JP5296489B2 - グロープラグ及びそのグロープラグの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ディーゼルエンジンの予熱に使用するグロープラグ及びそのグロープラグの製造方法に関する。

従来のグロープラグを図１０に基づき説明する。グロープラグ１００は、筒状の主体金具２００と、主体金具２００の中心を貫くシーズヒータ３００とから概略構成される。
前記シーズヒータ３００は、先端側がほぼ半球状に閉じ後端側が開口した筒状形態である金属製のシーズチューブ３００ａと、そのシーズチューブ３００ａの後端開口側から当該シーズチューブ内に自己の先端側を臨ませた円柱状の通電端子軸３００ｂと、その通電端子軸３００ｂに自己の後端が接続されると共に先端が前記シーズチューブ３００ａの先端内面に接続されてなる抵抗線コイル３００ｃと、前記シーズチューブ３００ａ内で前記通電端子軸３００ｂの先端側と抵抗線コイル３００ｃとを埋設する絶縁粉末３００ｄ（例えばマグネシアの粉末）と、前記通電端子軸３００ｂと前記シーズチューブ３００ａの後端開口との間に環状に配置され当該シーズチューブ３００ａを密封する封止部材３００ｅ（例えば絶縁可能・弾性変形可能なゴムパッキン）と、から概略構成される（特許文献１）。
特開２００４−２６４０１３号公報

シーズヒータ３００の封止部材３００ｅには、シーズチューブ３００ａの内部に水分や油分を浸入させないという重要な機能がある。この機能が低下し（以下、「シール不良」ともいう。）、もしシーズチューブ３００ａの内部に水分や油分が浸入すると、グロープラグ１００に通電し、シーズヒータ３００を発熱させた際、それらが蒸発・膨張し、最悪の場合シーズチューブ３００ａが破損する。
そのためシーズチューブ３００ａの後端開口部内周面の面粗度を高めて封止部材３００ｅとの密着性を高める等の対策が施されているが、それでもシール不良の発生が防げないことがある。その原因を探求したところ、シーズチューブ３００ａの後端開口の内周と封止部材３００ｅの間に細かな絶縁粉末３００ｄが入り込み介在していることが確認された。このような絶縁粉末３００ｄの介在は、通電端子軸３００ｂの外周と封止部材３００ｅの間でも同様に起こり得る。

本来、絶縁粉末３００ｄは、製造過程において、シーズチューブ３００ａ内へ充填された後、軸方向へのプレスにより適度に押し固められていて舞い上がりにくい状態になっている。しかしながら前述の絶縁粉末の介在は、絶縁粉末の表面に固まりきれなかったものが粉末状態のまま残存し、その絶縁粉末３００ｄが封止部材３００ｅを装填する工程で舞い上がり、それが封止部材３００ｅと入れ替わりに外部に排出される空気に乗って封止部材３００ｅとシーズチューブ３００ａ或は封止部材３００ｅと通電端子軸３００ｂとの間に介在し、そのまま残存したものと考えられる。

本発明は、軸方向に延び、先端側が閉じ後端側が開口した筒状形態である金属製のシーズチューブと、そのシーズチューブの後端側から当該シーズチューブ内に自己の先端側を臨ませた柱状の通電端子軸と、その通電端子軸に自己の後端が接続されると共に先端が前記シーズチューブの先端内面に接続されてなる抵抗線コイルと、前記シーズチューブ内で前記通電端子軸の先端側と抵抗線コイルとを埋設する絶縁粉末と、前記通電端子軸と前記シーズチューブの後端開口との間に環状に配置され、当該シーズチューブを密封する封止部材と、を備えたグロープラグであって、
前記封止部材の先端側の端面と前記絶縁粉末の後端側の端面との間のシーズチューブ内の体積Ｖ_１（通電端子軸領域含まず。以下、同じ）と、前記シーズチューブの後端開口縁から絶縁粉末の後端側の端面までの間のシーズチューブ内の体積Ｖ_２（通電端子軸領域含まず。以下、同じ）が、Ｖ_１ ／Ｖ_２ ≧１／３であることを特徴とする。

また、好ましくは、前記封止部材のシーズチューブと接した部分における軸方向の長さを３ｍｍ以上にするとよい。

また、好ましくは、前記通電端子軸の前記絶縁粉末に埋設された部分の長さを１０ｍｍ以上にするとよい。

また、好ましくは、前記シーズチューブの後端開口縁から先端側に向けて大径部を形成するか又は封止部材の胴部の後端側外周に大径部を突設してそれより小径な部分との境界に段部を形成し、該段部により封止部材の嵌合深さを規定するとよい。

