JP5722074B2 - リソグラフィ装置および方法 - Google Patents

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Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
[0003] リソグラフィは、ＩＣや他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣや他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための最も重要な要因になりつつある。
[0004] パターンプリンティング（すなわち、パターン付与）の限界の理論的な推定値は、式（１）に示す分解能のレイリー規準によって与えられ得る：

ここで、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷する（すなわち、付与する）ために使用される投影シ
ステムの開口数である。ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷された（すなわち、付与された）フィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能（すなわち、付与可能）サイズの縮小は、３つの方法：露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすること、によって達成することができると言える。
[0005] 露光波長を短くするため、従って、最小印刷可能な（すなわち、付与可能な）フィーチャサイズを縮小させるために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内、または、例えば６．７ｎｍや６．８ｎｍなどの５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電プラズマ（ＤＰＰ）源、または電子蓄積リングによって与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成する放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタモジュールとを備え得る。プラズマは、例えば、レーザビームを適切な材料（例えば、スズ）の粒子、適切なガス流または蒸気流（Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気など）などの燃料に誘導することによって生成することができる。結果として得られるプラズマは、放射コレクタを使用して集光される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。放射コレクタは、ミラー垂直入射放射コレクタとすることができ、ミラー垂直入射放射コレクタは、放射を受け、その放射をビームに集束させる。ソースコレクタモジュールは、真空環境を提供してプラズマを支持するように配置された囲い構造またはチャンバを含み得る。そのような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
[0007] リソグラフィ装置において、パターンを基板に付与するために使用される放射ビームは、１つ以上の光エレメント（例えば、レンズまたはミラー）を横切る（例えば、光エレメントで反射される、光エレメントを通過する、光エレメントによって屈折する）。そのような光エレメントは、放射ビームを調整するためにリソグラフィ装置の照明システム内に存在し得る。その代わりに、または、それに加えて、そのような光エレメントは、放射ビームを基板上に投影するために使用されるリソグラフィ装置の投影システム内に存在してもよい。こうした光エレメントは、放射ビームを完全には透過させたり反射したりせず、このことは、放射ビームが光エレメントを横切る際に光エレメントの加熱をもたらす。これは現在のところ、ＥＵＶリソグラフィ装置に特に当てはまる。というのは、ＥＵＶリソグラフィ装置は、照明システムおよび投影システムの光エレメントとしてミラーを採用し、ミラーは高い熱吸収を呼応してもたらす比較的低い反射率を有する。同一または同様の問題は、ＥＵＶ放射以外の放射を使用する他の形態のリソグラフィ装置においても見られることがある。
[0008] 光エレメントによる熱吸収は、光エレメントの変形を引き起こし得る。そのような変形は、放射ビームが光エレメントにわたって均一に分布しない場合、例えば、放射ビームが四極またはダイポール照明モードを形成する場合に起こる可能性が高く、もしくは顕著または過剰であり得る。というのは、加熱、ひいては変形は、照明モードを形成する極の領域でより局所的に起こり得るからである。光エレメントの変形は、（例えば、リソグラフィ装置を使用してパターンを基板に付与することが可能な精度または一貫性に関して）結果としてリソグラフィ装置全体の性能不足につながり得る光エレメントの光学性能を損なわせることになり得る。
[0009] 光エレメントの変形の補正（すなわち、少なくとも部分的な低減）は、光エレメントを機械的に変形させることによって、または光エレメントの加熱によって行われ得る。機械的補正は、変形が与えられ得る光エレメントの、またはそのような光エレメント上の場所数に関して制限され、そのような機械的変形による補正が多数の場所（例えば、光エレメントを囲む多数の場所、または別々の光エレメントの多数の場所）で必要とされる場合により複雑かつ高価になる。
[0010] 本発明の一態様は、本明細書内またはそれ以外で特定されるか否かに拘わらず、従来技術の問題を回避または軽減するリソグラフィ装置および／またはリソグラフィ方法を提供すること、または既存のリソグラフィ装置および／またはリソグラフィ方法の代替物を提供することである。
[0011] 本発明の一態様において、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、当該パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付けされた放射ビームを形成するように構成されるサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付けされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、ヒータ装置と、を含むリソグラフィ装置が提供される。ヒータ装置は、電子ビームを生成するように構成された電子ビームジェネレータと、電子ビームをリソグラフィ装置の光エレメント上に案内するように構成された電子ビームガイド装置とを含む。光エレメントは、使用中に放射ビームが横切る、リソグラフィ装置の照明システムまたは投影システムの一部を形成する。ヒータ装置は、電子ビームの偏向によって光エレメント上に熱分布を与えるように（例えば、電子ビームの適切な偏向および／または変調によって）制御可能である。
