JP5187060B2 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 - Google Patents
Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5187060B2 JP5187060B2 JP2008208494A JP2008208494A JP5187060B2 JP 5187060 B2 JP5187060 B2 JP 5187060B2 JP 2008208494 A JP2008208494 A JP 2008208494A JP 2008208494 A JP2008208494 A JP 2008208494A JP 5187060 B2 JP5187060 B2 JP 5187060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- euvl
- opening
- reflective
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法に関する。
従来から、リソグラフィ技術においては、ウェハ上に微細な回路パターンを転写して集積回路を製造するための露光装置が広く利用されている。集積回路の高集積化、高速化および高機能化に伴い、集積回路の微細化が進み、露光装置には深い焦点深度で高解像度の回路パターンをウェハ面上に結像させることが求められ、露光光源の短波長化が進められている。露光光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）から更に進んでＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が用いられ始めている。また、回路の線幅が１００ｎｍ以下となる次世代の集積回路に対応するため、露光光源としてＦ2レーザ（波長１５７ｎｍ）を用いることが有力視されているが、これも線幅が７０ｎｍ世代までしかカバーできないとみられている。
このような技術動向にあって、次の世代の露光光源としてＥＵＶ光を使用したリソグラフィ技術が、４５ｎｍ以降の複数の世代にわたって適用可能と見られ注目されている。ＥＵＶ光とは軟Ｘ線領域または真空紫外域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、リソグラフィ光源として１３．５ｎｍの使用が検討されている。このＥＵＶリソグラフィ（以下、「ＥＵＶＬ」と略する）の露光原理は、投影光学系を用いてマスクパターンを転写する点では、従来のリソグラフィと同じであるが、ＥＵＶ光のエネルギー領域では光を透過する材料がないために屈折光学系を用いることができず、反射光学系を用いることとなる。
ＥＵＶＬ用のマスクは、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造のマスクブランクを用いて作成される。具体的には、該マスクブランクの吸収体層をパターニングすることにより（吸収体層の一部を除去してマスクパターンを形成することにより）作成される。ここで、吸収体層が除去されて反射層が露出した部位はマスクパターンの開口部をなし、吸収体層が除去されなかった部位はマスクパターンの非開口部をなす。
ＥＵＶＬ用マスクの反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光の波長域の光線を層表面に照射した際の、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＣｒやＴａを主成分とする材料が用いられる。
ＥＵＶＬ用マスクは、反射層および吸収体層のみを有するものであってもよいが、通常はこれら以外の層をさらに有している。例えば、反射層表面の酸化を防止するための保護層が反射層上に形成される場合もある。また、吸収体層をパターニングする目的で実施されるエッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止するため、反射層上にバッファー層が設けられる場合もある。なお、保護層がバッファー層の役割を果たすことができる場合は、バッファー層を兼ねた保護層として一つの膜を設ければよい。これらの層を有する場合、ＥＵＶＬ用マスクの反射部は、反射層ではなく、保護層やバッファー層が露出した状態となる。
また、マスクパターンの検査時のコントラスト、すなわち、マスクパターンの検査光の波長域における、ＥＵＶＬ用マスクの開口部と非開口部との反射率の差を高めるために、該検査光の波長域における反射率が低い反射防止層が吸収体層上に形成されている場合もある。ＥＵＶＬ用マスクが反射防止層を有する場合、該反射防止層が非反射部の最上層となる。
ＥＵＶＬ用マスクは、反射層および吸収体層のみを有するものであってもよいが、通常はこれら以外の層をさらに有している。例えば、反射層表面の酸化を防止するための保護層が反射層上に形成される場合もある。また、吸収体層をパターニングする目的で実施されるエッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止するため、反射層上にバッファー層が設けられる場合もある。なお、保護層がバッファー層の役割を果たすことができる場合は、バッファー層を兼ねた保護層として一つの膜を設ければよい。これらの層を有する場合、ＥＵＶＬ用マスクの反射部は、反射層ではなく、保護層やバッファー層が露出した状態となる。
また、マスクパターンの検査時のコントラスト、すなわち、マスクパターンの検査光の波長域における、ＥＵＶＬ用マスクの開口部と非開口部との反射率の差を高めるために、該検査光の波長域における反射率が低い反射防止層が吸収体層上に形成されている場合もある。ＥＵＶＬ用マスクが反射防止層を有する場合、該反射防止層が非反射部の最上層となる。
このようなＥＵＶＬ用マスクと、反射型の露光装置と、を用いて、ＥＵＶＬ用マスクのマスクパターンをシリコンウェハ上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写した際に、レジスト膜に形成される転写パターン（以下、「レジストパターン」という。）の寸法（レジストパターンのスペース幅（或いは線幅））に設計値からずれが生じる場合があることが問題となっていた。
レジストパターンの寸法に設計値からずれが生じる原因の一つとして、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアがある。特許文献１は、フレアによる転写像への影響を指摘し、その改善方法を提案している。特許文献１では、フレアによる転写像への影響について以下のように記載している。
露光機を構成するミラーの表面形状のうねりによりフレアが発生する。レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）はフレアにより変化し、フレアがあると、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）は増加する。しかしながら、フレアの量はマスクパターン密度に依存し、反射パターン（吸収層がなく保護層が露出した部分）が殆ど存在しないマスクの場合、フレアは殆どない。このため、フレアによるパターン寸法のずれは反射パターン密度に依存する。レチクルの面内には、反射パターン（吸収層がなく保護層が露出した部分）と非反射パターン（吸収層あるいはその反射防止膜が反射層・保護層を覆って露出した部分）が混在し、その面積比率は面内にわたり一定ではなく、反射パターンの比率が大きいところと小さいところが混在し、フレアの量に分布が生じる。すなわち、反射パターン比率が大きいところはフレアが大きくレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）のずれは大きい。一方、反射パターン比率が小さい部分はフレアが小さくレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）のずれは少ない。その結果、フレアによるレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）変化量が露光フィールド内で異なり、問題である。
このようなレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の変化を改善する方法として、特許文献１では反射パターン部に反射率調整手段を講じることを提案している。具体的には、従来の構成からなるレチクルでパターン形成後、フレアによる寸法変化が最小となるように、２つの方法により反射率を調整することを提案している。すなわち（１）反射パターン部に反射率調整層（反射率減衰層）を形成すること、および（２）吸収体層の厚みを調整する（イオンビームなどにより吸収体層を表層から削り取る）ことを提案している。
レジストパターンの寸法に設計値からずれが生じる原因の一つとして、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアがある。特許文献１は、フレアによる転写像への影響を指摘し、その改善方法を提案している。特許文献１では、フレアによる転写像への影響について以下のように記載している。
露光機を構成するミラーの表面形状のうねりによりフレアが発生する。レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）はフレアにより変化し、フレアがあると、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）は増加する。しかしながら、フレアの量はマスクパターン密度に依存し、反射パターン（吸収層がなく保護層が露出した部分）が殆ど存在しないマスクの場合、フレアは殆どない。このため、フレアによるパターン寸法のずれは反射パターン密度に依存する。レチクルの面内には、反射パターン（吸収層がなく保護層が露出した部分）と非反射パターン（吸収層あるいはその反射防止膜が反射層・保護層を覆って露出した部分）が混在し、その面積比率は面内にわたり一定ではなく、反射パターンの比率が大きいところと小さいところが混在し、フレアの量に分布が生じる。すなわち、反射パターン比率が大きいところはフレアが大きくレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）のずれは大きい。一方、反射パターン比率が小さい部分はフレアが小さくレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）のずれは少ない。その結果、フレアによるレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）変化量が露光フィールド内で異なり、問題である。
このようなレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の変化を改善する方法として、特許文献１では反射パターン部に反射率調整手段を講じることを提案している。具体的には、従来の構成からなるレチクルでパターン形成後、フレアによる寸法変化が最小となるように、２つの方法により反射率を調整することを提案している。すなわち（１）反射パターン部に反射率調整層（反射率減衰層）を形成すること、および（２）吸収体層の厚みを調整する（イオンビームなどにより吸収体層を表層から削り取る）ことを提案している。
しかしながら、フレアによるレジストパターンの寸法（レジストパターンのスペース幅（或いは線幅））の変化を改善する目的で、ＥＵＶＬ用マスク上に局所的に反射率調整層を形成すること、および、吸収体層の厚みを局所的に調整することは実用的または生産効率的に困難である。
また、別の一つの原因として、ＥＵＶＬ用マスクブランクの吸収体層をパターニングする際に、何らかのバラツキ（たとえばオーバーエッチングやオーバー現像など）が原因で、設計値通りの寸法を有するマスクパターンが形成されなかったことが挙げられる。このような原因によるレジストパターンの寸法（レジストパターンのスペース幅（或いは線幅））のずれは、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアとは無関係なので、特許文献１に記載の方法では解消することができない。
上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、レジストパターンの寸法（レジストパターンのスペース幅（或いは線幅））の制御性に優れたＥＵＶＬ用マスクの製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅を測定する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を、電子線または波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線の照射を用いて局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１））を提供する。
前記マスクパターンの開口部の幅を測定する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を、電子線または波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線の照射を用いて局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１））を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）において、前記マスクパターンの開口部の幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、マスクパターンの開口部の当該部位を局所加熱することが好ましい。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅を測定する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を、電子線または波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線の照射を用いて局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２））を提供する。
前記マスクパターンの非開口部の幅を測定する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を、電子線または波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線の照射を用いて局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２））を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）において、前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、マスクパターンの非開口部の当該部位に隣接するマスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅を測定する工程と、
レジストパターンのスペース幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３））を提供する。
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅を測定する工程と、
レジストパターンのスペース幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３））を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）において、前記ウェハ上のレジスト膜がポジ型レジストであり、前記レジストパターンにおけるスペース幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）において、前記ウェハ上のレジスト膜がネガ型レジストであり、前記レジストパターンにおけるスペース幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの線幅を測定する工程と、
レジストパターンの線幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記レジストパターンの線幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４））を提供する。
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの線幅を測定する工程と、
レジストパターンの線幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記レジストパターンの線幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４））を提供する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）において、
前記ウェハ上のレジスト膜がポジ型レジストであり、
前記レジストパターンにおける線幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
前記ウェハ上のレジスト膜がポジ型レジストであり、
前記レジストパターンにおける線幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）において、
前記ウェハ上のレジスト膜がネガ型レジストであり、
前記レジストパターンにおける線幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
前記ウェハ上のレジスト膜がネガ型レジストであり、
前記レジストパターンにおける線幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）〜（４）において、前記局所加熱に、レーザ光線または電子線の照射を用いることが好ましい。
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）〜（４）により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクを提供する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶＬ用マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法を提供する。
本発明の製造方法によれば、レジストパターンの寸法（レジストパターンのスペース幅（或いは線幅））の制御性に優れたＥＵＶＬ用マスクを得ることができる。
以下、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法について説明する。
まず初めに初めに本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）について説明する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）では、まず初めに、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有するＥＵＶＬ用マスク（以下、「ベースマスク」という。）を製造する。図１は、ベースマスクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すベースマスク１において、基板２上に反射層３が形成されている。ベースマスク１には、反射層３上に吸収体層４が形成された部位１０と、反射層３上に吸収体層４が形成されていない部位２０と、が存在する。部位２０では、吸収体層４が形成されていないため反射層３が露出している。ベースマスク１において、部位１０と部位２０との配置がマスクパターンをなす。ここで、部位２０はマスクパターンの開口部をなし、部位１０はマスクパターンの非開口部をなす。