また、本発明は、シーズヒータを備えたグロープラグの製造方法であって、
前記シーズヒータは、
軸方向に延び、先端側が閉じ後端側が開口した筒状形態である金属製のシーズチューブと、
そのシーズチューブの後端側から当該シーズチューブ内に自己の先端側を臨ませた柱状の通電端子軸と、
その通電端子軸に自己の後端が接続されると共に先端が前記シーズチューブの先端内面に接続されてなる抵抗線コイルと、
前記シーズチューブ内で前記通電端子軸の先端側と抵抗線コイルとを埋設するとともに押し固められた絶縁粉末と、
前記通電端子軸と前記シーズチューブの後端開口との間に環状に配置され、当該シーズチューブを密封する封止部材と、を有し、
該シーズヒータは、
押し固めた絶縁粉末内に前記通電端子軸の先端側と抵抗線コイルが埋設されたシーズチューブに対し、前記絶縁粉末と前記封止部材の間が離間するように前記シーズチューブの後端に当該封止部材を装填する装填工程と、
前記封止部材が装填されたシーズチューブに対し、前記シーズチューブのスウェージングを行い、前記絶縁粉末の端面と前記シーズチューブの後端内周面と前記通電端子軸の外周面と前記封止部材とによって形成される空間（体積Ｖ_１）と、前記絶縁粉末の端面と前記シーズチューブの後端内周面と前記通電端子軸の外周面と前記シーズチューブの後端開口縁までで形成される仮想空間（体積Ｖ_２）が、Ｖ_１／Ｖ_２≧１／３となるようにしたスウェージング工程と、
を有することを特徴とする。

また、好ましくは、前記シーズチューブに対するスウェージング工程は、シーズチューブの後方部位を絞って縮径する第１工程と、その第１工程の後に通電端子軸を保持して残りの部分を縮径する第２工程と、からなるようにするとよい。

また、好ましくは、前記スウェージング工程の第１工程は、前記封止部材が装填された前記シーズチューブの後端をスウェージングする工程にするとよい。

本発明のグロープラグは、封止部材と絶縁粉末の間のシーズチューブ内の体積Ｖ_１ と、後端開口縁から絶縁粉末の間のシーズチューブ内の体積Ｖ_２ を、Ｖ_１ ／Ｖ_２ ≧１／３とすることにより、封止部材と絶縁粉末の間の空間が十分な緩衝領域になるため、封止部材のシール性能に影響を与えない程度に絶縁粉末の舞い上がりが抑制される。このことは後述する試験により確認されている。なお、この絶縁粉末の舞い上がりを抑制する効果は、前記Ｖ_１ ／Ｖ_２ が１／３より大きくなるほど顕著であるが、その反面Ｖ_１ ／Ｖ_２ の増加は、封止部材とシーズチューブの接触面積（封止部材のシール面積）の減少につながるから、Ｖ_１ ／Ｖ_２ の上限は、封止部材が接触によるシール効果を損なわない範囲に自ずと限定される。

また、前記のように、封止部材のシーズチューブと接した部分における軸方向の長さを３ｍｍ以上にすると、封止部材のシール効果が十分に確保できるため、上記の効果と相俟ってシール性能に優れたグロープラグが提供できる。

また、前記のように、通電端子軸の絶縁粉末に埋設された部分の長さを１０ｍｍ以上にすると、通電端子軸と絶縁粉末の一体性が確実になるため、通電端子軸を保持してシーズチューブのスウェージングを行う場合に有用性を発揮する。

また、前記のように、前記シーズチューブの後端開口縁から先端側に向けて大径部を形成するか又は封止部材の胴部の後端側外周に大径部を突設してそれより小径な部分との境界に段部を形成し、該段部により封止部材の嵌合深さを規定すれば、前記空間の体積Ｖ_１ の精度が出しやすい。

［実施形態１］
以下に本発明の実施形態１を図１〜図７を参照しつつ説明する。なお、図１はグロープラグの縦断面図、図２はスウェージング前のシーズヒータを示す縦断面図、図３〜図７は封止部材の他の形態を示す要部の縦断面図である。