[0012] モニタデバイスは、ヒータ装置の一部とすることができ、光エレメントの変形特性を監視するように構成され、ヒータ装置は、モニタデバイスの出力に基づいて、光エレメント上に与えられる熱分布を推定するように構成されたヒータコントローラをさらに含む。変形特性は、放射ビームと光エレメントとの相互作用、または光エレメントの表面にわたる検出された温度プロファイルまたはディストーションプロファイルであり得る。この相互作用は、例えば、２つまたは４つの高強度放射の局所領域をそれぞれ含むダイポールまたは四極照明モードに関連する放射ビームに起因する光エレメント上の熱分布であり得る。
[0013] 照明システムは反射照明システムとすることができ、および／または、投影システムは反射投影システムであり、光エレメントはミラーを含む。
[0014] リソグラフィ装置またはその一部は、電子ビームジェネレータと光エレメントとの間の電子ビームのビーム経路が実質的な真空（例えば、約１０−３Ｐａまたは１０−３Ｐａ未満のガス圧）中にあるように構成および配置され得る。その代わりに、または、それに加えて、電子ビームジェネレータと光エレメントとの間の電子ビームのビーム経路は、約１００Ｐａ未満、または１０Ｐａ未満（例えば、通常は３Ｐａ）の圧力を有するガスを通過してよい。
[0015] 放射ビームは、電磁スペクトルのＥＵＶ部分の波長、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内、６ｎｍ〜７ｎｍの範囲内、または６．６ｎｍ〜６．９ｎｍの範囲内の波長、を有する放射を含み得る。
[0016] 光エレメント上の熱分布は、少なくとも部分的に予め定められ得る。
[0017] 光エレメント上の熱分布は、放射ビームと光エレメントとの相互作用（例えば、放射分布、従って結果として生じる光エレメント上の熱）についての従来の知識から少なくとも部分的に予め定められ得る。
[0018] 光エレメント上の熱分布は、光エレメントの表面にわたる検出された温度プロファイルまたはディストーションプロファイルから少なくとも部分的に予め定められ得る。
[0019] ヒータ装置は、光エレメントの表面にわたる温度プロファイルまたはディストーションプロファイルを検出するセンサを含み得る、またはこのセンサと（例えば、通信接続または制御接続を介して）接続し得る。センサは、カメラまたはフォトダイオードを含むことができ、もしくは、カメラまたはフォトダイオードとすることができる。
[0020] リソグラフィ装置は、電子ビームジェネレータの陰極を正電荷の構成要素から遮蔽するように構成されたシールドをさらに含み得る。
[0021] 電子ビームガイド装置は磁気ベースの偏向装置と静電ベースの偏向装置のうちの１つ以上を含み得る。
[0022] 本発明の一態様において、リソグラフィ装置とともに使用されるリソグラフィ方法であって、当該リソグラフィ装置が、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、当該パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付けされた放射ビームを形成するように構成されるサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付けされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、ヒータ装置と、を含む、リソグラフィ方法を提供する。ヒータ装置は、電子ビームを生成するように構成された電子ビームジェネレータと、電子ビームをリソグラフィ装置の光エレメント上に案内するように構成された電子ビームガイド装置とを含む。光エレメントは、使用中に放射ビームが横切る、リソグラフィ装置の照明システムまたは投影システムの一部を形成する。ヒータ装置は、電子ビームの偏向によって光エレメント上に熱分布を与えるように制御可能である。このリソグラフィ方法は、光エレメントを横切る放射ビームに起因する、または起因し得る光エレメントの変形を低減させるために、ヒータ装置を使用して光エレメントに熱分布を与えることを含む。
[0023] 光エレメント上の熱分布は、少なくとも部分的に予め定められ得る。
[0024] 光エレメント上の熱分布は、放射ビームと光エレメントとの相互作用（例えば、放射分布、従って結果として生じる光エレメント上の熱）についての従来の知識から少なくとも部分的に予め定められ得る。
[0025] 光エレメント上の熱分布は、光エレメントの表面にわたる検出された温度プロファイルまたはディストーションプロファイルから少なくとも部分的に予め定められ得る。
[0026] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0027] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0028] 図２は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源コレクタモジュールＳＯを含む、図１に示すリソグラフィ装置のより詳細な図である。 [0029] 図３は、図１の装置の別の放射源コレクタモジュールＳＯ（レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源コレクタモジュール）の図である。 [0030] 図４は、本発明の一実施形態に係るヒータ装置を概略的に示す。 [0031] 図５は、本発明の一実施形態に係るヒータ装置を概略的に示す。
[0032] 図１は、本発明の一実施形態に係る、ソースコレクタモジュールＭＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータと呼ばれることもある）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を含む。
