JP5277966B2 - 化合物及び感放射線性組成物 - Google Patents
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Description
本発明の化合物の一の実施形態は、下記一般式(1)で表されるもの(以下、「(a)化合物」と記す場合がある)である。この(a)化合物は、ヒドロキシル基のうちの少なくとも一つが、置換または非置換の環状構造を有する酸解離性基によって保護された構造を有する酸解離性基含有(修飾)化合物である。従って、(a)化合物は、その酸解離性基が酸により解離するものであり、上記酸解離性基が脱離、即ち解離した後は、アルカリ可溶性となる。
上記一般式(1)中のRは相互に独立に水素原子または置換若しくは非置換の環状構造を有する酸解離性基である。但し、Rは、その少なくとも一つが置換または非置換の環状構造を有する酸解離性基である。
本実施形態の化合物は、例えば、下記一般式(1−2)で表される化合物と下記一般式(1−3)で表される化合物とを縮合反応させて下記一般式(1−4)で表される前駆体を得た後、この下記一般式(1−4)で表される前駆体に、置換または非置換の環状構造を有する酸解離性基を少なくとも一つ導入することにより得ることができる。
本発明の感放射線性組成物の一実施形態は、上述した本発明の化合物((a)化合物)と、(b)放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、を含有するものである。本発明の感放射線性組成物は、(a)化合物を含有することにより、ベンゼン環骨格を有する化合物を含有することになり、エッチング耐性に優れる。また、本発明の感放射線性組成物は、含有する(a)化合物が、樹脂ではなく低分子の化合物であるため、樹脂に起因する凝集が生じることがなく、ラフネスの発生が少ない(即ち、低ラフネスである)。更に、本発明の感放射線性組成物は、化学増幅型レジストを形成可能な従来の組成物と同様に酸解離性基を有する化合物を含んでいるため、感度に優れる。以上の点から、本発明の感放射線性組成物は、リソグラフィープロセスにおいて、電子線または極紫外線に有効に感応し、低ラフネス、エッチング耐性、及び感度に優れ、微細パターンを高精度に、かつ、安定して形成することができる化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜可能なものである。
上記(b)感放射線性酸発生剤は、リソグラフィープロセスにおいて、本発明の感放射線性組成物に電子線や放射線等を照射したときに、感放射線性組成物内で酸を発生する物質である。そして、(b)感放射線性酸発生剤から発生した酸の作用によって、既に上述した(a)化合物中の酸解離性基が解離することになる。
本発明の感放射線性組成物は、(c)酸拡散制御剤を更に含有することが好ましい。(c)酸拡散制御剤は、露光により(b)感放射線性酸発生剤から生じる酸の、レジスト膜(レジスト被膜)中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。このような(c)酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上し、また、形成したレジスト膜の解像度が更に向上するとともに、露光後から露光後の加熱処理までの引き置き時間(PED)の変動に起因するレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性組成物が得られる。
本発明の感放射線性組成物は、上記(a)化合物、(b)感放射線性酸発生剤、及び(c)酸拡散制御剤を、溶剤に溶解させたものであることが好ましい。即ち、その他の成分として更に溶剤を含有することが好ましい。また、本発明の感放射線性組成物には、その他の成分として、必要に応じて、界面活性剤、増感剤、脂肪族添加剤等の各種の添加剤を更に配合することができる。
本発明の感放射線性組成物は、化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜可能な材料として有用である。上記化学増幅型ポジ型レジスト膜においては、露光により(b)感放射線性酸発生剤から発生した酸の作用によって、(a)化合物中の酸解離性基が脱離し、(a)化合物がアルカリ可溶性となる。即ち、レジスト膜に、アルカリ可溶性部位が生じる。このアルカリ可溶性部位は、レジストの露光部であり、この露光部はアルカリ現像液によって溶解、除去することができる。このようにして所望の形状のポジ型のレジストパターンを形成することができる。以下、具体的に説明する。
レゾルシノール22.0g(200ミリモル)をエタノール45mLに溶解させ塩酸15mL加えた。この溶液を撹拌しながら5℃まで氷冷し、グルタルアルデヒドの50%水溶液10.0g(50ミリモル)をゆっくりと滴下した。その後、80℃で48時間加熱し、濁った黄色の溶液が得られた。この懸濁液をメタノール中に注いだ後、ろ過し、沈殿物を得た。その後、得られた沈殿物をメタノールで3回洗浄した。洗浄した沈殿物は室温で24時間減圧乾燥し、粉末状の淡黄色固体(S)を得た(収量:11.2g(収率:79%))。
3406(νOH);2931(νC−H);1621、1505、1436(νC=C(aromatic))
