JP5150637B2 - 磁気センサモジュール - Google Patents

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Description

本発明は、電子コンパスなどに使用する磁気センサモジュールに関する。
地磁気を検出する磁気センサを備えてなる電子コンパスは、例えば、X軸用磁気センサ、Y軸用磁気センサ及びZ軸用磁気センサで地磁気を検出する。このような電子コンパスは、基材上にICと、磁気センサとを実装し、ICと磁気センサとを電気的に接続している。磁気センサは通常一方向にのみ感度軸を有するように設計されており、形状は略直方体形状であるので、3つの磁気センサを同一の基材に実装するためには、1つ又は2つの磁気センサを90°傾けて感度軸を他の磁気センサと直交させる必要がある。
このように磁気センサを90°傾けると、図4(a)に示すように、通常基材表面に対して実装するように磁気センサ31の底面に形成された電極パッド32が側面に位置することになる。この場合、部品の側面に位置する電極パッドと基材表面上に形成された配線とを電気的に接続するコーナーバンプボンディング方法が採用される(特許文献1)。
特開2000−155922号公報
磁気センサ31を製造する場合、ウエハ上に多数の素子を形成した後にダイシングにより個々の素子に分断する。この場合、図4(b)に示すように、ダイシングの際のチッピングYが電極パッド32に影響を受けないように、磁気センサ31の周縁から電極パッド32までの距離Xを確保する必要がある。このように磁気センサ31の周縁から電極パッド32までの距離Xを確保すると、図5に示すように、基材33上に形成された配線34と、磁気センサ31の電極パッド32との間の距離が長くなるので、結果として、配線34と電極パッド32とを電気的に接続するバンプ36の外径を大きくする必要ある。バンプ36の外径が大きくなると、バンプ36間の短絡を防止するために必然的に電極パッド32のピッチを広くするする必要があり、これにより磁気センサモジュールの小型化を図ることができないという問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、コーナーバンプボンディングにより磁気センサと基材との間の電気的接続を行った状態で小型化を図ることができる磁気センサモジュールを提供することを目的とする。
本発明の磁気センサモジュールは、主面上に配線を有する基材と、一面に電極パッドが形成され、前記一面に直交する他の一面と前記基材の主面とが対向するように前記基材の主面上に第1接合材を用いて実装されるとともに、前記他の一面から前記電極パッドまで所定の距離が確保されており、前記電極パッドと前記他の一面との間に前記第1接合材を充填可能な接合材収容領域を有する磁気センサと、前記配線と前記電極パッドとを電気的に接続する第2接合材と、を具備し、前記接合材収容領域は、前記配線に近い端部に設けられた溝構造で構成されていることを特徴とする。
この構成によれば、電極パッドと配線とを近づけることができる。このため、第2接合材の大きさを小さくすることができ、電極パッドのピッチを狭くすることが可能となる。その結果、磁気センサのサイズを小さくすることができ、磁気センサモジュールを小型化することができる。
本発明の磁気センサモジュールにおいては、磁気センサは、前記主面と略直交する方向に感度軸を有することが好ましい。
本発明の磁気センサモジュールにおいては、前記配線の厚さは、前記電極パッドから前記接合材収容領域における前記磁気センサの外縁部までの距離と前記磁気センサの前記接合材収容領域以外の領域と前記基材との間の厚さとを加えた長さよりも厚いことが好ましい。
本発明の磁気センサモジュールによれば、主面上に配線を有する基材と、一面に電極パッドが形成され、前記一面に直交する他の一面と前記基材の主面とが対向するように前記基材の主面上に第1接合材を用いて実装されるとともに、前記電極パッドと前記他の一面との間に前記第1接合材を充填可能な接合材収容領域を有する磁気センサと、前記配線と前記電極パッドとを電気的に接続する第2接合材と、を具備するので、コーナーバンプボンディングにより磁気センサと基材との間の電気的接続を行った状態で小型化を図ることができる。
本発明の実施の形態に係る磁気センサモジュールを含む磁気センサパッケージを示す透視斜視図である。 図1に示す磁気センサモジュールにおける磁気センサの実装状態を示す図である。 図1に示す磁気センサモジュールにおける磁気センサを製造する工程を説明するための図である。 (a),(b)は、従来の磁気センサを説明するための図である。 従来の磁気センサモジュールにおける磁気センサの実装状態を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る磁気センサモジュールを含むパッケージを示す透視斜視図である。図1に示す磁気センサモジュールは基材11であるインターポーザを備えている。基材11は、互いに対向する一対の主面を有しており、その一方の主面上にはIC12が実装されている。また、同じ主面上には、X軸用磁気センサ13a、Y軸用磁気センサ13b及びZ軸用磁気センサ13cが実装されている。なお、本実施の形態においては、3つの磁気センサを基材11に実装した場合について説明しているが、本発明においては、少なくとも一つの磁気センサが基材11上に実装されていれば良い。
基材11、IC12及び磁気センサ13a〜13cには、それぞれ電極パッドが形成されており、基材11とIC12との間、及びIC12と磁気センサ13a〜13cとの間がワイヤ14によりワイヤボンディングされている。これにより、基材11、IC12及び磁気センサ13a〜13cが電気的に接続されている。また、基材11の一方の主面側は、パッケージ材15によりパッケージングされている。
図2は、図1に示す磁気センサモジュールにおけるZ軸用磁気センサの実装形態を示す図である。磁気センサモジュールにおいては、主面上に配線21を有する基材11上に、接合材としてダイボンド樹脂22を用いてZ軸用磁気センサ13cが実装されている。このZ軸用磁気センサ13cは、底面に電極パッド23を形成したものを90°傾けて基材11上に実装するので、電極パッド23が側面に位置することになる。このため、電極パッド23は、基材11の主面と略直交する方向に延在する。また、Z軸用磁気センサ13cは、電極パッド23が形成されている主面に沿った方向が感度軸方向となるので、90°傾けて基材11上に実装していることにより、感度軸方向は、基材11の主面と略直交する方向となる。このように、Z軸用磁気センサ13は、一面に電極パッド23が形成され、この一面に直交する他の一面と基材11の主面とが対向するように基材11の主面上にダイボンド樹脂22を用いて実装されるとともに、電極パッド23と他の一面との間にダイボンド樹脂を充填可能な後述する接合材収容領域を有する。
Z軸用磁気センサ13cの基材11の主面に対面する面には、ダイボンド樹脂を充填可能な接合材収容領域が設けられている。この接合材収容領域は、溝構造24で構成されており、この溝構造24は、Z軸用磁気センサ13cの基材11の主面に対面する面において、基材11上に形成された配線21に近い端部に設けられている。溝構造24の溝の深さ(図2において基材11の主面と直交する方向の寸法)は、少なくとも配線21の厚さtより小さいように設定することが好ましい。このように設定することにより、ダイボンド樹脂22でZ軸用磁気センサ13cを基材11上に実装する際に、ダイボンド樹脂22が配線21のバンプ形成部分まで流れることを防止できる。このような観点から、配線21の厚さtは、電極パッド23から溝構造24の端部、すなわち接合材収容領域におけるZ軸用磁気センサ13cの外縁部までの距離aと、ダイボンド樹脂22の厚さ、すなわちZ軸用磁気センサ13cの接合材収容領域以外の領域と基材11との間の厚さbと、を加えた長さよりも厚いことが好ましい。
また、溝構造24の配線21側の端部から配線21までの距離は、電極パッド23の厚さより大きくすることが好ましい。このように設定することにより、ダイボンド樹脂22でZ軸用磁気センサ13cを基材11上に実装する際に、ダイボンド樹脂22が配線21のバンプ形成部分まで流れることを防止できる。
配線21と電極パッド23とは、接合材であるバンプ(例えばAuバンプ)25により電気的に接続されている。これにより、Z軸用磁気センサ13cが基材11上にコーナーバンプボンディングにより実装される。
上記のような構成の磁気センサモジュールにおいては、電極パッド23と配線21とを近づけることができる。このため、バンプ25の大きさを小さくすることができ、電極パッド23のピッチを狭くすることが可能となる。その結果、磁気センサのサイズを小さくすることができ、磁気センサモジュールを小型化することができる。
また、この構成においては、ダイボンド樹脂22を用いても、接合材収容領域である溝構造24が設けられているので、実装の際に流れるダイボンド樹脂22が溝構造24に充填される。これにより、ダイボンド樹脂22が配線21や電極パッド23に流れ出すことを防止できる。その結果、バンプ25と配線21や電極パッド23との間の電気的接続の信頼性を向上させると共に、必要となるダイボンド樹脂22の塗布量のばらつきの許容量を大きくすることができる。
さらに、この構成においては、溝構造24にダイボンド樹脂22が充填されるため、Z軸用磁気センサ13cの配線21と反対側の領域のダイボンド樹脂22の量と、溝構造24に充填されるダイボンド樹脂22の量との間の差を小さくすることができる。したがって、Z軸用磁気センサ13cを両側(配線側及び配線反対側)からほぼ等しい力で保持することになり、基材11上に実装したZ軸用磁気センサ13cの位置ずれや傾きを小さく抑えることができる。
上記構成のように磁気センサに溝構造24を形成する場合には、図3に示すように、素子形成したウエハ26にまず、相対的に刃の幅が広いダイシングソーによりハーフダイシングを行って溝27を形成し、その後に相対的に刃の幅が狭いダイシングソーによりダイシングを行ってチップ化する。このようなステップカッティングを行うことにより、磁気センサに溝構造24を設けることができる。また、最初にハーフダイシングを行う際にチッピングが生じにくい条件でダイシングを行い、続いて幅が狭いダイシングソーにより高速なダイシングを行うことによって、電極パッド近傍にはチッピングが起こりにくく、且つ生産性に優れたダイシングが可能となる。これにより、電極パッドの位置をより磁気センサの端部に近く形成できるため、よりバンプ25の大きさを小さくすることが可能となる。
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
モジュール基板(インターポーザ)として、一方の主面に厚さ20μmの配線を有するガラスエポキシ基板を準備した。また、図2に示すような電極パッド及び溝構造を設けた磁気センサを準備した。このとき、磁気センサの電極パッドのピッチは90μmとし、溝構造のサイズは2μm×30μmとした。また、溝構造における磁気センサの外縁部までの距離aは7μmであった。
このような磁気センサを溝構造がモジュール基板に向くように配置してダイボンド樹脂を用いて、モジュール基板上に磁気センサを実装した。このとき、ダイボンド樹脂の厚さbは3μmであった。すなわち、配線の厚さ(20μm)は、電極パッドから溝構造の端部までの距離a(7μm)と、ダイボンド樹脂の厚さb(3μm)と、を加えた長さよりも厚くなっている。このように実装された磁気センサの電極パッドと配線とをバンプ径50μmのAuバンプでコーナーバンプボンディングして磁気センサモジュールを作製した。
このようにして作製された磁気センサモジュールにおいては、溝構造が設けられているので、ダイボンド樹脂が溝構造に充填され、配線には流れ出していなかった。また、Auバンプの短絡なくコーナーバンプボンディングを行うことができた。このように、配線と電極パッドとの間の距離を短くすることができたので、バンプ径を50μmまで小さくすることができ、このため電極パッドのピッチを90μmとすることができた。さらに、ダイボンド樹脂が磁気センサを両側からほぼ等しい力で保持しているので、モジュール基板上に実装した磁気センサのチップ角度が所望の角度になっていた(すなわち感度軸が所望の方向に向いていた)。
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。また、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、部材の数、配置、材質などについては適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することが可能である。

Claims (3)

  1. 主面上に配線を有する基材と、一面に電極パッドが形成され、前記一面に直交する他の一面と前記基材の主面とが対向するように前記基材の主面上に第1接合材を用いて実装されるとともに、前記他の一面から前記電極パッドまで所定の距離が確保されており、前記電極パッドと前記他の一面との間に前記第1接合材を充填可能な接合材収容領域を有する磁気センサと、前記配線と前記電極パッドとを電気的に接続する第2接合材と、を具備し、前記接合材収容領域は、前記配線に近い端部に設けられた溝構造で構成されていることを特徴とする磁気センサモジュール。
  2. 磁気センサは、前記主面と略直交する方向に感度軸を有することを特徴とする請求項1記載の磁気センサモジュール。
  3. 前記配線の厚さは、前記電極パッドから前記接合材収容領域における前記磁気センサの外縁部までの距離と前記磁気センサの前記接合材収容領域以外の領域と前記基材との間の厚さとを加えた長さよりも厚いことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の磁気センサモジュール。
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