JP5163839B2 - R−t−b系焼結磁石の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、R−T−B系焼結磁石の製造方法に関する。
高性能な希土類系焼結磁石としては、R−Co系焼結磁石(Rは主としてSm)とR−T−B系焼結磁石(RはYを含む希土類元素の少なくとも1種であってNdを必ず含む、TはFe又はFeとCo)の2種類が広く使われている。
特にR−T−B系焼結磁石は、種々の磁石の中で最も高い磁気エネルギー積を示し、価格も比較的安いため、各種電気機器に採用されている。
R−T−B系焼結磁石は、主にR14Bの正方晶化合物からなる主相、Rリッチ相及びBリッチ相から構成されている。R−T−B系焼結磁石では、基本的に、主相であるR14Bの正方晶化合物の存在比率を増加させれば、磁石特性が向上する。しかし、Rは雰囲気中の酸素と反応し易く、Rなどの酸化物を作る。従って、製造工程中にR−T−B系焼結磁石用原料合金やその粉末が酸化すると、R14Bの存在比率が低下するとともに、Rリッチ相が少なくなり、磁石特性が急激に低下する。すなわち、製造工程中における酸化を防止し、R−T−B系焼結磁石用の原料合金やその粉末の含有酸素量を低減させれば磁石特性が向上する。
R−T−B系焼結磁石は、原料合金を粗粉砕及び微粉砕して形成した合金粉末をプレス成形した後、焼結工程及び熱処理工程を経て製造される。R−T−B系焼結磁石を製造するにあたり、原料合金を粗粉砕する過程で、粉砕効率が高いことから水素粉砕が多用されている。
水素粉砕とは、原料合金に水素を吸蔵させ、脆化させることで原料合金を粉砕する手法であり、次の工程により行なわれる。
まず、原料である合金を水素炉内に挿入した後、水素炉内部を真空引きによって減圧する。その後、水素ガスを水素炉内に供給し、原料合金に水素を吸蔵させる(水素吸蔵工程)。所定時間経過後、水素炉内の真空引きを行ないながら原料合金を加熱し(加熱工程)、原料合金から水素を放出させた後、冷却して(冷却工程)水素粉砕は終了する。これにより原料合金は脆化し、粗粉砕粉となる。
水素粉砕後の粗粉砕粉は、次工程の微粉砕工程で数μmの微粉砕粉に粉砕される。
微粉砕粉は粗粉砕粉に比べ表面積が大きいため酸化し易い。そこで、従来は、主として微粉砕粉の酸化防止が図られてきた。
例えば、微粉砕後の微粉砕粉を直接鉱物油等に投入し、その後成形することで、焼結体の低酸素化を行なう技術(特許文献1)、微粉砕後の微粉砕粉に液体潤滑剤を添加し、粒子の表面を被覆して微粉砕粉の酸化防止を行う技術(特許文献2)が提案されている。
近年、R−T−B系焼結磁石用原料合金を得る方法として、ストリップキャスト法が多用されている。ストリップキャスト法では、一般に、1mm以下のR−T−B系焼結磁石用原料合金を作製することができる。ストリップキャスト法によって作製された原料合金は、従来のインゴット鋳造法(金型鋳造法)によって作製された原料合金に比べ、相対的に短時間で冷却されているため、組織が微細化され、結晶粒径が小さいことから、従来よりも高い磁石特性を有する焼結磁石を得ることができる。また、ストリップキャスト法によって作製された原料合金は、粒界の総面積が大きく、Rリッチ相の分散性にも優れるため、水素粉砕時に水素吸蔵し易く、脆化し易い。そのため、従来のインゴット鋳造法によって作製された原料合金に比べ水素粉砕後の粗粉砕粉の粒径が小さくなっており、また、Rリッチ相が分散されているため、粒子表面にRリッチ相が表れやすくなっており、酸化し易い状態になっている。
これまで、比較的粒径が大きい粗粉砕粉においても、製造工程中で大気に接触させると酸化が進行し、含有酸素量が増加することは知られていたものの、微粉砕粉に比べれば酸素の増加量が少ないため、酸化防止対策はほとんどなされていなかった。しかし、上記のように、ストリップキャスト法が多用されるに至って、粗粉砕工程においても酸化防止を行なう必要が生じてきた。
そこで、水素粉砕後の粗粉砕粉(水素粉砕粉)の酸化を防止するために、水素粉砕粉を水素粉砕装置から排出するための回収室での工程を不活性ガス中で行う技術(特許文献3)が提案されている。
特許第2731337号公報 特許第3418605号公報 特開2005−118625号公報
特許文献3で提案されているように、水素粉砕粉(粗粉砕粉)は、不活性ガス中で管理されることで酸化を防止できる。
特許文献3では、粗粉砕粉を水素粉砕装置から排出するための回収室では、粗粉砕粉を収納した搬送容器毎に回収処理が行われる。すなわち、搬送容器内の粗粉砕粉を回収室内底部に落下させ、この回収室内底部の粗粉砕粉を回収容器に排出するという工程を、搬送容器単位で繰り返し行う。また、粗粉砕粉を排出した搬送容器は、回収室外へ搬出されるが、この搬送容器の搬出時には回収室は外気に開放される。外気に開放された回収室は、新たな搬送容器が搬入される前に、真空排出されるとともに不活性ガスが導入されるので酸素は存在しない。従って、新たに搬入された搬送容器内の粗粉砕粉が酸化することはない。
しかし、回収室内に粗粉砕粉が残留していると、残留した粗粉砕粉は外気との連通状態において酸化されてしまい、酸化された粗粉砕粉が新たな搬送容器内の粗粉砕粉に混入されてしまう。
特許文献3で開示されている方法では、搬送容器からの粗粉砕粉の排出を不活性ガス中で行うため、落下した粗粉砕粉が舞い上がり、回収室内部に堆積し、残存する可能性がある。
特許文献3には記載されていないが、堆積した粗粉砕粉を残存させず回収するためには例えば箱状筒型容器下部の濾斗形状部に載置したエアーハンマー等により落とすことも考えられるが、大掛かりな装置が必要となるとともに、エアーハンマーのみでは前記濾斗形状部以外の場所、例えば搬送容器が出入りする搬入口、搬送装置、回収室上部などに残存した粗粉砕粉を全て排出することは困難である。
このように、回収室内に残存する粗粉砕粉は、徐々に酸化し、次回に処理される粗粉砕粉に混入し、結果として、得られる焼結磁石の酸素量を上昇させ磁石特性の低下を招く。
このため、特に回収室内における粗粉砕粉の残留を無くすことで、酸化された粗粉砕粉の混入を防止することが重要である。
本発明は、水素粉砕した後の粗粉砕粉が回収室内に残留することを少なくし、得られるR−T−B系焼結磁石の含有酸素量を著しく低減することにより、磁石特性の向上を図ることができるR−T−B系焼結磁石の製造方法を提供することを目的とする。
第1の本発明によるR−T−B系焼結磁石の製造方法は、R−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉を得る粗粉砕工程と、前記粗粉砕粉に粉砕助剤を添加し、前記粗粉砕粉と前記粉砕助剤を混合する混合工程と、前記混合工程で前記粉砕助剤を混合した前記粗粉砕粉をジェットミル装置に供給して不活性ガス中で微粉砕し、微粉砕後の微粉砕粉を鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒中に回収して、スラリー状の前記微粉砕粉を得る微粉砕工程と、前記微粉砕粉を磁界中で湿式成形して、R−T−B系焼結磁石用成形体を得る成形工程と、前記R−T−B系焼結磁石用成形体中の前記溶媒を除去した後焼結して、R−T−B系焼結磁石を得る焼結工程とを有するR−T−B系焼結磁石の製造方法であって、前記粗粉砕工程が、処理容器に収容された前記R−T−B系焼結磁石用原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、水素吸蔵により粉砕された前記粗粉砕粉を加熱して脱水素する加熱工程と、加熱された前記粗粉砕粉を冷却する冷却工程と、冷却された前記粗粉砕粉を回収容器に回収する回収工程からなり、前記回収工程が、少なくとも前記冷却工程を行う処理室に連接する回収室にて行なわれ、前記回収室には、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、前記回収室内のガスを排出する真空排気手段と、前記処理容器を前記処理室から前記回収室内へ搬入するための搬入口と、前記回収室の下部に配置される排出口と、前記排出口に接続された前記回収容器とを有し、前記回収工程では、前記不活性ガス導入手段によって前記回収室内に不活性ガスを導入した後に、前記処理容器を前記処理室から前記回収室内へ前記搬入口より搬入する搬入工程と、前記真空排気手段によって前記回収室内を減圧した後に、前記処理容器内の前記粗粉砕粉を前記回収室内に排出する排出工程と、前記粗粉砕粉を前記回収室内に排出した後に、前記不活性ガス導入手段によって前記回収室内に不活性ガスを導入するガス導入工程と、前記回収室内を不活性ガスにて所定圧力とした後に、前記排出口から前記粗粉砕粉を前記回収容器に回収する合金収容工程とを有し、前記混合工程における前記粉砕助剤の添加を、前記冷却工程後の前記回収工程での前記合金収容工程において行うことを特徴とする。
第2の発明は、第1に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記混合工程における前記粗粉砕粉と前記粉砕助剤との混合を、前記回収容器を回転させることで行うことを特徴とする。
第3の発明は、第2に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記混合工程で回転させた前記回収容器を前記ジェットミル装置の原料タンクに接続することで、前記ジェットミル装置に前記粗粉砕粉を供給することを特徴とする。
第4の発明は、第3に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記回収容器の開閉バルブと前記原料タンクの開閉バルブとの間の接続部に不活性ガスを導入して前記接続部内の酸素濃度を20ppm以下にした後に、前記回収容器の前記開閉バルブと前記原料タンクの前記開閉バルブを開けて前記回収容器内の前記粗粉砕粉を前記原料タンクに供給することを特徴とする。
第5の発明は、第1から第4のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記ジェットミル装置では、前記粗粉砕粉の微粉砕を、酸素濃度が20ppm以下の不活性ガス中で行うことを特徴とする。
第6の発明は、第1から第5のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記焼結工程で得られる前記R−T−B系焼結磁石の含有酸素量を600ppm以下とすることを特徴とする。
第7の発明は、第1から第6のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記成形工程で得られる前記R−T−B系焼結磁石用成形体に鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を噴霧あるいは滴下することを特徴とする。
第8の発明は、第1から第7のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記回収室には、前記処理容器を上下反転させる反転手段を有し、前記処理容器は、上面に開口部を有し、前記処理容器内の前記R−T−B系焼結磁石用原料合金の排出を、前記反転手段による上下反転動作によって行うことを特徴とする。
第9の発明は、第8に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記反転手段による上下反転動作を行った後に、前記開口部を下方に向けた状態で前記反転手段によって揺動動作を行うことを特徴とする。
第10の発明は、第8又は第9に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記処理容器の前記開口部を覆う蓋体を有し、前記真空排気手段による減圧動作時には前記蓋体によって前記開口部を覆い、前記真空排気手段によって前記回収室内を減圧した後で、前記反転手段による上下反転動作を行う前に、前記蓋体を前記開口部から取り外すことを特徴とする。
第11の発明は、第10に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記処理容器の前記開口部を前記蓋体で覆った状態で、前記水素吸蔵工程、前記加熱工程、及び前記冷却工程を行うことを特徴とする。
第12の発明は、第1から第11のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記処理容器からの前記R−T−B系焼結磁石用原料合金の排出を、前記回収室内が1000Paから1Paの減圧下で行うことを特徴とする。
第13の発明は、第1から第12のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法において、前記回収容器内の空気を、酸素濃度を20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換し、前記回収室内の前記所定圧力を前記回収容器内の圧力と同圧とすることを特徴とする。
本発明のR−T−B系焼結磁石の製造方法によれば、処理容器内のR−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉を回収室内に排出する際には、回収室内を減圧しているので、粗粉砕粉が回収室内で舞うことなく落下するため、回収室内壁面に付着することがない。従って、回収室内壁面に付着した粗粉砕粉が、処理容器の搬出などで回収室内を外気に開放した際に酸化されて、次回の水素粉砕処理における粗粉砕粉に混入することを少なくでき、連続操業においても安定して低酸素の粗粉砕粉を量産することができ、含有酸素量が著しく低減されることにより、R−T−B系焼結磁石の磁石特性を向上させることができる。また、排出口から回収容器に排出するときには、回収室内を不活性ガスにて所定圧力にしているのでスムーズな排出を行うことができる。従って、大掛かりな装置を必要としない。また、本発明のR−T−B系焼結磁石の製造方法によれば、粗粉砕粉の歩留まりを大幅に向上することができる。
また、本発明のR−T−B系焼結磁石の製造方法によれば、混合工程における粉砕助剤の添加を、冷却工程後の回収工程での合金収容工程において行うことで、粉砕助剤の添加時における酸化を防止してR−T−B系焼結磁石の磁石特性を向上させることができる。
本発明の一実施例によるR−T−B系焼結磁石の製造工程を示す概略構成図 同実施例における回収室(R−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉の回収装置)の要部正面図 同回収室の要部側面図 図3の要部拡大図 同回収室の要部上面図 同回収室の出口に設けるバルブの動作を示す構成図 図1で示す混合工程Bにおける粗粉砕粉への粉砕助剤の添加動作を示す説明図 図1で示す成形工程Dに用いる磁場成形装置の概念図
10 水素吸蔵室
20 加熱室
30 冷却室
40 回収室
41 遮断扉
42 不活性ガス導入手段
43 真空排気手段
44 反転手段
45 コンベア手段
49 バルブ
50 処理容器
60 回収容器
61 開閉バルブ
62 バケット
70 混合装置
80 ジェットミル装置
81 原料投入機
81a 原料タンク
81e 接続部
84 回収タンク
本発明の第1の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法は、粗粉砕工程が、処理容器に収容されたR−T−B系焼結磁石用原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、水素吸蔵により粉砕された粗粉砕粉を加熱して脱水素する加熱工程と、加熱された粗粉砕粉を冷却する冷却工程と、冷却された粗粉砕粉を回収容器に回収する回収工程からなり、回収工程が、少なくとも冷却工程を行う処理室に連接する回収室にて行なわれ、回収室には、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、回収室内のガスを排出する真空排気手段と、処理容器を処理室から回収室内へ搬入するための搬入口と、回収室の下部に配置される排出口と、排出口に接続された回収容器とを有し、回収工程では、不活性ガス導入手段によって回収室内に不活性ガスを導入した後に、処理容器を処理室から回収室内へ搬入口より搬入する搬入工程と、真空排気手段によって回収室内を減圧した後に、処理容器内の粗粉砕粉を回収室内に排出する排出工程と、粗粉砕粉を回収室内に排出した後に、不活性ガス導入手段によって回収室内に不活性ガスを導入するガス導入工程と、回収室内を不活性ガスにて所定圧力とした後に、排出口から粗粉砕粉を回収容器に回収する合金収容工程とを有し、混合工程における粉砕助剤の添加を、冷却工程後の回収工程での合金収容工程において行うものである。本実施の形態によれば、処理容器内の粗粉砕粉を回収室内に排出する際には、回収室内を減圧しているので、粗粉砕粉が回収室内で舞うことなく落下するため、回収室内壁面に付着することがない。このように、回収室内壁面に付着した粗粉砕粉が、処理容器の搬出などで回収室内を外気に開放した際に酸化されて、次回の水素粉砕処理における粗粉砕粉に混入することを少なくでき、連続操業においても安定して低酸化状態の粗粉砕粉を量産することができ、R−T−B系焼結磁石の磁石特性を向上させることができる。また、排出口から回収容器に排出するときには、回収室内を不活性ガスにて所定圧力にしているのでスムーズな排出を行うことができる。従って、大掛かりな装置を必要としない。また、混合工程における粉砕助剤の添加を、冷却工程後の回収工程での合金収容工程において行うことで、粉砕助剤の添加時における酸化を防止してR−T−B系焼結磁石の磁石特性を向上させることができる。
本発明の第2の実施の形態は、第1の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、混合工程における粗粉砕粉と粉砕助剤との混合を、回収容器を回転させることで行うものである。本実施の形態によれば、回収容器のまま回転させることで、粗粉砕粉が混合工程において酸化されることがない。
本発明の第3の実施の形態は、第2の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、混合工程で回転させた回収容器をジェットミル装置の原料タンクに接続することで、ジェットミル装置に粗粉砕粉を供給するものである。本実施の形態によれば、回収容器をジェットミル装置の原料タンクに接続して粗粉砕粉を供給するために、粗粉砕粉を大気中で回収容器から原料タンクに移す場合と比較して粗粉砕粉が酸化されることが少ない。
本発明の第4の実施の形態は、第3の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、回収容器の開閉バルブと原料タンクの開閉バルブとの間の接続部に不活性ガスを導入して接続部内の酸素濃度を20ppm以下にした後に、回収容器の開閉バルブと原料タンクの開閉バルブを開けて回収容器内の粗粉砕粉を原料タンクに供給するものである。本実施の形態によれば、接続部に残留する酸素による酸化も防止することができる。
本発明の第5の実施の形態は、第1から第4の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、ジェットミル装置では、粗粉砕粉の微粉砕を、酸素濃度が20ppm以下の不活性ガス中で行うものである。本実施の形態によれば、ジェットミル装置での微粉砕時の酸化を防止することができる。
本発明の第6の実施の形態は、第1から第5の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、焼結工程で得られるR−T−B系焼結磁石の含有酸素量を600ppm以下とするものである。本実施の形態によれば、R−T−B系焼結磁石用成形体中の溶媒を除去した後に焼結したR−T−B系焼結磁石の含有酸素量を低減することで、磁石特性の向上を図ることができる。
本発明の第7の実施の形態は、第1から第6の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、成形工程で得られるR−T−B系焼結磁石用成形体に鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を噴霧あるいは滴下するものである。本実施の形態によれば、R−T−B系焼結磁石用成形体の酸化を低減することで、磁石特性の向上を図ることができる。
本発明の第8の実施の形態は、第1から第7の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、回収室には、処理容器を上下反転させる反転手段を有し、処理容器は、上面に開口部を有し、処理容器内の粗粉砕粉の排出を、反転手段による上下反転動作によって行うものである。本実施の形態によれば、処理容器の下部を開放して粗粉砕粉を落下させる場合に比較して、開口部周辺や蓋体周辺に粗粉砕粉が残留することが少なく、更に減圧した状態なので、反転動作による気流の発生による粗粉砕粉の舞い上がりの影響も生じない。
本発明の第9の実施の形態は、第8の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、反転手段による上下反転動作を行った後に、開口部を下方に向けた状態で反転手段によって揺動動作を行うものである。本実施の形態によれば、処理容器に残存する少量の粗粉砕粉も完全に落下せしめることができる。
本発明の第10の実施の形態は、第8又は第9の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、処理容器の開口部を覆う蓋体を有し、真空排気手段による減圧動作時には蓋体によって開口部を覆い、真空排気手段によって回収室内を減圧した後で、反転手段による上下反転動作を行う前に、蓋体を開口部から取り外すものである。本実施の形態によれば、減圧動作時に粗粉砕粉をガスとともに排出してしまうことを防止でき、蓋体の開放時の気流の発生による粗粉砕粉の舞い上がりも生じることがない。
本発明の第11の実施の形態は、第10の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、処理容器の開口部を蓋体で覆った状態で、水素吸蔵工程、加熱工程、及び冷却工程を行うものである。本実施の形態によれば、蓋体で覆った状態で、水素吸蔵工程、加熱工程、及び冷却工程での各処理を行うことができ、更に回収室における減圧時にはガスとともに粗粉砕粉を排出してしまうことがない。
本発明の第12の実施の形態は、第1から第11の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、処理容器からの粗粉砕粉の排出を、回収室内が1000Paから1Paの減圧下で行うものである。本実施の形態によれば、回収室内での気流の発生を無くすことができ、粗粉砕粉が舞うことによる回収室内壁面などへの付着を防止できる。
本発明の第13の実施の形態は、第1から第12の実施の形態によるR−T−B系焼結磁石の製造方法において、回収容器内の空気を、酸素濃度を20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換し、回収室内の所定圧力を回収容器内の圧力と同圧とするものである。本実施の形態によれば、回収容器内での酸化を防止できるとともに、回収室から回収容器への粗粉砕粉の排出を容易に行うことができる。
以下本発明の一実施例によるR−T−B系焼結磁石の製造方法について説明する。
図1は本実施例によるR−T−B系焼結磁石の製造工程を示す概略構成図である。
図1に示すように、本実施例によるR−T−B系焼結磁石の製造工程は、粗粉砕工程Aと、混合工程Bと、微粉砕工程Cと、成形工程Dと、焼結工程Eを有する。
粗粉砕工程Aでは、R−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉を得るために、水素粉砕装置を用いる。
本実施例による水素粉砕装置は、R−T−B系焼結磁石用原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵室10と、水素吸蔵により水素粉砕されたR−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉を加熱により脱水素する加熱室20と、加熱された粗粉砕粉を冷却する冷却室30と、冷却された粗粉砕粉を回収容器60に回収する回収室40とを備えている。
水素吸蔵室10は、搬入口には遮断扉11を、加熱室20への搬出口には遮断扉21を有して、室内の密封を保てるように構成されている。水素吸蔵室10は、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段12と、室内のガスを排出する真空排気手段13と、水素ガスを導入する水素導入手段14と、処理容器50を搬送するコンベア手段15を備えている。
加熱室20は、水素吸蔵室10からの搬入口には遮断扉21を、冷却室30への搬出口には遮断扉31を有して、室内の密封を保てるように構成されている。加熱室20は、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段22と、室内のガスを排出する真空排気手段23と、室内を加熱する加熱手段24と、処理容器50を搬送するコンベア手段25を備えている。
冷却室30は、加熱室20からの搬入口には遮断扉31を、回収室40への搬出口には遮断扉41を有して室内の密封を保てるように構成されている。冷却室30は、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段32と、室内のガスを排出する真空排気手段33と、室内を冷却する冷却手段34と、処理容器50を搬送するコンベア手段35を備えている。
回収室40は、冷却室30からの搬入口には遮断扉41を、炉外への搬出口には遮断扉2を有して、室内の密封を保てるように構成されている。回収室40は、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段42と、室内のガスを排出する真空排気手段43と、処理容器50を上下反転させる反転手段44と、処理容器50を搬送するコンベア手段45を備えている。また、回収室40の下部にはバルブ49を有しており、バルブ49を介して回収容器60が接続されている。なお、回収容器60には容器を密封するための開閉バルブ61が設けられている。
処理容器50は、R−T−B系焼結磁石用原料合金を収納した状態で、水素吸蔵室10、加熱室20、冷却室30、及び回収室40に移送される。
なお、本発明においては、上記のように、水素吸蔵室、加熱室、冷却室がそれぞれ独立したいわゆる連続炉タイプの水素粉砕装置以外に、水素吸蔵工程、加熱工程、冷却工程を一室で行なういわゆるバッチ炉(独立炉)タイプの水素粉砕装置を用いることができる。また、水素吸蔵室兼加熱室と冷却室、水素吸蔵室と加熱室兼冷却室などの構成や、処理能力を向上させるために加熱室、冷却室を複数設け、水素吸蔵室、第一加熱室、第二加熱室、第一冷却室、第二冷却室とした構成の水素粉砕装置を用いることもできる。さらに、水素吸蔵室の前に準備室や予備室が設置された構成の水素粉砕装置でも構わない。すなわち、回収室以外の部分については、公知の水素粉砕装置を全て採用することができる。
本装置で処理対象とされるR−T−B系焼結磁石用原料合金は、望ましくはR−Fe(Co)−B−M系である。
Rは、Nd、Pr、Dy、Tbのうち少なくとも一種から選択される。ただし、Rは、Nd又はPrのいずれか一方を必ず含むことが望ましい。更に好ましくは、Nd−Dy、Nd−Tb、Nd−Pr−Dy、又はNd−Pr−Tbで示される希土類元素の組合せを用いる。
Rのうち、DyやTbは、特に保磁力HcJの向上に効果を発揮する。上記元素以外に少量のCeやLaなど他の希土類元素を含有してもよく、ミッシュメタルやジジムを用いることもできる。また、Rは純元素でなくてもよく、工業上入手可能な範囲で、製造上不可避な不純物を含有するものでも差し支えない。含有量は、従来から知られる含有量を採用することができ、例えば、25質量%以上35質量%以下が好ましい範囲である。25質量%未満では高磁石特性、特に高保磁力が得られず、35質量%を超えると残留磁束密度Bが低下するためである。
Tは、Feを必ず含み、その50%以下をCoで置換することができる。Coは温度特性の向上、耐食性の向上に有効であり、通常は10質量%以下のCo及び残部Feの組合せで用いる。Tの含有量は、RとBあるいはRとBとMとの残部を占める。
Bの含有量についても公知の含有量で差し支えなく、例えば、0.9質量%〜1.2質量%が好ましい範囲である。0.9質量%未満では高保磁力が得られず、1.2質量%を超えると残留磁束密度Bが低下するため好ましくない。なお、Bの一部はCで置換することができる。C置換は磁石の耐食性を向上させることができ有効である。B+Cとした場合の含有量は、Cの置換原子数をBの原子数で換算し、上記のB濃度の範囲内に設定されることが好ましい。
上記元素に加え、保磁力HcJ向上のためにM元素を添加することができる。M元素は、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、Ta、Wのうち少なくとも一種である。添加量は2質量%以下が好ましい。5質量%を超えると残留磁束密度Bが低下するためである。
また、不可避的不純物も許容することができる。例えば、Feから混入するMn、Crや、Fe−B(フェロボロン)から混入するAl、Si、Cuなどである。
本装置に搬入されるR−T−B系焼結磁石用原料合金は溶解法により製造される。最終的に必要な組成となるように事前に調整した金属を溶解し、鋳型にいれるインゴット鋳造法や、溶湯を単ロール、双ロール、回転ディスク、又は回転円筒鋳型等に接触させて急冷し、インゴット法で作られた合金よりも薄い凝固合金を作製するストリップキャスト法や遠心鋳造法に代表される急冷法により製造される。本実施例によるR−T−B系焼結磁石用原料合金は、インゴット法、急冷法どちらの方法により製造された材料にも適用できるが、急冷法により製造されるものがより望ましい。
急冷法によって作製したR−T−B系焼結磁石用原料合金(急冷合金)の厚さは0.03mm以上10mm以下の範囲にあり、フレーク形状である。合金溶湯は冷却ロールの接触した面(ロール接触面)から凝固し始め、ロール接触面から厚さ方向に結晶が柱状に成長してゆく。急冷合金は、従来のインゴット鋳造法(金型鋳造法)によって作製された合金(インゴット合金)に比較して、短時間に冷却されているため、組織が微細化され、結晶粒径が小さい。また粒界の面積が広く、Rリッチ相は粒界内に大きく広がっているため、Rリッチ相の分散性に優れる。このため水素粉砕法により粒界で破断し易い。急冷合金を水素粉砕することで、粗粉砕粉の平均サイズを例えば1.0mm以下とすることができる。
本実施例による水素粉砕装置は、水素吸蔵室10、加熱室20、冷却室30、及び回収室40がそれぞれ1室連接した構成を示しているが、生産性の理由から、特に加熱室20や冷却室30を複数設ける場合もある。
処理容器50は、上面に開口部を有し、この開口部には蓋体51が設けられる。ここで、蓋体51は開口部を密閉するものではなく開口部との間に水素ガスや不活性ガスなどが出入りできる隙間を有している。つまり、処理容器50の開口部を蓋体51で覆った状態になっている。処理容器50は、耐熱性があり加工も比較的簡単なステンレスが適している。容積や板厚は一回に処理する量や、水素粉砕装置の寸法に合わせて適宜決定すればよい。処理容器50は、上部が開放されていれば、形状にはこだわらないが、一般的には箱型としている。水素吸蔵、加熱、冷却の効率を向上させるため、一つの台座に複数の箱型容器を一定の間隔をもって配置することも好ましい構成の一つである。ちなみに、本実施例においては、一つの台座に箱型容器を4列×2列で所定の間隔を開けて配置した処理容器を用いている。また、処理容器50には、内部を貫通するパイプを備えていることが望ましい。原料合金は処理容器50に投入されて堆積しているため、処理容器50内部は加熱や冷却による温度変化が遅くなり、脱水素や脱水素後の冷却が十分ではなく、最終的に得られる磁石の磁石特性がばらつく原因となるため、内部を貫通するパイプの内部に加熱や冷却用の不活性ガスを通過させることで、処理容器50表面の原料合金と内部の原料合金の温度変化に差が少なくなり、品質が安定する。パイプは、直径が異なるものを組合せたり、配置場所や配置間隔を選定することで、さらに原料合金の温度変化を改善することができる。
処理容器50は、開口部を蓋体51で覆った状態で、水素吸蔵室10、加熱室20、及び冷却室30に移送される。
以下に本実施例による水素粉砕装置の動作について図1を用いて説明する。
水素吸蔵室10に搬入される処理容器50には、例えば急冷法によって製造されたフレーク状のR−T−B系焼結磁石用原料合金が収納されている。
水素吸蔵室10の遮断扉11を開放して水素吸蔵室10内に処理容器50を搬入する。搬入後に遮断扉11を閉塞し、真空排気手段13を動作させて水素吸蔵室10内を真空引きする。
水素吸蔵室10内を真空排気し、真空排気手段13の動作を終了した後に、水素導入手段14を動作させて水素吸蔵室10内に水素ガスを導入する。水素ガスの導入により水素吸蔵室10内を0.1〜0.18MPaの圧力とし、処理容器50内のR−T−B系焼結磁石用原料合金に水素を吸蔵させ、水素吸蔵工程を行う。
所定時間経過後(水素吸蔵終了後)に、水素導入手段14の動作を終了させて水素ガスの導入を停止し、水素吸蔵室10内の水素ガスを真空排気手段13を動作させることによって真空排気する。これによって水素吸蔵工程は終了し、次の加熱工程へ移る。このとき、R−T−B系焼結磁石用原料合金は水素を吸蔵して脆化し粉砕され、粗粉砕粉となっている。
なお、水素を吸蔵する水素化反応は発熱反応であるため、水素の吸蔵に伴って原料合金の温度が上昇する。通常は、この発熱反応が終了し原料合金の温度が低下して安定した段階で水素吸蔵が終了したものとみなし次の加熱工程に移る。しかし、温度が低下して安定するまでには長時間を要し、また、温度が低下した原料合金を加熱室に移すと、加熱室の温度が低下し、所定温度に到達するまで時間を要することとなる。
そこで、水素吸蔵室を加熱できるように構成しておき、水素吸蔵時の発熱反応による原料合金の温度上昇を利用して、その温度を低下させずに、高温保持状態で水素吸蔵を行なう方法を採用することは好ましい手段の一つである。高温保持状態で水素吸蔵を行なうことにより、主として粒界のRリッチ相で水素吸蔵を行うため、原料合金の脆化を十分に進行させながら、水素吸蔵工程の時間短縮、導入水素量を低減することができる。また、高温保持状態を維持しながら続く加熱工程へ移ると、加熱室の温度低下を防止することもできるので、加熱室における加熱工程の時間短縮、加熱に要する電力消費を低減することができる。
次に、加熱工程に移るに際して、処理容器50は、水素吸蔵室10から加熱室20に移送されるが、移送にあたって加熱室20内は真空排気手段23によってあらかじめ真空排気されている。
遮断扉21を開放し、処理容器50は、コンベア手段15及びコンベア手段25の駆動により、水素吸蔵室10から加熱室20に搬入される。搬入後に遮断扉21を閉塞し、加熱室20内を真空排気手段23によって更に真空引きするとともに加熱手段24によって加熱する。加熱室20内は、加熱手段24によって500〜600℃の温度に維持され、真空排気手段23によって1Pa程度の圧力に維持される。これによって粗粉砕粉の脱水素が行われる。粗粉砕粉の加熱工程においては、上記のように加熱室20内を真空排気するが、真空排気と同時に不活性ガス(例えばアルゴンガス)を導入して、所定の圧力で流気状態にすることによって、原料合金の昇温速度を速くすることができ、加熱工程に要する時間短縮をはかることもできる。
粗粉砕粉の脱水素が十分に行われた後に、加熱室20内は不活性ガス導入手段22を動作させることによって不活性ガスが導入され、冷却室30内の雰囲気に近づけた後、不活性ガス導入手段22の動作を終了させる。不活性ガスとしてはアルゴンガスが好ましい。
遮断扉31を開放し、加熱室20内にある処理容器50は、コンベア手段25及びコンベア手段35の駆動により、加熱室20から冷却室30に搬入され冷却工程を行う。搬入後に遮断扉31を閉塞し、冷却室30内を冷却手段34によって冷却する。
冷却は、ファンによる冷却又は冷却室内の冷却水循環による冷却あるいはそれらを併用することによって行なう。
この冷却工程の後に、回収工程を行う。
遮断扉41を開放し、冷却室30内にある処理容器50は、コンベア手段35及びコンベア手段45の駆動により、冷却室30から回収室40に搬入される。回収室40への搬入にあたって、回収室40内は不活性ガス導入手段42を動作させることによって不活性ガス(アルゴンガス)が導入され、冷却室30内の雰囲気に近づけた後、不活性ガス導入手段42の動作を終了させる。
回収工程における搬入工程は、不活性ガス導入手段42の動作の終了後に行われる。
回収室40内に処理容器50が搬入されると、遮断扉41を閉塞し、回収室40内は、真空排気手段43を動作させることによって真空排気される。回収室40内が真空排気され、1000Paから1Pa、好ましくは5Pa〜1Paの圧力にした状態で、蓋体51を取り外して反転手段44を動作させ、処理容器50内の粗粉砕粉を回収室40内底部に落下させて排出する。なお、反転手段44は、処理容器50内の粗粉砕粉を回収室40内に排出する手段として好ましい手段であるが、本発明の回収方法における主たる特徴は、処理容器50内の粗粉砕粉を回収室40内に排出する際に回収室40内を減圧していることにある。従って、回収室40内が減圧されていれば、反転手段44以外の排出手段を用いても構わない。
回収工程における排出工程は、回収室40内を減圧した後に行われる。
上記において、回収室40内の圧力は、1000Paから1Pa、好ましくは5Pa〜1Paとした理由は次の通りである。
回収室40内は、回収工程終了後、空になった処理容器50を遮断扉2から取り出した後、遮断扉2を閉じて真空排気され、冷却室から次の処理容器50が来るまで真空排気が継続されており、次の処理容器50が搬入される直前で冷却室の雰囲気に近づけるために不活性ガス(アルゴンガス)により復圧されるため、回収室40内の酸素量は十分低減されており(例えば20ppm以下)、粗粉砕粉の酸化防止の観点ではほとんど酸素量を考慮する必要はない。従って、1000Paから1Paという圧力は、粗粉砕粉が回収室内で舞わないという条件を規定したものである。一方、水素粉砕装置のサイクルスピードが速かったり、回収室40内の点検や整備などで、冷却室から次の処理容器50が来るまでに十分な真空排気ができていなかった場合などは、回収室40内の酸素量を十分に低減させ、好ましくは酸素量が20ppm以下とするために、回収室40内の圧力を5Pa〜1Paにすることが好ましい。すなわち、5Pa〜1Paという圧力は、回収室40内の酸素量を20ppm以下するための条件を規定したものである。当然ながら、5Paは1000Paよりも高真空であるため、粗粉砕粉が回収室内で舞うことはない。このように、回収室40内の圧力は、通常は1000Pa以下で十分であり、5Pa以下であればより好ましい。
本発明は粗粉砕粉の酸化や粗粉砕粉の回収室40内での舞いを防ぐ意味では1Pa以下の真空度は必ずしも必要ではないが、たとえ1Pa以下であっても本発明を実施できる。
回収室40内に粗粉砕粉を落下させた後に、回収工程におけるガス導入工程が行われる。
再び不活性ガス導入手段42を動作させることによって回収室40内に不活性ガス(アルゴンガス)を導入して所定圧力とした後、不活性ガス導入手段42の動作を終了する。なお、回収容器60は、回収容器60内の空気を酸素濃度が20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換している。また、回収室40内への不活性ガス(アルゴンガス)の導入により、回収室40内の所定圧力は、回収容器60内の圧力と同圧としている。この状態で、バルブ49及び開閉バルブ61を開放して回収容器60内に粗粉砕粉を回収することで、回収工程における合金収容工程が行われる。
回収容器60への粗粉砕粉の回収が終了すると、バルブ49及び開閉バルブ61をそれぞれ閉塞し、回収容器60を回収室40から離脱させる。その後遮断扉2を開放して処理容器50を回収室40外へ移送する。
回収工程は、水素吸蔵工程、加熱工程、冷却工程を行う一つあるいは複数の処理室に連接する回収室40にて行なわれる。そして、回収室40は、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段42と、回収室40内のガスを排出する真空排気手段43と、処理容器50を処理室から回収室40内へ搬入するための搬入口と、回収室40の下部に配置される排出口40aとを有する。そして、不活性ガス導入手段42によって回収室40内に不活性ガスを導入した後に、処理容器50を処理室から回収室40内へ搬入口より搬入し、真空排気手段43によって回収室40内を減圧した後に、処理容器50内の粗粉砕粉を回収室40内に排出し、粗粉砕粉を回収室40内に排出した後に、不活性ガス導入手段42によって回収室40内に不活性ガスを導入し、回収室40内を不活性ガスにて所定圧力とした後に、排出口40aから粗粉砕粉を回収容器60に回収する。従って、処理容器50内の粗粉砕粉を回収室40内に排出する際には、回収室40内を減圧しているので、粗粉砕粉が回収室40内で舞うことなく落下するため、回収室40内壁面に付着することがない。このように、回収室40内壁面に付着した粗粉砕粉が、処理容器50の搬出などで回収室40内を外気に開放した際に酸化されて、次回の水素粉砕処理における粗粉砕粉に混入することを少なくでき、連続操業においても安定して低酸素の粗粉砕粉を量産することができ、R−T−B系焼結磁石の磁石特性を向上させることができる。また、排出口40aから回収容器60に排出するときには、回収室40内を不活性ガスにて所定圧力にしているのでスムーズな排出を行うことができる。従って、大掛かりな装置を必要としない。
また本実施例では、回収室40には、処理容器50を上下反転させる反転手段44を有し、処理容器50は、上面に開口部を有し、処理容器50内の粗粉砕粉の排出を、反転手段44による上下反転動作によって行う。従って、処理容器50の下部を開放して粗粉砕粉を落下させる場合に比較して、開口部周辺や蓋体51周辺に粗粉砕粉が残留することが少なく、更に減圧した状態なので、反転動作による気流の発生による粗粉砕粉の舞い上がりの影響も生じない。
また本実施例では、処理容器50の開口部を覆う蓋体51を有し、真空排気手段43による減圧動作時には蓋体51によって開口部を覆い、真空排気手段43によって回収室40内を減圧した後で、反転手段44による上下反転動作を行う前に、蓋体51を開口部から取り外す。従って、減圧動作時に粗粉砕粉をガスとともに排出してしまうことを防止でき、蓋体51の解放時の気流の発生による粗粉砕粉の舞い上がりも生じることがない。
また本実施例では、処理容器50の開口部を蓋体51で覆った状態で、水素吸蔵室10による水素吸蔵工程、加熱室20による加熱工程、及び冷却室30による冷却工程を行うことができ、更に回収室40における減圧時にはガスとともに粗粉砕粉を排出してしまうことがない。
また本実施例では、処理容器50からのR−T−B系焼結磁石用原料合金の排出を、回収室40内が1000Paから1Paの減圧下で行うことで、回収室40内での気流の発生を無くすことができ、粗粉砕粉が舞うことによる回収室40内壁面などへの付着を防止できる。
また本実施例では、回収容器60内の空気を、酸素濃度を20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換し、回収室40内の所定圧力を回収容器60内の圧力と同圧とすることで、回収容器60内での酸化を防止できるとともに、回収室40から回収容器60への粗粉砕粉の排出を容易に行うことができる。
以上説明した粗粉砕工程Aでは、得られる粗粉砕粉の含有酸素量を600ppm以下とすることができる。
混合工程Bでは、粗粉砕粉に粉砕助剤を添加し、粗粉砕粉と粉砕助剤を混合する。
混合工程Bにおける粗粉砕粉への粉砕助剤の添加は、冷却工程後の回収工程での合金収容工程において行う。
粗粉砕粉に粉砕助剤を添加することで、ジェットミルによる微粉砕工程Cにおける、酸素濃度を下げた不活性ガス中での粉砕で、ジェットミル粉砕室内壁への微粉砕粉の付着(焼き付き)を防止することができる。従って、微粉砕粉のジェットミル粉砕室内壁への付着による粉砕性の低下を防止でき、連続粉砕が可能である。
粉砕助剤には、炭化水素系潤滑剤、脂肪酸、又は脂肪酸の誘導体の少なくともいずれかを含み、液状物であってもよいが、粒状物であることが好ましい。
炭化水素系潤滑剤としては、例えば流動パラフィン、天然パラフィン、マイクロクリスタリンワックス、ポリエチレンワックス、合成パラフィン、塩素化ナフタリン等が有効であり、鉱物油、合成油、又は植物油のうちのいずれかの油中、又は二種以上の混合油中に溶解するものを使用する。
脂肪酸及び/又は脂肪酸の誘導体としては、例えばステアリン酸亜鉛等に代表される金属石鹸が有効である。
油に溶解する炭化水素系潤滑剤は、粗粉砕粉に対して、0.01〜0.20wt%であることが好ましい。添加量が0.01wt%未満では付着(焼き付き)抑制効果が十分でなく、添加量が0.20wt%を超えるとR−T−B系焼結磁石の含有炭素量が高くなり易い。炭化水素系潤滑剤が上記鉱物油、合成油又は植物油中に溶解する性質を有したものであり、その後の油分の除去過程で、炭化水素系潤滑剤の相当量が除去されるため、ジェットミルの連続微粉砕性を重視して炭化水素系潤滑剤を0.1wt%を超え、例えば0.11〜0.20wt%の範囲で添加しても、最終的にR−T−B系焼結磁石に残留する炭素量を重量百部率で0.10%以下とできるので実用上問題はない。
脂肪酸及び/又は脂肪酸の誘導体は、粗粉砕粉に対して、0.01〜0.10wt%であることが好ましい。
粗粉砕粉と粉砕助剤の混合は、図1に示す混合装置70を用いて行う。
回収工程での合金収容工程後に、開閉バルブ61を閉塞して、回収容器60を回収室40から混合装置70に搬送する。
混合装置70は、回収容器60を保持するクランプ部71と、クランプ部71に連結した回転軸72と、この回転軸を回転させる電動機73とを備えている。
そして、電動機73の駆動により、回収容器60を回転させることで、粗粉砕粉と粉砕助剤との混合を行う。
このように、回収容器60を回転させて粉砕粉と粉砕助剤との混合を行うことで、粗粉砕粉が混合工程Bにおいて酸化されることがなく、効率よく均一な添加分散を行うことができる。
微粉砕工程Cでは、混合工程Bで粉砕助剤を混合した粗粉砕粉を、ジェットミル装置80に供給して不活性ガス中で微粉砕する。
以下にジェットミル装置80について簡単に説明する。
ジェットミル装置80は、粗粉砕粉を供給する原料投入機81と、原料投入機81から投入された粗粉砕粉を粉砕する粉砕機82と、粉砕機82で粉砕して得られる粉砕粉を分級するサイクロン分級機83と、サイクロン分級機83によって分級された所定の粒度分布を有する微粉砕粉を集める回収タンク84とを備えている。
原料投入機81は、粗粉砕粉を収容する原料タンク81aと、原料タンク81aからの粗粉砕粉の供給量をコントロールするモータ81bと、モータ81bに接続されたスパイラル状の供給機(スクリューフィーダ)81cとを有している。
粉砕機82は、縦長の略円筒状の粉砕機本体82aを有しており、粉砕機本体82aの下部には、不活性ガス(例えば窒素)を高速で噴出させるノズルを取り付けるための複数のノズル口82bが設けられている。粉砕機本体82aの側部には、粉砕機本体82a内に粗粉砕粉を投入するための原料投入パイプ82cが接続されている。
原料投入パイプ82cには、供給する粗粉砕粉を一旦保持し粉砕機82内部の圧力を閉じ込めるためのバルブ82dが設けられており、バルブ82dは、一対の上バルブと下バルブとを有している。供給機81cと原料投入パイプ82cとはフレキシブルパイプ82eによって連結されている。
粉砕機82は、粉砕機本体82aの内部上方に設けられた分級ロータ82fと、粉砕機本体82aの外部上方に設けられモータ82gと、粉砕機本体82aの上方に設けられた接続パイプ82hとを有している。モータ82gは分級ロータ82fを駆動し、接続パイプ82hは分級ロータ82fで分級された粉砕粉を粉砕機82の外部に排出する。
サイクロン分級機83は、分級機本体83aを有し、分級機本体83aの内部には、排気パイプ83bが上方から挿入されている。分級機本体83aの側部には、分級ロータ82fで分級された微粉砕粉を導入する導入口83cが設けられ、導入口83cはフレキシブルパイプ83dによって接続パイプ82hと接続されている。分級機本体83aの下部には取出口83eが設けられ、この取出口83eに回収タンク84が接続されている。
混合工程Bで粉砕助剤を混合した粗粉砕粉は、回収容器60内に封入されたまま、ジェットミル装置80に供給される。
混合装置70から取り外された回収容器60は、開閉バルブ61を閉塞したまま、原料投入機81の原料タンク81aに接続される。原料タンク81aの上部には、開閉バルブ81dを介して接続部81eが設けられており、回収容器60は接続部81eの端部に接続される。開閉バルブ81dとしては、バタフライバルブなどの気密性の高い弁を用いることが好ましい。
以下にジェットミル装置80の動作について説明する。
まず、ジェットミル装置80の内部を、酸素濃度が20ppm以下の不活性ガス雰囲気とする。そして、回収容器60の開閉バルブ61と原料タンク81aの開閉バルブ81dとの間の接続部81eに不活性ガスを導入して接続部81e内の酸素濃度を20ppm以下にし、その後に回収容器60の開閉バルブ61と原料タンク81aの開閉バルブ81dを開けて回収容器60内の粗粉砕粉を原料タンク81aに供給する。
原料タンク81aに供給された粗粉砕粉は、供給機81cによって粉砕機82に供給される。供給機81cから供給される粗粉砕粉は、バルブ82dにおいて一旦堰き止められる。ここでバルブ82dを構成する一対の上バルブと下バルブは、交互に開閉する。すなわち、上バルブが開のとき下バルブは閉となり、上バルブが閉のとき下バルブは開となる。このように一対のバルブを交互に開閉することによって、粉砕機82内の圧力が原料投入機81側に漏れることがない。粗粉砕粉は、上バルブが開のときに上バルブと下バルブとの間に供給され、下バルブが開のときに、原料投入パイプ82cに導かれて粉砕機82内に導入される。
粉砕機82内に導入された粗粉砕粉は、ノズル口82dからの不活性ガスの高速噴射によって粉砕機82内に巻き上げられ、高速気流とともに旋回する。そして、粗粉砕粉同士の衝突によって細かく粉砕される。
粉砕機82内で微粉砕された粉砕粉は上昇気流に乗って分級ロータ82fに導かれて分級され、粗粉砕粉は再度粉砕機82内で粉砕される。一方、所定粒径以下に粉砕された微粉砕粉は、接続パイプ82h、フレキシブルパイプ83dを経由して導入口83cから分級機本体83a内に導入される。分級機本体83aでは、所定粒径以上の微粉砕粉を回収タンク84に堆積し、所定粒径以下の超微粉砕粉は不活性ガスとともに排気パイプ83bから外部に排出する。排気パイプ83bを通じて超微粉砕粉を除去することで、回収タンク84で捕集する粉末に占める超微粉(粒径:1.0μm以下)の個数比率を10%以下に調節する。このようにしてRリッチな超微粉砕粉を取り除くことで、焼結磁石中の希土類元素Rが酸素との結合に消費される量を少なくし、磁石特性を向上させることができる。
本実施例では、ジェットミル粉砕装置80の後段に接続する分級機としてブローアップ付きのサイクロン分級機83を用いている。このようなサイクロン分級機83によれば、所定粒径以下の超微粉は回収タンク84に捕集されることなく反転上昇し、パイプ83bから装置外へ排出される。
パイプ83bから装置外へ取り除く超微粉砕粉の粒径は、例えば工業調査会の「粉体技術ポケットブック」の第92頁から第96頁に記載されているようなサイクロンの各部パラメータを適切に規定し、不活性ガス流の圧力を調整することによって制御することができる。
本実施例によれば、平均粒径が例えば約4.0μm程度であり、しかも、粒径1.0μm以下の超微粉砕粉の個数が粉砕粉全体の個数の10%以下となる合金粉末を得ることができる。なお、焼結磁石の製造に用いる微粉砕粉の好ましい平均粒径範囲は2μm以上10μm以下である。なおR−T−B系焼結磁石用原料合金としてストリップキャスト合金を用いることで、金属組織が微細であるため、従来のインゴット合金粉末に比較して非常にシャープな粒度分布を得ることができる。
粉砕工程における酸化を抑制するためには、微粉砕を行う際に用いる高速気流ガス(不活性ガス)中の酸素量を数ppmレベルとして限りなくゼロに近づけることが好ましい。
上述のように微粉砕時における雰囲気中に含まれる酸素の濃度を制御することによって、微粉砕後における合金粉末の酸素含有量(重量)を600ppm以下にできる。
なお、本実施例では図1に示す構成を備えたジェットミル粉砕装置80を用いて微粉砕工程を説明したが、本発明はこれに限定されず、他の構成を備えたジェットミル粉砕装置、あるいはその他のタイプの微粉砕装置を用いてもよい。また、超微粉を除去するための分級機として、サイクロン分級機以外に、ファトンゲレン分級機やミクロセパレータなどの遠心分級機を用いてもよい。
ジェットミル粉砕装置80を用いて微粉砕した後の微粉砕粉は、鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒中に回収することでスラリー状の微粉砕粉を得ることができる。スラリー状の微粉砕粉を得る方法として、例えば、ジェットミル粉砕装置80における回収タンク84中に鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒を予め収容し、又は回収タンク84内に溶媒を適宜導入してもよい。また、回収タンク84を分級機本体83aから取り外した後に取出口83eから溶媒を注入してもよい。
このようにスラリー状の微粉砕粉とすることで、微粉砕粉間の相互作用によるブリッジの生成の防止に効果があり、微粉砕粉の表面の改質、特に微粉相互間の摩擦力の低減に有効である。鉱物油又は合成油の常温での動粘度は10cSt以下が好ましい。また、鉱物油又は合成油の分留点は400℃以下が好ましい。また、従来の有機溶媒を用いる場合には成形時に金型かじりが発生しやすいが、この対策として鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を用いることが好ましい。また、R−T−B系焼結磁石用原料合金の微粉砕粉の経時変化も鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を用いることで少なくなる。
スラリー状の微粉砕粉とすることで、微粉砕工程が終了する。
微粉砕工程Cでは、得られるスラリー状の微粉砕粉の含有酸素量を600ppm以下とすることができる。
成形工程Dでは、微粉砕粉を磁界中で湿式成形して、R−T−B系焼結磁石用成形体を得る。
成形方法として、縦磁場成形や横磁場成形などの公知の湿式成形方法を用いることができる。
成形工程Dでは、微粉砕工程Cで得られるスラリー状の微粉砕粉は、加圧装置によって金型キャビティ内に加圧注入され、加圧成形される。この加圧成形時に、微粉砕粉に含まれている鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒の大部分は、フィルタを介して、金型キャビティの外に排出される。このように、加圧成形時に溶媒の大部分は取り除かれるため、成形工程Dを経た微粉砕粉の充填密度は高い値となる。
なお、成形工程後のR−T−B系焼結磁石用成形体を焼結板に載置した後に、R−T−B系焼結磁石用成形体の表面に鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を塗布、噴霧、又は滴下することも有効である。
本来、湿式成形されたR−T−B系焼結磁石用成形体は、その表面に微量の油分が付着しているため、油分が付着している間は成形体表面付近の磁粉の酸化を抑制することができる。しかし、鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種であっても、一定の飽和蒸気圧をもつため、一定時間大気中に保管すると、表面の油分が蒸発し成形体表面の磁粉は酸化する。このため、湿式成形体の表面に、湿式成形に用いる鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を塗布、噴霧、又は滴下することで、湿式成形体表面に油分の被膜をさらに形成し、酸化を抑えることができる。
従って、本実施例のように、R−T−B系焼結磁石用原料合金を、水素粉砕及び微粉砕後、鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種に回収する工程までを酸素に接しない環境で取り扱う、特に酸素含有量600ppm以下のR−T−B系焼結磁石用成形体の酸化を抑えるのに効果的である。
また、鉱物油、合成油又は混合油の塗布、噴霧、又は滴下は、R−T−B系焼結磁石用成形体を焼結板に載置した後に行うことが好ましい。
焼結板上にR−T−B系焼結磁石用成形体を載置した後に、鉱物油、合成油又はこれらの混合油を塗布、噴霧、又は滴下しているので、R−T−B系焼結磁石用成形体と焼結板が接触している部分に鉱物油、合成油又はこれらの混合油が侵入しない、又は浸入しても接触面すべてに浸入するわけではない。従って、R−T−B系焼結磁石用成形体と焼結板との間にすべりが発生せず、すべりが発生することでR−T−B系焼結磁石用成形体が焼結前に成形体の状態で接触しそのまま焼結されることで発生する焼結体の焼きつき、又は成形体同士がぶつかることで発生する成形体の欠けに起因する焼結体の欠けを防止することができる。
以上のように、微粉砕工程において、鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒中に微粉砕粉を回収してスラリー状の微粉砕粉とし、スラリー状の微粉砕粉を用いて加圧成形することで、成形工程Dで得られるR−T−B系焼結磁石用成形体の含有酸素量を600ppm以下とすることができる。
焼結工程Eでは、R−T−B系焼結磁石用成形体中の溶媒を除去した後に焼結して、R−T−B系焼結磁石を得る。
焼結を行う前に、成形工程Dで湿式成形されたR−T−B系焼結磁石用成形体から溶媒の除去(脱油処理)を行う。
脱油処理は、50〜500℃、好ましくは50〜250℃でかつ圧力10-1Torr以下の条件で30分以上保持することで行う。この脱油処理によって、R−T−B系焼結磁石用成形体に残留している溶媒を除去することができる。脱油の加熱保持は、50〜500℃の温度範囲であれば一定の温度を維持する必要はなく、二点以上の温度で処理してもよい。また、10-1Torr以下の圧力条件で室温から500℃までの昇温速度を10℃/分以下、好ましくは5℃/分以下とすることによっても、同様の効果を得ることができる。
脱油処理の後において、R−T−B系焼結磁石用成形体を常温から950〜1150℃の焼結温度まで昇温させて焼結処理を行う。
脱油処理をあらかじめ行っておくことで、R−T−B系焼結磁石用成形体に残留している溶媒が希土類元素と反応して希土類炭化物を生成することを防止することができ、焼結に充分な量の液相を発生させ、充分な密度の焼結体として高い磁石特性を得ることができる。
焼結工程Eでは、得られるR−T−B系焼結磁石の含有酸素量を600ppm以下とすることで、磁石特性の向上を図ることができる。
次に、図1で説明した回収室の更に詳細な構成と動作について説明する。
図2は同水素粉砕装置における回収室(R−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉の回収装置)の要部正面図、図3は同回収室の要部側面図、図4は図3の要部拡大図、図5は同回収室の要部上面図である。
なお、図2から図5においては、遮断扉41、不活性ガス導入手段42、及び真空排気手段43については図示していない。
回収室40は、その下部がロート状になっており、堆積したR−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉をロート状下部の排出口40aから回収容器60(図2から図5では図示せず)に排出できるようになっている。排出口40aには、バルブ49が設けられている。また、回収容器60にもバルブ(図示せず)が設けられている。なお、回収室40の下部にエアーハンマーを設けてもよい。
回収室40には、処理容器50を搬入搬出するコンベア手段45を有している。コンベア手段45は、複数本のローラで構成されている。また、回収室40には後述する反転手段44と、回収室40内の圧力を測定する圧力測定手段を有している。
回収室40内には、コンベア手段45の搬送方向への処理容器50の移動を阻止する移動阻止手段46a、46bを処理容器50の搬送方向の両側に有している。この移動阻止手段46a、46bは、コンベア手段45を構成するローラの間に配置され、ローラによる搬送面から処理容器50側に出没可能に設けられている。移動阻止手段46aは処理容器50の搬送方向の前側に設け、移動阻止手段46bは、処理容器50の搬送方向の後側に設けている。
図4に移動阻止手段46aを示す。移動阻止手段46aは、摺動軸46cとカム板46dを有し、カム板46dは一端が摺動軸46cに軸支され他端が阻止部となり、回転軸46eを回動支点として変位する。従って、摺動軸46cの移動によって、カム板46dは回転軸46eを中心に回動することで、阻止部がコンベア手段45の搬送面に対して出没する。なお、移動阻止手段46bについても同一の構成となっている。移動阻止手段46a、46bの形状、大きさ、個数などは特に問わない。
また、回収室40内には、処理容器50のコンベア手段45からの離脱を阻止する離脱阻止手段47を処理容器50の搬入方向に直交する方向の両側に設けている。離脱阻止手段47は処理容器50の開口部側に設けている。処理容器50の開口部近傍の外周には鍔部52を有している。
離脱阻止手段47は、処理容器50が搬入された状態で鍔部52の上部に位置するように配置している。ここで、例えば離脱阻止手段47は、L字状の断面形状を有するもので構成される。また、本実施例では、処理容器50に設ける鍔部52を処理容器50の開口部近傍の外周に配置しているが、一対の鍔部52の長手方向が搬送方向となるように処理容器50の両側に配置する構成としてもよい。
反転手段44は、コンベア手段45や移動阻止手段46a、46bを保持する基台44aと、基台44aを回動する回転軸44bと、回転軸44bを駆動するモータ44cを有する。
基台44aは、コンベア手段45のローラ軸に垂直な一対の対向する壁部によって構成され、回転軸44bはこの一対の対向する壁部に軸支されている。また、離脱阻止手段47も対向する壁面の対向面に設けている。なお、基台44aを回動する回転軸44bとコンベア手段45を構成する複数本のローラを回転させるための主回転軸は同軸配置されている。
回収室40内の上方には、係合片48aを備えた蓋開閉手段48を有している。この係合片48aは、蓋体51の上面に有する係合片53と係合する。処理容器50が冷却室30から回収室40に搬入される移送動作によって、回収室40内上方の係合片48aが蓋体51上面の係合片53と係合し、係合片48aを上方へ移動させることで蓋体51を開口部から取り外すことができる。
ここで、例えば係合片48aと係合片53は、一方の係合片がT字状の断面形状をなし、他方の係合片が略C字状の断面形状を有するもので構成される。本実施例では、係合片53が略C字状の断面形状を有するものであり、係合片48aが逆T字状の断面形状を有するものであり、係合片48a及び係合片53は、一方向に延びるレール状部材で形成される。なお本実施例では、断面が逆L字の一対の部材によってスリットを形成することで略C字状と称している。
本実施例では、回収室40内の上方には蓋開閉手段48を有し、処理容器50が冷却室30から回収室40に搬入される移送動作によって、係合片48aが係合片53と係合し、係合片48aを上方へ移動させることで蓋体51を開口部から取り外す。このように、回収室40に搬入される移送動作を利用して係合片48aと係合片53とを係合させるため、蓋開閉手段48は、係合片48aを上方へ移動させるだけで蓋体51を開口部から取り外すことができる。
また本実施例では、反転手段44は、コンベア手段45に処理容器50を載置した状態で、処理容器50をコンベア手段45とともに反転する。このように、コンベア手段45を処理容器50とともに反転させることで、処理容器50から排出する粗粉砕粉がコンベア手段45に付着することがなく、粗粉砕粉を確実に回収室40の下部に落下させることができる。また、コンベア手段45を保持する基台44aを回動する回転軸44bとコンベア手段45を構成する複数本のローラを回転させるための主回転軸を同軸配置しているため、反転を容易に行なうことができる。
なお、反転動作は、まず処理容器50を180度回転し、処理容器50の開口部を真下に向ける。その後に、一回又は複数回の揺動を加えるのが望ましい。例えば180度回転させ、処理容器50の開口部を真下に向けた後、さらに45度回転し、この45度回転した位置を基準として90度反転する。このように揺動動作させることで、処理容器50に貫通したパイプに堆積した少量の粗粉砕粉も完全に落下せしめることができる。
また、反転動作は、回収室40の真空排気手段43を動作後、回収室40内の圧力を測定する圧力測定手段により測定された圧力の情報に基づき動作が開始されるように制御されている。例えば、圧力1000Pa以下で反転動作を開始させるようにする。圧力測定手段としては、各種の圧力計や真空計を用いることができる。これによって、反転時に粗粉砕粉が回収室40内で舞うことなく落下するため、回収室40内壁面などへの付着を防止できる。なお、圧力測定手段とともに回収室40内の酸素濃度を測定する酸素濃度測定手段を設けてもよく、圧力測定手段により測定された圧力と酸素濃度測定手段により測定された酸素濃度の両方の情報に基づき反転動作を制御させたり、場合によっては、酸素濃度測定手段のみを用いて反転動作を制御しても構わない。
また本実施例では、回収容器60内の空気を、酸素濃度を20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換し、回収室40内の所定圧力を回収容器60内の圧力と同圧とすることで、回収容器60内での酸化を防止できるとともに、回収室40から回収容器60への粗粉砕粉の排出を容易に行うことができる。
また本実施例では、移動阻止手段46a、46bを、処理容器50の搬送方向の前側と後側にそれぞれ設け、処理容器50のコンベア手段45からの離脱を阻止する離脱阻止手段47を処理容器50の開口部側に設け、反転手段44による反転時には、一対の移動阻止手段46a、46bと離脱阻止手段47とによってコンベア手段45に対して処理容器50を所定の位置に保持することができ、狭い空間においても反転動作を確実に行わせることができる。
本実施例では、移動阻止手段46a、46bをコンベア手段45を構成するローラの間から処理容器50側に出没可能に設けることで、ローラ間の隙間を利用するために装置の小型化を図れるとともに、ローラとの位置関係を正確に維持しやすいため、処理容器50の確実な保持を行える。
本実施例では、離脱阻止手段47を、処理容器50が搬入された状態で鍔部52の上部に位置するように配置している。このように、鍔部52を形成することで、搬送動作によって鍔部52と離脱阻止手段47とを対応させることができ、処理容器50を所定の位置に保持することができる。
次に、図1で説明したバルブの構成と動作について説明する。
図6は同回収室の出口に設けるバルブの動作を示す構成図である。
同図(a)はバルブ開の状態、同図(b)はバルブ閉動作途中の状態、同図(c)はバルブ閉の状態を示している。
バルブ49は、筒状部材49aの内周面に配置される環状膨張部材49bと、筒状部材49aの径方向を回動軸49dとするディスク部材49cとから構成される。
環状膨張部材49bは、自身の材質や構造によって弾性変形可能な部材でもよいが、外部からのガス圧によって膨張可能であることが好ましい。
ディスク部材49cは、回動軸49dによって回転し、同図(a)の状態において開放状態となる。また、同図(b)の状態によって筒状部材49aを閉塞する位置に動作させた後に、環状膨張部材49bを膨張変形させることで、ディスク部材49cと環状膨張部材49bとの間は密閉される。
本実施例のバルブ49によれば、粗粉砕粉の付着による影響を無くし、密閉性を維持することができる。
バルブ49は、回収容器60内の酸素濃度が20ppm以下で、かつ回収室40の不活性ガス導入手段42によって回収室40内の圧力が回収容器60内の圧力と同圧になったとき、開閉動作を行なうことができるように制御されている。従って、回収容器60内での酸化を防止できるとともに、回収室40から回収容器60への粗粉砕粉の排出を容易に行うことができる。
次に、図1で示す混合工程Bにおける粗粉砕粉への粉砕助剤の添加について説明する。
図7は、粗粉砕粉への粉砕助剤の添加動作を示す説明図である。
図7に示す回収容器60は、図1における回収室40のバルブ49に接続された状態である。
回収容器60内の上方には、粉砕助剤を入れたバケット62が配置され、このバケット62には回収容器60外に突き出した操作棒63が設けられている。回収容器60は、粉砕助剤を入れたバケット62を配置した状態で、回収容器60内の空気を、酸素濃度が20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換している。
図7(a)の状態は、回収容器60内に既に粗粉砕粉を回収した状態を示しているが、粗粉砕粉の回収時には既に粉砕助剤を入れたバケット62が配置されているため、粗粉砕粉が回収容器60に落下するときにも、一部の粗粉砕粉がバケット62内に入り込むことで、バケット62内の粉砕助剤の一部は、バケット62からこぼれ落ちる。従って、図7(a)の状態においても、一部の粉砕助剤は、既に粗粉砕粉中に添加されている。
図7(b)の状態は、操作棒63の回転によってバケット62を反転させ、バケット62内の粉砕助剤を、回収容器60内にある粗粉砕粉に添加している状態を示している。
以上のように、回収容器60は、粉砕助剤を入れたバケット62を配置した状態で、回収容器60内の空気を、酸素濃度が20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換しているため、粉砕助剤の添加を行う際に、粗粉砕粉が酸化されることはない。
また、回収容器60内の上方に、粉砕助剤を入れたバケット62を配置しておくことで、粗粉砕粉が回収容器60に落下するときに、バケット62内の粉砕助剤の一部がバケット62からこぼれ落ちており、バケット62に残留している粉砕助剤を、その後に添加するため、回収容器60の底部に粉砕助剤をあらかじめ入れておく場合や、粗粉砕粉が回収容器60内に回収された後に、開閉バルブ61を開放して粉砕助剤を添加する場合と比較して、粉砕助剤を粗粉砕粉に分散して添加することができ、その後の混合工程Bにおける均一な混合を行うことができる。
なお、粉砕助剤の添加は、回収容器60を回収室40から離脱させた状態で行うことも可能である。
次に、図1で示す成形工程Dにおける湿式成形について説明する。
図8は磁場成形装置の概念図である。
図8に示す磁場成形装置は、加圧方向(図中縦方向)に対して配向磁場方向が直交する(図中横方向)いわゆる横磁場成形装置であり、上パンチ91、ダイ92、下パンチ93、及び配向磁場コイル94から構成されている。また、ダイ92を挟み込むように配置した一対のヨーク95に一対の配向磁場コイル94が配置されている。そして、ダイ92と上パンチ91と下パンチ93で形成されるキャビティ96にスラリー状の微粉砕粉を加圧圧入する加圧装置97が設けられている。また、キャビティ96と上パンチ91との間にはフィルタ98が配置され、フィルタ98の上パンチ91側には、溶媒排出経路99が形成されている。
スラリー状の微粉砕粉は、加圧装置97によってキャビティ96内に加圧圧入され、その後に上パンチ91及び下パンチ93によって加圧成形される。この上パンチ91及び下パンチ93による加圧成形時に、微粉砕粉に含まれている鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒の大部分は、フィルタ98を介して、溶媒排出経路99を通って金型キャビティ96の外に排出される。
なお、上記においては加圧方向と配向磁場方向が直交するいわゆる横磁場成形装置を用いたが、加圧方向と配向磁場方向が同じであるいわゆる縦磁場成形装置を用いることもできる。
(実施例1)
焼結後のR−T−B系焼結磁石の組成が表1のA〜Cとなるように、純度99.5%以上の各原料を配合、溶解し、ストリップキャスト法により鋳造して、厚さ0.3mmの鋳片状の原料合金を得た。なお、表1において「TRE」とは「TotalRareEarth」の意味であり、Nd+Pr+Dyの含有量の合計である。
このA〜Cの各原料合金を用いて、以下の方法により焼結磁石を作製した。
各原料合金400kgを図1に示す水素粉砕装置を用いて、水素吸蔵工程、加熱工程、及び冷却工程を行い、回収室40内を5Paの真空雰囲気とした後、処理容器50を反転させ、回収室40内に原料合金の粗粉砕粉を排出した。
次いで、回収室40内にArを導入し大気圧とした。この時、回収室40内の酸素濃度は20ppm以下であった。
回収容器60内をArガスにて置換し、酸素濃度を20ppm以下とした後、回収室40のバルブ49及び回収容器60の開閉バルブ61を開け、回収容器60内に原料合金の粗粉砕粉を回収した。
回収室40のバルブ49及び回収容器60の開閉バルブ61を閉じた後、回収室40内に残存する原料合金の粗粉砕粉を集めたところ、粗粉砕粉は0.1g以下であった。すなわち、粗粉砕粉の回収率はほぼ100%であった。
回収容器60内のバケット62に予め挿入しておいたパラフィンワックスを、バケット62を反転させることにより、粗粉砕粉に0.04wt%のパラフィンワックスを添加した。次いで、回収容器60を回収室40から離脱させ、回収容器60を混合装置70に固定し、10分間回転させ、粗粉砕粉とパラフィンワックスを混合した。
回収容器60を混合装置70から取り外し、ジェットミル装置80の原料タンク81aの接続部81eにフェルールによって接続した。次いで、接続部81eにArガスを導入して接続部81e内の酸素濃度を20ppm以下にした後、回収容器60の開閉バルブ61及び原料タンク81aの開閉バルブ81dをそれぞれ開け、回収容器60内の粗粉砕粉をジェットミル装置80の原料タンク81aに供給し、酸素濃度が20ppm以下のArガス中で微粉砕を行なった。微粉砕後の微粉砕粉は鉱物油中に直接回収した。得られた微粉砕粉の粒径を、ISO13320−1に準拠した装置(Sympatec HEROS(H9242))で測定し、粒径の小さい方から体積を換算して全体の体積の50%となる粒径(D50)を求めたところ、D50=4.76μmであった。
得られた微粉砕粉と鉱物油とからなるスラリーを図8に示す横磁場成形装置によって湿式成形により成形し、成形体を得た。得られた成形体を200℃にて4時間処理し、成形体中の鉱物油を除去した。続いて、1040〜1060℃で2時間焼結した。得られた焼結体をAr雰囲気中で900℃×1時間処理し500℃×2時間熱処理した。
得られたA〜Cの焼結磁石の組成を表1に、原料合金の含有酸素量、焼結磁石の含有酸素量及び焼結磁石の磁石特性を表2に示す。
(比較例1)
焼結後の組成が表1のD〜Fとなるように、純度99.5%以上の各原料を配合、溶解し、ストリップキャスト法により鋳造して、厚さ0.3mmの鋳片状の原料合金を得た。D〜Fの各原料合金を用いて、水素粉砕時に大気中で処理容器40を反転させる以外は実施例1と同様な方法により3種類の焼結磁石を作製した。
得られたD〜Fの焼結磁石の組成を表1に、原料合金の含有酸素量、焼結磁石の含有酸素量及び焼結磁石の磁石特性を表2に示す。
Figure 0005163839
Figure 0005163839
本発明によれば、原料合金から焼結磁石に至るまでの各製造工程において原料合金やその粉末の酸化が防止されている。特に、水素粉砕(粗粉砕)からジェットミル粉砕(微粉砕)にかけて粗粉砕粉の酸化が防止できるため、例えば、表2に示すように、含有酸素量が600ppm以下の磁石特性に優れるR−T−B系焼結磁石を得ることができる。
なお、焼結磁石の含有酸素量は、原料合金の酸素量を低減したり、各製造工程にて使用する処理容器などへの酸素吸着を防止したりすることによって、さらに低減することが可能であり、例えば含有酸素量500ppm以下あるいは400ppm以下のR−T−B系焼結磁石を製造することも可能である。
背景技術でも述べた通り、R−T−B系焼結磁石は、主にR14Bの正方晶化合物からなる主相、Rリッチ相及びBリッチ相から構成されており、主相の存在比率を増加させれば、磁石特性、特に残留磁束密度Bが向上する。しかし、Rは雰囲気中の酸素と反応し易く、Rなどの酸化物を作る。従って、製造工程中にR−T−B系焼結磁石用原料合金やその粉末が酸化すると、Rの生成に伴い、R14Bの存在比率が低下するとともに、Rリッチ相が少なくなり、磁石特性が急激に低下する。
本発明によれば、製造工程中における酸化が防止されているので、Rなどの酸化物の生成量が少なくなる。従って、含有酸素量の多い従来の焼結磁石と同じ量のRが含有される場合、酸化物に消費されていた分のR量が余剰に存在することとなる。
この余剰のRを予め差し引いたR量にすることによって、主相の存在比率を増加させることができ、残留磁束密度Bを向上させることができる。
表1の組成において、試料No.A(以下、単に「A」という。B〜Fについても同様とする。)はDにおけるNdの含有量を削減した組成となっている。BとE、CとFの関係も同様である。ここで、Ndが酸素と反応した際に生成する酸化物が全てNdとした仮定した場合、含有酸素量が100ppm増加すると0.06mass%のNdが酸化物として消費されることとなる。つまり、含有酸素量が100ppm低下すれば、0.06mass%のNdを削減することができ、その分、主相の存在比率が増加し、残留磁束密度Bを向上させることができる。
例えば、表1のAとDとの含有酸素量の差は680ppm(1200ppm−520ppm)であるので、AはDに対して約0.41mass%のNd量を削減することができる。実際は、AはDに比べNdの含有量が0.59mass%(TREでは0.64mass%)削減されている。そして、AはDに比べ保磁力HcJはほぼ同様(1.160MA/m→1.150MA/m)で、残留磁束密度B(1.463T→1.477T)及び最大エネルギー積(BH)max(408.0kJ/m→420.1kJ/m)が向上している。
AとDとは、主相とRリッチ相の形成に消費されるR量はほぼ同じである。しかし、Aは酸化物の量が少なくかつ余剰のNdも削減されているので、相対的に主相の存在比率が増加している。そのため、残留磁束密度B及び最大エネルギー積(BH)maxが向上しているのである。
上記のAの場合と同様に、BはEに比べNdの含有量が0.83mass%(TREでは0.94mass%)、CはFに比べNdの含有量が1.37mass%(TREでは1.38mass%)低減されており、BはEに対して、CはFに対してそれぞれ残留磁束密度B及び最大エネルギー積(BH)maxが向上している。
このように、本発明によれば、原料合金から焼結磁石に至るまでの各製造工程において原料合金やその粉末の酸化を防止することができる。そのため、従来に比べRの含有量を削減することができるので、主相の存在比率を増加させることができ、その結果、残留磁束密度B及び最大エネルギー積(BH)maxを向上させることができる。
本発明は、高性能なR−T−B系焼結磁石の製造方法に利用することができる。

Claims (13)

  1. R−T−B系焼結磁石用原料合金の粗粉砕粉を得る粗粉砕工程と、
    前記粗粉砕粉に粉砕助剤を添加し、前記粗粉砕粉と前記粉砕助剤を混合する混合工程と、
    前記混合工程で前記粉砕助剤を混合した前記粗粉砕粉をジェットミル装置に供給して不活性ガス中で微粉砕し、微粉砕後の微粉砕粉を鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種からなる溶媒中に回収して、スラリー状の前記微粉砕粉を得る微粉砕工程と、
    前記微粉砕粉を磁界中で湿式成形して、R−T−B系焼結磁石用成形体を得る成形工程と、
    前記R−T−B系焼結磁石用成形体中の前記溶媒を除去した後焼結して、R−T−B系焼結磁石を得る焼結工程と
    を有するR−T−B系焼結磁石の製造方法であって、
    前記粗粉砕工程が、
    処理容器に収容された前記R−T−B系焼結磁石用原料合金に水素を吸蔵させる水素吸蔵工程と、
    水素吸蔵により粉砕された前記粗粉砕粉を加熱して脱水素する加熱工程と、
    加熱された前記粗粉砕粉を冷却する冷却工程と、
    冷却された前記粗粉砕粉を回収容器に回収する回収工程からなり、
    前記回収工程が、少なくとも前記冷却工程を行う処理室に連接する回収室にて行なわれ、
    前記回収室には、
    不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、
    前記回収室内のガスを排出する真空排気手段と、
    前記処理容器を前記処理室から前記回収室内へ搬入するための搬入口と、
    前記回収室の下部に配置される排出口と、
    前記排出口に接続された前記回収容器とを有し、
    前記回収工程では、
    前記不活性ガス導入手段によって前記回収室内に不活性ガスを導入した後に、
    前記処理容器を前記処理室から前記回収室内へ前記搬入口より搬入する搬入工程と、
    前記真空排気手段によって前記回収室内を減圧した後に、
    前記処理容器内の前記粗粉砕粉を前記回収室内に排出する排出工程と、
    前記粗粉砕粉を前記回収室内に排出した後に、
    前記不活性ガス導入手段によって前記回収室内に不活性ガスを導入するガス導入工程と、
    前記回収室内を不活性ガスにて所定圧力とした後に、
    前記排出口から前記粗粉砕粉を前記回収容器に回収する合金収容工程とを有し、
    前記混合工程における前記粉砕助剤の添加を、前記冷却工程後の前記回収工程での前記合金収容工程において行うこと
    を特徴とするR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  2. 前記混合工程における前記粗粉砕粉と前記粉砕助剤との混合を、前記回収容器を回転させることで行うことを特徴とする請求項1に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  3. 前記混合工程で回転させた前記回収容器を前記ジェットミル装置の原料タンクに接続することで、前記ジェットミル装置に前記粗粉砕粉を供給することを特徴とする請求項2に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  4. 前記回収容器の開閉バルブと前記原料タンクの開閉バルブとの間の接続部に不活性ガスを導入して前記接続部内の酸素濃度を20ppm以下にした後に、前記回収容器の前記開閉バルブと前記原料タンクの前記開閉バルブを開けて前記回収容器内の前記粗粉砕粉を前記原料タンクに供給することを特徴とする請求項3に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  5. 前記ジェットミル装置では、前記粗粉砕粉の微粉砕を、酸素濃度が20ppm以下の不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  6. 前記焼結工程で得られる前記R−T−B系焼結磁石の含有酸素量を600ppm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  7. 前記成形工程で得られる前記R−T−B系焼結磁石用成形体に鉱物油、合成油、植物油のいずれか一種を噴霧あるいは滴下することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  8. 前記回収室には、前記処理容器を上下反転させる反転手段を有し、
    前記処理容器は、上面に開口部を有し、
    前記処理容器内の前記R−T−B系焼結磁石用原料合金の排出を、前記反転手段による上下反転動作によって行うことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  9. 前記反転手段による上下反転動作を行った後に、前記開口部を下方に向けた状態で前記反転手段によって揺動動作を行うことを特徴とする請求項8に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  10. 前記処理容器の前記開口部を覆う蓋体を有し、
    前記真空排気手段による減圧動作時には前記蓋体によって前記開口部を覆い、
    前記真空排気手段によって前記回収室内を減圧した後で、前記反転手段による上下反転動作を行う前に、前記蓋体を前記開口部から取り外す
    ことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  11. 前記処理容器の前記開口部を前記蓋体で覆った状態で、前記水素吸蔵工程、前記加熱工程、及び前記冷却工程を行うことを特徴とする請求項10に記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  12. 前記処理容器からの前記R−T−B系焼結磁石用原料合金の排出を、前記回収室内が1000Paから1Paの減圧下で行うことを特徴とする請求項1から請求項11のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
  13. 前記回収容器内の空気を、酸素濃度を20ppm以下となるように不活性ガスにてあらかじめ置換し、前記回収室内の前記所定圧力を前記回収容器内の圧力と同圧とすることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれかに記載のR−T−B系焼結磁石の製造方法。
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