[0033] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0034] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
[0035] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応し得る。
[0036] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。ＥＵＶに対して真空を用いることが望ましいことがある。というのは、他のガスは放射を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。
[0037] 照明システムなどの投影システムは、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0038] 投影システムＰＳは、ヒータ装置ＨＡを含むと示されている。ヒータ装置ＨＡは、投影システムの光エレメントを加熱して、光エレメントを横切る放射ビームにともすれば起因し得る光エレメントの変形を少なくとも部分的に補正する（すなわち、低減させる）ために使用される。その代わりに、または、それに加えて、他の実施形態において（図示せず）、ヒータ装置は、リソグラフィ装置の照明システム内に配置されてよく、または、放射ビームによる光エレメントの横断に起因する光エレメントの変形を補正するために光エレメントの加熱が望ましい、リソグラフィ装置の他のあらゆる適切な部分に配置されてよい。ヒータ装置ＨＡの実施形態は、以下でより詳細に説明する。
[0039] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
[0040] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0041] 図１を参照すると、照明システムＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲の１つ以上の発光線を用いて材料を少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、またはスズを有するプラズマ状態に変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれることが多いそのような方法において、望ましい線発光素子を有する材料の小滴、流れ、またはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって、プラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを供給するための、図１に示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使用して集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザおよびソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
[0042] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
[0043] 照明システムＩＬは、放射ビームＢの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、照明システムＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0044] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
[0045] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0046] １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
[0047] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的に（例えば、ＸまたはＹ方向に）スキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
[0048] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0049] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0050] 図２は、ソースコレクタモジュールＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムＰＳとを含む装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールＳＯは、真空環境をソースコレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に維持することができるように構成および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成することができ、（非常に高温の）プラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。（非常に高温の）プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電によって生成される。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が、放射を効率よく発生させるために使用され得る。一実施形態において、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマを設けてＥＵＶ放射を生成する。
[0051] プラズマ２１０が放出する放射は、放射源チャンバ２１１の開口内または開口の後ろに位置決めされる、任意のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれる）を介して放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組合せを含み得る。本明細書で示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知のように、チャネル構造を少なくとも含む。
