
なお、この製造例では、下記参考例2に示すマクロモノマーの製造と、該マクロモノマーの共存下にエチレンと1−ブテンとの共重合によるポリエチレン系樹脂(B−1)の製造が行われている。
参考例2
[マクロモノマーの製造]
触媒(p)の代わりに合成例1[触媒(p)の調製]で調製した触媒前駆体スラリーを131ミリリットル添加したこと以外は、合成例2[ポリエチレン系樹脂(B−2)の製造]と同様の方法で重合を行い、エチレン共重合体粉末を得た。得られたエチレン共重合体のMn=16,000、Mw/Mn=2.35であり、Z=0.28であった。また、長鎖分岐は検出されなかった。
合成例3
[触媒(q)の調製]
ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライドの代わりにジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロライド8.53g(20.0mmol)を添加し、イソプロピリデン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリドの代わりにジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド0.70g(1.05mmol)を添加したこと以外は、合成例1[触媒(p)の調製]と同様の方法で調製を行い、100g/Lの触媒スラリーを得た。
[ポリエチレン系樹脂(B−3)の製造]
1−ブテンを5.2リットル導入し、触媒(p)の代わりに前記触媒(q)を106ミリリットル添加し、エチレン/水素混合ガスの代わりにエチレンを用いたこと以外は合成例1[ポリエチレン系樹脂(B−1)の製造]と同様の方法で重合を行い、55kgのポリエチレン系樹脂粉末を得た。得られたポリエチレン系樹脂(B−3)の密度は924kg/m、MFRは5g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.10個、MS190は44mN、MS160は66mNであった。
なお、この製造例では、下記参考例3に示すマクロモノマーの製造と、該マクロモノマーの共存下にエチレンと1−ブテンとの共重合によるポリエチレン系樹脂(B−3)の製造が行われている。
参考例3
[マクロモノマーの製造]
触媒(q)の代わりに合成例3[触媒(q)の調製]で調製した触媒前駆体スラリーを106ミリリットル添加したこと以外は、合成例3[ポリエチレン系樹脂(B−3)の製造]と同様の方法で重合を行い、エチレン共重合体粉末を得た。得られたエチレン共重合体のMn=19,000、Mw/Mn=2.50であり、Z=0.25であった。また、長鎖分岐は検出されなかった。
合成例4
[触媒(r)の調製]
ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライドの代わりにジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライド7.43g(18.0mmol)および1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン−1,3−ジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド0.85g(2.0mmol)を添加したこと以外は、合成例1[触媒(p)の調製]と同様の方法で調製を行い、100g/Lの触媒スラリーを得た。
[ポリエチレン系樹脂(B−4)の製造]
1−ブテンを6.4リットル導入し、触媒(p)の代わりに前記触媒(r)を133ミリリットル添加し、エチレン/水素混合ガス(水素:500ppm含)の代わりにエチレン/水素混合ガス(水素:1000ppm含)を用いたこと以外は合成例1[ポリエチレン系樹脂の製造]と同様の方法で重合を行い、53kgのポリエチレン系樹脂粉末を得た。得られたポリエチレン系樹脂(B−4)の密度は924kg/m、MFRは15g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.12個、MS190は27mN、MS160は40mNであった。
なお、この製造例では、下記参考例4に示すマクロモノマーの製造と、該マクロモノマーの共存下にエチレンと1−ブテンとの共重合によるポリエチレン系樹脂(B−4)の製造が行われている。
参考例4
[マクロモノマーの製造]
触媒(r)の代わりに合成例4[触媒(r)の調製]で調製した触媒前駆体スラリーを133ミリリットル添加したこと以外は、合成例4[ポリエチレン系樹脂(B−4)の製造]と同様の方法で重合を行い、エチレン共重合体粉末を得た。得られたエチレン共重合体のMn=16,000、Mw/Mn=2.75であり、Z=0.27であった。また、長鎖分岐は検出されなかった。
合成例5
[触媒(s)の調製]
ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライドの代わりにジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル)(4,7−ジメチルインデニル)ジルコニウムジクロライド6.83g(16.0mmol)を添加し、イソプロピリデン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリドの代わりにジフェニルメチレン(1−シクロペンタジエニル)(2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド2.68g(4.0mmol)を添加したこと以外は、合成例1[触媒(p)の調製]と同様の方法で調製を行い、100g/Lの触媒スラリーを得た。
[ポリエチレン系樹脂(B−5)の製造]
1−ブテンを7.6リットル導入し、触媒(p)の代わりに前記触媒(s)を135ミリリットル添加し、エチレン/水素混合ガスの代わりにエチレンを用い、重合温度を60℃に制御したこと以外は、合成例1[ポリエチレン系樹脂(B−1)の製造]と同様の方法で重合を行い、54kgのポリエチレン系樹脂粉末を得た。得られたポリエチレン系樹脂(B−5)の密度は918kg/m、MFRは5g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.10個、MS190は49mN、MS160は70mNであった。
なお、この製造例では、下記参考例5に示すマクロモノマーの製造と、該マクロモノマーの共存下にエチレンと1−ブテンとの共重合によるポリエチレン系樹脂(B−5)の製造が行われている。
参考例5
[マクロモノマーの製造]
触媒(s)の代わりに合成例5[触媒(s)の調製]で調製した触媒前駆体スラリーを135ミリリットル添加したこと以外は、合成例5[ポリエチレン系樹脂(B−5)の製造]と同様の方法で重合を行い、エチレン共重合体粉末を得た。得られたエチレン共重合体のMn=21,000、Mw/Mn=2.48であり、Z=0.25であった。また、長鎖分岐は検出されなかった。