グロープラグ１は、図１に示したように、筒状の主体金具２と、主体金具２の中心を貫くシーズヒータ３とから概略構成される。

前記シーズヒータ３は、軸方向に延び、先端側がほぼ半球状に閉じ後端側が開口した筒状形態である金属製のシーズチューブ３ａと、そのシーズチューブ３ａの後端側から当該シーズチューブ３ａ内に自己の先端側を臨ませた柱状の通電端子軸３ｂと、その通電端子軸３ｂに自己の後端が接続されると共に先端が前記シーズチューブ３ａの先端内面に接続されてなる抵抗線コイル３ｃと、前記シーズチューブ３ａ内で充填され前記通電端子軸３ｂの先端側（好ましくは１０ｍｍ以上）と抵抗線コイル３ｃとを埋設する絶縁粉末３ｄ（例えばマグネシアの粉末）と、前記通電端子軸３ｂと前記シーズチューブ３ａの後端開口との間に環状に配置され、当該シーズチューブ３ａを密封する封止部材３ｅ（例えば絶縁可能・弾性変形可能なゴムパッキン）と、からなる。
なお、図１において、３ｆは通電端子軸３ｂに装着する絶縁環、３ｇは通電端子軸３ｂに螺合する丸ナットである。

前記封止部材３ｅは、シーズチューブ３ａの後端開口に締まり嵌めに適する大きさに形成した環状のゴムパッキンであり、図１に示したように、通電端子軸３ｂが通る丸い中心孔３ｅ−１を有する。
シーズチューブ３ａに封止部材３ｅを嵌めた図１の状態では、封止部材３ｅと絶縁粉末３ｄの間に前記通電端子軸３ｂの領域を含まない体積Ｖ_１ の空間Ｓ_１ が形成されており、その体積Ｖ_１ は、シーズチューブ３ａの後端開口縁から絶縁粉末３ｄまでの前記通電端子軸３ｂの領域を含まないシーズチューブ３ａ内の体積Ｖ_２ （封止部材３ｅで塞がっている部分も空間とみなした仮想空間）に対して１／３倍以上の大きさになっている。

封止部材３ｅは、切り口が四角形である単純な環状形態のもの以外に、例えば図３に示したように先端外周部分に面取り状の外テーパ部３ｅ−２を設けて体積Ｖ_１ の空間Ｓ_１ が形成されるようにしてもよい。この実施形態のように封止部材３ｅの先端外周部分に面取り状の外テーパ部３ｅ−２を形成した場合には、シーズチューブ３ａに封止部材３ｅを装着する際、外テーパ部３ｅ−２の傾斜がガイド的役割を果たす。従って、切り口が四角形で角がある封止部材に生じ得るシーズチューブ３ａによる角部の巻き込み現象が生じにくい。なお、シーズチューブ３ａによる角部の巻き込み現象は、封止部材３ｅに亀裂を生じさせるおそれがあり、シール不良の原因になるため好ましくない。

図４に示した封止部材３ｅは、先端外周部分と同一形状の外テーパ部３ｅ−２を後端外周部分にも形成したものであり、こうすることにより封止部材３ｅの上下（表裏）の区別をなくし、装着の作業性を向上させることができる。

図５に示した封止部材３ｅは、前記外テーパ部３ｅ−２と同趣旨の内テーパ部３ｅ−３を中心孔３ｅ−１の端部周縁に形成したものであり、この内テーパ部３ｅ−３によって通電端子軸３ｂによる角部の巻き込みを回避し、封止部材３ｅの亀裂を防ぐことができる。なお、図５の封止部材３ｅは、図４と同じく先端側と後端側のそれぞれに外テーパ部３ｅ−２と内テーパ部３ｅ−３を設けて上下（表裏）の区別をなくしたが、図３の封止部材３ｅに対して先端側にのみ内テーパ部３ｅ−３を設けるようにしてもよい。

図６に示した封止部材３ｅは、前記外テーパ部３ｅ−２を曲面にしたものであり、その効果は図３と同じである。また、図７に示した封止部材３ｅは、図６の封止部材３ｅを使用して前記空間Ｓ_１ を大きくするようにしたものであり、封止部材３ｅの端面と絶縁粉末３ｄの端面とを接触させない図１の態様との組み合わせに相当する。もちろん図３〜図５の実施形態でも図１の態様と組み合わせて、封止部材３ｅの端面と絶縁粉末３ｄの端面とを接触させないようにしてもよい。

次に、グロープラグ１の製造方法についてシーズヒータ３を中心に説明する。
まず、従来公知の方法を用いて、押し固めた絶縁粉末３ｄ内に前記通電端子軸３ｂの一部と抵抗線コイル３ｃが埋設された状態になっているシーズチューブ３ａを製造する。例えば、通電端子軸３ｂと抵抗線コイル３ｃを溶接により接合した後、抵抗線コイル３ｃの先端をシーズチューブ３ａの先端内面に溶接し、その状態のシーズチューブ３ａに絶縁粉末３ｄを充填してプレスで必要固さに押し固める。なお、ここまでの工程はどのような順序でもよく、特に限定されない。