[0052] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦することが可能である。仮想放射源点ＩＦは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールＳＯは、中間焦点ＩＦが囲い構造２２０の開口２２１に、または開口２２１の付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは放射放出プラズマ２１０の像である。開口２２１を通過する前に、放射は任意のスペクトル純度フィルタＳＰＦを通過してよい。他の実施形態において、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、リソグラフィ装置の別の部分（例えば、ソースコレクタモジュールＳＯの外側）に位置してよい。
[0053] その後、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角度分布およびパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含み得る。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射されると、パターン付けされたビーム２６が形成され、パターン付けされたビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射エレメント２８および３０を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。
[0054] 一般に、図示されたエレメントより数の多いエレメントが照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在してよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプによって任意で存在してよい。さらに、図示された反射エレメントより数の多い反射エレメント（例えば、ミラー）が存在してよい。例えば、図２に示すものと比較して、投影システムＰＳ内に追加の１〜６つの反射エレメントが存在してよい。
[0055] 図２に示すコレクタＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子式コレクタとして描かれている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸方向に対称的に配置され、このタイプのコレクタＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。
[0056] あるいは、ソースコレクタモジュールＳＯは、図３に示すように、ＬＰＰ放射システムの一部であってもよく、ＬＰＰ放射システムを含んでもよく、またはＬＰＰ放射システムを形成してもよい。図３を参照すると、レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）の小滴、領域、または蒸気などの燃料内にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって電子温度が数１０ｅＶの高電離プラズマ２１０が生成される。イオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマ２１０から放出され、囲い構造２２０において近垂直入射コレクタＣＯによって集光され、開口２２１上に集束される。開口２２１を通過する前に、放射は任意のスペクトル純度フィルタＳＰＦを通過してよい。他の実施形態において、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、リソグラフィ装置の別の部分（例えば、ソースコレクタモジュールＳＯの外側）に位置してよい。
[0057] 上述の通り、放射ビームが生成されると、この放射ビームは照明システムによって調整され、パターン付けされ、パターン付けされた放射ビームは投影システムによって基板上に投影される。リソグラフィ装置内で放射ビームが横切る（例えば、放射ビームが反射される、または放射ビームを透過または屈折させる）光エレメント（例えば、レンズまたはミラー）は加熱され、その後、光エレメントは、それを加熱する放射ビームによって変形する。こうした光エレメントは、通常、リソグラフィ装置の照明システムまたは投影システム内で見られることがある。１つの光エレメント（または複数のエレメント）のそのような変形は、光エレメントの光学性能に影響を及ぼすおそれがあり、その結果としてリソグラフィ装置全体の性能に影響を及ぼすおそれがある。少なくともこの理由で、光エレメントの変形を少なくとも部分的に補正する（すなわち、低減させる）ことが望ましい。
[0058] 加熱によって引き起こされる光エレメントの変形の補正は、光エレメントに機械的な力を加えて加熱に起因する変形を打ち消すことによって達成され得る。しかし、そのような機械的な力は、限定された数の位置のみで加えることが可能であり、この機械的な力を加える装置は、この力をさまざまな異なる位置で、またはさらに別々のエレメントで加える必要がある場合、複雑度およびコストが急速に増加し得る。こうした理由により、機械的な力を直接的に加えることを伴わないまたは必要としない、熱により引き起こされた光エレメントの変形を補正する代替システムを探すことが提案されてきた。１つのそのようなシステムには、光エレメント上への赤外放射の投影が含まれる。光エレメントを横切る放射ビームによって引き起こされた、または放射ビームが横切る光エレメントによって引き起こされるであろう（すなわち、後に）当初の変形を少なくとも部分的に補正する（すなわち、低減させる）ように、赤外放射を使用して、光エレメントを加熱、ひいては変形させることができる。