合成例6
[触媒(t)の調製]
合成例1[変性ヘクトライトの調製]で調製した変性ヘクトライト500gをヘキサン1.8リットルに懸濁させ、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(0.714M)2.9リットルを添加し、室温で1時間攪拌することにより、変性ヘクトライトとトリイソブチルアルミニウムの接触生成物を得た。一方、ジメチルシランジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド6.97g(20mmol)をトルエンに溶解させたものを添加し、室温で一晩攪拌することにより、触媒スラリー(100g/L)を得た。
[マクロモノマーの製造]
1−ブテンを7.6リットル導入し、触媒(p)の代わりに前記触媒(t)を135ミリリットル添加し、エチレン/水素混合ガスの代わりにエチレンを用い、エチレン分圧を1.2MPaに制御し、重合温度を85℃に制御したこと以外は、合成例1[ポリエチレン系樹脂(B−1)の製造]と同様の方法で重合を行った。この重合器から抜き出したマクロモノマーのMn=10,950、Mw/Mn=2.61であり、Z=0.57であった。また、長鎖分岐は検出されなかった。
[ポリエチレン系樹脂(B−6)の製造]
上記で製造したマクロモノマーが含まれる内容積540リットルの重合器に、1−ブテンを0.22リットルとトリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(0.714mol/L)0.75リットルとジフェニルメチレン(1−インデニル)(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド 3.75mmolを導入し、オートクレーブの内温を85℃に昇温した。エチレン/水素混合ガス(水素22,000ppm)を分圧が0.2MPaになるまで導入して重合を開始した。重合中、分圧が0.2MPaに保たれるようにエチレン/水素混合ガスを連続的に導入した。また、重合温度を85℃に制御した。重合開始90分後に、オートクレーブの内圧を脱圧した後、内容物を吸引ろ過した。乾燥後、54kgのポリエチレン系樹脂が得られた。得られたポリエチレン系樹脂(B−6)の密度は948kg/m、MFRは30g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.15個、MS190は21mN、MS160は30mNであった。
合成例7
[ポリエチレン系樹脂(B−7)の製造]
1−ブテンを添加しなかったこと以外は、合成例6[ポリエチレン系樹脂(B−6)の製造]同様の方法で重合を行い、50kgのポリエチレン系樹脂が得られた。得られたポリエチレン系樹脂(B−7)の密度は963kg/m、MFRは15g/10分、長鎖分岐数は1000炭素原子当り0.12個、MS190は30mN、MS160は55mNであった。
合成例1〜7におけるマクロモノマーの特性およびポリエチレン系樹脂(B−1)〜(B−7)の特性を表1に示す。
Figure 0005299050
下記実施例および比較例で用いた低密度ポリエチレンの特性を表2に示す。
Figure 0005299050
実施例1
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(以下、(A−1)という。)15重量%、合成例3に示したポリエチレン系樹脂(B−3)85重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例2
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 205;密度924kg/m、MFR3g/10分、MS160160mN)(A−2)5重量%、合成例2に示したポリエチレン系樹脂(B−2)95重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例3
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)50重量%、合成例2に示したポリエチレン系樹脂(B−2)50重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例4
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 205;密度924kg/m、MFR3g/10分、MS160160mN)(A−2)15重量%、合成例1に示したポリエチレン系樹脂(B−1)85重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例5
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)25重量%、合成例4に示したポリエチレン系樹脂(B−4)75重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例6
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)10重量%、合成例5に示したポリエチレン系樹脂(B−5)90重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例7
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)2.5重量%、合成例6に示したポリエチレン系樹脂(B−6)97.5重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例8
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 205;密度924kg/m、MFR3g/10分、MS160160mN)(A−2)7.5重量%、合成例7に示したポリエチレン系樹脂(B−7)92.5重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
実施例9
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 217;密度923kg/m、MFR4.5g/10分、MS160160mN)(A−3)25重量%、合成例4に示したポリエチレン系樹脂(B−4)75重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
参考例1
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 3M04A;密度924.5kg/m、MFR4.5g/10分、MS160110mN)(A−4)25重量%、合成例4に示したポリエチレン系樹脂(B−4)75重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表3に示す。