次に、通電端子軸３ｂの後端に封止部材３ｅの中心孔３ｅ−１を嵌め合わせ、封止部材３ｅをそのまま押し下げてシーズチューブ３ａの後端に嵌め入れる。そしてシーズチューブ３ａの後端開口縁と封止部材３ｅの後端がほぼ同じ高さに揃った図２の状態で封止部材３ｅの押し込みを止める（装填工程）。
なお、封止部材３ｅのスウェージング前の厚さｔは、後のスウェージングに伴う増分を見込んで、シーズチューブ３ａの後端開口縁から絶縁粉末３ｄの間の高さｈ_０ に対し、ほぼ１／２〜１／３に設定されている。そうすることによりスウェージング後の前記体積Ｖ_１ とＶ_２ の比を約１／３にすることができる。ここで封止部材３ｅのスウェージングに伴う厚さｔの増分は、封止部材３ｅの材質とスウェージング率により、計算上若しくは試作の実施により特定できる。

次に、封止部材３ｅを装着したシーズチューブ３ａをスウェージングにより縮径する。斯かるスウェージング工程は、次の第１工程と第２工程とからなる。

まず、第１工程は、シーズチューブ３ａをチャックで保持しつつ、封止部材３ｅが装着された箇所と、それよりも先端側の絶縁粉末３ｄが充填され内部に通電端子軸３ｂを有する部分（特にその後端寄りの部位）をスウェージングする、というものである。

なお、通常、シーズチューブ３ａのスウェージングは、シーズチューブ３ａを横に寝かせた状態にして行うが、そうした場合にはスウェージングの段階でシーズチューブ３ａの後端開口の内周と封止部材３ｅの間に絶縁粉末が入り込む可能性がある。これに対しシーズチューブ３ａを図２のように立てた状態にしてスウェージングを行うことにより、スウェージング段階でのシーズチューブ３ａの後端開口の内周と封止部材３ｅの間に絶縁粉末が入り込む可能性を激減させることができる。従って、シーズチューブ３ａを図２のように立てた状態にしてスウェージングを行う方法と、本願発明とを組み合わせて実施することにより、シーズチューブ３ａのシール不良対策としてより大きな効果を得ることができる。もちろん、シーズチューブ３ａを図２のように立てた状態にしてスウェージングを行う方法は、既存のグロープラグの製造方法に適用してもシーズチューブ３ａのシール不良対策として有効である。

続く第２工程は、通電端子軸３ｂの後方部位をチャックで保持しつつシーズチューブ３ａの残りの部分を縮径する、というものである。この第２工程では通電端子軸３ｂの絶縁粉末３ｄへの埋め込み量を１０ｍｍ以上にするとよい。その根拠は、通電端子軸３ｂの埋め込み量を変えてスウェージングを行った次の試験にある。なお、第２工程は、必ずしも第１工程の残余の部位のみを１度にスウェージングすることに限られず、第１工程においてスウェージングした箇所をさらにスウェージングしてもよく、複数回にわたってスウェージングを行ってもよい。

試験に際して、まず、通電端子軸３ｂの埋め込み量を５ｍｍ、７ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍ、２０ｍｍに設定したスウェージング前のシーズヒータ３を５００個ずつ用意し、シーズチューブ３ａをチャックで保持してその後端寄りの部位（通電端子軸３ｂを有する部分）をスウェージングする（第１工程）。次に、通電端子軸３ｂをチャックで保持し、第１工程でスウェージングした箇所を含めてシーズチューブ３ａの残りの部分をスウェージングする（第２工程）。そして、その第２工程で、通電端子軸３ｂが絶縁粉末３ｄから抜けるか否かを確認した。その結果を表１に示す。