参考例1で得られた淡黄色固体(S)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加えた後、更にテトラブチルアンモニウムブロマイド0.8gを加え、70℃で4時間攪拌し溶解させた。炭酸カリウム3.3gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、1−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させたブロモ酢酸1−エチルシクロペンチル5.6gを徐々に加え、70℃で6時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、水/塩化メチレンで抽出を行った。続いて、3%のシュウ酸水100mlで3回洗浄し、水100mlで2回洗浄した。水層を廃棄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、ヘキサン:酢酸エチル=1:4(体積比)を留出液としてシリカゲルカラムで精製して、化合物(A−2)を3.6g得た。
参考例1で得られた淡黄色固体(S)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加えた後、70℃で4時間攪拌し溶解させた。0℃にて、60%NaHテトラヒドロフラン溶液1g徐々に加え、30分攪拌した。その後、2−アダマンチル−クロロメチルエーテル4.8gを加え、室温で6時間攪拌した。水/塩化メチレンで抽出を行い、続いて、水100mlで2回洗浄した。水層を廃棄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、減圧濃縮して化合物(A−3)を3.0g得た。
参考例1で得られた淡黄色固体(S)5.1gを1−メチル−2−ピロリドン30gに加えた後、更にテトラブチルアンモニウムブロマイド1.1gを加え、70℃で1時間攪拌し溶解させた。溶解後、炭酸カリウム5.0gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、予め1−メチル−2−ピロリドン10gに溶解させたブロモ酢酸2−エチル−2−アダマンチル10.8gを徐々に加え、60℃で6時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、水/塩化メチレンで抽出を行った。続いて、3%のシュウ酸水100mlで3回洗浄した後、水100mlで2回洗浄した。水層を廃棄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、ヘキサン:酢酸エチル=1:4(体積比)を留出液としてシリカゲルカラムで精製して、化合物(A−4)を5.1g得た。
参考例1で得られた淡黄色固体(S)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加えた後、更にテトラブチルアンモニウムブロマイド0.8gを加え、70℃で4時間攪拌し溶解させた。溶解後、炭酸カリウム3.3gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、予め1−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させたブロモ酢酸2−メチル−2−アダマンチル14.2gを徐々に加え、70℃で6時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、水/塩化メチレンで抽出を行った。続いて、3%のシュウ酸水100mlで3回洗浄した後、水100mlで2回洗浄した。水層を廃棄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、ヘキサン:酢酸エチル=1:4(体積比)を留出液としてシリカゲルカラムで精製して、化合物(A−8)を2g得た。
参考例1で得られた淡黄色固体(S)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加え、70℃で4時間攪拌し溶解させた。ピリジニウム−p−トルエンスルホネート1.8gを加え、2−アダマンチルビニルエーテル4.4gを室温で滴下し室温で10時間攪拌した。反応液にトリエチルアミン2gを加えた後、1%アンモニア水600gに再沈した。減圧乾燥を行い、化合物(A−9)を3.0g得た。
参考例1で得られた淡黄色固体(S)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加え、70℃で4時間攪拌し溶解させた。ピリジニウム−p−トルエンスルホネート1.8gを加え、エチルビニルエーテル1.7gを室温で滴下し室温で10時間攪拌した。反応液にトリエチルアミン2gを加えた後、1%アンモニア水600gに再沈した。減圧乾燥を行い、化合物(A−5)を3.0g得た。
参考例1で得られた淡黄色固体(S)3.5gを1−メチル−2−ピロリドン40gに加えた後、更にテトラブチルアンモニウムブロマイド0.8gを加え、70℃で4時間攪拌し溶解させた。炭酸カリウム3.3gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、1−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させたブロモ酢酸t−ブチル4.7gを徐々に加え、70℃で6時間攪拌した。その後、室温まで冷却後、水/塩化メチレンで抽出を行い、続いて、水100mlで2回洗浄した。水層を廃棄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、ヘキサン:酢酸エチル=1:4(体積比)を留出液としてシリカゲルカラムで精製し、化合物(A−6)を3.8g得た。
ポリヒドロキシスチレン(VP8000、日本曹達社製(Mw9000、Mw/Mn=1.1)10gの酢酸ブチル20%溶液に、ジ−t−ブチル−ジ−カーボナネート5.50g、トリエチルアミン2.80gをゆっくり滴下し、この反応液を60℃で7時間攪拌した。その後、上記反応液に多量の水を加え、再沈精製を繰り返した。続いて、減圧乾燥を行い、ポリヒドロキシスチレンのヒドロキシ基が30%t−ブチルオキシカルボニルで保護された酸解離性基含有樹脂(A−7)12.0gを得た。
化合物(A−1)100部、(b)感放射線性酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート(表1中、「B−1」と示す)9部、(c)酸拡散制御剤としてトリ−n−オクチルアミン(表1中、「C−1」と示す)1部、溶剤として乳酸エチル(表1中、「D−1」と示す)600部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(表1中、「D−3」と示す)1500部を混合し、この混合液を孔径200nmのメンブランフィルターでろ過して組成物溶液(感放射線性組成物)を得た。各成分の仕込み量を表1に示す。
シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光して、直ちにPEBを行い、その後アルカリ現像し、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成した。レジストパターンは、線幅150nmのライン部と、隣合うライン部によって形成される、間隔が150nmのスペース部(即ち、溝)と、からなる、いわゆるライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価した。図1は、ライン・アンド・スペースパターンの形状を模式的に示す平面図である。また、図2は、ライン・アンド・スペースパターンの形状を模式的に示す断面図である。但し、図1及び図2で示す凹凸は、実際より誇張している。
ライン・アンド・スペースパターン(1L1S)について、最適露光量により解像されるラインパターン(ライン部)の最小線幅(nm)を解像度とした。
設計線幅150nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)のラインパターンを、半導体用走査電子顕微鏡(高分解能FEB測長装置、商品名「S−9220」、日立製作所社製)にて観察した。本参考例において観察された形状について、図1及び図2に示すように、シリコンウエハー1上に形成したレジスト膜のライン部2の横側面2aに沿って生じた凹凸の最も著しい箇所における線幅と設計線幅150nmとの差「ΔCD」をCD−SEM(日立ハイテクノロジーズ社製、S−9220)にて測定して評価した。
表1,2に示す各成分を表1,2に示した量で混合して均一溶液として、表3に示す条件で処理した以外は参考例5と同様にして組成物溶液(感放射線性組成物)を調製した。その後、調製した感放射線性組成物によってレジストパターンを形成し、形成したレジストについて上記各評価を行った。その評価結果を表3に示す。
B−1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−2:N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド
B−3:2,4,6トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム−4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート
B−4:トリフェニルスルホニウムn−オクタンスルホネート
B−5:ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−6:トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン−8−イル)エタンスルホネート
B−7:トリフェニルスルホニウム1,1−ジフルオロ−2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エタンスルホネート
B−8:2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4−ジフルオロベンゼンスルホネート
C−1:トリ−n−オクチルアミン
C−2:トリフェニルスルホニウムサリチレート
C−3:N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン
C−4:4−フェニルピリジン
C−5:(R)−(+)−1−(t−ブトキシカルボニル)−2−ピロリジンメタノール
C−6:(S)−(−)−1−(t−ブトキシカルボニル)−2−ピロリジンメタノール
D−1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル
D−2:3−エトキシプロピオン酸エチル
D−3:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Claims (5)
- 下記一般式(1)で表される化合物。
- (a)請求項1または2に記載の化合物と、
(b)放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、
を含有する感放射線性組成物。 - 前記(b)感放射線性酸発生剤が、オニウム塩、ジアゾメタン化合物、及びスルホンイミド化合物よりなる群から選択される少なくとも一種である請求項3に記載の感放射線性組成物。
- (c)酸拡散制御剤を更に含有する請求項3または4に記載の感放射線性組成物。
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