Figure 0005299050
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。
得られたポリエチレン樹脂組成物を押出ラミネートした場合、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりもネックインが大きく不良であった。
比較例2
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)55重量%、合成例3に示したポリエチレン系樹脂(B−3)45重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。
得られたポリエチレン樹脂組成物を押出ラミネートした場合、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりも最低膜厚みを薄くすることができず不良であった。
比較例3
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 205;密度924kg/m、MFR3g/10分、MS160160mN)(A−2)0.5重量%、合成例2に示したポリエチレン系樹脂(B−2)99.5重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。
得られたポリエチレン樹脂組成物を押出ラミネートした場合、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりもネックインが大きく不良であった。
比較例4
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)55重量%、合成例2に示したポリエチレン系樹脂(B−2)45重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。
得られたポリエチレン樹脂組成物を押出ラミネートした場合、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)よりも最低膜厚みを薄くすることができず不良であった。
比較例5
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 205;密度924kg/m、MFR3g/10分、MS160160mN)(A−2)15重量%、メタロセン系触媒により得られた直鎖状低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ニポロンZ 04P66A;密度917kg/m、MFR15g/10分)(C−1)85重量%をタンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度180℃に調整した単軸押出機((株)プラコー製、型式 PDA−50)で溶融混練、造粒し、ポリエチレン樹脂組成物のペレットを得た。得られたペレットは、ポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
得られたポリエチレン樹脂組成物により密度、MFR、MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。
得られたポリエチレン樹脂組成物を押出ラミネートした場合、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と同等のネックインしか得られず、溶融フィルムの外観は劣るものであった。
比較例6
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 205;密度924kg/m、MFR3g/10分、MS160160mN)(A−2)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示すが、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と同等のネックイン、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染しか得られず、最低膜厚みは厚く不良であった。
比較例7
合成例4に示したポリエチレン系樹脂(B−4)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示すが、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と比べネックインは大きく不良であった。
比較例8
メタロセン系触媒により得られた直鎖状低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ニポロン−Z 04P66A;密度917kg/m、MFR15g/10分)(C−1)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形を試みたが、溶融膜が安定せず積層体を得ることができなかった。なお、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価結果を表4に示すが、同条件で評価した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と同等の性能しか得られなかった。
比較例9
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 360;密度919kg/m、MFR1.6g/10分、MS160295mN)(A−1)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形を試みたが、基材の引取り速度を上げることが出来ず積層体を得ることができなかった。なお、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価結果を表4に示すが、同条件で評価した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と同等の性能しか得られなかった。
比較例10
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 217;密度923kg/m、MFR4.5g/10分、MS160160mN)(A−3)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示すが、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と同等のネックイン、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染しか得られず、最低膜厚みは厚く不良であった。
比較例11