[0059] 赤外放射ベースのシステムは、機械的力変形システムの使用と比較して多くの点で有利であり得る。例えば、赤外放射ビームを使用すると、赤外放射ビームは、放射ビームの適切な誘導によって、光エレメント上の多数の場所のうちの１つ以上に誘導され得る。光エレメントを囲んで、または光エレメントの周りに配置される多数の複雑な機械式アクチュエータを設ける必要はない。しかし、そのようなシステムに関連する潜在的な不利点も存在する。例として、赤外放射ビームを誘導することが可能であるために、ビームガイドシステムが必要とされ得る。このビームガイドシステムは、例えば、個々に作動可能であって赤外放射ビームを光エレメントのターゲット部分上に正確に誘導することができる複数のミラーなどを含み得る。赤外放射ベースのシステムのミラー向けのアクチュエータを設ける必要性が潜在的な障害点をシステムに加える。さらに、赤外放射の使用は、必要とされる熱分布を当該光エレメントに付与可能な解像度を制限する場合がある。従って、本発明の態様は、こうした潜在的な困難性および不利点を克服し、熱に起因する光エレメントの変形という潜在的な問題に対する改善された解決策を提供することである。
[0060] 本発明の実施形態において、リソグラフィ装置、例えば、図１〜図３に関して上述したリソグラフィ装置が提供される。例として、リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムを含み得る。パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートが設けられ得る。このパターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付けされた放射ビームを形成可能である。また、基板を保持するように構成された基板テーブルが設けられる。このリソグラフィ装置は、パターン付けされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムをさらに含む。リソグラフィ装置は、図４に概略的に示すヒータ装置を含む。ヒータ装置ＨＡは、電子ビームを生成するように構成された電子ビームジェネレータ５０と、電子ビームをリソグラフィ装置の光エレメント５６上に案内する電子ビームガイド装置５２とを含む。上述の通り、当該光エレメントは、使用中に放射ビームが横切る、リソグラフィ装置の照明システムまたは投影システムの一部を形成してよい。ヒータ装置ＨＡは、電子ビームの偏向によって（例えば、磁気偏向によって、または静電偏向によって）光エレメント５６上に所望の熱分布を与えるように制御可能である。ヒータ装置ＨＡは、図４に示すようにヒータコントローラＨＣを含み得る。ヒータコントローラＨＣは、ヒータ装置ＨＡに電子ビーム制御信号を供給するように構成および配置される。制御信号は、光エレメントの電子ビーム強度の空間分布を制御し、ひいては光エレメント上に所望の熱分布を与える。制御信号は、例えば、電子ビームジェネレータ５０がスキャン電子ビーム５４の電流を制御するためのステアリング信号と、電子ビームガイド装置５２が電子ビームの対応するスキャン偏向を制御するためのステアリング信号とを含み得る。複数のスキャン偏向の結果、光エレメントの電子ビーム強度の効果的な空間分布が、スキャン電子ビームによってもたらされる。ヒータコントローラＨＣは、光エレメント上に与えられ、かつ光エレメントの所望の熱膨張を引き起こす所望の熱分布を推定するように構成され、それによって光エレメントを横切る放射ビームに起因する、または起因することになる光エレメントの変形を打ち消す。この変形は、光エレメントの変形特性によって特徴付けられ得る。以下に説明する通り、変形特性は、例えば、放射ビーム５８と光エレメント５６との相互作用、または光エレメントの表面にわたる検出温度プロファイル、または光エレメントの表面にわたる検出ディストーションプロファイルであってよく、もしくは、この相互作用、または検出温度プロファイル、または検出ディストーションプロファイルを含んでよい。モニタデバイス６０は、ヒータ装置ＨＡの一部とすることができ、上述した変形特性を監視するように構成される。光エレメント上に与えられる所望の熱分布の推定値は、モニタデバイス６０の出力に基づき得る。その代わりに、または、それに加えて、そのような所望の熱分布を用いて、加熱による変形により光エレメントの形状を変化させることができる。
[0061] 本発明の１つの潜在的な利点は、電子ビームが磁気的または静電的に案内され得ることであり、従ってそのような案内を行うために可動部を必要としないことである。このことによって、可動部を要するガイド装置に関連し得る潜在的な障害点が除去され、また、度重なる移動によって引き起こされ得る汚染物質の低減、ひいてはそのような可動部の磨耗の低減がもたらされ得る。さらに、電子ビームの使用は、加熱ビームと、パターンを基板に付与するために使用される放射ビームとの相互作用が存在しないことを意味する。おそらく、さらに重要なことは、電子は、光コンポーネントを横切らず、ひいては基板に向かって誘導されず、基板に入射せず、また基板に付与されたパターンに悪影響を及ぼさない。対照的に、赤外放射ベースのシステムにおいて、赤外放射は光コンポーネントを横切ることがあり、ひいては基板に向かって誘導され、基板に入射し、また基板に付与されたパターンに悪影響を及ぼす。加えて、電子ビームの使用は、高解像度、ことによると赤外放射ベースのシステムの解像度より高い解像度で所望の熱分布を光エレメントに与えることができることを意味する。本発明のさらなる、そして決して価値が無いのではない利点は、すぐに利用できる既存の技術を用いて、テレビ業界またはオシロスコープ業界における陰極線管内で使用される電子ビームジェネレータおよび電子ビームガイド装置などのヒータ装置を形成可能であることである。これは、好ましい実質的な真空または低圧適合性ビーム経路要件とともに成熟した技術を用いて本発明を実施することが可能であり、それが潜在的な低コスト、低メンテナンス、および上述した代替システムの不利点に対する信頼性の高い解決策をもたらすことを意味する。
[0062] 本発明の実施形態を、単なる例として、図４および図５を参照して以下に説明する。これらの図は、特定の縮尺に従わずに描かれている。別々の図に記載されている同じ特徴には、明確さと一貫性のために同じ参照符号が与えられる。
[0063] 図４は、リソグラフィ装置、例えば、図１〜図３に関して上述したリソグラフィ装置のうちの１つ以上のリソグラフィ装置内で使用され得るヒータ装置ＨＡを概略的に示している。ヒータ装置ＨＡは、電子ビームジェネレータ５０を含む。ヒータ装置ＨＡは、電子ビームジェネレータ５０によって生成された電子ビーム５４をリソグラフィ装置の光エレメント５６上に案内する電子ビームガイド装置５２をさらに含む。
[0064] 本実施形態において、光エレメント５６はミラー（すなわち、反射光エレメント、例えば、図２のエレメント２２、２４、２８、または３０）である。他の実施形態において、光エレメントはレンズ（すなわち、透過型光エレメント）であってもよい。ヒータ装置ＨＡは、ＥＵＶリソグラフィ装置の光エレメントと併用して特に適切な使用を有し得る。例として、電子ビームは、ガス環境を容易に通過することができない。このため、電子ビームのビーム経路が実質的な真空（例えば、約１０−３Ｐａまたは１０−３Ｐａ未満のガス圧）にある環境、または電子ビームのビーム経路が約１００Ｐａ未満、または１０Ｐａ未満（例えば、通常は３Ｐａ）のガス圧を通過する環境において、電子ビーム（従って、ヒータ装置ＨＡ）を用いることは通常のことである。ＥＵＶ放射ビームもまた実質的な真空中にあり、または１０Ｐａ未満（例えば、通常は３Ｐａ）の圧力を有するガスを通過し、かつ光エレメントが反射する（ＥＵＶは透過型レンズなどによって吸収される）ビーム経路を有する場合、ある程度同時に、同様の条件がＥＵＶリソグラフィ装置内で見られることになる。パターンを基板に付与するためにＥＵＶリソグラフィ装置内で使用される放射は、５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内、６ｎｍ〜７ｎｍの範囲内、または６．６ｎｍ〜６．９ｎｍの範囲内であり得る。
[0065] 従って、リソグラフィ装置（ＥＵＶまたはその他）、もしくはヒータ装置ＨＡが一部を形成するリソグラフィ装置の適切な一部は、電子ビームジェネレータ５０と光エレメント５６との間の電子ビーム５４のビーム経路が実質的な真空中にある、または約１００Ｐａ未満、または１０Ｐａ未満（例えば、通常は３Ｐａ）の圧力を有するガスを通過するように構成および配置され得る。このことは、リソグラフィ装置の１つ以上の部分内の大気を適切に制御することによって達成され得る。
[0066] 図４に戻ると、ヒータ装置ＨＡは、光エレメント５６の表面にわたる電子ビーム５４の偏向によって、かつ（光エレメント５６の一部上に与えられるまたはダンプされる瞬時のエネルギー量に対応する）電子ビーム５４の電流の変調によって、所望の熱分布を光エレメント５６の表面にまたは表面上に与えるように制御可能である。光エレメント５６は、光エレメント５６を横切る放射ビーム５８（例えば、ＥＵＶ放射ビーム）に起因する、または起因し得る光エレメント５６の変形を低減させる（すなわち、変形を少なくとも部分的に補正する）ために所望の熱分布を与えられる（または与えられることになる）。
[0067] 光エレメント５６上の所望の熱分布は、少なくとも部分的に予め定められてよい。例えば、光エレメント５６上の所望の熱分布は、放射ビーム５８と光エレメント５６との相互作用の従来の知識から、少なくとも部分的に予め定められてよい。この相互作用は、光エレメント５６に入射し、かつ光エレメント５６によって少なくとも部分的に吸収される放射ビーム５８によって引き起こされる光エレメント５６上の熱分布であり得る。例えば、放射ビーム５８は、高強度放射の２つまたは４つの局所領域、従って高強度熱分布の２つまたは４つの局所領域をそれぞれ含むダイポールまたは四極照明モードの形態をとる光エレメント５６に入射し得る。そのような局所高強度熱分布は、光エレメント５６の過度の変形を引き起こすことがある。この変形は、放射ビーム５８が光エレメント５６に入射する時間の前または間に、光エレメントの他の領域を加熱することによって少なくとも部分的に補正することができる。このように、動作のフィードフォワード方法が確立される。このフィードフォワード方法はリアルタイムで行うことができ、それによってヒータ装置ＨＡによって与えられる光エレメント５６の熱分布を変化させて、既知の変動する露光条件、例えば、基板上に付与される異なるパターン、または光エレメントを横切る放射ビームの強度分布変化を予め考慮に入れることができる。光エレメント５６の熱分布は、基板Ｗのスキャン露光中、または基板Ｗの静的露光中に変化させることができる。
[0068] その代わりに、または、それに加えて、光エレメント５６上の所望の熱分布は、光エレメント５６の表面にわたる検出された温度プロファイルまたはディストーションプロファイルから少なくとも部分的に予め定められてよい。例として、ヒータ装置ＨＡのモニタデバイス６０は、光エレメント５６の表面にわたる温度プロファイルまたはディストーションプロファイルを検出するセンサ６０として具体化され得る。センサ６０は、光エレメント５６の表面にわたる温度変化、または光エレメント５６のディストーションかつ当該エレメント５６の対応する温度変化を示すことができる光エレメント５６上のアライメントマークなどの間隔変化を検出し得る。センサ６０は、カメラまたはフォトダイオードなどとすることができ、またはカメラまたはフォトダイオードなどを含み得る。例えば、センサ６０は、温度測定用の熱写真法カメラおよび／または放射ビームのディストーションを測定する撮像カメラ（例えば、放射ビームがＥＵＶ放射を含む場合、ＥＵＶ撮像カメラ）とすることができ、またはこの熱写真法カメラおよび／またはこの撮像カメラを含み得る。あるいは、センサ６０は、図４に示すように光エレメント５６の裏面５６１から基板内に突出する対応する複数の穴に配置される複数の埋設温度センサを含み得る。各穴は、基板５６のＥＵＶ反射面に臨む穴の端部に温度センサを備える。これらのセンサは、ミラー表面温度のマップを表す信号を提供するように配置される。この信号は、センサ６０によって出力され、ヒータ装置ＨＡによって与えられる熱分布の推定値の基礎となり得る。
[0069] 光エレメント５６の表面にわたる検出された温度プロファイルまたはディストーションプロファイルから、光エレメント５６上の所望の熱分布を少なくとも部分的に決定することは、動作のフィードバック方法となる。フィードバック方法を使用して、上述のフィードフォワード方法における所望の補正を検出および実行することができる。
[0070] 使用中、ヒータ装置ＨＡは、所定の情報、または後続の感知から得られる情報を用いることによって制御することができ、ガイド装置５２の適切な作動によって放射ビーム５４を光エレメント５６上のさまざまな適切な場所の１つ以上に案内する。従来の陰極線管技術と同様に、ガイド装置５２は磁気ベースの偏向装置または静電ベースの偏向装置（例えば、１つ以上の磁気コイルまたは静電プレート）とすることができ、または磁気ベースの偏向装置または静電ベースの偏向装置を含み得る。例として、オシロスコープに使用される既存技術を用いて、ヒータ装置ＨＡは、２ｋｅＶ前後のエネルギーを有する電子を含む電子ビーム５４を供給し得る。１０ｍＡ以下のビーム電流との組合せで、このことは光エレメントを加熱するに十分であり得るが、それほど高くないため高圧電力システムおよびそのようなシステムと構成電子装置に関連するコストを要する。さらに、電子ビームに関して、２ｋＶは比較的低い電圧であり、これによって１０ｋＶを超える電圧においてより急を要する高圧問題を回避する。その上、電子ビームに関して、２ｋｅＶは比較的低いエネルギーであり、これによって静電学がガイド装置５２として利用されることが可能になり、磁気コイル装置と比較して安価でかつ単純になり得る。
[0071] 使用中、また実質的な真空中で使用される場合であっても、電子ビームはガス原子やガス分子などに入射することがあり、また、正電荷の構成要素（例えば、正イオン）の生成をもたらすことがある。これらの正イオンは、電子ビームジェネレータによって生成された電界によって影響を受ける場合、電子ビームジェネレータの負電荷の陰極に向かって加速され、かつ陰極への損傷を引き起こし得る。これは望ましくない。図５は、この潜在的な問題をシールド７０を組み込むことによって克服することができることを示している。このシールド７０は、例えば、電子ビームジェネレータ５０の向きと組み合わせて使用され得る。シールド７０は図で概略的に示されているだけである。シールド７０は、１つ以上のグリッド、プレート、スクリーンなどを含むことができ、および／または電子ビームジェネレータ５０の１つ以上のレンズなどの一部とすることができる。
[0072] 電子ビームは、ガス中を移動する際に、イオンまたはラジカル（例えば、水素が存在する場合、水素ラジカル）を生成し得る。これらのイオンまたはラジカルは、リソグラフィ装置内の光エレメントの表面を洗浄することができ、少なくともいくらか有益であり得る。
[0073] 一例において、電子ビームジェネレータは、陰極線管またはオシロスコープ用の電子銃において使用されるような部分、すなわち、電気的間接加熱陰極、三極部、定焦点部、および主レンズを含み得る。例えば１００Ｐａ未満のガス圧でデバイスを動作させる際にイオン衝撃による潜在的な陰極損傷を防止するために、好ましくは、陰極−電子ビームジェネレータの三極部分−は、陰極の方向に進む（正）イオンを妨げるまたは偏向するシールドを含み得るが、それでもなお電子が定焦点および主レンズに向かって加速することが可能であり得る。
[0074] 上述の通り、上記装置および方法は、光エレメントの加熱が望まれるあらゆる適切なリソグラフィ装置において使用され得る。上記装置および方法は、リソグラフィ装置の投影システムにおいて好ましく使用され得る。この投影システムでは、投影システム内の光エレメントの変形を最小化することが可能であり、それによって変形が引き起こし得る基板上へのパターン付与のエラーが最小化されることが望ましい。再び上述の通り、電子ビームの使用は、電子ビームが通過する環境に特定の規制を与え得る。ＥＵＶリソグラフィ装置などのリソグラフィ装置の形態の一部は、電子ビーム経路と同一または同様の条件がＥＵＶ放射ビーム経路に確実に与えられるように構成および配置されることが必要である。従って、通常光エレメントが反射性を示すＥＵＶリソグラフィ装置内の電子ビーム装置の使用に共力作用があり得る。また、放射ビームとヒータ装置の電子ビームの両方のビーム経路は実質的な真空中、またはガス圧が約１００Ｐａや１０Ｐａ未満である環境内に存在することになる。
[0075] 上述の実施形態を、光エレメントの変形を低減させる、または補正するために使用されるものとして説明してきた。その代わりに、または、それに加えて、このことは光エレメントの変形の影響（例えば、光エレメントを横断する放射ビームの何らかのディストーション）を低減させる、または補正するために使用されるものとして説明されてもよい。この低減または補正は、多くの要因、例えば、放射ビームが横切ることに起因する光エレメントにわたる熱分布、および他の要因、例えば、電子ビームを用いた光エレメントの加熱に利用可能な時間によって変化し得る。
[0076] いくつかの例において、電子ビームを用いる光エレメントの加熱は、全体的に見て、加熱による光エレメントの膨張がより全体的になることを確実にし、それによって光エレメントを横切る放射ビームの局所強度分布が引き起こす、より局所化した加熱に起因し得る変形を低減させることができる。例として、電子ビームを用いる光エレメントの加熱は、放射ビームが入射する、または入射することになる場所から遠い場所で行われてよい。別の例において、電子ビームを用いる加熱は、より局所化されてよい。例として、電子ビームを用いる光エレメントの加熱は、放射ビームが入射する、または入射することになる場所に隣接する場所、またはさらにこうした場所に重なる場所で行われてよい。要約すると、電子ビームを用いる所望の加熱はその用途によって変化してよく、所望の加熱は、モデリング、試行錯誤、実験法などから決定され得る。
[0077] 電子ビームを使用して、光エレメントの温度を、周囲の温度および／または光エレメントを保持または懸架するために使用される装置の温度を超える、使用温度または使用温度プロファイルまで上昇させてよい。定常状態では、電子ビームによって光エレメントにダンプされる／与えられるエネルギーは、周囲および／または光エレメントを保持または懸架するために使用される装置に向かう放射および伝導に起因するエネルギー損失に等しく、さらに光エレメントは結像のための最適な形状を有する。リソグラフィ装置が使用する放射ビーム（例えば、ＥＵＶビーム）を切り換えることによって、余分のエネルギー量（空間パターンを有している可能性がある）が光エレメントによって吸収される。電子ビーム（リソグラフィ装置が使用する放射ビームと同一の空間パターンを有する）によってダンプされるエネルギー量を低減させることによって、エネルギーの全吸収量（光エレメント全体と光エレメントの局所の両方についての）を一定に保つことができる。従って、光エレメントの形状は、最適な形状で安定性を保ち、良好な結像をもたらす。
[0078] 別の例において、光エレメントが不完全な、望ましくない、または不適切な形状を有することが分かっている（例えば、実装の前の検査から、またはセンサによる現場検出から）ことがある。この形状は、望ましい、完全な、または適切な形状を有する光エレメントを温度プロファイルがもたらすように、光エレメントを歪ませる温度プロファイルを光エレメントに慎重に与えることによって補正することができる。
[0079] 上述の例において、単一の電子ビームとともに、単一の電子ビーム装置が説明されている。他の例において、リソグラフィ装置は、１つ以上の（例えば、複数の）光エレメントの加熱において使用される複数の電子ビームジェネレータまたはヒータ装置を含んでよい。別の例において、単一の電子ビームジェネレータを使用して、電子ビームを案内することによって、１つ以上の光エレメント、またはそれらのエレメントの領域を加熱してよい。
[0080] 本明細書において、ＩＣデバイス製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0081] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0082] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置であって、
    放射ビームを調整する照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターン付けされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
    電子ビームを生成する電子ビームジェネレータと、前記電子ビームを前記リソグラフィ装置の光エレメント上に案内する電子ビームガイド装置と、を含むヒータ装置と、を含み、
    前記光エレメントは、使用中に前記放射ビームが横切る、前記リソグラフィ装置の前記照明システムまたは前記投影システムの一部を形成し、
    前記ヒータ装置は、前記電子ビームの偏向によって前記光エレメント上に熱分布を与えるように制御可能である、リソグラフィ装置。
  2. モニタデバイスは、前記ヒータ装置の一部であり、前記光エレメントの変形特性を監視するように構成され、前記ヒータ装置は、前記モニタデバイスの出力に基づいて、前記光エレメント上に与えられる前記熱分布を推定するヒータコントローラをさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記光エレメント上の前記熱分布は、少なくとも部分的に予め定められている、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記変形特性は、前記放射ビームと前記光エレメントとの相互作用である、請求項２または３に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記変形特性は、前記光エレメントの表面にわたる検出された温度プロファイルまたはディストーションプロファイルである、請求項２または３に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記モニタデバイスは、前記光エレメントの表面にわたる温度プロファイルまたはディストーションプロファイルを検出するセンサである、請求項２〜５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記センサは、カメラまたはフォトダイオードを含む、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記電子ビームジェネレータの陰極を正電荷の構成要素から遮蔽するシールドをさらに含む、請求項１〜７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記電子ビームガイド装置は、磁気ベースの偏向装置、または静電ベースの偏向装置、もしくは磁気ベースの偏向装置と静電ベースの偏向装置の両方を含む、請求項１〜８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記照明システムは反射照明システムであり、および／または、前記投影システムは反射投影システムであり、前記光エレメントはミラーを含む、請求項１〜９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記電子ビームは、前記電子ビームジェネレータと前記光エレメントとの間のビーム経路を有し、前記リソグラフィ装置またはその一部は、
    前記ビーム経路は、実質的な真空中にあり、および／または
    前記ビーム経路は、約１００Ｐａ未満の圧力を有するガスを通過するように構成および配置される、請求項１〜１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記放射ビームは、電磁スペクトルのＥＵＶ部分の波長を有する放射を含み、前記波長は５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内である、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
  13. リソグラフィ装置とともに使用されるリソグラフィ方法であって、前記リソグラフィ装置が
    放射ビームを調整する照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターン付けされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
    電子ビームを生成する電子ビームジェネレータと、前記電子ビームを前記リソグラフィ装置の光エレメント上に案内する電子ビームガイド装置と、を含むヒータ装置と、を含み、
    前記光エレメントは、使用中に前記放射ビームが横切る、前記リソグラフィ装置の前記照明システムまたは前記投影システムの一部を形成し、
    前記ヒータ装置は、前記電子ビームの偏向によって前記光エレメント上に熱分布を与えるように制御可能であり、
    前記光エレメントを横切る前記放射ビームに起因する、または起因し得る前記光エレメントの変形を低減させるために、前記ヒータ装置を使用して前記光エレメントに前記熱分布を与えることを含む、リソグラフィ方法。
  14. 前記光エレメント上の前記熱分布は、少なくとも部分的に予め定められている、請求項１３に記載のリソグラフィ方法。
  15. 前記光エレメント上の前記熱分布は、前記放射ビームと前記光エレメントとの相互作用についての従来の知識から少なくとも部分的に予め定められている、請求項１４に記載のリソグラフィ方法。
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