表１の結果からスウェージングの第２工程で通電端子軸３ｂを保持するには、通電端子軸３ｂの埋め込み量を１０ｍｍ以上に設定するのがよい。

しかして本発明者は、スウェージングしたシーズチューブ３ａの前記空間Ｓ_１ の体積Ｖ_１ と、後端開口縁から絶縁粉末３ｄの間のシーズチューブ３ａ内の前記体積Ｖ_２ の比と、絶縁粉末の舞い上がりとの関係を調べるため、Ｖ_１／Ｖ_２の値が、１／２、１／３、１／４、１／５であるシーズヒータ３を製造し、後にシーズチューブ３ａをめくって封止部材３ｅの周囲に付着する絶縁粉末の有無を目視により確認すると共に封止部材３ｅの先端からどのくらいの位置にまで絶縁粉末が達しているかを測定した。製造したシーズチューブ３ａは、内径＝３.６ｍｍ、後端開口縁から絶縁粉末３ｄまでの高さｈ_２ ＝６.０ｍｍである。なお、比較のため、空間Ｓ_１ を設けない従来型のシーズヒータ３も製造し、同様の確認と測定を行った。その結果を表２に示す。

表２の結果に示されているように、Ｖ_１／Ｖ_２の値が、「１／４」、「１／５」或は空間Ｓ_１ を設けない「０」のときの絶縁粉末の舞い上がりが発生した箇所は、封止部材３ｅの下端から１ｍｍ以上であり、シール効果に悪影響を及ぼす可能性がある。一方、Ｖ_１／Ｖ_２の値が「１／３」のとき、絶縁粉末の舞い上がりは目視で確認されたものの、その量はごく僅かでありシール効果に影響を及ぼすほどのものではなかった。また、Ｖ_１／Ｖ_２の値が「１／２」のとき、絶縁粉末の舞い上がりは目視で確認されなかった。よって、Ｖ_１／Ｖ_２ ≧１／３となるように封止部材３ｅを装着することは、絶縁粉末の舞い上がりによるシール不良対策として有効である。

以上のようにして製造したシーズヒータ３について、封止部材３ｅによるシール性能を確認するため、次の（ａ）〜（ｄ）の手順で試験を実施した。なお、シーズヒータ３のサンプルは、封止部材３ｅのシーズチューブ３ａに嵌った部分のスウェージング後における軸方向の長さを２ｍｍ、３ｍｍ、４ｍｍに設定したものであり、それぞれを１０個ずつ製造した。
（ａ）シーズチューブ３ａの外径を計測する。
（ｂ）１３０℃のエンジンオイル中に１００時間浸漬する。
（ｃ）その後、１１Ｖの電圧で１８０秒間通電する。
（ｄ）シーズチューブ３ａの外径を再度計測し、加熱・通電前の外径と比較する。
上記試験の結果を表３に示す。

以上の結果から封止部材３ｅのシール性能は、封止部材３ｅのシーズチューブ３ａに嵌った部分のスウェージング後における軸方向の長さが３ｍｍ以上で安定することが確認できた。

上記のようにして製造したシーズヒータ３の前記シーズチューブ３ａを主体金具２に例えば圧入し、次に、通電端子軸３ｂに絶縁環３ｆと丸ナット３ｇを装着して締め付ける。そうすることにより、シール性能に優れたグロープラグ１ができる。

［実施形態２］
図８，図９は実施形態２を示すシーズヒータの縦断面図である。前記実施形態１は、シーズチューブ３ａの後端開口縁とほぼ同一の高さになるまで封止部材３ｅを押し込みスウェージングをして空間Ｓ_１ を形成したが、実施形態２のシーズヒータ３は、図８に示したように、前記シーズチューブ３ａの後端開口縁から先端側に向けて大径部３ａ−１を形成してそれより小径な部分との境界に段部３ａ−２を形成し、一方、封止部材３ｅをシーズチューブ３ａの前記大径部３ａ−１に嵌まる形状に形成したものであり、該段部３ａ−２に当たって封止部材３ｅの嵌合深さが規定されるようにしてある。斯かる構成において、段部３ａ−２の位置を絶縁粉末３ｄから前記高さｈ_１ となるところに設定しておけば、封止部材３ｅの先端がほぼ正確に位置決めされるため、空間Ｓ_１ の体積Ｖ_１ の精度が出しやすい。

また、実施形態２に含まれる他のシーズヒータ３は、図９に示したように、前記封止部材３ｅの胴部の後端側外周にフランジ状の大径部３ｅ−４を突設してそれより小径な部分との境界に段部３ｅ−５を形成し、該段部３ｅ−５により封止部材３ｅの嵌合深さが規定されるようにしてある。斯かる構成にすることにより、シーズチューブ３ａに対する嵌合深さをほぼ正確にすることができるため、空間Ｓ_１ の体積Ｖ_１ の精度が出しやすい。