まず初めに初めに本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）について説明する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）では、まず初めに、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有するＥＵＶＬ用マスク（以下、「ベースマスク」という。）を製造する。図１は、ベースマスクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すベースマスク１において、基板２上に反射層３が形成されている。ベースマスク１には、反射層３上に吸収体層４が形成された部位１０と、反射層３上に吸収体層４が形成されていない部位２０と、が存在する。部位２０では、吸収体層４が形成されていないため反射層３が露出している。ベースマスク１において、部位１０と部位２０との配置がマスクパターンをなす。ここで、部位２０はマスクパターンの開口部をなし、部位１０はマスクパターンの非開口部をなす。
ベースマスクの製造は、従来のＥＵＶＬ用マスクの製造手順にしたがって実施することができる。すなわち、基板上に反射層と、吸収体層と、がこの順で形成されたＥＵＶＬ用マスクブランクを作製した後、該ＥＵＶＬ用マスクブランクの吸収体層をパターニングすることにより、反射層上に吸収体層が形成されていない部位（すなわち、マスクパターン開口部）と、反射層上に吸収体層が形成された部位（すなわち、マスクパターン非開口部）と、を有するＥＵＶＬ用マスクを得る。
なお、ベースマスクは、基板上に反射層および吸収体層のみを有するものであってもよいが、ＥＵＶＬ用マスクに通常設けられるこれら以外の層をさらに有していてもよい。例えば、反射層表面の酸化を防止するための保護層が反射層上に形成されていてもよい。また、吸収体層をパターニングする目的で実施されるエッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止するためのバッファー層が反射層上に形成されていてもよい。また、マスクパターンの検査時のコントラストを高めるために、マスクパターンの検査光の波長域における反射率が低い反射防止層が吸収体層上に形成されていてもよい。
なお、ベースマスクは、基板上に反射層および吸収体層のみを有するものであってもよいが、ＥＵＶＬ用マスクに通常設けられるこれら以外の層をさらに有していてもよい。例えば、反射層表面の酸化を防止するための保護層が反射層上に形成されていてもよい。また、吸収体層をパターニングする目的で実施されるエッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止するためのバッファー層が反射層上に形成されていてもよい。また、マスクパターンの検査時のコントラストを高めるために、マスクパターンの検査光の波長域における反射率が低い反射防止層が吸収体層上に形成されていてもよい。
［基板］
基板は、ＥＵＶＬ用マスクの基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板は、低熱膨張係数（平均熱膨張係数が０±３０ｐｐｂ／℃、特に０±２０ｐｐｂ／℃、さらには０±１５ｐｐｂ／℃であることが好ましく、熱膨張係数の全体の空間的変動(total spatial variation）が０±１０ｐｐｂ／℃、特に０±６ｐｐｂ／℃、さらには０±４ｐｐｂ／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランク製造時またはパターニング後の洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。また、基板上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板は、０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、製造後のＥＵＶＬ用マスクにおいて高反射率および高い転写精度が得られるために好ましい。
基板の大きさや厚みなどは、製造されるＥＵＶＬ用マスクの設計値等により適宜決定されるものである。例えば、一例を挙げると、外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）基板である。
基板の多層反射膜が成膜される側の表面（成膜面）には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅（ＦＷＨＭ（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ））が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
基板は、ＥＵＶＬ用マスクの基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板は、低熱膨張係数（平均熱膨張係数が０±３０ｐｐｂ／℃、特に０±２０ｐｐｂ／℃、さらには０±１５ｐｐｂ／℃であることが好ましく、熱膨張係数の全体の空間的変動(total spatial variation）が０±１０ｐｐｂ／℃、特に０±６ｐｐｂ／℃、さらには０±４ｐｐｂ／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランク製造時またはパターニング後の洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。また、基板上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板は、０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、製造後のＥＵＶＬ用マスクにおいて高反射率および高い転写精度が得られるために好ましい。
基板の大きさや厚みなどは、製造されるＥＵＶＬ用マスクの設計値等により適宜決定されるものである。例えば、一例を挙げると、外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）基板である。
基板の多層反射膜が成膜される側の表面（成膜面）には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅（ＦＷＨＭ（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ））が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
［反射層］
反射層は、ＥＵＶＬ用マスクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層に特に要求される特性は、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が高いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が６０％以上であることが好ましく、６４％以上であることがより好ましい。
反射層は、ＥＵＶＬ用マスクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層に特に要求される特性は、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が高いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が６０％以上であることが好ましく、６４％以上であることがより好ましい。
反射層は、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層としての多層反射膜において、高屈折率層にはＳｉ（波長１３．５ｎｍにおける屈折率＝０．９９９）が広く使用され、低屈折率層にはＭｏ（同屈折率＝０．９２４）が広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射層が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｒｈ／Ｓｉ多層反射膜、Ｐｔ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜なども用いることができる。
多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および多層反射膜に要求されるＥＵＶ波長域のピーク反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が６０％以上の多層反射膜とするには、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層と、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、を繰り返し単位数が３０〜６０になるようにこの順に積層させればよい。
なお、反射層をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとして、不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとして不活性ガス、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０〜５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
[保護層]
反射層をなす多層反射膜の表面およびその近傍が、保管時に自然酸化されたり洗浄時に酸化されたりするのを防止するため、多層反射膜上に保護層を設けることができる。保護層としては、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃ、ＳｉＣ、あるいはこれら元素の混合物、あるいはこれら元素に窒素やボロンなどを添加したものなどを用いることができる。保護層としてＲｕを用いた場合、後述するバッファー層の機能を兼ねることができるため特に好ましい。また保護層としてＳｉを用いた場合は、多層反射膜がＭｏ／Ｓｉから成る場合、最上層をＳｉ膜とすることによって、該最上層を保護層として機能させることができる。その場合保護層としての役割も果たす最上層のＳｉ膜の膜厚は、通常の４．５ｎｍより厚い、５〜１５ｎｍであることが好ましい。また、保護層としてＳｉ膜を成膜した後、該Ｓｉ膜上に保護層とバッファー層とを兼ねるＲｕ膜を成膜してもよい。
なお、多層反射膜や保護層などの膜は、必ずしも１層である必要はなく、２層以上であってもよい。
多層反射膜上に保護層を設けた場合、保護層におけるＥＵＶ波長域のピーク反射率が上記範囲を満たす必要がある。
反射層をなす多層反射膜の表面およびその近傍が、保管時に自然酸化されたり洗浄時に酸化されたりするのを防止するため、多層反射膜上に保護層を設けることができる。保護層としては、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃ、ＳｉＣ、あるいはこれら元素の混合物、あるいはこれら元素に窒素やボロンなどを添加したものなどを用いることができる。保護層としてＲｕを用いた場合、後述するバッファー層の機能を兼ねることができるため特に好ましい。また保護層としてＳｉを用いた場合は、多層反射膜がＭｏ／Ｓｉから成る場合、最上層をＳｉ膜とすることによって、該最上層を保護層として機能させることができる。その場合保護層としての役割も果たす最上層のＳｉ膜の膜厚は、通常の４．５ｎｍより厚い、５〜１５ｎｍであることが好ましい。また、保護層としてＳｉ膜を成膜した後、該Ｓｉ膜上に保護層とバッファー層とを兼ねるＲｕ膜を成膜してもよい。
なお、多層反射膜や保護層などの膜は、必ずしも１層である必要はなく、２層以上であってもよい。
多層反射膜上に保護層を設けた場合、保護層におけるＥＵＶ波長域のピーク反射率が上記範囲を満たす必要がある。
[バッファー層]
マスクブランクの吸収体層をパターニングしてベースマスクを作成する際に、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスが用いられる。このエッチングプロセスによって、反射層としての多層反射膜がダメージを受けるのを防止するため、エッチングストッパーとしての役割を果たすバッファー層を多層反射膜（多層反射膜上に保護層が形成されている場合は保護層）と、吸収体層と、の間に設けてもよい。したがってバッファー層の材質としては、吸収体層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、ＣｒＮおよびＲｕがより好ましく、保護層とバッファー層の機能を兼ね備えるため特にＲｕが好ましい。
バッファー層の膜厚は１〜６０ｎｍであることが好ましい。
マスクブランクの吸収体層をパターニングしてベースマスクを作成する際に、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスが用いられる。このエッチングプロセスによって、反射層としての多層反射膜がダメージを受けるのを防止するため、エッチングストッパーとしての役割を果たすバッファー層を多層反射膜（多層反射膜上に保護層が形成されている場合は保護層）と、吸収体層と、の間に設けてもよい。したがってバッファー層の材質としては、吸収体層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、ＣｒＮおよびＲｕがより好ましく、保護層とバッファー層の機能を兼ね備えるため特にＲｕが好ましい。
バッファー層の膜厚は１〜６０ｎｍであることが好ましい。
バッファー層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとして不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス（ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ）を使用して投入電力３０Ｗ〜５００Ｗ、成膜速度５〜５０ｎｍ／ｍｉｎで膜厚２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
［吸収体層］
吸収体層に特に要求される特性は、ＥＵＶ波長域の反射率がある程度低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長域の光線を吸収体層表面に入射角度６〜８度で照射した際に、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が５％以下であることが好ましい。
吸収体層は、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料で構成され、具体的には、ＣｒやＴａを含有する膜、例えば、ＣｒやＴａの窒化物を含有する膜や、ＴａおよびＨｆを含有する膜（ＴａＢＮ膜やＴａＨｆ膜）などが挙げられる。
吸収体層の膜厚は、吸収体層からの反射光と、反射層をなす多層反射膜からの反射光（多層反射膜上に保護層が形成されている場合、該保護層からの反射光）の強度比が確保できるよう適宜調整すればよく、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。なお、吸収体層は単層であっても、複数の層からなっていてもよい。
吸収体層に特に要求される特性は、ＥＵＶ波長域の反射率がある程度低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長域の光線を吸収体層表面に入射角度６〜８度で照射した際に、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が５％以下であることが好ましい。
吸収体層は、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料で構成され、具体的には、ＣｒやＴａを含有する膜、例えば、ＣｒやＴａの窒化物を含有する膜や、ＴａおよびＨｆを含有する膜（ＴａＢＮ膜やＴａＨｆ膜）などが挙げられる。
吸収体層の膜厚は、吸収体層からの反射光と、反射層をなす多層反射膜からの反射光（多層反射膜上に保護層が形成されている場合、該保護層からの反射光）の強度比が確保できるよう適宜調整すればよく、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。なお、吸収体層は単層であっても、複数の層からなっていてもよい。
吸収体層としては、上記特性を満たす限り特に限定されないが、中でも、Ｔａを含む膜、好ましくはＴａＨｆ膜またはＴａＮ膜が、膜の結晶状態がアモルファスとなり、吸収体層表面の平滑性に優れることから好ましい。吸収体層表面の表面粗さが大きいと、吸収体層に形成されるマスクパターンのエッジラフネスが大きくなり、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度が悪化するだけでなく、散乱光（通称フレアー）を生じ、ＥＵＶＬにおけるパターンコントラスト、すなわち、図１に示すベースマスク１にＥＵＶ光を照射した際の、非開口部１０におけるＥＵＶ波長域のピーク反射率と、開口部２０におけるＥＵＶ波長域のピーク反射率と、のコントラストを低下させる。これによっても、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度が悪化する。これらの問題は、マスクパターンが微細になるに従い顕著になるため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。
吸収体層がＴａを含む膜(例えばＴａＨｆ膜、ＴａＮ膜など)であれば、アモルファス構造または微結晶構造の膜となるため、吸収体層表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下と吸収体層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によって、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度が悪化するおそれがないばかりか、吸収体層表面の表面粗さに起因する散乱光も問題ない程度に抑えることができる。吸収体層表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
吸収体層がＴａを含む膜(例えばＴａＨｆ膜、ＴａＮ膜など)であれば、アモルファス構造または微結晶構造の膜となるため、吸収体層表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下と吸収体層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によって、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度が悪化するおそれがないばかりか、吸収体層表面の表面粗さに起因する散乱光も問題ない程度に抑えることができる。吸収体層表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
なお、本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。吸収膜体層、アモルファス構造または微結晶構造の膜であれば、吸収体層表面が平滑性に優れている。
なお、吸収体層の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であることまたは微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。吸収体層の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
なお、吸収体層の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であることまたは微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。吸収体層の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
吸収体層がＴａＨｆ膜である場合、ＴａおよびＨｆを以下に記載する特定の割合で含有することが好ましい。
吸収体層のＨｆの含有率が２０〜６０ａｔ％であることが、吸収体層の結晶状態がアモルファスとなりやすく、吸収体層表面が平滑性に優れるので好ましい。また、より薄い膜厚でＥＵＶ波長域の反射率およびパターン検査光の波長域の反射率を比較的低くすることができる等、ＥＵＶＬ用マスクの吸収体層として優れた特性を有している。
吸収体層のＨｆの含有率は、３０〜５０ａｔ％であることがより好ましく、３０〜４５ａｔ％であることがさらに好ましい。
吸収体層のＨｆの含有率が２０〜６０ａｔ％であることが、吸収体層の結晶状態がアモルファスとなりやすく、吸収体層表面が平滑性に優れるので好ましい。また、より薄い膜厚でＥＵＶ波長域の反射率およびパターン検査光の波長域の反射率を比較的低くすることができる等、ＥＵＶＬ用マスクの吸収体層として優れた特性を有している。
吸収体層のＨｆの含有率は、３０〜５０ａｔ％であることがより好ましく、３０〜４５ａｔ％であることがさらに好ましい。
吸収体層において、Ｈｆを除いた残部はＴａであることが好ましい。したがって、吸収体層におけるＴａの含有率は、４０〜８０ａｔ％であることが好ましい。吸収体層におけるＴａの含有率は５０〜７０ａｔ％であることがより好ましく、５５〜７０ａｔ％であることがさらに好ましい。
吸収体層において、ＴａとＨｆの組成比は、７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。
ＴａＨｆ膜は、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）雰囲気下で、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより成膜することができる。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成の吸収体層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成の吸収体層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。
上記した方法でＴａＨｆ膜を成膜するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
吸収体層がＴａＮ膜である場合、Ｔａ、Ｎを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
ＴａＮ膜のＮの含有率は１０ａｔ％以上５０ａｔ％未満であることが好ましい。本発明では、ＴａＮ膜がＴａおよびＮを特定の比率で含有することにより、結晶状態がアモルファスとなる。
ＴａＮ膜のＮの含有率は１０ａｔ％以上５０ａｔ％未満であることが好ましい。本発明では、ＴａＮ膜がＴａおよびＮを特定の比率で含有することにより、結晶状態がアモルファスとなる。
[反射防止層]
ベースマスクの製造に用いるマスクブランクにおいて、吸収体層上にはマスクパターンの検査に使用する検査光の波長域における反射率が低い反射防止層を設けてもよい。
ＥＵＶＬ用マスクの製造後、マスクパターンが設計通りに形成されているかどうか検査される。このマスクパターンの検査では、検査光として現在通常波長２５７ｎｍの紫外光、将来的には波長１９０〜２００ｎｍの紫外光を使用した検査機が使用されると予想される。つまり、この検査光の波長域におけるマスクパターンの開口部と非開口部との反射率の差異、を利用して検査される。以下、本明細書において、マスクパターンの検査に用いる検査光のことをパターン検査光という。
パターン検査光の波長域におけるマスクパターンの開口部と非開口部との反射率の差が小さいと、検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
図１に示すように、マスクパターンの開口部２０では、反射層３上に吸収体層４が形成されておらず、該反射層（多層反射膜）３が露出している。但し、反射層３上に保護層が形成されている場合、該保護層が露出する。したがって、マスクパターンの開口部２０における反射率とは、反射層（多層反射膜）３における反射率であり、反射層３上に保護層が形成されている場合、該保護層における反射率となる。一方、マスクパターンの非開口部１０における反射率とは、吸収体層４における反射率であり、吸収体層４上に反射防止層が形成されている場合、反射防止層における反射率となる。
ＥＵＶＬ用マスクの製造後、マスクパターンが設計通りに形成されているかどうか検査される。このマスクパターンの検査では、検査光として現在通常波長２５７ｎｍの紫外光、将来的には波長１９０〜２００ｎｍの紫外光を使用した検査機が使用されると予想される。つまり、この検査光の波長域におけるマスクパターンの開口部と非開口部との反射率の差異、を利用して検査される。以下、本明細書において、マスクパターンの検査に用いる検査光のことをパターン検査光という。
パターン検査光の波長域におけるマスクパターンの開口部と非開口部との反射率の差が小さいと、検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
図１に示すように、マスクパターンの開口部２０では、反射層３上に吸収体層４が形成されておらず、該反射層（多層反射膜）３が露出している。但し、反射層３上に保護層が形成されている場合、該保護層が露出する。したがって、マスクパターンの開口部２０における反射率とは、反射層（多層反射膜）３における反射率であり、反射層３上に保護層が形成されている場合、該保護層における反射率となる。一方、マスクパターンの非開口部１０における反射率とは、吸収体層４における反射率であり、吸収体層４上に反射防止層が形成されている場合、反射防止層における反射率となる。
Ｔａを含んだ吸収体層は、ＥＵＶ波長域における反射率が比較的低く、ＥＵＶＬ用マスクブランクの吸収体層として優れた特性を有しているが、パターン検査光の波長域における反射率は必ずしも十分低いとは言えない。この結果、パターン検査光の波長域における、マスクパターンの開口部と非開口部との反射率の差異が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。したがって、Ｔａを含んだ吸収体層上には、検査光の波長域における反射率が低い反射防止層を形成することが好ましい。吸収体層上に反射防止層を形成すれば、マスクパターンの非開口部での、パターン検査光の波長域における反射率が極めて低くなり、検査時のコントラストが良好となる。なお、パターン検査光の波長域におけるマスクパターンの開口部と非開口部との反射率のコントラストは３０％以上であることが好ましい。
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、Ｒ2はマスクパターンの開口部２０での反射率であり、図１に示すベースマスク１の場合、反射層（多層反射膜）３での反射率である。反射層３上に保護層が形成されている場合、該保護層での反射率である。Ｒ1はマスクパターンの非開口部１０での反射率であり、図１に示すベースマスク１の場合、吸収体層４での反射率である。吸収体層４上に反射防止層が形成されている場合、該反射防止層での反射率である。なお、ベースマスク１のコントラストを求めるためには、マスクブランクを作成する過程において、基板２上に反射層（多層反射膜）３を形成した時点で、該反射層３での反射率を測定してＲ2を求めればよい。反射層３上に保護層を形成する場合、該保護層を形成した時点で反射率を測定してＲ2を求めればよい。そして、吸収体層４まで形成した時点で、該吸収体層４での反射率を測定してＲ1を求めればよい。また、マスクブランクの吸収体層をパターニングしてベースマスクとした後で、マスクパターンの非開口部１０での反射率、マスクパターンの開口部２０での反射率をそれぞれ測定して、Ｒ1、Ｒ2を求めてもよい。
本発明において、パターン検査光の波長域における上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、Ｒ2はマスクパターンの開口部２０での反射率であり、図１に示すベースマスク１の場合、反射層（多層反射膜）３での反射率である。反射層３上に保護層が形成されている場合、該保護層での反射率である。Ｒ1はマスクパターンの非開口部１０での反射率であり、図１に示すベースマスク１の場合、吸収体層４での反射率である。吸収体層４上に反射防止層が形成されている場合、該反射防止層での反射率である。なお、ベースマスク１のコントラストを求めるためには、マスクブランクを作成する過程において、基板２上に反射層（多層反射膜）３を形成した時点で、該反射層３での反射率を測定してＲ2を求めればよい。反射層３上に保護層を形成する場合、該保護層を形成した時点で反射率を測定してＲ2を求めればよい。そして、吸収体層４まで形成した時点で、該吸収体層４での反射率を測定してＲ1を求めればよい。また、マスクブランクの吸収体層をパターニングしてベースマスクとした後で、マスクパターンの非開口部１０での反射率、マスクパターンの開口部２０での反射率をそれぞれ測定して、Ｒ1、Ｒ2を求めてもよい。
本発明において、パターン検査光の波長域における上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
パターン検査光の波長域の光線を反射層（多層反射膜）表面に入射角度約１０度で照射した際のパターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）は、その材質にもよるが、６０〜７０％程度である。反射層上に保護層を形成した場合も、該保護層でのパターン検査光の波長域における反射率は上記の範囲内である。したがって、パターン検査光の波長域における上記式で表されるコントラストを３０％以上とするためには、反射防止層でのパターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
吸収体層上に反射防止層が形成されている場合、吸収体層と反射防止層との合計膜厚が２０〜１００ｎｍであることが好ましい。但し、反射防止層の膜厚が吸収体層の膜厚よりも大きいと、吸収体層のＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあり、また一般に反射防止層のエッチング速度は吸収体層のエッチング速度より遅く、吸収体層をパターニングする際に反射防止層のエッチングが律速となるので、反射防止層の膜厚は吸収体層の膜厚よりも小さく、できるだけ薄いことが好ましい。このため、反射防止層の膜厚は１〜３０ｎｍであることが好ましく、２〜１０ｎｍであることがより好ましい。
反射防止層は、上記の特性を達成するため、Ｔａを含んだ膜よりもパターン検査光の波長域における屈折率が高い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
Ｔａを含んだ吸収体層上に形成する反射防止層は、その酸化物膜、酸窒化物膜、窒化物膜であることが好ましい。具体的には吸収体層としてＴａＨｆ膜を用いた場合は、その反射防止層としてＴａＨｆＯ膜を用いることが好ましく、Ｔａ、ＨｆおよびＯを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
ＴａＨｆＯ膜は、ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０〜８０ａｔ％であり、ＴａとＨｆの組成比が８：２〜４：６であることが好ましい。ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、ＴａＨｆＯ膜の導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＴａおよびＨｆの合計含有率が８０ａｔ％超であると、パターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）を十分低くすることができない。また、Ｈｆが上記組成比より低い場合、結晶状態がアモルファスとなりにくい。Ｈｆが上記組成比より高い場合、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。
ＴａＨｆＯ膜におけるＯの含有率が２０〜７０ａｔ％であることが好ましい。Ｏの含有率が２０ａｔ％より低い場合、パターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）を十分低くすることができない可能性がある。Ｏの含有率が７０ａｔ％より高い場合、耐酸性が低下し、低反絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
ＴａＨｆＯ膜におけるＴａおよびＨｆの合計含有率は、３５〜８０ａｔ％であることがより好ましく、３５〜７５ａｔ％であることがさらに好ましい。また、ＴａとＨｆの組成比は、Ｔａ：Ｈｆ＝７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。Ｏの含有率は、２０〜６５ａｔ％であることがより好ましく、２５〜６５ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、ＴａＨｆＯ膜は、必要に応じてＴａ、ＨｆおよびＯ以外の元素を含んでいてもよい。この場合、ＴａＨｆＯ膜に含める元素は、ＥＵＶ光線の吸収特性等のマスクブランクとしての適性を満たす必要がある。
ＴａＨｆＯ膜に含めることができる元素の一例として、Ｎが挙げられる。この場合、ＴａＨｆＯ膜がＮを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
ＴａＨｆＯ膜がＮを含有する場合（すなわち、ＴａＨｆＯＮ膜である場合）、ＴａおよびＨｆの合計含有率は３０〜８０ａｔ％であり、ＴａとＨｆの組成比がＴａ：Ｈｆ＝８：２〜４：６であり、ＮおよびＯの合計含有率は２０〜７０ａｔ％であり、ＮとＯの組成比が９：１〜１：９であることが好ましい。ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＴａおよびＨｆの合計含有率が８０ａｔ％超であると、パターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）を十分低くすることができない。Ｈｆが上記組成比より低い場合、結晶状態がアモルファスとならない可能性がある。Ｈｆが上記組成比より高い場合、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。また、ＮおよびＯの含有率が２０ａｔ％より低い場合、パターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）を十分低くすることができない可能性がある。ＮおよびＯの含有率が７０ａｔ％より高い場合、耐酸性が低下し、絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
ＴａＨｆＯ膜に含めることができる元素の一例として、Ｎが挙げられる。この場合、ＴａＨｆＯ膜がＮを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
ＴａＨｆＯ膜がＮを含有する場合（すなわち、ＴａＨｆＯＮ膜である場合）、ＴａおよびＨｆの合計含有率は３０〜８０ａｔ％であり、ＴａとＨｆの組成比がＴａ：Ｈｆ＝８：２〜４：６であり、ＮおよびＯの合計含有率は２０〜７０ａｔ％であり、ＮとＯの組成比が９：１〜１：９であることが好ましい。ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＴａおよびＨｆの合計含有率が８０ａｔ％超であると、パターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）を十分低くすることができない。Ｈｆが上記組成比より低い場合、結晶状態がアモルファスとならない可能性がある。Ｈｆが上記組成比より高い場合、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。また、ＮおよびＯの含有率が２０ａｔ％より低い場合、パターン検査光の波長域における反射率（ピーク反射率）を十分低くすることができない可能性がある。ＮおよびＯの含有率が７０ａｔ％より高い場合、耐酸性が低下し、絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
ＴａＨｆＯＮ膜において、ＴａおよびＨｆの合計含有率は、３５〜８０ａｔ％であることがより好ましく、３５〜７５ａｔ％であることがさらに好ましい。また、ＴａとＨｆの組成比は、Ｔａ：Ｈｆ＝７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。ＮおよびＯの合計含有率は、２０〜６５ａｔ％であることがより好ましく、２５〜６５ａｔ％であることがさらに好ましい。
ＴａＨｆＯＮ膜は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によって、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。吸収体層上に反射防止層として形成されるＴａＨｆＯＮ膜は、その表面が平滑であることが要求される。
ＴａＨｆＯＮ膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によって、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度が悪化したり、表面粗さに起因する散乱光が増加するおそれがない。ＴａＨｆＯＮ層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
上記したように、エッジラフネスの影響によって、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。吸収体層上に反射防止層として形成されるＴａＨｆＯＮ膜は、その表面が平滑であることが要求される。
ＴａＨｆＯＮ膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によって、ＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンの寸法精度が悪化したり、表面粗さに起因する散乱光が増加するおそれがない。ＴａＨｆＯＮ層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、ＴａＨｆＯＮ膜の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。ＴａＨｆＯＮ膜の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
ＴａＨｆＯ膜およびＴａＨｆＯＮ膜は、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより成膜することができる。
なお、ＴａＨｆＯ膜の場合、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって成膜する。または、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させてＴａおよびＨｆを含有する膜を成膜した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、成膜された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯ膜としてもよい。
一方、ＴａＨｆＯＮ膜の場合、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）で希釈した酸素（Ｏ2）・窒素（Ｎ2）混合ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって成膜する。または、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）で希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによってＴａ、ＨｆおよびＮを含有する膜を成膜した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、成膜された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯＮ膜としてもよい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成のＴａＨｆＯ膜およびＴａＨｆＯＮ膜を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。ＴａＨｆ化合物ターゲットは、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有してもよい。
なお、ＴａＨｆＯ膜の場合、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって成膜する。または、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させてＴａおよびＨｆを含有する膜を成膜した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、成膜された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯ膜としてもよい。
一方、ＴａＨｆＯＮ膜の場合、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）で希釈した酸素（Ｏ2）・窒素（Ｎ2）混合ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって成膜する。または、不活性ガス（例えばアルゴン（Ａｒ）ガス）で希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによってＴａ、ＨｆおよびＮを含有する膜を成膜した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、成膜された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯＮ膜としてもよい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成のＴａＨｆＯ膜およびＴａＨｆＯＮ膜を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。ＴａＨｆ化合物ターゲットは、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有してもよい。
上記した方法でＴａＨｆＯ膜およびＴａＨｆＯＮ膜を成膜するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＨｆＯ膜を成膜する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＨｆＯＮ膜を成膜する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＨｆＯ膜を成膜する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＨｆＯＮ膜を成膜する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ベースマスクの製造に用いるマスクブランクは、上記の構成以外にＥＵＶＬ用マスクブランクの分野において公知の他の機能層を有していてもよい。このような機能層の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載されているものように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側（成膜面に対して）に施される高誘電性コーティングが挙げられる。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍとすることができる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
上記の手順で得られたマスクブランクの吸収体層をパターニングすることによりベースマスクが得られる。吸収体層のパターニングは以下の手順で実施することができる。
（１）マスクブランク上（具体的には、吸収体層上、吸収体層上に低反射層が形成されている場合は低反射層上）にレジストを塗布して所定の膜厚のレジスト膜を形成する。レジストの塗布方法としては、スピンコート法、ローラコート法、バーコート法、スリットコート法、スプレイ法、気相塗布法等、ＥＵＶＬ用マスクの製造時に使用される公知の塗布方法から幅広く選択することができる。これらの中でも、スピンコート法がレジストを均一に塗布することができることから好ましい。レジスト膜厚は１０００〜５０００Åが好ましく、特に１０００〜３５００Åが好ましい。
（２）レジスト膜中に残存する溶剤を除去する目的で温度８０〜１５０℃で５〜１５分間プリベークした後、レジスト膜に所望のレジストパターンを焼き付けるため、該レジスト膜をパターン露光する。なお、ＥＵＶＬ用マスクの製造では、通常、マスクを用いた露光は使用せず、電子線を走査してレジスト膜に直接レジストパターンを焼き付ける。あるいはダイレクトミラーデバイスなどを用いて所望の部分のみ紫外光を照射する方法がとられる。
（３）レジスト膜にポジ型レジストが使用されて場合は、電子線あるいは紫外光が照射された部位のレジスト膜を現像液を用いて除去することにより、所望のレジストパターンを得る。一方、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合は、電子線あるいは紫外光が照射されていない部位のレジスト膜を現像液を用いて除去することにより、所望のレジストパターンを得る。所望のレジストパターンを得た後、レジスト膜に残留する現像液若しくは洗浄液を除去する目的、および、基板に対するレジスト膜の密着性を向上させる目的でポストベークを必要に応じて実施してもよい。
（４）マスクブランクのレジスト膜に覆われていない部分の吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合、該低反射層も）を、エッチングプロセスを用いて除去することにより、マスクパターンを形成する。なお、ＥＵＶＬ用マスクの製造では、マスクパターンの開口部の幅が１５０ｎｍ以下の微細なマスクパターンを形成するため、エッチングプロセスとしては、プラズマエッチング、スパッタエッチング、イオンビームエッチング、ガスクラスタイオンビームエッチングのような非等方的なドライエッチングプロセスが通常は用いられる。エッチングプロセスの実施後、不要となったレジスト膜を硫酸と過酸化水素水の混合液やオゾン水などの酸化性の強い薬液を用いて除去し、その後、表面をイオン交換水などを用いてリンス、洗浄し、乾燥させることにより所望のマスクパターンを有するベースマスクが得られる。
（１）マスクブランク上（具体的には、吸収体層上、吸収体層上に低反射層が形成されている場合は低反射層上）にレジストを塗布して所定の膜厚のレジスト膜を形成する。レジストの塗布方法としては、スピンコート法、ローラコート法、バーコート法、スリットコート法、スプレイ法、気相塗布法等、ＥＵＶＬ用マスクの製造時に使用される公知の塗布方法から幅広く選択することができる。これらの中でも、スピンコート法がレジストを均一に塗布することができることから好ましい。レジスト膜厚は１０００〜５０００Åが好ましく、特に１０００〜３５００Åが好ましい。
（２）レジスト膜中に残存する溶剤を除去する目的で温度８０〜１５０℃で５〜１５分間プリベークした後、レジスト膜に所望のレジストパターンを焼き付けるため、該レジスト膜をパターン露光する。なお、ＥＵＶＬ用マスクの製造では、通常、マスクを用いた露光は使用せず、電子線を走査してレジスト膜に直接レジストパターンを焼き付ける。あるいはダイレクトミラーデバイスなどを用いて所望の部分のみ紫外光を照射する方法がとられる。
（３）レジスト膜にポジ型レジストが使用されて場合は、電子線あるいは紫外光が照射された部位のレジスト膜を現像液を用いて除去することにより、所望のレジストパターンを得る。一方、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合は、電子線あるいは紫外光が照射されていない部位のレジスト膜を現像液を用いて除去することにより、所望のレジストパターンを得る。所望のレジストパターンを得た後、レジスト膜に残留する現像液若しくは洗浄液を除去する目的、および、基板に対するレジスト膜の密着性を向上させる目的でポストベークを必要に応じて実施してもよい。
（４）マスクブランクのレジスト膜に覆われていない部分の吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合、該低反射層も）を、エッチングプロセスを用いて除去することにより、マスクパターンを形成する。なお、ＥＵＶＬ用マスクの製造では、マスクパターンの開口部の幅が１５０ｎｍ以下の微細なマスクパターンを形成するため、エッチングプロセスとしては、プラズマエッチング、スパッタエッチング、イオンビームエッチング、ガスクラスタイオンビームエッチングのような非等方的なドライエッチングプロセスが通常は用いられる。エッチングプロセスの実施後、不要となったレジスト膜を硫酸と過酸化水素水の混合液やオゾン水などの酸化性の強い薬液を用いて除去し、その後、表面をイオン交換水などを用いてリンス、洗浄し、乾燥させることにより所望のマスクパターンを有するベースマスクが得られる。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）では、まず初めに上記の手順で得られたベースマスクのマスクパターンの開口部の幅を測定する。図１に示すベースマスク１において、マスクパターンの開口部２０の幅はＷで示されている。
マスクパターンの開口部の幅を測定する方法は、通常１５０ｎｍ以下の開口部の幅を誤差２０ｎｍ以下の高精度で測定できる測定方法または測定装置である限り特に限定されない。このような測定装置の具体例としては、例えば、ＣＤ−ＳＥＭ（測長ＳＥＭ：ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ ＳＥＭ）、三次元ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）等が挙げられる。
マスクパターンの開口部の幅を測定する方法は、通常１５０ｎｍ以下の開口部の幅を誤差２０ｎｍ以下の高精度で測定できる測定方法または測定装置である限り特に限定されない。このような測定装置の具体例としては、例えば、ＣＤ−ＳＥＭ（測長ＳＥＭ：ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ ＳＥＭ）、三次元ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）等が挙げられる。
次に、上記の手順で得られた開口部の幅の測定値を設計値と比較して、設計値に対する測定値のずれの有無を確認する。
設計値に対するずれがなかった場合、もしくは設計値に対するずれが許容範囲内であった場合、上記手順で作製されたベースマスクをそのまま最終製品のＥＵＶＬ用マスクとして使用することができ、以下に述べる手順を実施する必要がない。
一方、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、上記手順で得られた測定値と設計値との比較結果に基づいて、後述する手順でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱する。マスクパターンの開口部の幅に関する測定値と設計値との比較結果に基づいてマスクパターンの開口部の一部を局所加熱することによって最終製品のＥＵＶＬ用マスクを得る。詳しくは後述するが、このようにして得られる最終製品のＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンでは、ＥＵＶＬ用マスクでのマスクパターンの開口部の幅の設計値からのずれによって生じる該レジストパターンの寸法のずれが修正されている。
設計値に対するずれがなかった場合、もしくは設計値に対するずれが許容範囲内であった場合、上記手順で作製されたベースマスクをそのまま最終製品のＥＵＶＬ用マスクとして使用することができ、以下に述べる手順を実施する必要がない。
一方、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、上記手順で得られた測定値と設計値との比較結果に基づいて、後述する手順でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱する。マスクパターンの開口部の幅に関する測定値と設計値との比較結果に基づいてマスクパターンの開口部の一部を局所加熱することによって最終製品のＥＵＶＬ用マスクを得る。詳しくは後述するが、このようにして得られる最終製品のＥＵＶＬ用マスクを用いて形成されるレジストパターンでは、ＥＵＶＬ用マスクでのマスクパターンの開口部の幅の設計値からのずれによって生じる該レジストパターンの寸法のずれが修正されている。
なお、マスクパターンの開口部の幅の設計値に対するずれの許容範囲は、対象となるマスクパターンの形状や大きさ、または、マスクパターンが存在する部位やリソグラフィ工程のプロセスファクター（ｋ１ファクター）、レジストの性能によっても異なり、詳細はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓなどに記述されているが、例えば、マスクパターンが幅１５０ｎｍの開口部と、幅１５０ｎｍの非開口部からなる場合は、設計値とのずれに対する許容寸法誤差は１０ｎｍ以下である。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）において、設計値に対して許容範囲を超えるずれが開口部の幅で見つかった場合に、ベースマスクのマスクパターンの開口部の一部を局所加熱する理由は、以下に述べる本願発明者らによる知見に基づく。
上述したように、マスクパターンの開口部とは、反射層上に吸収体層が形成されていない部位であり、反射層が露出している。なお、反射層上に保護層が形成されている場合、マスクパターンの開口部では、保護層が露出している。したがって、本明細書において、マスクパターンの開口部の一部を局所加熱すると言った場合、該開口部において露出している反射層または保護層の一部を局所加熱することを意味する。
本願発明者らは、反射層をなす多層反射膜を加熱した場合、該多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域におけるピーク反射率が低下するという知見を得た。多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域における反射率スペクトルを測定すると、図２に示すように、測定する波長により反射率の値は異なり極大値Ｒmaxを有する。この極大値Ｒmaxのことを本明細書において、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率という。以下、本明細書において、単にピーク反射率と言った場合、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を指す。なお、図２は、後述するように、基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜、および、保護膜とバッファー膜とを兼ねるＲｕ膜を形成した多層反射膜および保護膜付き基板の保護膜表面にＥＵＶ光を照射した場合のＥＵＶ波長域の反射率スペクトルである。
本願発明者らは、反射層をなす多層反射膜を加熱した場合、該多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域におけるピーク反射率が低下するという知見を得た。多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域における反射率スペクトルを測定すると、図２に示すように、測定する波長により反射率の値は異なり極大値Ｒmaxを有する。この極大値Ｒmaxのことを本明細書において、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率という。以下、本明細書において、単にピーク反射率と言った場合、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を指す。なお、図２は、後述するように、基板上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜、および、保護膜とバッファー膜とを兼ねるＲｕ膜を形成した多層反射膜および保護膜付き基板の保護膜表面にＥＵＶ光を照射した場合のＥＵＶ波長域の反射率スペクトルである。
多層反射膜を加熱した場合、多層反射膜を形成する高屈折材料と低屈折材料が互いに拡散し反応することで拡散層が形成される。この結果、加熱後の多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した際、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率が低下する。加熱後の多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した際、ＥＵＶ波長域における反射光の中心波長も低下する（短波長側にシフトする）。本明細書において、ＥＵＶ波長域における反射光の中心波長とは、ＥＵＶ波長域の反射率スペクトルにおいて、ピーク反射率の半値幅（ＦＷＨＭ（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ｏｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ））に対応する波長をλ1およびλ2とするとき、これらの波長の中央値（（λ1＋λ2）／２）となる波長である。本明細書において、単に反射光の中心波長と言った場合、ＥＵＶ波長域における反射光の中心波長を指す。
本願発明者らは、反射層をなす多層反射膜上に保護層が形成されている場合に、該保護層を加熱すると、該保護層表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域におけるピーク反射率および反射光の中心波長が低下するという知見も得ている。
保護層を加熱した場合、多層反射膜の表層を形成する材料と、保護層を形成する材料と、が互いに拡散し反応することで拡散層が形成される。この結果、加熱後の保護層表面にＥＵＶ光を照射した際、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率および反射光の中心波長が低下する。あるいは、保護層を加熱した場合、保護層の下にある多層反射膜を形成する高屈折材料と低屈折材料が互いに拡散し反応することで拡散層が形成される。この結果、加熱後の保護層表面にＥＵＶ光を照射した際、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率および反射光の中心波長が低下する。
保護層を加熱した場合、多層反射膜の表層を形成する材料と、保護層を形成する材料と、が互いに拡散し反応することで拡散層が形成される。この結果、加熱後の保護層表面にＥＵＶ光を照射した際、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率および反射光の中心波長が低下する。あるいは、保護層を加熱した場合、保護層の下にある多層反射膜を形成する高屈折材料と低屈折材料が互いに拡散し反応することで拡散層が形成される。この結果、加熱後の保護層表面にＥＵＶ光を照射した際、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率および反射光の中心波長が低下する。
図３および図４に、基板（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス製）上にＳｉ膜（膜厚４．５ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚２．３ｎｍ）とをこの順に交互に４０層積層して多層反射膜を形成した後、該多層反射膜上に保護層としてＳｉ膜（膜厚４．５ｎｍ）を成膜し、該Ｓｉ膜上に保護層とバッファー層とを兼ねるＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜した多層反射膜および保護層付き基板を大気雰囲気下、ホットプレートを用いて１０分間加熱した場合について、多層反射膜および保護層付き基板のＲｕ膜表面にＥＵＶ光を照射した際の、ＥＵＶ波長域における中心波長低下量およびピーク反射率低下量の加熱温度依存性をそれぞれ示す。図３において、縦軸は反射光の中心波長低下量（Ｄｅｃｒｅａｓｅ ｉｎ ＣＷＬ）（ｎｍ）であり、横軸は１０００／Ｔ（ベーク温度）（１／Ｋ）である。図４において、縦軸はピーク反射率低下量（Ｄｅｃｒｅａｓｅ ｉｎ Ｐｅａｋ ％Ｒ）であり、横軸は１０００／Ｔ（ベーク温度）（１／Ｋ）である。
まず図３に示す反射光の中心波長低下量の加熱温度依存性において、多層反射膜は一種のブラッグ反射ミラーであるため、反射光の中心波長低下量は生成する拡散層の厚みにほぼ一次的に依存し、その加熱温度依存性は一般的な反応速度の温度依存性であるアレニウスの式に従う。また拡散層の厚みは反応時間（＝加熱時間）に比例して増加するため、反射光の中心波長低下量の加熱温度、加熱時間依存性は、次式（２ａ）に従う。なお、図３に示した例の場合、式（２ａ）は、式（２ｂ）で表される。
反射光の中心波長低下量 ∝ 拡散層の厚み
∝ 加熱時間 × ｅｘｐ（ａ＋ｂ／加熱温度（Ｋ））
（ここでａ，ｂは定数） 式（２ａ）
反射光の中心波長低下量（ｎｍ）＝４１２０×加熱時間（ｍｉｎ）
×ｅｘｐ（−６３８０／加熱温度（Ｋ））
式（２ｂ）
反射光の中心波長低下量 ∝ 拡散層の厚み
∝ 加熱時間 × ｅｘｐ（ａ＋ｂ／加熱温度（Ｋ））
（ここでａ，ｂは定数） 式（２ａ）
反射光の中心波長低下量（ｎｍ）＝４１２０×加熱時間（ｍｉｎ）
×ｅｘｐ（−６３８０／加熱温度（Ｋ））
式（２ｂ）
一方、ピーク反射率低下量は、生成する拡散層の厚みに対する依存性が比較的複雑であるため中心波長低下量に比べて単純ではないと思われるが、図４にて明確に示されるように、結果的にアレニウスの式に従い、ピーク反射率低下量の加熱温度、加熱時間依存性は次式（３ａ）に従う。なお、図４に示した例の場合、式（３ａ）は、式（３ｂ）で表される。
ピーク反射率低下量 ∝ 拡散層の厚み
∝ 加熱時間 × ｅｘｐ（ａ＋ｂ／加熱温度（Ｋ））
（ここでａ，ｂは定数） 式（３ａ）
ピーク反射率低下量（％）＝ ９１３０×加熱時間（ｍｉｎ）
×ｅｘｐ（−４３７０／加熱温度（Ｋ））
式（３ｂ）
表１に図３、図４より得られた加熱によるピーク反射率および反射光の中心波長の変化量（低下量）の温度依存性を整理して示す。
図４および表１から明らかなように、多層反射膜または保護層を加熱することにより、これらの層表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低下させることができる。この際、反射光の中心波長も低下する（短波長側にシフトする）が、ピーク反射率の低下に比べて反射光の中心波長の低下は僅かであるため、反射光の中心波長の低下を問題ないレベルに維持しつつ、ピーク反射率を所望のレベルまで下げることは比較的容易であることが判明した。
ピーク反射率低下量 ∝ 拡散層の厚み
∝ 加熱時間 × ｅｘｐ（ａ＋ｂ／加熱温度（Ｋ））
（ここでａ，ｂは定数） 式（３ａ）
ピーク反射率低下量（％）＝ ９１３０×加熱時間（ｍｉｎ）
×ｅｘｐ（−４３７０／加熱温度（Ｋ））
式（３ｂ）
表１に図３、図４より得られた加熱によるピーク反射率および反射光の中心波長の変化量（低下量）の温度依存性を整理して示す。
ＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、反射層をなす多層反射膜表面での反射光の中心波長の面内均一性に関する要求値は、±０．０３ｎｍ以内であり、±０．０１ｎｍ以内であることが好ましい。ここで、中心波長の面内均一性に関する要求値とは、中心波長を多層反射膜表面全体にわたって測定した場合に、最も大きい中心波長と最も小さい中心波長の差の許容値である。なお、反射層上に保護層が形成されている場合、保護層にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域における反射光に対して、上記中心波長の面内均一性に関する要求値が適用される。なお、ピーク反射率の面内均一性の要求値は、±１．２％以内、特に±０．６％以内、さらには±０．３％以内であることが好ましい。
マスクブランクから作成されるＥＵＶＬ用マスクについても、マスクパターンの開口部でのＥＵＶ波長域における反射光について、反射光の中心波長の面内均一性が上記の要求値を満たすことが求められる。したがって、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）では、マスクパターンの開口部での中心波長の面内均一性が要求値を満足しつつ、ピーク反射率を所望のレベルまで下げることができるように、開口部の一部を局所加熱する条件を選択すればよい。
マスクブランクから作成されるＥＵＶＬ用マスクについても、マスクパターンの開口部でのＥＵＶ波長域における反射光について、反射光の中心波長の面内均一性が上記の要求値を満たすことが求められる。したがって、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）では、マスクパターンの開口部での中心波長の面内均一性が要求値を満足しつつ、ピーク反射率を所望のレベルまで下げることができるように、開口部の一部を局所加熱する条件を選択すればよい。
なお、上述した点から明らかなように、ピーク反射率および反射光の中心波長は、これらを調べたい対象（多層反射膜または保護層）の表面にＥＵＶ光を照射した際の、ＥＵＶ波長域における反射率スペクトルを測定することによって求めることができる。ＥＵＶ波長域における反射率スペクトルの測定方法を、多層反射膜表面にＥＵＶ光を照射した場合を例として以下に示す。なお、保護層表面にＥＵＶ光を照射した場合については、多層反射膜と記載しているところを保護層と読み替えればよい。
反射率スペクトルの測定方法として、（１）ＥＵＶ波長域の光線を分光した後、入射角度６〜８度で多層反射膜表面に照射し、その反射光強度をフォトダイオード、電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＣＤ）などにより直接測定する方法、（２）ＥＵＶ波長域の光線を分光した後、入射角度６〜８度で多層反射膜表面に照射し、そのＥＵＶ波長域の反射光をシンチレーターなどを用いて他の波長域の光（たとえば可視光や紫外光など）に変換しその強度を光電子倍増管などにより測定する間接的な方法、（３）ＥＵＶ波長域の光線を分光した後、入射角度６〜８度で多層反射膜表面に照射した際の反射光を分光し、各波長に分光された各反射光強度をマルチチャンネルフォトダイオードアレイやマルチチャンネルＣＣＤアレイを使って測定するなどの方法、などが挙げられる。これらの方法ではいわゆる分光光度計を用いて実際に測定することで反射率スペクトルを得ることができる。
分光光度計としては、具体的には、（１）の方法を採用した米ＥＵＶ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製ＥＵＶ反射率計、（３）の方法を採用した独ＡＩＸＵＶ社製ＥＵＶ−ｍａｓｋｂｌａｎｋ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ（ＭＢＲ）などを挙げることができる。またＥＵＶ波長域の光線を放射する光源としては、キセノンガスや錫などのターゲットにＹＡＧレーザ光を照射して生成されるプラズマから放射される光、あるいはキセノンガスや錫などの存在下でキャピラリ放電やピンチ放電などによって放電することにより生成されるプラズマから放射される光などを用いることができる。
分光光度計としては、具体的には、（１）の方法を採用した米ＥＵＶ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製ＥＵＶ反射率計、（３）の方法を採用した独ＡＩＸＵＶ社製ＥＵＶ−ｍａｓｋｂｌａｎｋ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ（ＭＢＲ）などを挙げることができる。またＥＵＶ波長域の光線を放射する光源としては、キセノンガスや錫などのターゲットにＹＡＧレーザ光を照射して生成されるプラズマから放射される光、あるいはキセノンガスや錫などの存在下でキャピラリ放電やピンチ放電などによって放電することにより生成されるプラズマから放射される光などを用いることができる。
以下に具体例として独ＡＩＸＵＶ社製ＥＵＶ−ｍａｓｋｂｌａｎｋ ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ（ＭＢＲ）を用いて反射率スペクトルを測定する方法を述べる。
キセノンガスピンチ放電によって放電することにより生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を、スリットを通して多層反射膜およびリファレンスミラー（ＥＵＶ波長域における反射率（＝Ｒref（λ））が既知の、多層反射膜を基板上に成膜したミラー）の表面へそれぞれ入射角６〜８度で照射する。多層反射膜およびリファレンスミラーからの反射光をそれぞれグレーティングミラーで分光した後、マルチチャンネルＣＣＤ（電荷結合素子：Ｃｈａｒｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）アレイに投影し、各波長における多層反射・保護膜およびリファレンスミラーからの反射光強度（Ｉ（λ）、Ｉref（λ））を測定し、式（１）により、多層反射膜の反射率スペクトルＲ（λ）を求める。
Ｒ（λ）＝Ｒref（λ）×Ｉ（λ）／Ｉref（λ） 式（１）
上記一連の手順により得られた反射率スペクトルの例が図２である。図２において、縦軸は反射率（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）（％）であり、横軸は波長（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）（ｎｍ）である。但し、図２は基板（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス製）上にＳｉ膜（膜厚４．５ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚２．３ｎｍ）とをこの順に交互に５０層積層して多層反射膜を成膜した後、該多層反射膜上に保護膜としてＳｉ膜（膜厚４．５ｎｍ）を成膜し、該Ｓｉ膜上に保護膜とバッファー膜とを兼ねるＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜した多層反射膜および保護膜付き基板のＲｕ膜表面に入射角６度でＥＵＶ光を照射した場合のＥＵＶ波長域（１２．５〜１４．５ｎｍ）の反射率スペクトルである。
キセノンガスピンチ放電によって放電することにより生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を、スリットを通して多層反射膜およびリファレンスミラー（ＥＵＶ波長域における反射率（＝Ｒref（λ））が既知の、多層反射膜を基板上に成膜したミラー）の表面へそれぞれ入射角６〜８度で照射する。多層反射膜およびリファレンスミラーからの反射光をそれぞれグレーティングミラーで分光した後、マルチチャンネルＣＣＤ（電荷結合素子：Ｃｈａｒｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）アレイに投影し、各波長における多層反射・保護膜およびリファレンスミラーからの反射光強度（Ｉ（λ）、Ｉref（λ））を測定し、式（１）により、多層反射膜の反射率スペクトルＲ（λ）を求める。
Ｒ（λ）＝Ｒref（λ）×Ｉ（λ）／Ｉref（λ） 式（１）
上記一連の手順により得られた反射率スペクトルの例が図２である。図２において、縦軸は反射率（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）（％）であり、横軸は波長（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）（ｎｍ）である。但し、図２は基板（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス製）上にＳｉ膜（膜厚４．５ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚２．３ｎｍ）とをこの順に交互に５０層積層して多層反射膜を成膜した後、該多層反射膜上に保護膜としてＳｉ膜（膜厚４．５ｎｍ）を成膜し、該Ｓｉ膜上に保護膜とバッファー膜とを兼ねるＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜した多層反射膜および保護膜付き基板のＲｕ膜表面に入射角６度でＥＵＶ光を照射した場合のＥＵＶ波長域（１２．５〜１４．５ｎｍ）の反射率スペクトルである。
上述したように、多層反射膜または保護層を加熱することにより、これらの表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低下させることができる。したがって、多層反射膜または保護層が露出しているマスクパターンの開口部の一部を局所加熱することにより、局所加熱された部位のピーク反射率を局所的に低下させることができる。そして、開口部の一部が局所加熱されたＥＵＶＬ用マスクを用いて、ウェハ上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写した場合、マスクパターンの開口部のうち、局所加熱された部位からレジスト膜への露光量が減少する。要するに、本発明では、開口部の一部が局所加熱されたＥＵＶＬ用マスクを用いて、ウェハ上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを転写することにより、レジスト膜への露光量を局所的に調整することができる。そして、レジスト膜への露光量を局所的に調整することにより、ＥＵＶＬ用マスクでのマスクパターンの開口部の幅の設計値からのずれによって生じるレジストパターンの寸法のずれを修正することができる。以下、本明細書において、ＥＵＶＬ用マスクでのマスクパターンの開口部の幅の設計値からのずれによって生じるレジストパターンの寸法のずれのことを、「マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれ」という。なお、後述する本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）におけるＥＵＶＬ用マスクでのマスクパターンの非開口部の幅の設計値からのずれによって生じるレジストパターンの寸法のずれのことも、「マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれ」という。
但し、局所加熱された部位からレジスト膜への露光量を減少させることによって、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを修正するという原理上、マスクパターンの開口部の一部を局所加熱することにより、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを修正することができるのは、レジストパターンのうちマスクパターンの開口部に相当する部位の寸法の測定値が設計値よりも大きくなっている場合である。すなわち、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）は、マスクパターンの開口部の幅の測定値が設計値よりも大きくなっている部位が存在した場合に、当該部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを修正するものである。
局所加熱に用いる加熱方法は、ベースマスクの開口部のうちＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低減させたい部位のみを局所加熱できる方法である限り特に限定されない。
局所加熱に用いる好適な加熱方法の一例としては、ベースマスクの開口部のうちＥＵＶ波長域のピーク反射率を下げたい部位に、レーザやランプを光源とする高エネルギーの光線を局所照射したり、電子線を局所照射することにより局所加熱を行う方法が挙げられる。
レーザやランプを光源とする光線を照射する場合、局所加熱の対象である多層反射膜、保護層またはバッファー層を構成する材料に吸収を有する波長域の光線を選択する必要がある。このような光線を照射可能な光源の具体例としては、が、Ｆ2レーザ（波長約１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（同約１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（同約２４８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ４倍高調波（同約２６６ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ（同約３０８ｎｍ）、Ａｒレーザ（同約４８８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ（同１０６４ｎｍ）、ＣＯ2レーザ（同１０．６ｕｍ）などのレーザ光源、キセノンアークランプ（同約３００〜約１０００ｎｍ）、ハロゲンランプ（同約６００〜約６０００ｎｍ）などのランプ光源が挙げられる。
局所加熱に用いる好適な加熱方法の一例としては、ベースマスクの開口部のうちＥＵＶ波長域のピーク反射率を下げたい部位に、レーザやランプを光源とする高エネルギーの光線を局所照射したり、電子線を局所照射することにより局所加熱を行う方法が挙げられる。
レーザやランプを光源とする光線を照射する場合、局所加熱の対象である多層反射膜、保護層またはバッファー層を構成する材料に吸収を有する波長域の光線を選択する必要がある。このような光線を照射可能な光源の具体例としては、が、Ｆ2レーザ（波長約１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（同約１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（同約２４８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ４倍高調波（同約２６６ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ（同約３０８ｎｍ）、Ａｒレーザ（同約４８８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ（同１０６４ｎｍ）、ＣＯ2レーザ（同１０．６ｕｍ）などのレーザ光源、キセノンアークランプ（同約３００〜約１０００ｎｍ）、ハロゲンランプ（同約６００〜約６０００ｎｍ）などのランプ光源が挙げられる。
局所加熱に用いる好適な加熱方法の別の一例としては、抵抗加熱や誘導加熱などによる微小な発熱部材を、ベースマスクの開口部のうちＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を下げたい部位に近接させ、輻射または気体を介した熱伝導により局所加熱する方法が挙げられる。具体的には、タングステンやカーボンなどのフィラメントを用いた抵抗加熱による発熱部材や、カーボンや鉄やステンレスなどの磁性体を用いた誘導加熱による発熱部材などを挙げることがそれぞれできる。また加熱可能な探針を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）または触針式段差計が挙げられ、市販品としては、米国Ａｎａｓｙｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のｎａｎｏ−ＴＡの局所熱解析システムなどがある。
局所加熱の条件、すなわち、加熱温度および加熱時間は、局所加熱する部位の状態、すなわち、多層反射膜の構成材料、繰り返し層数や各層の膜厚、または、保護層の構成材料や膜厚等に応じて適宜選択することができる。または、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率の低下させたい程度、ピーク反射率の低下させたい量に応じて適宜選択すればよい。但し、上述したように、局所加熱を行うと、局所加熱された部位でのＥＵＶ波長域におけるピーク反射率が低下するだけでなく、当該部位からのＥＵＶ波長域における反射光の中心波長も低下するので、局所加熱により許容不可能な反射光の中心波長のシフトが起こらないように留意する必要がある。
なお、局所加熱を実施する環境は特に限定されず、大気中で実施してもよく、希ガスや窒素ガスのような不活性ガス中で実施してもよい。但し、表面酸化による表面粗さの増加を防ぐため、希ガスや窒素ガスのような不活性ガス中で実施することが好ましい。
なお、局所加熱を実施する環境は特に限定されず、大気中で実施してもよく、希ガスや窒素ガスのような不活性ガス中で実施してもよい。但し、表面酸化による表面粗さの増加を防ぐため、希ガスや窒素ガスのような不活性ガス中で実施することが好ましい。
次に、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）について説明する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）は、その基本的な考え方は本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）と同様である。但し、測定および設計値との比較対象となるのは、ベースマスクのマスクパターンの開口部の幅ではなく、非開口部の幅である。なお、図１に示すベースマスク１において、マスクパターンの非開口部１０の幅はｗで示されている。
すなわち、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）では、ベースマスク１のマスクパターンの非開口部１０の幅ｗを測定した後、非開口部１０の幅ｗの測定値を設計値と比較して、設計値に対する測定値のずれの有無を確認する。設計値に対して許容範囲を超えるずれが非開口部１０の幅ｗで見つかった場合に、マスクパターンの非開口部１０の当該部位に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位を局所加熱する。
上述したように、本願発明者らによる知見は、多層反射膜または保護層を加熱することにより、これらの表面にＥＵＶ光を照射した際にＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低下させることができることである。一方、マスクパターンの非開口部は、多層反射膜または保護層上に吸収体層が形成されている部位である。非開口部の一部を局所加熱しても、吸収体層の一部を局所加熱することになるので、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低下させることはできないので、マスクパターンの非開口部１０に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位を局所加熱する。
例えば、図１中、左側に位置するマスクパターンの非開口部１０の幅ｗを測定した結果、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、該非開口部１０の当該部位に隣接する開口部２０（図中左側に位置する開口部２０）の部位を局所加熱する。また、図１中、中央に位置するマスクパターンの非開口部１０の幅ｗを測定した結果、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、該非開口部１０の当該部位に隣接する両側の開口部２０の部位、あるいは隣接する２つの開口部２０のどちらか一方の部位を局所加熱する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）は、その基本的な考え方は本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）と同様である。但し、測定および設計値との比較対象となるのは、ベースマスクのマスクパターンの開口部の幅ではなく、非開口部の幅である。なお、図１に示すベースマスク１において、マスクパターンの非開口部１０の幅はｗで示されている。
すなわち、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）では、ベースマスク１のマスクパターンの非開口部１０の幅ｗを測定した後、非開口部１０の幅ｗの測定値を設計値と比較して、設計値に対する測定値のずれの有無を確認する。設計値に対して許容範囲を超えるずれが非開口部１０の幅ｗで見つかった場合に、マスクパターンの非開口部１０の当該部位に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位を局所加熱する。
上述したように、本願発明者らによる知見は、多層反射膜または保護層を加熱することにより、これらの表面にＥＵＶ光を照射した際にＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低下させることができることである。一方、マスクパターンの非開口部は、多層反射膜または保護層上に吸収体層が形成されている部位である。非開口部の一部を局所加熱しても、吸収体層の一部を局所加熱することになるので、ＥＵＶ波長域におけるピーク反射率を低下させることはできないので、マスクパターンの非開口部１０に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位を局所加熱する。
例えば、図１中、左側に位置するマスクパターンの非開口部１０の幅ｗを測定した結果、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、該非開口部１０の当該部位に隣接する開口部２０（図中左側に位置する開口部２０）の部位を局所加熱する。また、図１中、中央に位置するマスクパターンの非開口部１０の幅ｗを測定した結果、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、該非開口部１０の当該部位に隣接する両側の開口部２０の部位、あるいは隣接する２つの開口部２０のどちらか一方の部位を局所加熱する。
但し、局所加熱された部位からレジスト膜への露光量を減少させることによって、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを修正するという原理上、マスクパターンの開口部の一部を局所加熱することにより、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを修正することができるのは、レジストパターンのうちマスクパターンの非開口部に相当する部位の寸法の測定値が設計値よりも小さくなっている場合である。すなわち、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（２）は、マスクパターンの非開口部１０の幅ｗの測定値が設計値よりも小さくなっている部位が存在した場合に、非開口部１０の当該部位に隣接する開口部２０の部位を局所加熱することにより、開口部２０の当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを修正するものである。
次に、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）について説明する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）では、まず初めに、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）と同様の手順でベースマスクを作成する。
次に、作成したベースマスクを用いて、ウェハ上にレジストパターンを形成する。この手順は、ＥＵＶＬ用マスクを用いてレジスト膜を形成したシリコンウェハにマスクパターンを転写する際に通常実施される手順と同様である。すなわち、レジスト膜が形成されたテスト用のウェハ（以下、「テストウェハ」という。）をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型のＥＵＶＬ用露光装置にベースマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してベースマスクに照射し、ＥＵＶ光をベースマスクによって反射させてテストウェハに照射する。これにより、テストウェハのレジスト膜にレジストパターンが焼きつけられる。次に、レジスト膜中にできた潜像を、現像液を用いて現像してレジストパターンとする。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）では、まず初めに、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）と同様の手順でベースマスクを作成する。
次に、作成したベースマスクを用いて、ウェハ上にレジストパターンを形成する。この手順は、ＥＵＶＬ用マスクを用いてレジスト膜を形成したシリコンウェハにマスクパターンを転写する際に通常実施される手順と同様である。すなわち、レジスト膜が形成されたテスト用のウェハ（以下、「テストウェハ」という。）をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型のＥＵＶＬ用露光装置にベースマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してベースマスクに照射し、ＥＵＶ光をベースマスクによって反射させてテストウェハに照射する。これにより、テストウェハのレジスト膜にレジストパターンが焼きつけられる。次に、レジスト膜中にできた潜像を、現像液を用いて現像してレジストパターンとする。
この手順に用いるＥＵＶＬ用露光装置は、最終製品としてのＥＵＶＬ用マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成して半導体集積回路を製造する際に実際に使用するもの（以下、「半導体集積回路製造用のＥＵＶＬ用露光装置」という。）を用いることが好ましい。
特許文献１について、上述したように、レジストパターンの寸法に設計値からずれが生じる原因の一つとして、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアがある。以下、本明細書において、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアが原因で発生するレジストパターンの寸法のずれのことを「露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれ」という。このような露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれは、フレアの問題がある露光装置を使用する限り必然的に発生する。ベースマスクを用いてテストウェハ上にレジストパターンを形成する手順に、フレアの問題があるＥＵＶＬ用露光装置を使用した場合、テストウェハ上に形成されるレジストパターンは、露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれを含むものになる。テストウェハ上にレジストパターンを形成する手順に、半導体集積回路製造用のＥＵＶＬ用露光装置を使用すれば、露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれも修正することができる。
但し、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）は、ＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）、（２）と同様に、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを主として修正するものである。
特許文献１について、上述したように、レジストパターンの寸法に設計値からずれが生じる原因の一つとして、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアがある。以下、本明細書において、ＥＵＶＬ用露光装置の投射光学系でのフレアが原因で発生するレジストパターンの寸法のずれのことを「露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれ」という。このような露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれは、フレアの問題がある露光装置を使用する限り必然的に発生する。ベースマスクを用いてテストウェハ上にレジストパターンを形成する手順に、フレアの問題があるＥＵＶＬ用露光装置を使用した場合、テストウェハ上に形成されるレジストパターンは、露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれを含むものになる。テストウェハ上にレジストパターンを形成する手順に、半導体集積回路製造用のＥＵＶＬ用露光装置を使用すれば、露光装置に起因するレジストパターンの寸法のずれも修正することができる。
但し、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）は、ＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）、（２）と同様に、マスクに起因するレジストパターンの寸法のずれを主として修正するものである。
テストウェハ上にレジスト膜を形成するのに使用するレジストは、最終製品としてのＥＵＶＬ用マスクを用いて、ウェハ上にレジストパターンを形成して半導体集積回路を製造する際に実際に使用するレジストと同一のものに限定されないが、後述する理由から、ＥＵＶ光照射時の挙動が同種のものを使用する。すなわち、半導体集積回路を製造する際に、ウェハ上にポジ型レジストでレジスト膜を形成する場合、テストウェハ上にポジ型レジストでレジスト膜を形成する必要があり、半導体集積回路を製造する際に、ウェハ上にネガ型レジストでレジスト膜を形成する場合、テストウェハ上にネガ型レジストでレジスト膜を形成する必要がある。但し、ＥＵＶ光照射時や現像時のレジスト膜の反応性を考慮すると、半導体集積回路を製造する際に実際に使用するレジストと同一のものを使用することが好ましい。
一方、テストウェハは、その上に形成したレジストパターンの寸法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）ではレジストパターンのスペース幅。後述する本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）ではレジストパターンの線幅。）を測定することのみに用いられるため、実際に半導体集積回路を製造する際に使用するウェハとは違い、シリコンウェハ上には半導体集積回路の各種機能膜となる金属層や酸化物層を形成する必要は必ずしもない。すなわち、この手順には、シリコンウェハからなるテストウェハ上に直接レジスト膜を形成したものを用いることもできる。
一方、テストウェハは、その上に形成したレジストパターンの寸法（本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）ではレジストパターンのスペース幅。後述する本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）ではレジストパターンの線幅。）を測定することのみに用いられるため、実際に半導体集積回路を製造する際に使用するウェハとは違い、シリコンウェハ上には半導体集積回路の各種機能膜となる金属層や酸化物層を形成する必要は必ずしもない。すなわち、この手順には、シリコンウェハからなるテストウェハ上に直接レジスト膜を形成したものを用いることもできる。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）では、次に、テストウェハ上に形成されたレジストパターンのスペース幅を測定する。図５は、レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合について、図１に示すベースマスクと、該ベースマスクを用いてレジストパターンが形成されたテストウェハと、の対応関係を示した図である。図６は、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合について、図１に示すベースマスクと、該ベースマスクを用いてレジストパターンが形成されたテストウェハと、の対応関係を示した図である。図５および図６において、レジストパターンのスペース幅とは、レジストパターンの開口部２０´の幅であり、図中Ｗ´で示されている。
レジストパターンのスペース幅を測定する方法は、通常１００ｎｍ以下のスペース幅を誤差１０ｎｍ以下の高精度で測定できる測定方法または測定装置である限り特に限定されない。このような測定装置としては、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）において、マスクパターンの開口部の幅の測定装置として挙げたものを用いることができる。
レジストパターンのスペース幅を測定する方法は、通常１００ｎｍ以下のスペース幅を誤差１０ｎｍ以下の高精度で測定できる測定方法または測定装置である限り特に限定されない。このような測定装置としては、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）において、マスクパターンの開口部の幅の測定装置として挙げたものを用いることができる。
次に、上記の手順で得られたレジストパターンのスペース幅の測定値を設計値と比較して、設計値に対する測定値のずれの有無を確認する。
設計値に対するずれがなかった場合、もしくは設計値に対するずれが許容範囲内であった場合、上記手順で作製されたベースマスクをそのまま最終製品のＥＵＶＬ用マスクとして使用することができ、以下に述べる手順を実施する必要がない。
一方、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、上記手順で得られた測定値と設計値との比較結果に基づいて、後述する手順でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱することにより、最終製品のＥＵＶＬ用マスクを得る。
設計値に対するずれがなかった場合、もしくは設計値に対するずれが許容範囲内であった場合、上記手順で作製されたベースマスクをそのまま最終製品のＥＵＶＬ用マスクとして使用することができ、以下に述べる手順を実施する必要がない。
一方、設計値に対して許容範囲を超えるずれが見つかった場合、上記手順で得られた測定値と設計値との比較結果に基づいて、後述する手順でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱することにより、最終製品のＥＵＶＬ用マスクを得る。
なお、レジストパターンのスペース幅の設計値に対するずれの許容範囲は、対象となるレジストパターンの形状や大きさ、または、レジストパターンが存在する部位によっても異なり、詳細はＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓなどに記述されているが、例えば、レジストパターンのスペース幅が５０ｎｍで、線幅が５０ｎｍである場合、レジストパターンのスペース幅の設計値に対するずれの許容範囲は５ｎｍ以下である。
上述した点から明らかなように、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）では、ベースマスクについて、マスクパターンの開口部の幅の測定値を設計値と比較して、その結果に基づいて該ベースマスクのマスクパターンの開口部の一部を局所加熱するのに対して、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）では、ベースマスクを用いてテストウェハ上に形成されるレジストパターンについて、スペース幅の測定値を設計値と比較して、その結果に基づいて、該ベースマスクのマスクパターンの開口部の一部を局所加熱する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）では、スペース幅の測定値と設計値とを比較結果に基づいてベースマスクのマスクパターンの開口部の一部を局所加熱する際の考え方が、テストウェハ上に形成されたレジスト膜に使用されているレジストがポジ型レジストであるか、ネガ型レジストであるかによって異なる。それぞれの場合について以下に説明する。
［レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合］
上述したように、図５は、レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合について、図１に示すベースマスクと、該ベースマスクを用いてレジストパターンが形成されたテストウェハと、の対応関係を示した図である。図５に示すように、ベースマスク１の開口部２０と対応するテストウェハの部位は、開口部２０からのＥＵＶ光が照射されるため、現像によりレジスト膜６が除去されて、テストウェハ（シリコンウェハ）５が露出した状態となる。すなわち、レジストパターンの開口部２０´となる。一方、ベースマスク１の非開口部１０と対応するテストウェハの部位は、ＥＵＶ光が照射されないため、現像によりレジスト膜６が除去されず、レジストパターンの非開口部１０´となる。すなわち、レジスト膜がポジ型レジストの場合、ベースマスクの開口部２０、非開口部１０は、それぞれ、テストウェハ上に形成されるレジストパターンの開口部２０´、非開口部１０´に対応する。
したがって、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）と同様の考え方で開口部の一部を局所加熱することができる。すなわち、テストウェハ上にレジストパターンのスペース幅Ｗ´（レジストパターンの開口部２０´の幅）の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合、このレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位に対応するマスクパターンの開口部２０における部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。
一方、テストウェハ上にレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正することは困難である。
上述したように、図５は、レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合について、図１に示すベースマスクと、該ベースマスクを用いてレジストパターンが形成されたテストウェハと、の対応関係を示した図である。図５に示すように、ベースマスク１の開口部２０と対応するテストウェハの部位は、開口部２０からのＥＵＶ光が照射されるため、現像によりレジスト膜６が除去されて、テストウェハ（シリコンウェハ）５が露出した状態となる。すなわち、レジストパターンの開口部２０´となる。一方、ベースマスク１の非開口部１０と対応するテストウェハの部位は、ＥＵＶ光が照射されないため、現像によりレジスト膜６が除去されず、レジストパターンの非開口部１０´となる。すなわち、レジスト膜がポジ型レジストの場合、ベースマスクの開口部２０、非開口部１０は、それぞれ、テストウェハ上に形成されるレジストパターンの開口部２０´、非開口部１０´に対応する。
したがって、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）と同様の考え方で開口部の一部を局所加熱することができる。すなわち、テストウェハ上にレジストパターンのスペース幅Ｗ´（レジストパターンの開口部２０´の幅）の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合、このレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位に対応するマスクパターンの開口部２０における部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。
一方、テストウェハ上にレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正することは困難である。
［レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合］
上述したように、図６は、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合について、図１に示すベースマスクと、該ベースマスクを用いてレジストパターンが形成されたテストウェハと、の対応関係を示した図である。図６に示すように、ベースマスク１の開口部２０と対応するテストウェハの部位は、開口部２０からのＥＵＶ光が照射されるため、現像によってレジスト膜７が除去されずレジストパターンの非開口部１０´となる。一方、ベースマスク１の非開口部１０と対応するテストウェハの部位は、ＥＵＶ光が照射されないため、現像によりレジスト膜７が除去されて、テストウェハ（シリコンウェハ）５が露出してレジストパターンの開口部２０´となる。すなわち、レジスト膜がポジ型レジストの場合、ベースマスクのマスクパターンと、レジストパターンと、で、開口部−非開口部の関係が逆になる。
したがって、上述したレジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合とは逆の考え方で開口部の一部を局所加熱することになる。すなわち、テストウェハにレジストパターンのスペース幅Ｗ´（レジストパターンの開口部２０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合、このレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０の部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。ここで、図６から明らかなように、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合、レジストパターンの開口部２０´に直接対応するのは、マスクパターンの非開口部１０である。したがって、レジストパターンのスペース幅Ｗ´（開口部２０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０の部位とは、レジストパターンの開口部２０´の当該部位に直接対応するマスクパターンの非開口部１０の部位に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位である。
一方、テストウェハ上にレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅Ｗ´の設計値に対するずれを修正することは困難である。
上述したように、図６は、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合について、図１に示すベースマスクと、該ベースマスクを用いてレジストパターンが形成されたテストウェハと、の対応関係を示した図である。図６に示すように、ベースマスク１の開口部２０と対応するテストウェハの部位は、開口部２０からのＥＵＶ光が照射されるため、現像によってレジスト膜７が除去されずレジストパターンの非開口部１０´となる。一方、ベースマスク１の非開口部１０と対応するテストウェハの部位は、ＥＵＶ光が照射されないため、現像によりレジスト膜７が除去されて、テストウェハ（シリコンウェハ）５が露出してレジストパターンの開口部２０´となる。すなわち、レジスト膜がポジ型レジストの場合、ベースマスクのマスクパターンと、レジストパターンと、で、開口部−非開口部の関係が逆になる。
したがって、上述したレジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合とは逆の考え方で開口部の一部を局所加熱することになる。すなわち、テストウェハにレジストパターンのスペース幅Ｗ´（レジストパターンの開口部２０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合、このレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０の部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。ここで、図６から明らかなように、レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合、レジストパターンの開口部２０´に直接対応するのは、マスクパターンの非開口部１０である。したがって、レジストパターンのスペース幅Ｗ´（開口部２０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０の部位とは、レジストパターンの開口部２０´の当該部位に直接対応するマスクパターンの非開口部１０の部位に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位である。
一方、テストウェハ上にレジストパターンのスペース幅Ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅Ｗ´の設計値に対するずれを修正することは困難である。
次に、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）について説明する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）は、その基本的な考え方は本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）と同様である。但し、測定および設計値との比較対象となるのは、レジストパターンにおけるスペース幅Ｗ´ではなく、レジストパターンにおける線幅ｗ´（非開口部１０´の幅）である。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）においても、レジストパターンにおける線幅ｗ´の測定値と設計値とを比較結果に基づいてベースマスクのマスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱する際の考え方が、テストウェハ上に形成されたレジスト膜に使用されているレジストがポジ型レジストであるか、ネガ型レジストであるかによって異なる。それぞれの場合について以下に説明する。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）は、その基本的な考え方は本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）と同様である。但し、測定および設計値との比較対象となるのは、レジストパターンにおけるスペース幅Ｗ´ではなく、レジストパターンにおける線幅ｗ´（非開口部１０´の幅）である。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（４）においても、レジストパターンにおける線幅ｗ´の測定値と設計値とを比較結果に基づいてベースマスクのマスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱する際の考え方が、テストウェハ上に形成されたレジスト膜に使用されているレジストがポジ型レジストであるか、ネガ型レジストであるかによって異なる。それぞれの場合について以下に説明する。
［レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合］
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）のところで述べたように、レジスト膜がポジ型レジストの場合、ベースマスクの開口部２０、非開口部１０は、それぞれ、テストウェハ上に形成されるレジストパターンの開口部２０´、非開口部１０´に対応する。
テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´（レジストパターンの非開口部１０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合、このレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０における部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。ここで、図５から明らかなように、レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合、レジストパターンの非開口部１０´に直接対応するのは、マスクパターンの非開口部１０である。したがって、レジストパターンの線幅ｗ´（非開口部１０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０の部位とは、レジストパターンの非開口部１０´の当該部位に直接対応するマスクパターンの非開口部１０の部位に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位である。
一方、テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正することは困難である。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）のところで述べたように、レジスト膜がポジ型レジストの場合、ベースマスクの開口部２０、非開口部１０は、それぞれ、テストウェハ上に形成されるレジストパターンの開口部２０´、非開口部１０´に対応する。
テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´（レジストパターンの非開口部１０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合、このレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０における部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。ここで、図５から明らかなように、レジスト膜にポジ型レジストが使用されている場合、レジストパターンの非開口部１０´に直接対応するのは、マスクパターンの非開口部１０である。したがって、レジストパターンの線幅ｗ´（非開口部１０´の幅）の測定値が設計値よりも小さい部位に対応するマスクパターンの開口部２０の部位とは、レジストパターンの非開口部１０´の当該部位に直接対応するマスクパターンの非開口部１０の部位に隣接するマスクパターンの開口部２０の部位である。
一方、テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正することは困難である。
［レジスト膜にネガ型レジストが使用されている場合］
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）のところで述べたように、レジスト膜がネガ型レジストの場合、ベースマスクの開口部２０、非開口部１０は、それぞれ、テストウェハ上に形成されるレジストパターンの非開口部１０´、開口部２０´に対応する。
テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´（レジストパターンの非開口部１０´の幅）の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合、このレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位に対応するマスクパターンの開口部２０における部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。
一方、テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正することは困難である。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）のところで述べたように、レジスト膜がネガ型レジストの場合、ベースマスクの開口部２０、非開口部１０は、それぞれ、テストウェハ上に形成されるレジストパターンの非開口部１０´、開口部２０´に対応する。
テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´（レジストパターンの非開口部１０´の幅）の測定値が設計値よりも大きい部位が存在する場合、このレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも大きい部位に対応するマスクパターンの開口部２０における部位を局所加熱することにより、当該部位からレジスト膜への露光量を局所的に減少させて、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正する。
一方、テストウェハ上にレジストパターンの線幅ｗ´の測定値が設計値よりも小さい部位が存在する場合は、マスクパターンの開口部２０の一部を局所加熱することによっては、レジストパターンにおけるスペース幅の設計値に対するずれを修正することは困難である。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）、（４）において、ＥＵＶＬ用マスクのマスクパターンの開口部の一部を局所加熱する方法としては、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）で、マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する方法として挙げたものを好ましく用いることができる。
本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）、（４）において、テストウェハ上に形成されたレジストパターンのスペース幅或いは線幅の測定値と、設計値と、の比較結果に基づいて、ベースマスクの開口部の一部を局所加熱させることにより、最終製品であるＥＵＶＬ用マスクを得るとしているが、開口部の一部を局所加熱した後のＥＵＶＬ用マスクに対して、さらに上記した手順、すなわち、該ＥＵＶＬ用マスクを用いて新たなテストウェハ上にレジストパターンを形成すること、形成されたレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）を測定すること、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と設計値とを比較すること、および、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と設計値との比較結果に基づいてＥＵＶＬ用マスクの開口部の一部を局所加熱すること、を１回または複数回実施することで、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の設計値に対するずれをさらに修正して、最終製品であるＥＵＶＬ用マスクを得てもよい。
また、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）、（２）でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱したＥＵＶＬ用マスクに対して、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）、（４）の手順を施してもよい。すなわち、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）、（２）でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱したＥＵＶＬ用マスクを用いて、テストウェハ上にレジストパターンを形成すること、形成されたレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）を測定すること、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と設計値とを比較すること、および、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と設計値との比較結果に基づいてＥＵＶＬ用マスクの開口部の一部を局所加熱すること、を１回または複数回実施することで、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の設計値に対するずれをさらに修正して、最終製品であるＥＵＶＬ用マスクを得てもよい。
また、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）、（２）でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱したＥＵＶＬ用マスクに対して、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（３）、（４）の手順を施してもよい。すなわち、本発明のＥＵＶＬ用マスクの製造方法（１）、（２）でマスクパターンの開口部の一部を局所加熱したＥＵＶＬ用マスクを用いて、テストウェハ上にレジストパターンを形成すること、形成されたレジストパターンのスペース幅（或いは線幅）を測定すること、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と設計値とを比較すること、および、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と設計値との比較結果に基づいてＥＵＶＬ用マスクの開口部の一部を局所加熱すること、を１回または複数回実施することで、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の設計値に対するずれをさらに修正して、最終製品であるＥＵＶＬ用マスクを得てもよい。
上記の手順で得られたＥＵＶＬ用マスクは、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に本発明のＥＵＶＬ用マスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してＥＵＶＬ用マスクに照射し、ＥＵＶ光をＥＵＶＬ用マスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
１：ベースマスク
２：基板
３：反射層
４：吸収体層
５：テストウェハ
６，７：レジスト膜
１０，１０´：非開口部
２０，２０´：開口部
２：基板
３：反射層
４：吸収体層
５：テストウェハ
６，７：レジスト膜
１０，１０´：非開口部
２０，２０´：開口部
Claims (14)
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅を測定する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記マスクパターンの開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を、電子線または波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線の照射を用いて局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記マスクパターンの開口部の幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、マスクパターンの開口部の当該部位を局所加熱することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅を測定する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を、電子線または波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線の照射を用いて局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記マスクパターンの非開口部の幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、マスクパターンの非開口部の当該部位に隣接するマスクパターンの開口部の部位を局所加熱することを特徴とする請求項３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅を測定する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記レジストパターンのスペース幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程とを有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記ウェハ上のレジスト膜がポジ型レジストであり、
前記レジストパターンにおけるスペース幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することを特徴とする請求項５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記ウェハ上のレジスト膜がネガ型レジストであり、
前記レジストパターンにおけるスペース幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することを特徴とする請求項５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの線幅を測定する工程と、
レジストパターンの線幅の測定値と、設計値と、を比較する工程と、
前記レジストパターンの線幅の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有し、
前記加熱工程によって、前記開口部のＥＵＶ波長域のピーク反射率を低下させることを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記ウェハ上のレジスト膜がポジ型レジストであり、
前記レジストパターンにおける線幅の測定値が設計値より小さい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することを特徴とする請求項８に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記ウェハ上のレジスト膜がネガ型レジストであり、
前記レジストパターンにおける線幅の測定値が設計値より大きい部位が存在する場合に、当該部位に対応する前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の部位を局所加熱することを特徴とする請求項８に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 - 前記局所加熱に、レーザ光線または電子線の照射を用いることを特徴とする請求項５〜１０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。
- 前記レーザ光線は、波長１５７ｎｍ〜４８８ｎｍの光源からの光線である請求項１１に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。
- 請求項１〜１２のいずれかに記載の製造方法により製造されるＥＵＶＬ用反射型マスク。
- 請求項１３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008208494A JP5187060B2 (ja) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008208494A JP5187060B2 (ja) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010045211A JP2010045211A (ja) | 2010-02-25 |
| JP5187060B2 true JP5187060B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=42016354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008208494A Expired - Fee Related JP5187060B2 (ja) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5187060B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10012896B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-07-03 | Toshiba Memory Corporation | Lithography mask production method and lithography mask production system |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5722074B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2015-05-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置および方法 |
| JP5521714B2 (ja) * | 2010-04-06 | 2014-06-18 | 凸版印刷株式会社 | Ｅｕｖ用反射型マスク製造方法 |
| CN102591156B (zh) * | 2011-12-05 | 2015-05-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
| WO2015124710A1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Schott Ag | Highly homogeneous glass-ceramic component |
| CN111752085B (zh) * | 2019-03-27 | 2024-06-18 | Hoya株式会社 | 带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120556A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正装置 |
| JP2004054092A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Elpida Memory Inc | マスクおよびその製造方法 |
| JP2006332153A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP5076620B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2012-11-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板表面の平滑化方法 |
| JP5350594B2 (ja) * | 2007-02-05 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | Ｅｕｖマスクの製造方法及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-08-13 JP JP2008208494A patent/JP5187060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10012896B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-07-03 | Toshiba Memory Corporation | Lithography mask production method and lithography mask production system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010045211A (ja) | 2010-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5136647B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 | |
| KR101485754B1 (ko) | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 | |
| JP5673555B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、および該反射層付基板の製造方法 | |
| JP5348141B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
| JP5590044B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材 | |
| JP5696666B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法 | |
| JP5211824B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 | |
| US20110217633A1 (en) | Reflective mask blank and method of manufacturing a reflective mask | |
| JP2008535270A (ja) | 極紫外線マスクの漏れ吸収体 | |
| JP5187060B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 | |
| JP2014127630A (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 | |
| KR20140104375A (ko) | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 마스크 블랭크용 반사층 형성 기판 | |
| KR20160016098A (ko) | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 | |
| JP5381441B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 | |
| JP2004342867A (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク | |
| JP4540267B2 (ja) | Ｅｕｖ光露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ光露光用反射型マスク | |
| JP5333016B2 (ja) | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
| JP7271760B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US20240210812A1 (en) | Reflective mask blank | |
| TW202201114A (zh) | 反射型空白光罩及反射型光罩 | |
| JP2023053673A (ja) | 反射型マスクブランク用膜付き基板、反射型マスクブランク、及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP2023000457A (ja) | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP2011054719A (ja) | 反射型フォトマスク、露光量制御方法及び露光装置 | |
| JP2008085210A (ja) | 極端紫外線露光用マスク、その製造法、およびそれを用いた半導体集積回路製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110304 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120726 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130107 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |