JP5175344B2 - 改善されたタイミングマージンのための遅延トラッキングを有するメモリデバイス - Google Patents
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Description
出願時の請求項1−35に対応する記載を付記1−35として下記に表記する。
付記1
メモリセルとダミーセルとを備えるメモリアレイと、
前記メモリセルにデータを書き込むために使用され、そして前記ダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する少なくとも1つの制御信号を生成するように構成されたタイミング制御回路と、
を備える集積回路。
付記2
前記少なくとも1つの制御信号は、前記ダミーセルに基づいて生成される内部クロック信号を備える、付記1に記載の集積回路。
付記3
前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の負荷に基づいて生成される内部クロック信号を備える、付記1に記載の集積回路。
付記4
前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の負荷と、ダミーセルの行についてのワード線上の負荷とに基づいて生成される内部クロック信号を備える、付記1に記載の集積回路。
付記5
前記タイミング制御回路は、ライトオペレーションについての前記内部クロック信号上のパルスを生成するように構成されており、前記パルスは、ダミーセルの前記列についての前記ビット線上の前記負荷に基づいて決定される存続時間を有する、付記3に記載の集積回路。
付記6
前記タイミング制御回路は、
構成可能なドライブ強度を有し、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動するように動作するドライバ、
を備える、付記1に記載の集積回路。
付記7
前記ドライバは、
前記ドライバについての前記構成可能なドライブ強度を提供するように選択可能な複数のトランジスタ、
を備える、付記6に記載の集積回路。
付記8
前記複数のトランジスタのサブセットは、特定のタイミングマージンを得るように選択される、付記7に記載の集積回路。
付記9
前記複数のトランジスタは、
ライトオペレーションについて前記ドライバについてのより小さなドライブ強度を得るために、リードオペレーションについてオンにされ、ライトオペレーションについてオフにされるトランジスタ、
を備え、前記のより小さなドライブ強度は、ワード線が、リードオペレーションについてよりもライトオペレーションについて、より長い存続時間にわたってアクティブにされることをもたらす、付記7に記載の集積回路。
付記10
前記タイミング制御回路は、
前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の電圧を検出するように、そして前記内部クロック信号についてのリセット信号を供給するように、構成された検出器、
を備える、付記2に記載の集積回路。
付記11
前記タイミング制御回路は、
前記リセット信号についてのプログラマブル遅延を提供するように構成された遅延ユニット、
を備える、付記10に記載の集積回路。
付記12
前記内部クロック信号に基づいて前記メモリアレイの中の複数の行のメモリセルについての複数のワード線をアクティブにするように構成されたアドレスデコーダ、
をさらに備える付記2に記載の集積回路。
付記13
前記複数のワード線は、リードオペレーションについては第1の存続時間にわたって、そしてライトオペレーションについては第2の存続時間にわたって、アクティブにされる、付記12に記載の集積回路。
付記14
前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、付記13に記載の集積回路。
付記15
メモリアレイの中のメモリセルにデータを書き込むために使用される少なくとも1つの制御信号を生成することと、なお前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する;
前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むことと;
を備える方法。
付記16
前記の前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の負荷に基づいて内部クロック信号を生成すること、を備える、付記15に記載の方法。
付記17
前記の前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、
構成可能なドライブ強度を用いて前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動することと、
前記ビット線上の信号に基づいて内部クロック信号を生成することと、
を備える、付記15に記載の方法。
付記18
前記の構成可能なドライブ強度を用いてダミーセルの前記列についての前記ビット線を駆動することは、
リードオペレーションについてトランジスタを用いて前記ビット線を駆動することと、
ライトオペレーションについて、より小さなドライブ強度を得るためにライトオペレーションについて前記トランジスタをディスエーブルにすることと、
を備え、前記のより小さなドライブ強度は、ワード線が、リードオペレーションについてよりもライトオペレーションについて長い存続時間にわたってアクティブにされることをもたらす、付記17に記載の方法。
付記19
メモリアレイの中のメモリセルにデータを書き込むために使用される少なくとも1つの制御信号を生成するための手段と、なお前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する;
前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むための手段と;
を備える装置。
付記20
前記少なくとも1つの制御信号を生成するための前記手段は、
構成可能なドライブ強度を用いて前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動するための手段と、
前記ビット線上の信号に基づいて内部クロック信号を生成するための手段と、
を備える、付記19に記載の装置。
付記21
構成可能なドライブ強度を用いてダミーセルの前記列についての前記ビット線を駆動するための前記手段は、
リードオペレーションについてトランジスタを用いて前記ビット線を駆動するための手段と、
ライトオペレーションについて、より小さなドライブ強度を得るためにライトオペレーションについて前記トランジスタをディスエーブルにするための手段と、
を備え、前記のより小さなドライブ強度は、ワード線が、リードオペレーションについてよりもライトオペレーションについて長い存続時間にわたってアクティブにされることをもたらす、付記20に記載の装置。
付記22
メモリセルとダミーセルとを備えるメモリアレイと、
前記メモリセルからデータを読み出し、そして前記メモリセルにデータを書き込むために使用される少なくとも1つの制御信号を生成するように構成されたタイミング制御回路と、
を備え、前記少なくとも1つの制御信号は、前記ダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する、集積回路。
付記23
前記少なくとも1つの制御信号は、前記ダミーセルに基づいて生成される内部クロック信号を備え、前記内部クロック信号は、リードオペレーションについての第1のパルス幅と、ライトオペレーションについての第2のパルス幅と、を有する、付記22に記載の集積回路。
付記24
前記第2のパルス幅は、前記第1のパルス幅よりも長い、付記23に記載の集積回路。
付記25
前記タイミング制御回路は、
前記メモリセルの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動するように構成されたドライバを備え、前記ドライバは、リードオペレーションについての第1のドライブ強度と、ライトオペレーションについての第2のドライブ強度と、を有する、付記22に記載の集積回路。
付記26
前記メモリアレイの中の複数の行のメモリセルについての複数のワード線をアクティブにするように構成されたアドレスデコーダ、をさらに備え、前記複数のワード線は、リードオペレーションについては第1の存続時間にわたって、そしてライトオペレーションについては第2の存続時間にわたって、アクティブにされる、付記22に記載の集積回路。
付記27
前記少なくとも1つの制御信号の前記タイミングは、リードオペレーションとライトオペレーションとについて独立に設定される、付記22に記載の集積回路。
付記28
前記少なくとも1つの制御信号の前記タイミングは、リードオペレーションについてはリードタイミングマージンに基づいて設定され、そしてライトオペレーションについてはあらかじめ決定された量だけ変化させられる、付記22に記載の集積回路。
付記29
メモリアレイの中のメモリセルからデータを読み出すための第1のタイミングを有する少なくとも1つの制御信号を生成することと、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第1のタイミングは、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定される;
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルからデータを読み出すことと;
前記メモリセルにデータを書き込むための第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することと、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第2のタイミングは、前記ダミーセルに基づいて決定される;
前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むことと;
を備える方法。
付記30
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、リードオペレーションについての第1のパルス幅を有する内部クロック信号を生成すること、を備え、そして前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、ライトオペレーションについての第2のパルス幅を有する前記内部クロック信号を生成すること、を備え、前記第2のパルス幅は、前記第1のパルス幅よりも長い、付記29に記載の方法。
付記31
前記メモリセルからデータを読み出すことは、前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてリードオペレーションについての第1の存続時間にわたって前記メモリアレイの中のメモリセルの行についてのワード線をアクティブにすること、を備え、そして前記メモリセルにデータを書き込むことは、前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてライトオペレーションについての第2の存続時間にわたって前記ワード線をアクティブにすること、を備え、前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、付記29に記載の方法。
付記32
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、リードオペレーションについてのリードタイミングマージンに基づいて前記少なくとも1つの制御信号の前記第1のタイミングを設定すること、を備え、そして前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、ライトオペレーションについての前記第2のタイミングを得るためにあらかじめ決定された量だけ前記第1のタイミングを変化させること、を備える、付記29に記載の方法。
付記33
メモリアレイの中のメモリセルからデータを読み出すための第1のタイミングを有する少なくとも1つの制御信号を生成するための手段と、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第1のタイミングは、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定される;
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルからデータを読み出すための手段と;
前記メモリセルにデータを書き込むための第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成するための手段と、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第2のタイミングは、前記ダミーセルに基づいて決定される;
前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むための手段と;
を備える装置。
付記34
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成するための前記手段は、リードオペレーションについての第1のパルス幅を有する内部クロック信号を生成するための手段、を備え、そして前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成するための前記手段は、ライトオペレーションについての第2のパルス幅を有する前記内部クロック信号を生成するための手段、を備え、前記第2のパルス幅は、前記第1のパルス幅よりも長い、付記33に記載の装置。
付記35
前記メモリセルからデータを読み出すための前記手段は、前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてリードオペレーションについての第1の存続時間にわたって前記メモリアレイの中のメモリセルの行についてのワード線をアクティブにするための手段、を備え、そして前記メモリセルにデータを書き込むための前記手段は、前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてライトオペレーションについての第2の存続時間にわたって前記ワード線をアクティブにするための手段、を備え、前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、付記33に記載の装置。