グロープラグの縦断面図である。 スウェージング前のシーズヒータを示す縦断面図である。 封止部材の他の形態を示す要部の縦断面図である。 封止部材の他の形態を示す要部の縦断面図である。 封止部材の他の形態を示す要部の縦断面図である。 封止部材の他の形態を示す要部の縦断面図である。 封止部材の他の形態を示す要部の縦断面図である。 実施形態２を示すシーズヒータの縦断面図である。 実施形態２を示すシーズヒータの縦断面図である。 従来のグロープラグを示す縦断面図である。

１ …グロープラグ
３ …シーズヒータ
３ａ …シーズチューブ
３ｂ …通電端子軸
３ｃ …抵抗線コイル
３ｄ …絶縁粉末
３ｅ …封止部材
３ａ−１…大径部
３ａ−２…段部
３ｅ−４…大径部
３ｅ−５…段部

Claims (7)

1. 軸方向に延び、先端側が閉じ後端側が開口した筒状形態である金属製のシーズチューブと、
   そのシーズチューブの後端側から当該シーズチューブ内に自己の先端側を臨ませた柱状の通電端子軸と、
   その通電端子軸に自己の後端が接続されると共に先端が前記シーズチューブの先端内面に接続されてなる抵抗線コイルと、
   前記シーズチューブ内で前記通電端子軸の先端側と抵抗線コイルとを埋設する絶縁粉末と、
   前記通電端子軸と前記シーズチューブの後端開口との間に環状に配置され、当該シーズチューブを密封する封止部材と、を備えたグロープラグであって、
   前記封止部材の先端側の端面と前記絶縁粉末の後端側の端面との間のシーズチューブ内の体積Ｖ_１（通電端子軸領域含まず。）と、前記シーズチューブの後端開口縁から絶縁粉末の後端側の端面までの間のシーズチューブ内の体積Ｖ_２（通電端子軸領域含まず。）が、Ｖ_１ ／Ｖ_２ ≧１／３であることを特徴とするグロープラグ。
2. 前記封止部材のシーズチューブと接した部分における軸方向の長さが３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のグロープラグ。
3. 前記通電端子軸の前記絶縁粉末に埋設された部分の長さが１０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のグロープラグ。
4. 前記シーズチューブの後端開口縁から先端側に向けて大径部を形成するか又は封止部材の胴部の後端側外周に大径部を突設してそれより小径な部分との境界に段部を形成し、該段部により封止部材の嵌合深さを規定するようにしたことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のグロープラグ。
5. シーズヒータを備えたグロープラグの製造方法であって、
   前記シーズヒータは、
   軸方向に延び、先端側が閉じ後端側が開口した筒状形態である金属製のシーズチューブと、
   そのシーズチューブの後端側から当該シーズチューブ内に自己の先端側を臨ませた柱状の通電端子軸と、
   その通電端子軸に自己の後端が接続されると共に先端が前記シーズチューブの先端内面に接続されてなる抵抗線コイルと、
   前記シーズチューブ内で前記通電端子軸の先端側と抵抗線コイルとを埋設するとともに押し固められた絶縁粉末と、
   前記通電端子軸と前記シーズチューブの後端開口との間に環状に配置され、当該シーズチューブを密封する封止部材と、を有し、
   該シーズヒータは、
   押し固めた絶縁粉末内に前記通電端子軸の先端側と抵抗線コイルが埋設されたシーズチューブに対し、前記絶縁粉末と前記封止部材の間が離間するように前記シーズチューブの後端に当該封止部材を装填する装填工程と、
   前記封止部材が装填されたシーズチューブに対し、前記シーズチューブのスウェージングを行い、前記絶縁粉末の端面と前記シーズチューブの後端内周面と前記通電端子軸の外周面と前記封止部材とによって形成される空間（体積Ｖ_１ ）と、前記絶縁粉末の端面と前記シーズチューブの後端内周面と前記通電端子軸の外周面と前記シーズチューブの後端開口縁までで形成される仮想空間（体積Ｖ_２ ）が、Ｖ_１／Ｖ_２≧１／３となるようにしたスウェージング工程と、
   を有することを特徴とするグロープラグの製造方法。
6. 前記シーズチューブに対するスウェージング工程は、シーズチューブの後方部位を絞って縮径する第１工程と、その第１工程の後に通電端子軸を保持して残りの部分を縮径する第２工程と、からなることを特徴とする請求項５に記載のグロープラグの製造方法。
7. 前記スウェージング工程の第１工程は、前記封止部材が装填された前記シーズチューブの後端をスウェージングする工程であることを特徴とする請求項６に記載のグロープラグの製造方法。

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