JP2006323950A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 2つのNMOSトランジスタMN5,MN6から構成されており、それぞれのソースが接地電位に接続され、一方のトランジスタMN5のドレインが一方のビット線BITに接続され、他方のトランジスタMN6のドレインが他方のビット線NBITに接続されている書き込み回路101と、書き込みデータDIの反転データと書き込み用カラムセレクト信号CWの論理積NDCWを生成し、この論理積NDCWを一方のトランジスタMN5のゲートに入力し、書き込みデータDIと書き込み用カラムセレクト信号CWの論理積DCWを生成し、この論理積DCWを他方のトランジスタMN6のゲートに入力するカラムセレクトおよびデータ入力回路102を備える。
【選択図】 図1
Description
図6に示すように、メモリセル100がアレイ状に配置されており、各メモリセル100はそれぞれ、ワード線WL、ビット線対(BIT、NBIT)に接続されている。
書き込みが開始されると、プリチャージ信号NPCが非活性状態になり、ビット線対BIT,NBITのプリチャージを解除する。同時に、書き込み用カラム選択信号CWが活性化状態になりデータ信号DI,データDIの反転データNDIに応じてビット線対BIT,NBITのうちの一方の電位がVDDから引き落とされる。
この構成によれば、書き込み時にビット線の電位が負電位とされ、通常電圧よりも低い低電圧でもさらに高速に書き込むことが可能となる。
また本発明の半導体記憶装置は、書き込み回路のN型トランジスタにフォワードバイアスを印加することを特徴とする。
[実施の形態1]
図1は本発明の実施の形態1における半導体記憶装置の構成図である。
ワード線WL0が活性化する前にプリチャージ信号NPCがHIGH(以降H)になりプリチャージが解除され、データ入力信号DIにLOW (以降L)が入力され、続いて書き込み用カラムセレクト信号CWがHになる。よって論理積NDCWが活性化され、書き込み回路101のトランジスタMN5が活性化される。続いてカラム信号であるワード線WL0がHになる(活性化される)と、ビット線BITの電位がVDDからVSSに引き落とされる。
[実施の形態2]
図3は本発明の実施の形態2における半導体記憶装置の構成図である。
込み時にビット線BIT,NBITの電位を負電位にすることにより、通常電圧においてワード線WLの活性化期間を長くすることなく、低電圧でも、動作周波数が低下することなく、より高速に書き込むことができる。また動作電圧に応じた外部コマンドも不要にできる。
101 書き込み回路
102 カラムセレクトおよびデータ入力回路
103 プリチャージ回路
104 読み出し用カラムセレクタ
105 読み出し回路
401 負電源回路
Claims (5)
- 格子状に配置された複数のメモリセルと、前記各メモリセルを活性化するワード線と、前記各メモリセルに接続される一対のビット線を備えた半導体記憶装置であって、
二つのN型トランジスタから構成されており、それぞれのソースが接地電位に接続され、一方のN型トランジスタのドレインが一方のビット線に接続され、他方のN型トランジスタのドレインが他方のビット線に接続されている書き込み回路と、
書き込みデータの反転データと書き込み用カラムセレクト信号の論理積を生成し、この論理積を前記一方のN型トランジスタのゲートに入力し、前記書き込みデータと前記書き込み用カラムセレクト信号の論理積を生成し、この論理積を前記他方のN型トランジスタのゲートに入力するカラムセレクトおよびデータ入力回路
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記書き込み回路の二つのN型トランジスタのソースをそれぞれ、負電位に接続すること
を特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、二つのPMOSの負荷用トランジスタと、二つのNMOSの駆動用トランジスタと、二つのNMOSの転送用トランジスタによりSRAMのメモリセルを構成しており、
書き込み時に、非選択ワード線に接続されたメモリセルの二つのNMOSの転送用トランジスタにバックバイアスを印加すること
を特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記カラムセレクトおよびデータ入力回路は、前記書き込み用カラムセレクト信号の入力に応じて、前記書き込み回路のN型トランジスタを活性化すること
を特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。 - 前記書き込み回路の二つのN型トランジスタに、フォワードバイアスを印加すること
を特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
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