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 3M04A;密度924.5kg/m、MFR4.5g/10分、MS160110mN)(A−4)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示すが、同条件でラミネート成形した高圧法低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン203)と同等の溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染しか得られず、ネックインは大きく、最低膜厚みも厚く不良であった。
比較例12
高圧ラジカル重合法で得られた低密度ポリエチレン(東ソー(株)製 商品名ペトロセン 203;密度919kg/m、MFR8g/10分、MS16070mN)(A−5)100重量%をポリエチレン系樹脂の評価方法に示した方法によりラミネート成形した。
MSを測定し、押出ラミネート成形時にネックイン、最低膜厚み、溶融フィルムの外観、冷却ロール表面の汚染の評価を行った。これらの評価結果を表4に示す。
Figure 0005299050

Claims (6)

  1. 高圧ラジカル重合法で得られる密度が915〜935kg/mであり、2.16kg荷重(190℃)で測定したメルトマスフローレート(以下、MFRと言う。)が0.5〜5.0g/10分、160℃で測定した溶融張力(MS160)が150mN以上である低密度ポリエチレン(A)1〜50重量%と、
    下記一般式(10)で表される遷移金属化合物[成分(ii)]成分(ii)と活性化助触媒成分(iii)を接触させることにより得られる触媒を用いて、エチレンを単独で重合またはエチレンと炭素数3以上のオレフィンとを共重合しマクロモノマーを合成し、当該マクロモノマーの存在下または当該マクロモノマーの合成と同時に、下記一般式(4)で表される遷移金属化合物[成分(i)]と活性化助触媒[成分(iii)]を接触をさせることにより得られる触媒を用いて、エチレンを単独で重合またはエチレンと炭素数3以上のオレフィンとを共重合して得られた下記(a)〜(c)の要件を満たすポリエチレン系樹脂(B)99〜50重量%からなることを特徴とするポリエチレン樹脂組成物。
    (a)密度が910〜965kg/m
    (b)炭素数6以上の長鎖分岐数が1,000個の炭素原子当たり0.01〜3.0個、
    (c)190℃で測定した溶融張力(MS190)(mN)と2.16kg荷重(190℃)で測定したMFR(g/10分)が、下記式(1)
    MS190>22×MFR−0.88 (1)
    を満たすと共に、160℃で測定した溶融張力(MS160)(mN)と2.16kg荷重(190℃)で測定したMFR(g/10分)が、下記式(2)を満たす。
    MS160>110−110×log(MFR) (2)
    Figure 0005299050
    成分(ii)中のMはジルコニウム原子であり、Xは各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。成分(ii)におけるRおよびRは下記一般式(11)または(12)
    Figure 0005299050
    で表され、それぞれ同じでも異なっていてもよく、Mとともにサンドイッチ構造を形成する。一般式(11)または(12)におけるR10は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基である。
    一般式(10)におけるR、Rを架橋する架橋基Rは下記一般式(14)、(15)または(16)
    Figure 0005299050
    で表され、これらの式(14)、(15)、(16)において、置換基R11は各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。また、Yは周期表14族の原子であり、nは1から5の整数である。
    Figure 0005299050
    成分(i)中のMはジルコニウム原子であり、Xは各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。成分(i)におけるRは、下記一般式(5)または(6)
    Figure 0005299050
    で表され、これらの式中の置換基Rは各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。成分(i)におけるRは下記一般式(8)
    Figure 0005299050
    で表され、置換基Rは各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。また成分(i)を表す式(4)におけるRとRとを架橋する架橋基Rは、下記一般式(9)
    Figure 0005299050
    で表され、置換基Rは、各々独立して水素原子、ハロゲン、炭素数1〜20の炭化水素基である。Yは周期表14族の原子であり、mは1から5の整数である。
  2. エチレンを重合することによって得られる末端にビニル基を有するエチレン重合体またはエチレンと炭素数3以上のオレフィンを共重合することによって得られる末端にビニル基を有するエチレン共重合体からなるマクロモノマーであって、
    (d)数平均分子量(M)が2,000以上であり、
    (e)重量平均分子量(M)と数平均分子量(M)との比(M/M)が2.0〜5.0であるマクロモノマーの存在下またはマクロモノマーの合成と同時に、エチレンおよび任意に炭素数3以上のオレフィンを重合することにより得られるポリエチレン系樹脂をポリエチレン系樹脂(B)として用いることを特徴とする請求項1に記載のポリエチレン樹脂組成物。
  3. 下記(f)〜(h)の要件を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載のポリエチレン樹脂組成物。
    (f)密度が915〜965kg/m
    (g)2.16kg荷重(190℃)で測定したMFRが3.0〜30.0g/10分、
    (h)160℃で測定した溶融張力(MS160)が30mN以上
  4. 押出ラミネート用であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポリエチレン樹脂組成物。
  5. 低密度ポリエチレン(A)を用いることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の押出ラミネート用ポリエチレン樹脂組成物。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載のポリエチレン樹脂組成物からなる層を少なくとも一層以上有することを特徴とする積層体。
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