Claims (25)
- メモリセルとダミーセルとを備えるメモリアレイと、
前記メモリセルにデータを書き込むために使用され、そして前記ダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する少なくとも1つの制御信号を生成するように構成されたタイミング制御回路と、
を備え、
前記タイミング制御回路は、
構成可能なドライブ強度を有し、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動するように動作するドライバ、
を備え、
前記ドライバは、
前記ドライバについての前記構成可能なドライブ強度を提供するように選択可能な複数のトランジスタ、
を備え、
前記複数のトランジスタは、
ライトオペレーションについて前記ドライバについてのより小さなドライブ強度を得るために、リードオペレーションについてオンにされ、ライトオペレーションについてオフにされるトランジスタ、
を備え、前記のより小さなドライブ強度は、ワード線が、リードオペレーションについてよりもライトオペレーションについて、より長い存続時間にわたってアクティブにされることをもたらす、集積回路。 - 前記少なくとも1つの制御信号は、前記ダミーセルに基づいて生成される内部クロック信号を備える、請求項1に記載の集積回路。
- 前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の負荷に基づいて生成される内部クロック信号を備える、請求項1に記載の集積回路。
- 前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の負荷と、ダミーセルの行についてのワード線上の負荷とに基づいて生成される内部クロック信号を備える、請求項1に記載の集積回路。
- 前記タイミング制御回路は、ライトオペレーションについての前記内部クロック信号上のパルスを生成するように構成されており、前記パルスは、ダミーセルの前記列についての前記ビット線上の前記負荷に基づいて決定される存続時間を有する、請求項3に記載の集積回路。
- 前記複数のトランジスタのサブセットは、特定のタイミングマージンを得るように選択される、請求項1に記載の集積回路。
- 前記タイミング制御回路は、
前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の電圧を検出するように、そして前記内部クロック信号についてのリセット信号を供給するように、構成された検出器、
を備える、請求項2に記載の集積回路。 - 前記タイミング制御回路は、
前記リセット信号についてのプログラマブル遅延を提供するように構成された遅延ユニット、
を備える、請求項7に記載の集積回路。 - 前記内部クロック信号に基づいて前記メモリアレイの中の複数の行のメモリセルについての複数のワード線をアクティブにするように構成されたアドレスデコーダ、
をさらに備える請求項2に記載の集積回路。 - 前記複数のワード線は、リードオペレーションについては第1の存続時間にわたって、そしてライトオペレーションについては第2の存続時間にわたって、アクティブにされる、請求項9に記載の集積回路。
- 前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、請求項10に記載の集積回路。
- メモリアレイの中のメモリセルにデータを書き込むために使用される少なくとも1つの制御信号を生成することと、なお前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する;
前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むことと;
を備え、
前記の前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、
構成可能なドライブ強度を用いて前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動することと、
前記ビット線上の信号に基づいて内部クロック信号を生成することと、
を備え、
前記の構成可能なドライブ強度を用いてダミーセルの前記列についての前記ビット線を駆動することは、
リードオペレーションについてトランジスタを用いて前記ビット線を駆動することと、
ライトオペレーションについて、より小さなドライブ強度を得るためにライトオペレーションについて前記トランジスタをディスエーブルにすることと、
を備え、前記のより小さなドライブ強度は、ワード線が、リードオペレーションについてよりもライトオペレーションについて長い存続時間にわたってアクティブにされることをもたらす、方法。 - 前記の前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線上の負荷に基づいて内部クロック信号を生成すること、を備える、請求項12に記載の方法。
- メモリアレイの中のメモリセルにデータを書き込むために使用される少なくとも1つの制御信号を生成するための手段と、なお前記少なくとも1つの制御信号は、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有する;
前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むための手段と;
を備え、
前記少なくとも1つの制御信号を生成するための前記手段は、
構成可能なドライブ強度を用いて前記メモリアレイの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動するための手段と、
前記ビット線上の信号に基づいて内部クロック信号を生成するための手段と、
を備え、
構成可能なドライブ強度を用いてダミーセルの前記列についての前記ビット線を駆動するための前記手段は、
リードオペレーションについてトランジスタを用いて前記ビット線を駆動するための手段と、
ライトオペレーションについて、より小さなドライブ強度を得るためにライトオペレーションについて前記トランジスタをディスエーブルにするための手段と、
を備え、前記のより小さなドライブ強度は、ワード線が、リードオペレーションについてよりもライトオペレーションについて長い存続時間にわたってアクティブにされることをもたらす、装置。 - メモリセルとダミーセルとを備えるメモリアレイと、
前記メモリセルからデータを読み出し、そして前記メモリセルにデータを書き込むために使用される少なくとも1つの制御信号を生成するように構成されたタイミング制御回路と、
を備え、前記少なくとも1つの制御信号は、前記ダミーセルに基づいて決定されるタイミングを有し、
前記メモリアレイの中の複数の行のメモリセルについての複数のワード線をアクティブにするように構成されたアドレスデコーダ、をさらに備え、前記複数のワード線は、リードオペレーションについては第1の存続時間にわたって、そしてライトオペレーションについては第2の存続時間にわたって、アクティブにされ、前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、集積回路。 - 前記少なくとも1つの制御信号は、前記ダミーセルに基づいて生成される内部クロック信号を備え、前記内部クロック信号は、リードオペレーションについての第1のパルス幅と、ライトオペレーションについての第2のパルス幅と、を有する、請求項15に記載の集積回路。
- 前記第2のパルス幅は、前記第1のパルス幅よりも長い、請求項16に記載の集積回路。
- 前記タイミング制御回路は、
前記メモリセルの中のダミーセルの列についてのビット線を駆動するように構成されたドライバを備え、前記ドライバは、リードオペレーションについての第1のドライブ強度と、ライトオペレーションについての第2のドライブ強度と、を有する、請求項15に記載の集積回路。 - 前記少なくとも1つの制御信号の前記タイミングは、リードオペレーションとライトオペレーションとについて独立に設定される、請求項15に記載の集積回路。
- 前記少なくとも1つの制御信号の前記タイミングは、リードオペレーションについてはリードタイミングマージンに基づいて設定され、そしてライトオペレーションについてはあらかじめ決定された量だけ変化させられる、請求項15に記載の集積回路。
- メモリアレイの中のメモリセルからデータを読み出すための第1のタイミングを有する少なくとも1つの制御信号を生成することと、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第1のタイミングは、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定される;
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルからデータを読み出すことと;
前記メモリセルにデータを書き込むための第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することと、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第2のタイミングは、前記ダミーセルに基づいて決定される;
前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むことと;
を備え、
前記メモリセルからデータを読み出すことは、前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてリードオペレーションについての第1の存続時間にわたって前記メモリアレイの中のメモリセルの行についてのワード線をアクティブにすること、を備え、そして前記メモリセルにデータを書き込むことは、前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてライトオペレーションについての第2の存続時間にわたって前記ワード線をアクティブにすること、を備え、前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、方法。 - 前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、リードオペレーションについての第1のパルス幅を有する内部クロック信号を生成すること、を備え、そして前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、ライトオペレーションについての第2のパルス幅を有する前記内部クロック信号を生成すること、を備え、前記第2のパルス幅は、前記第1のパルス幅よりも長い、請求項21に記載の方法。
- 前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、リードオペレーションについてのリードタイミングマージンに基づいて前記少なくとも1つの制御信号の前記第1のタイミングを設定すること、を備え、そして前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成することは、ライトオペレーションについての前記第2のタイミングを得るためにあらかじめ決定された量だけ前記第1のタイミングを変化させること、を備える、請求項21に記載の方法。
- メモリアレイの中のメモリセルからデータを読み出すための第1のタイミングを有する少なくとも1つの制御信号を生成するための手段と、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第1のタイミングは、前記メモリアレイの中のダミーセルに基づいて決定される;
前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルからデータを読み出すための手段と;
前記メモリセルにデータを書き込むための第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成するための手段と、なお前記少なくとも1つの制御信号についての前記第2のタイミングは、前記ダミーセルに基づいて決定される;
前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記メモリセルにデータを書き込むための手段と;
を備え、
前記メモリセルからデータを読み出すための前記手段は、前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてリードオペレーションについての第1の存続時間にわたって前記メモリアレイの中のメモリセルの行についてのワード線をアクティブにするための手段、を備え、そして前記メモリセルにデータを書き込むための前記手段は、前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号に基づいてライトオペレーションについての第2の存続時間にわたって前記ワード線をアクティブにするための手段、を備え、前記第2の存続時間は、前記第1の存続時間よりも長い、装置。 - 前記第1のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成するための前記手段は、リードオペレーションについての第1のパルス幅を有する内部クロック信号を生成するための手段、を備え、そして前記第2のタイミングを有する前記少なくとも1つの制御信号を生成するための前記手段は、ライトオペレーションについての第2のパルス幅を有する前記内部クロック信号を生成するための手段、を備え、前記第2のパルス幅は、前記第1のパルス幅よりも長い、請求項24に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
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