JP5267497B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5267497B2 JP5267497B2 JP2010087173A JP2010087173A JP5267497B2 JP 5267497 B2 JP5267497 B2 JP 5267497B2 JP 2010087173 A JP2010087173 A JP 2010087173A JP 2010087173 A JP2010087173 A JP 2010087173A JP 5267497 B2 JP5267497 B2 JP 5267497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- channel
- type
- photoelectric conversion
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
図2は、単位画素11の回路構成の一例を示す回路図である。図2に示すように、本回路例に係る単位画素11Aは、光電変換素子、例えばフォトダイオード111に加えて、例えば転送トランジスタ112、リセットトランジスタ113および増幅トランジスタ114の3つのトランジスタを有する画素回路となっている。ここでは、これらトランジスタ112〜114として、例えばNチャネルのMOSトランジスタを用いている。
Claims (3)
- 光電変換素子と、当該光電変換素子で光電変換して得られる電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記増幅トランジスタは、埋込みチャネル型且つ第1導電型のMOSトランジスタであり、チャネル領域に第1導電型の拡散係数が異なる少なくとも2種類の不純物が導入され、かつ、拡散係数の小さい不純物の方が拡散係数の大きい不純物よりも濃い濃度でゲート絶縁膜側に分布しており、
前記単位画素は、前記光電変換素子で光電変換して得られる電荷をフローティングディフュージョン領域に転送する転送トランジスタと、
前記フローティングディフュージョン領域の電位をリセットするリセットトランジスタとをさらに有する
固体撮像装置。 - 前記単位画素は、
前記増幅トランジスタに対して直列に接続されて画素の選択を行う選択トランジスタとをさらに有する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタのゲート電極が第2導電型のポリシリコンからなる
請求項1または2に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010087173A JP5267497B2 (ja) | 2010-04-05 | 2010-04-05 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010087173A JP5267497B2 (ja) | 2010-04-05 | 2010-04-05 | 固体撮像装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004303923A Division JP4513497B2 (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010192917A JP2010192917A (ja) | 2010-09-02 |
JP5267497B2 true JP5267497B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=42818545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010087173A Expired - Fee Related JP5267497B2 (ja) | 2010-04-05 | 2010-04-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5267497B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013045878A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2017027972A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-02-02 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置および電子情報機器 |
CN107195645B (zh) * | 2016-03-14 | 2023-10-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122733A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | 電荷転送装置およびその製造方法 |
JP3282375B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2002-05-13 | 株式会社デンソー | 相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ |
JP3239202B2 (ja) * | 1995-12-01 | 2001-12-17 | シャープ株式会社 | Mosトランジスタ及びその製造方法 |
JP3361698B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2003-01-07 | 沖電気工業株式会社 | Fetチャネルプロファイル抽出方法 |
JP2001196572A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2002151599A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP4336508B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2009-09-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP4700919B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子 |
-
2010
- 2010-04-05 JP JP2010087173A patent/JP5267497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010192917A (ja) | 2010-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4513497B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5114829B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4420039B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7541571B2 (en) | Image sensor having first and second charge transmitters | |
WO2015194390A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
WO2011058684A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011135515A (ja) | 固体撮像装置 | |
TW201310628A (zh) | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法,及電子裝置 | |
US9117724B2 (en) | Solid-state image sensing device | |
US9312296B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device | |
JP6711005B2 (ja) | 画素ユニット、及び撮像素子 | |
US7859032B2 (en) | Solid-state imaging device and method for driving the same | |
JP5267497B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5050512B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
KR101194873B1 (ko) | 넓은 다이나믹 레인지를 가지는 고감도 cmos 영상 센서 장치 | |
JP2013131516A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器 | |
JP2016127058A (ja) | 撮像装置 | |
JP4720402B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR101340839B1 (ko) | 고감도 cmos 영상 센서 장치 | |
KR20070050576A (ko) | 이미지 센서 | |
JP6610033B2 (ja) | イメージセンサ、撮像装置及び電子機器 | |
JP4618170B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4760325B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2016111251A (ja) | トランジスタ | |
JP2010212714A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121102 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130222 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130422 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |