JP5087773B2 - 光信号検出回路及び方法 - Google Patents

光信号検出回路及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5087773B2
JP5087773B2 JP2007525750A JP2007525750A JP5087773B2 JP 5087773 B2 JP5087773 B2 JP 5087773B2 JP 2007525750 A JP2007525750 A JP 2007525750A JP 2007525750 A JP2007525750 A JP 2007525750A JP 5087773 B2 JP5087773 B2 JP 5087773B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
signal
output terminal
differential
optical signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007525750A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008510383A (ja
JP2008510383A5 (ja
Inventor
デイ、クリス、ジェイ.
Original Assignee
トリアクセス テクノロジーズ インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by トリアクセス テクノロジーズ インコーポレイテッド filed Critical トリアクセス テクノロジーズ インコーポレイテッド
Publication of JP2008510383A publication Critical patent/JP2008510383A/ja
Publication of JP2008510383A5 publication Critical patent/JP2008510383A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5087773B2 publication Critical patent/JP5087773B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/087Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/693Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
    • H04B10/6931Automatic gain control of the preamplifier
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/697Arrangements for reducing noise and distortion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

関連出願
本出願は、2004年8月12日に出願された米国仮特許出願第60/601,018号、発明の名称「線形広帯域配信システム用の光受信機及び増幅器(OPTICAL RECEIVERS AND AMPLIFIERS FOR LINEAR BROADBAND DISTRIBUTION SYSTEMS)」の優先権を主張し、この特許出願は、引用により本願に援用される。
本発明は、光受信機用の回路に関し、特に、光受信機の光信号検出回路及び自動利得制御回路に関する。
例えば、光同軸ハイブリッド方式(Hybrid-Fiber-Coax:以下、HFC方式という。)、ファイバツーザカーブ(Fiber-To-The-Curb:以下、FTTCという。)方式、ファイバツーザホーム(Fiber-To-The-Home:FTTH)方式等の通信システムを介したビデオサービスの配信では、多くの場合、従来のアナログNTSC信号フォーマットをサポートするためには、広ダイナミックレンジの技術を必要とする。これらのビデオシステムは、全て、振幅変調(AM)搬送波を用いており、光を情報で変調する光送信機を必要とする。また、これらのビデオシステムは、セットトップボックス又はNTSCテレビジョン受信機等の加入者宅内端末装置で用いる信号を復調し、増幅する光受信機を必要とする。
アナログRFビデオ配信システムで用いられる基本的な光リンクを図1に示す。ここでは、ファイバツーザプリミス(Fiber-To-The-Premises:以下、FTTPという。)方式のアナログRFシステムを示しているが、この原理は、HFC方式又はFTTC方式にも同様に適用することができる。光送信機は、マルチチャンネル信号供給、光源を線形的な方法で振幅変調(AM)する。送信する対象は、標準NTSCアナログテレビジョンチャンネルであってもよく、ケーブルモデムシステム等で用いられているデジタル変調搬送波であってもよい。このシステムは、主に、ビデオサービスを搬送するために設計されているが、高速データ通信及び電話通信等の高度デジタルサービスを搬送するために用いられることも非常に多い。光送信機の出力信号は、エルビウム添加光ファイバ増幅器(Erbium Doped Fiber Amplifier:以下、EDFAという。)に入力され、EDFAは、大きな雑音又は歪みを生じさせることなく、光パワーレベルを大幅に増幅する。そして、EDFAの高パワー出力信号は、多くのユーザに信号を供給するために、光分配器(optical splitter)によって分配(fanned out)される。ファンアウト、すなわち分配比は、通常、1:32又は1:64である。そして、振幅変調された光信号は、入射光に対する包絡線検波器として機能するフォトディテクタによって、電気信号に復調される。トランスインピーダンス増幅器は、電気信号が加入者宅内機器又は更なる同軸配信システムへの配信に適するように、電気信号を増幅する。
一般的な設置における加入者宅内機器の空間的多様性及び様々な種類の光リンク配分のために、光路損失は、大きく変化する。例えば、光ファイバの長さは、都市環境より田園地帯で長くなる。敷設された特定の光設備によって、パッチパネル及びスプライスのような損失要素の数及び位置も変化する。大規模な光設備を、広範囲に亘って容易に設置するためには、広い光ダイナミックレンジに亘って動作する光受信機を実現することが非常に望ましい。例えば、設置の初期の段階における幾つかの3波長のFTTPシステムでは、望ましい光損失配分は、10〜28dBである。しかしながら、FTTPシステムにおける波長が1550nmのビデオパート用の光受信機は、約7dB又は8dBの光ダイナミックレンジしかサポートしていない。ビデオパート用の光受信機の光ダイナミックレンジが狭いと、比較的狭い光入力ウィンドウに適合するように努力する必要があり、FTTPシステムの設置は、より困難になる。波長が1550nmのビデオパート用の受信機のダイナミックレンジをより広くすることにより、FTTPシステムの設置は、より簡単になる。
設備費及び保守費を最小するために、サービスプロバイダは、多くの場合、光受信機のRF出力信号が、光ダイナミックレンジに亘って一定レベルに維持されることを望んでいる。入射光の条件が変化しても、RF機器(例えば、テレビジョン受信機又はセットトップボックス)の入力レベルが一定となるように、RF出力レベルは、変化しないことが望ましい。このために、光受信機は、多くの場合、自動利得制御(automatic gain control:以下、AGCという。)回路を用いてRF出力レベルを調整する機能を有する。
このための一般的な技術を図2に示す。トランスインピーダンス増幅器の出力信号は、制御信号によって損失特性を調整できる可変減衰器に供給される。また、可変減衰器代わりに、可変利得回路を用いることもできる。可変減衰器の出力信号は、方向性カプラ(direction coupler)に供給され、方向性カプラは、光受信機から出力される信号の僅かな部分を信号検出器に供給する。そして、方向性カプラの出力信号は、多くの場合、同軸ケーブル、スプリッタ及び端末装置からなるRF配信網に供給される。信号検出器は、光受信機から出力される信号のエネルギの大きさを検出し、これを示す信号を、可変減衰器を調整する自動制御機構を含むAGC回路に供給する。何らかの理由で信号検出器の出力信号がAGC制御ブロック内の基準値に比べて小さくなっている場合、AGC制御ブロックは、RF信号パスにおける減衰量を減少させ、RF出力信号を大きくする。
このように、AGC制御ブロックは、RF出力レベルが予想される変化に対して一定に維持されるように、可変減衰器を連続的に調整する。よく知られている変化としては、入射光における光変調指数(optical modulation index:以下、OMIという。)の深さの変化、入射光のパワーレベルの変化、フォトディテクタの応答特性の変化、及びトランスインピーダンス利得の変化等がある。これらの値は全て時間、温度によって、及び単体間で変化するので、光受信機の特性を自動的に調整できることが非常に望ましい。
方向性カプラの方向性には、注意が必要である。順方向に進む信号を逆方向に進む信号から分離する方向性カプラの能力が劣っている場合、RF配信網からの信号反射が信号検出器に入ってしまうが、これは望ましくなく。FTTPネットワークの場合、宅内のRF配信網のインピーダンスの制御が不十分であることにより適切な出力レベルを保証することができる方向性能を有する光受信機が必要である
図2に示すAGC技術には、コスト及び複雑さに問題がある。広帯域の方向性素子は、多くの場合、小径のフェライトコアに細線が複数回巻かれており、この製造には、非常に手間が掛かる。AGC回路において、フェライト巻線素子をなくすことができれば、製造コストを直接低減することができる。また、広帯域の方向性カプラによって、光受信機の出力に損失が生じる。損失方向性カプラ−損失方向性カプラ(loss-loss directional couplers)接続を用いることもできるが、この場合、信号検出器に設けるカプラの数が増える。
信号検出器の最良の性能を得るためには、信号検出器ブロックの検出素子に入力される信号のレベルをより高くすることが望ましい。適切なRF駆動回路がない場合、信号検出器は、それに対応して、低いレベルの電圧しか出力しないので、AGC制御ブロックに、特性の精度のレベルが高い、例えば、高性能のオフセット電圧をもつ高価なオペアンプが必要となる。この問題に対処するために、多くの場合、方向性カプラの結合出力端子と、信号検出器の入力端子との間にRF後置増幅器が設けられる。しかしながら、この方法ではコストが高くなる。
光受信機は、例えば、Skrobkoによる米国特許第6,674,967号に開示され、「光AGC」として当分野において知られている手法では、多くの場合、入射光の条件を検出することによって、出力レベルの制御を行う。ここで、フォトディテクタに引き込まれるDC電流の量は、フォトディテクタに衝突する光強度の量に比例する。この情報を用いて、光受信機の出力レベルを調整することができる。入射光のパワーが大きい場合、光受信機の利得は、出力レベルを一定に保つ値に調整される。光量が少ない場合、光受信機の利得は、出力レベルを一定に保つために必要な値だけ高められる。この方法の問題点は、開ループ回路として実現される点である。すなわち、この方法では、入射光のOMIの変化又は光受信機の利得の変化に対して調整を行うことはできない。
光AGC法においても、光受信機から出力される信号の値を示すことが望ましい。これらの場合において、信号検出器の出力を利得の調整に使用しないとしても、方向性信号検出器が望ましい。
図2に示す光受信機のトランスインピーダンス増幅器(trans-impedance amplifier:以下、TIAともいう。)部の周波数応答は、主として、カソードとアノード間に現れるフォトディテクタの接合容量によって形成される極及びTIAの実効入力インピーダンスによって決定される。Cole他による米国特許第5,095,286号における従来の技術の説明で述べられているように、出力から入力への並列帰還により、トランスインピーダンス増幅器が形成され、フォトディテクタ容量の効果を最小にし、広帯域化を実現するのに有効である。Kruseによる米国特許第4,998,012号に開示されているように、トランスインピーダンス増幅器内の並列帰還の値を適切に選択することによって、雑音特性及び歪み特性を良好にすることができる。Cole他による米国特許第5,095,286号では、受信機の電力利得は、増幅器から見た出力インピーダンスに対する入力インピーダンスの比率によって決定され、したがって、周波数応答及び利得特性は、主に、各フォトディテクタの端子に現れる500Ω程度の大きなソースインピーダンスによって決定される。並列帰還を用いたトランスインピーダンス増幅器は、通常、値が300〜1000Ωの帰還抵抗を用いており、負帰還動作による優れた低入力インピーダンスを有し、抵抗から熱雑音が少なく、優れた雑音特性を有する。これまで、上述した利点から、殆どの設計者は、トランスインピーダンス増幅器の設計において、並列帰還を用いている。
本発明は、光受信機の出力パワーレベルを検出する光信号検出回路及び光信号検出方法を提供する。一実施の形態においては、光信号検出回路は、アノード及びカソードを有するフォトディテクタと、一方の入力端子がフォトディテクタのアノードに接続され、他方の入力端子がフォトディテクタのカソードに接続された2入力2出力の差動トランスインピーダンス増幅器と、差動トランスインピーダンス増幅器の第1の出力端子に接続された信号検出器とを備える。差動トランスインピーダンス増幅器は、第1の入力端子に接続された第1のトランジスタと、第2の入力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第1の差動対によって構成される第1のステージと、第1の出力端子に接続された第1のトランジスタと、第2の出力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第2の差動対によって構成される第2のステージと、上記第1の出力端子と上記第2の出力端子を電気的に分離して、の出力端子の負荷状態の変化が第の出力端子における信号レベルを変化させないような回路であって、第2の出力端子に外部から誘導された信号が第1の出力端子に現れないような回路とを有し、信号検出器は、当該光信号検出回路から出力される信号の出力電力を表示する出力信号を出力し、回路は、第1の出力端子と第2の出力端子を電気的に分離するカスコード接続を構成するために第2の差動対の各ドレインに接続されたトランジスタ対と、トランジスタ対の共通ゲートノードと接地間に接続されたコンデンサとを有する
差動トランスインピーダンス増幅器は、単一の差動トランスインピーダンス増幅器であってもよく、差動出力増幅器に接続されたデュアルトランスインピーダンス増幅器であってもよい。信号検出器は、光信号検出回路から出力される本来の信号の信号強度を検出する。
また、本発明の一実施の形態として、光受信機の出力パワーレベルを検出する光信号検出方法は、光信号をフォトディテクタによって検出して、第1の電流及び第2の電流を生成するステップと、第1の電流を第1の出力端子及び第2の出力端子を有する差動トランスインピーダンス増幅器の第1の入力端子に供給するステップと、第2の電流を差動トランスインピーダンス増幅器の第2の入力端子に供給するステップと、上記第1の出力端子と上記第2の出力端子を電気的に分離して、の出力端子における負荷状態の変化が第の出力端子における信号レベルを変化させないような回路によって、第2の出力端子における外部から誘導された信号が第1の出力端子に現れないようにするステップと、第1の出力端子の信号を信号検出器に供給するステップとを有する。差動トランスインピーダンス増幅器は、第1の入力端子に接続された第1のトランジスタと、第2の入力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第1の差動対によって構成される第1のステージと、第1の出力端子に接続された第1のトランジスタと、第2の出力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第2の差動対によって構成される第2のステージとを有し、信号検出器の出力信号は、光信号検出回路の出力電力レベルを表し、回路は、第1の出力端子と第2の出力端子を電気的に分離するカスコード接続を構成するために第2の差動対の各ドレインに接続されたトランジスタ対と、トランジスタ対の共通ゲートノードと接地間に接続されたコンデンサとを有する
差動トランスインピーダンス増幅器は、単一の差動トランスインピーダンス増幅器であってもよく、差動出力増幅器に接続されたデュアルトランスインピーダンス増幅器であってもよい。
以下、当業者が発明を実施及び利用できるように、及び本発明者が、本発明を実施するために最良と考える実施の形態を用いて本発明を説明する。なお、当業者にとっては、様々な変形例が明らかである。これらの変形例、等価物、代替物は、全て、本発明の思想及び範囲内に含まれる。
上述のように、入力光信号のレベルの変化に対して、出力信号のレベルを一定に維持する光受信機の機能によって、運営事業者は、設備費及び保守費を削減することができる。図2は、この自動利得制御(automatic gain control:以下、AGCという。)を実現するための1つの方法を示しており、ここで、重要な要素は、光受信機から出力されるパワーを、方向性を持って検出する機能である。この機能を実行するためには、方向性を有する検出器が必要である。
この方向性を持った検出を行うための改良された光信号検出装置及び光信号検出方法を図3に示す。フォトディテクタ30は、差動トランスインピーダンス増幅器36の2つの入力を駆動するために用いられる。差動トランスインピーダンス増幅器36は、図3に示す非反転入力端子(+)と反転入力端子(−)への入力電流の差分としてそれぞれが出力される2つの出力を有する。一方の出力信号(Vout1)は、信号検出器38に供給され、信号検出器38は、光信号検出回路から出力される本来の信号(すなわち、光信号検出回路の出力インピーダンスによって再び反射された信号ではない信号)の信号強度を検出する。数学的には、以下のように表すことができる。
Vout1=Z1*(Iin1−Iin2)+歪み項
Vout2=Z2*(Iin2−Iin1)+歪み項
ここで、Iin1及びIin2は、それぞれ、非反転入力端子(+)及び反転入力端子(−)の入力電流であり、Z1及びZ2は、それぞれ、トランスインピーダンス利得の線形係数である。この差動トランスインピーダンス増幅器36の出力信号Vout1、Vout2は、反転入力端子及び非反転入力端子に入力される電流の差だけに依存し、反対の出力電圧には依存しないので、出力端子間には、方向性が存在し、各出力端子は、分離されていると言える。したがって、一方の出力端子側における負荷条件の変化によって、反対側の出力端子のレベルが変化することはない。すなわち、出力信号Vout2に対するインピーダンスが時間と共に変化しても、反対側の出力端子の出力信号Vout1の値は、変化しない。同様に、出力信号Vout1又は出力信号Vout2の一方において外部的に誘導された信号は、他方には現れない。
本発明の利点は、高価な方向性カプラを用いなくても済む点である。これらの方向性素子は、多くの場合、巻線の製造に労力が掛かり、出力パワーを消費するという問題点があった。このような広帯域方向性素子は、RFIC上に製造することは非常に困難であり、したがって、広帯域方向性素子をなくすことによって、光受信機の集積の度合を高めることができる。また、方向性カプラをなくすことによって、部品が高密度に実装された基板の空間を節約することができる。
また、本発明の技術により、図4に示すように、平衡動作によって、優れた2次歪み特性を得ることができる。フォトディテクタ30の電流は、ピーキングコイルL1、L2を介して差動トランスインピーダンス増幅器36の入力段に供給される。これらのピーキングコイルL1、L2は、光受信機の利得の平坦性の制御に役立ち、及びフォトディテクタ30の寄生容量を補償するために用いられる。フォトディテクタ30のバイアスは、コイルL3、L4によって行われ、これにより、フォトディテクタ30は、Vcc1に略等しい電圧で逆バイアスされる。この目的に適するフォトディテクタとしては、例えば、エムコア社(Emcore)製の部品番号2610がある。
光パワーがフォトディテクタ30に入射されると、フォトディテクタ30のカソードからアノードにDC電流が流れ、抵抗R8の両端に小さなDC電圧が生じる。抵抗R8の両端の電圧の値は、入射光の量を表している。本発明では、能動素子である電界効果トランジスタ(field-effect-transistor:以下、FETという。)を用いることができ、FETは、固有のゲート−ソース間容量(Cgs)及びドレイン−ゲート容量(Cdg)を低く、入力インピーダンスを非常に高く維持している間は、非常に高い周波数に対して理想的な相互コンダクタンスを呈する。図4の実施の形態では、0.25ミクロンデバイスプロセスにおいて、単一の高周波集積回路(radio-frequency-integrated-circuit:RFIC)上に形成された擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(Pseudomorphic-High-Electron-Mobililty-Transistor:PHEMT)を用いる。また、これに代わるデバイス技術として、相補型金属酸化膜半導体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor:CMOS)FET、又は例えば、シリコンゲルマニウム(SiGe)又はガリウム砒素(GaAs)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)等のバイポーラ接合トランジスタ(Bipolar-Junction-Transistor:BJT)を用いてもよい。
差動トランスインピーダンス増幅器36は、一方がトランジスタQ1とトランジスタQ2の対によって構成され、他方がトランジスタQ3とトランジスタQ4の対によって構成された2つの差動対に基づく二段の設計となっている。通常動作の下では、差動対は、各片半分は、他方の片半分に対して、逆の位相で動作する。トランジスタQ1がより多くの電流を流し、ドレイン電圧を降下させると、トランジスタQ2は、より少ない電流を流し、ドレイン電圧を上昇させる。フォトディテクタ30のカソード及びアノードの両方は、入力段を駆動するために用いられるので、本発明に基づく光信号検出回路への入力電流は、本質的に平衡しており、すなわち、図4に示す光信号検出回路の各片半分には、振幅が同じで、位相が逆の電流が供給される。差動対の有利な特性の1つは、平衡入力条件の場合、各出力信号が入力信号に対して奇関数となる点である。奇関数は、べき級数展開における分解が1、3、5、7、・・・等の奇数次のパワー項だけを含み、偶数次のパワー項を含まない関数である。したがって、トランジスタQ1、Q2のドレインから取り出される出力信号及びトランジスタQ5、Q6のドレインから取り出される出力信号は、2次の歪みを含まない。
トランジスタQ1、Q2の差動対からなる図4の入力段は、光受信機の主要なトランスインピーダンス(primary trans-impedance)を提供し、トランジスタQ3、Q4の差動対からなる出力段は、光受信機の正味のトランスインピーダンスを高める基本的な電圧利得を提供する。入力段のトランスインピーダンスは、主に、並列帰還抵抗Rfb1、Rfb2によって決定される。トランジスタQ1、Q2に対する入力インピーダンスは、非常に大きいので、フォトディテクタ30からの入力電流は、主に、並列帰還抵抗Rfb1、Rfb2を介して流れる。また、並列帰還抵抗Rfb1、Rfb2の値は、光受信機の全体的な等価入力雑音(equivalent input noise:EIN)の主な決定因子であり、光受信機の利得応答又は歪み特性に悪影響を与えない範囲で、可能な限り大きくする必要がある。
トランジスタQ1、Q2のドレインの出力信号は、それぞれ、抵抗R4、R5を介して、PINダイオードCR1、CR2に供給される。これらのPINダイオードCR1、CR2は、ダイオードをバイアスするDC電流に応じて動作抵抗が変化する特性を有する。適切なPINダイオードとしては、例えば、アジレントテクノロジー社(Agilent Technologies)製の部品番号HSMP−381Fがある。PINダイオードCR1、CR2のバイアスは、可変DC電流源の電流Iattenによって行われる。電流Iattenが大きくなると、PINダイオードCR1、CR2のDC電流が増え、RF抵抗が小さくなり、抵抗R4、R5の両端の電圧降下が大きくなる。換言すれば、トランジスタQ3、Q4によって構成される出力段は、入力インピーダンスが非常に高いので、PINダイオードCR1、CR2の動作抵抗が小さくなると、直列抵抗R4、R5による減衰が大きくなる。これにより、電流Iattenは、入力側のトランスインピーダンス段と、出力側の後置増幅段との間に生じる減衰の量を制御する。すなわち、電流Iattenは、差動トランスインピーダンス増幅器の正味利得を調整する主要な機構である。
減衰された信号は、デカップリングコンデンサC5、C6を介して、トランジスタQ3、Q4の差動対からなる出力段に供給される。トランジスタQ3、Q4のドレインにそれぞれトランジスタQ5、Q6を追加することによって、カスコード接続のトポロジが構成される。カスコード接続のトポロジは、例えば、良好な周波数応答、より高い利得、良好なリニアリティ等の出力増幅器として良好な幾つかの特性を有する。本発明で最も重要な点として、このカスコード接続のトポロジは、トランジスタQ5、Q6のドレインにおける出力信号及びトランジスタQ3、Q4のゲートにおける入力信号間を良好に分離する。この分離によって、出力段は、平衡を維持する。
本発明に基づく出力信号間の高い分離特性を図6を用いて更に説明する。図6は、図4の出力部のカスコード接続駆動段の上側の素子(top device)であるトランジスタQ5、Q6の主な寄生容量を示している。ドレイン間の分離を検討するために、RF試験用信号源により、RF電圧をトランジスタQ6のドレインに供給するものとなす。このRF試験用信号源は、例えば、家庭内のRF同軸ケーブル等のRF配信網の反射信号を模擬する信号である。出力段回路の分離は、信号源が接続されたのと反対のドレインに配置されたRF電圧計によって測定されるRF電圧を、RF試験信号の出力電圧によって除算した商によって表される。RF試験信号が差動出力段回路を通過する2つの主要なパスがあるが、いずれも非常に小さく、これは、差動出力段回路の分離特性が優れていることを示している。1つの潜在的パスは、RF試験信号が、ゲートの共通ノードにおけるコンデンサC8によって減衰されずに、トランジスタQ5、Q6の容量Cdgを通過して漏れるパスである。容量Cdgに対するコンデンサC8の容量の比率は、1〜50とすることができ、これにより、通過するRF信号を非常に小さくすることができる。図6に示していない他の可能性として、トランジスタQ6のドレインからソース、トランジスタQ4のドレインからソース、そして、トランジスタQ3のソースからドレイン、トランジスタQ5のソースからドレインにRF信号が漏れることがある。なお、これらの漏洩パスは、殆どのFET素子では非常にハイインピーダンスを有するので、このパスを通って流れる電流は、非常に小さい。なお、ここでは高い分離が望まれ、並列帰還を適用すると、分離に悪影響があるので、トランジスタQ5又はトランジスタQ6の出力ドレインからトランジスタQ3及びトランジスタQ4のゲートへのそれぞれの並列帰還は、正確には用いられないことに留意する必要がある
本発明に係る光信号検出回路の出力段の高い分離によって、反射信号間の、すなわち現在出力段に戻る反射信号と信号検出器38に戻る反射信号間において優れた分離が得られる。これらの反射信号は、住居内のケーブルが低品質の場合、又は同軸配信網の終端が適切に保守されていない場合に生じる。換言すれば、信号検出器38の駆動レベルは、図4のトランジスタQ5のドレインの出力に現れるインピーダンスから独立している。通常のAGC動作では、信号検出器は、出力インピーダンス状態の影響を受けないので、AGC回路は、同軸ケーブルのインピーダンス状態の低下にかかわらず、適切な量のRF信号を出力する。図6及び図4の差動トランスインピーダンス増幅器の出力段回路の高い分離によって、優れた方向性が得られ、戻り信号は、信号検出器38では検出されず、AGCによるRF出力レベル調整は、必要ない
図4の差動対のバイアスは、ハイインピーダンスのゲートを0Vにバイアス、素子のピンチオフの約1/3、すなわち約−0.3Vの逆バイアスをFETに印加する。そして、バイアス抵抗R9、R10の値は、差動対におけるバイアス電流を設定する。なお、バイアス抵抗R9、R10には、バイアスコイルL9、L10が直列に接続されている。これらのバイアスコイルL9、L10は、接地に対するトランジスタQ1、Q2、Q3、Q4のソースから見たインピーダンスを高め、差動対の同相信号除去性能を向上させる望ましい効果を有する。バイアス抵抗R9、R10の値は、バイアス電流を設定するのに十分な大きさであればよく、非常に小さい値であるので、バイアスコイルL9、L10がなければ、各ソースに接続される残りのインピーダンスは、非常に小さくなる。同相信号除去性能を向上させることにより、光信号検出回路の平衡性が向上し、及び光信号検出回路内に僅かな不平衡が存在する場合にも、2次の歪み性能(2nd order performance)が向上する。
図2に示す信号検出器への駆動レベルが方向性カプラによって減衰する従来の技術の手法と比較して、トランジスタQ6のドレインは、信号検出器38を駆動するだけでよいので、非常に高いレベルの駆動信号を供給することができる。典型的な方向性カプラのポートの結合損失は、10〜20dBであるので、本発明は、より高いレベルの信号を信号検出器38に供給することができ、より簡単で低コストな設計を行うことができる。信号検出器38への入力信号のレベルが大きくなると、信号検出器38内で検出される電圧も大きくなり、これにより、より安価なアナログ部品、例えば、オフセット性能に対する要求が緩和されたオペアンプを用いることができる。また、本発明によって、信号検出器38は、高い方向性を有することもでき、その方向性は、通常の光受信機の動作の場合と、入射光がなくなり、通常の動作において全反射が起こったときと同じレベルの戻り信号がある場合との間の信号検出器38の出力における応答の差分である。本発明は、トランジスタQ5及びトランジスタQ6のドレイン間の本質的に高い分離のために、優れた方向性が得られる。
分離を維持するために、トランジスタQ5、Q6のドレインと、トランジスタQ3、Q4の対応するゲートとの間で並列帰還接続は行わない。これにより、トランジスタQ5、Q6のドレインの出力インピーダンスが高くなるが、バイアスコイルL7、L8の両端に、それぞれ抵抗R13、R14を接続することによって、出力インピーダンスを低減することができる。これらの抵抗R13、R14は、本発明に基づく光信号検出回路の利得及び有効出力のリニアリティを低下させるが、本質的により高い利得及びリニアリティを有するカスコード接続のトポロジにより、これらの損失は低減される。
更に、カスコード接続のトポロジは、非常に高い出力インピーダンスを有するので、抵抗R13を用いて、本発明に基づく光信号検出回路の出力インピーダンスを高い精度で設定することができる。本発明に基づく光信号検出回路においては、出力インピーダンスを制御することができるので、抵抗R13を適切に選択することによって、RF配信網から反射する信号を終端することができる。殆どのビデオシステムにおいて抵抗R13は、約75Ωに設定しなければならない。この結果、光信号検出回路から出力される信号のパワーは、全ての実際的な目的に対して、光入力電流に由来する本来の出力信号のパワーだけである。このように、光受信機から出力される信号には、出力増幅器とRF配信網間の多重反射からのパワーは含まれない。
図4に示す実施の形態の各素子の値を以下の表1に示す。電流Iattenは、100μA〜15mAの値を取る可変電流源である。
Figure 0005087773
信号検出器38の実施の形態を図5に示す。RF入力は、固定インピーダンスで信号を終端する抵抗R1に印加される。コンデンサC1は、PINダイオード(以下、検出ダイオードともいう。)CR1へのAC結合を提供し、検出ダイオードCR1は、Vccから抵抗R2を介して極めて小さなDC電流によってバイアスされている。ここで用いられる検出ダイオードとしては、例えば、アジレントテクノロジー社(Agilent Technologies)製の部品番号HSMP−2865がある。この小さなDC電流は、検出ダイオードCR1を順方向にバイアスし、R3/C2フィルタ回路の両端に非常に低いDC電圧を生じさせる。RF入力レベルが大きくなると、検出ダイオードCR1の両端に現れるAC電圧が大きくなり、RF信号レベルの増加に関連して、検出ダイオードCR1を流れる平均電流が増える。このように、図5の信号検出器38の出力は、信号検出器38に入力されるRFパワーの大きさを示す。図5の信号検出器38の各構成要素の好ましい値は、R1=75Ω、R2=100kΩ、R3=1kΩ、Cl=470pF、C2=470pFである。
図7に示す本発明の他の実施の形態では、差動トランスインピーダンス増幅器の入力段をデュアルトランスインピーダンス増幅器(dual trans-impedance amplifier)70に置換している。デュアルトランスインピーダンス増幅器70は、2つの完全に独立した増幅器、すなわち、整合性を向上させるために同じ集積回路上に形成された2つの独立した増幅器であってもよい。図7に示す他の実施の形態では、コイル又は抵抗を用いて構成されるフォトディテクタバイアス回路32、34を介して、フォトディテクタ30にバイアスを印加する。より多くフォトディテクタ電流をトランスインピーダンス増幅器に流して、信号対雑音比を可能な限り最適にするために、Vccとフォトディテクタ30のカソード間及びVccとフォトディテクタ30のアノード間のインピーダンスは、ハイインピーダンスであることを要求される。フォトディテクタ30は、入射光を復調して、2つの電流信号をデュアルトランスインピーダンス増幅器70の2つの入力端子にそれぞれ供給する。これらの電流は、互いに位相が180度異なっており、これにより、デュアルトランスインピーダンス増幅器70の2つの出力も、互いに位相が180度異なっている。そして、これらの出力端子は、差動増幅器36の2つの入力端子に接続されており、差動増幅器36は、信号レベルを高める利得を有する。差動増幅器36は、少なくとも2つの出力を有し、一方の出力は、RF配信網を駆動し、他方の出力は、信号検出器38を駆動する。これらの出力は、互いに同じ位相を有する必要はないが、これらの出力は、信号検出器38の方向性を効果的に維持するために、互いに良好に分離する必要がある。差動増幅器36は、AGC回路において有用な調整可能な利得を有していてもよい。
図7に示す本発明の実施の形態の回路構成を図8に示す。これは、差動トランスインピーダンス増幅器の入力部を、デュアルトランスインピーダンス増幅器70に置き換えている。デュアルトランスインピーダンス増幅器70は、2つの整合されたトランスインピーダンス増幅器から構成される。この差動トランスインピーダンス増幅器は、トランジスタQ1、Q2が殆ど互い独立して動作するトランスインピーダンス増幅器を形成するのを除いて、図4の光信号検出回路と全く同様に動作する。換言すれば、図8に示す光信号検出回路は、図4の光信号検出回路と比べて、同相信号除去性能が劣っている。なお、図8のトランスインピーダンス増幅器は、特に、プロジェクトコスト及びスケジュールの制約のために、集積回路技術を用いることができない場合等に、図4の光信号検出回路より簡単に製造することができる。この場合、図8のデュアルトランスインピーダンス増幅器は、2つの個別にパッケージされた増幅器又は個別トランジスタを用いて構成することができる。
本発明の範囲及び思想から逸脱することなく、上述の好ましい具体例を様々な分野に応用し、又は変更できることは当業者にとって明らかである。したがって、本発明は、添付の請求の範囲に基づき、上述した具体例とは異なる形態でも実現できることは明らかである。
標準の光リンクシステムのブロック図である。 従来の可変減衰器を用いた自動利得制御回路のブロック図である。 本発明の一実施の形態のブロック図である。 図3のブロック図の一実施の形態を示す概略図である。 図3に示す信号検出器の一実施の形態の概略図である。 図4のカスケード段の上側の素子の主な寄生容量を示す概略図である。 本発明の他の実施の形態のブロック図である。 図7のブロック図の一実施の形態を示す概略図である。

Claims (10)

  1. アノード及びカソードを有するフォトディテクタと、
    第1の入力端子が上記フォトディテクタのカソードに接続され、第2の入力端子が該フォトディテクタのアノードに接続された2入力2出力の差動トランスインピーダンス増幅器と、
    上記差動トランスインピーダンス増幅器の第1の出力端子に接続された信号検出器とを備え、
    上記差動トランスインピーダンス増幅器は、
    上記第1の入力端子に接続された第1のトランジスタと、上記第2の入力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第1の差動対によって構成される第1のステージと、
    上記第1の出力端子に接続された第1のトランジスタと、第2の出力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第2の差動対によって構成される第2のステージと、
    上記第1の出力端子と上記第2の出力端子を電気的に分離して、該第2の出力端子の負荷状態の変化が該第1の出力端子における信号レベルを変化させないような回路であって該第2の出力端子に外部から誘導された信号が該第1の出力端子に現れないような回路を有し、
    上記信号検出器は、当該光信号検出回路から出力される信号の出力電力レベルを表す出力信号を出力し、
    上記回路は、上記第1の出力端子と上記第2の出力端子を電気的に分離するカスコード接続を構成するために上記第2の差動対の各ドレインに接続されたトランジスタ対と、該トランジスタ対の共通ゲートノードと接地間に接続されたコンデンサとを有することを特徴とする光信号検出回路。
  2. 上記フォトディテクタをバイアスするフォトディテクタバイアス回路を更に備える請求項1記載の光信号検出回路。
  3. 上記差動トランスインピーダンス増幅器のトランスインピーダンスは、上記第1の差動対における帰還を用いて制御されることを特徴とする請求項2記載の光信号検出回路。
  4. 上記差動トランスインピーダンス増幅器は、可変利得を有することを特徴とする請求項3記載の光信号検出回路。
  5. 上記信号検出器は、当該光信号検出回路から出力される本来の信号の信号強度を検出することを特徴とする請求項2記載の光信号検出回路。
  6. 上記差動トランスインピーダンス増幅器は、
    デュアルトランスインピーダンス増幅器と、
    差動出力増幅器とから構成されることを特徴とする請求項2記載の光信号検出回路。
  7. 上記信号検出器は、当該光信号検出回路から出力される本来の信号の信号強度を検出することを特徴とする請求項6記載の光信号検出回路。
  8. 光信号をフォトディテクタによって検出して、第1及び第2の電流を生成するステップと、
    上記第1の電流を、第1の出力端子及び第2の出力端子を有する差動トランスインピーダンス増幅器の第1の入力端子に供給するステップと、
    上記第2の電流を上記差動トランスインピーダンス増幅器の第2の入力端子に供給するステップと、
    上記第1の出力端子と上記第2の出力端子を電気的に分離して、該第2の出力端子における負荷状態の変化が該第1の出力端子における信号レベルを変化させないような回路によって、該第2の出力端子に外部から誘導された信号が該第1の出力端子に現れないようにするステップと、
    上記第1の出力端子の信号を信号検出器に供給するステップとを有し、
    上記差動トランスインピーダンス増幅器は、
    上記第1の入力端子に接続された第1のトランジスタと、上記第2の入力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第1の差動対によって構成される第1のステージと、
    上記第1の出力端子に接続された第1のトランジスタと、上記第2の出力端子に接続された第2のトランジスタとを有する第2の差動対によって構成される第2のステージとを有し、
    上記信号検出器の出力信号は、光信号検出回路の出力電力レベルを表し、
    上記回路は、上記第1の出力端子と上記第2の出力端子を電気的に分離するカスコード接続を構成するために上記第2の差動対の各ドレインに接続されたトランジスタ対と、該トランジスタ対の共通ゲートノードと接地間に接続されたコンデンサとを有することを特徴とする光信号検出方法。
  9. 上記差動トランスインピーダンス増幅器のトランスインピーダンスは、上記第1の差動対における帰還を用いて制御されることを特徴とする請求項8記載の光信号検出方法。
  10. 上記信号検出器は、上記光信号検出回路から出力される本来の信号の信号強度を検出することを特徴とする請求項9記載の光信号検出方法。
JP2007525750A 2004-08-12 2005-08-10 光信号検出回路及び方法 Expired - Fee Related JP5087773B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US60101804P 2004-08-12 2004-08-12
US60/601,018 2004-08-12
PCT/US2005/028359 WO2006020682A1 (en) 2004-08-12 2005-08-10 Level detector for optical receivers

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008510383A JP2008510383A (ja) 2008-04-03
JP2008510383A5 JP2008510383A5 (ja) 2008-09-25
JP5087773B2 true JP5087773B2 (ja) 2012-12-05

Family

ID=35839983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007525750A Expired - Fee Related JP5087773B2 (ja) 2004-08-12 2005-08-10 光信号検出回路及び方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20060034620A1 (ja)
EP (1) EP1779558B1 (ja)
JP (1) JP5087773B2 (ja)
CN (1) CN101040468B (ja)
WO (3) WO2006020682A1 (ja)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8512718B2 (en) 2000-07-03 2013-08-20 Foamix Ltd. Pharmaceutical composition for topical application
IL152486A0 (en) 2002-10-25 2003-05-29 Meir Eini Alcohol-free cosmetic and pharmaceutical foam carrier
US7820145B2 (en) 2003-08-04 2010-10-26 Foamix Ltd. Oleaginous pharmaceutical and cosmetic foam
US7700076B2 (en) 2002-10-25 2010-04-20 Foamix, Ltd. Penetrating pharmaceutical foam
US8486376B2 (en) 2002-10-25 2013-07-16 Foamix Ltd. Moisturizing foam containing lanolin
US8119109B2 (en) 2002-10-25 2012-02-21 Foamix Ltd. Foamable compositions, kits and methods for hyperhidrosis
US9668972B2 (en) 2002-10-25 2017-06-06 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Nonsteroidal immunomodulating kit and composition and uses thereof
US8119150B2 (en) 2002-10-25 2012-02-21 Foamix Ltd. Non-flammable insecticide composition and uses thereof
US8900554B2 (en) 2002-10-25 2014-12-02 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Foamable composition and uses thereof
US9265725B2 (en) 2002-10-25 2016-02-23 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Dicarboxylic acid foamable vehicle and pharmaceutical compositions thereof
US20080138296A1 (en) 2002-10-25 2008-06-12 Foamix Ltd. Foam prepared from nanoemulsions and uses
US9211259B2 (en) 2002-11-29 2015-12-15 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Antibiotic kit and composition and uses thereof
US7704518B2 (en) 2003-08-04 2010-04-27 Foamix, Ltd. Foamable vehicle and pharmaceutical compositions thereof
AU2003279493B2 (en) 2002-10-25 2009-08-20 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Cosmetic and pharmaceutical foam
US10117812B2 (en) 2002-10-25 2018-11-06 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Foamable composition combining a polar solvent and a hydrophobic carrier
US7575739B2 (en) 2003-04-28 2009-08-18 Foamix Ltd. Foamable iodine composition
US8795693B2 (en) 2003-08-04 2014-08-05 Foamix Ltd. Compositions with modulating agents
US8486374B2 (en) 2003-08-04 2013-07-16 Foamix Ltd. Hydrophilic, non-aqueous pharmaceutical carriers and compositions and uses
JP2008540508A (ja) 2005-05-09 2008-11-20 フォーミックス エルティーディー. 起泡性ビヒクル及びその医薬組成物
US7596326B2 (en) * 2005-10-27 2009-09-29 Emcore Corporation Distortion cancellation circuitry for optical receivers
US7634198B2 (en) * 2006-06-21 2009-12-15 Emcore Corporation In-line distortion cancellation circuits for linearization of electronic and optical signals with phase and frequency adjustment
US20080002993A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Kirkpatrick Peter E Optical receiver with dual photodetector for common mode noise suppression
US9014571B2 (en) * 2006-11-01 2015-04-21 Arris Technology, Inc. Small form pluggable analog optical transmitter
US20080260655A1 (en) 2006-11-14 2008-10-23 Dov Tamarkin Substantially non-aqueous foamable petrolatum based pharmaceutical and cosmetic compositions and their uses
US20080298815A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 General Instrument Corporation Small Form Pluggable Analog Optical Receiver
US8636982B2 (en) 2007-08-07 2014-01-28 Foamix Ltd. Wax foamable vehicle and pharmaceutical compositions thereof
WO2009069006A2 (en) 2007-11-30 2009-06-04 Foamix Ltd. Foam containing benzoyl peroxide
WO2009072007A2 (en) 2007-12-07 2009-06-11 Foamix Ltd. Carriers, formulations, methods for formulating unstable active agents for external application and uses thereof
WO2010041141A2 (en) 2008-10-07 2010-04-15 Foamix Ltd. Oil-based foamable carriers and formulations
WO2009090558A2 (en) 2008-01-14 2009-07-23 Foamix Ltd. Poloxamer foamable pharmaceutical compositions with active agents and/or therapeutic cells and uses
JP5126676B2 (ja) * 2008-07-03 2013-01-23 日立金属株式会社 増幅器
US20100258729A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Niles Audio Corporation Infrared Repeater System
US20120087872A1 (en) 2009-04-28 2012-04-12 Foamix Ltd. Foamable Vehicles and Pharmaceutical Compositions Comprising Aprotic Polar Solvents and Uses Thereof
US8742314B2 (en) 2009-07-01 2014-06-03 Pioneer Corporation Light amount detecting apparatus, and light amount information processing apparatus
WO2011013008A2 (en) 2009-07-29 2011-02-03 Foamix Ltd. Non surface active agent non polymeric agent hydro-alcoholic foamable compositions, breakable foams and their uses
CA2769625C (en) 2009-07-29 2017-04-11 Foamix Ltd. Non surfactant hydro-alcoholic foamable compositions, breakable foams and their uses
CN102686205A (zh) 2009-10-02 2012-09-19 弗艾米克斯有限公司 局部四环素组合物
US9849142B2 (en) 2009-10-02 2017-12-26 Foamix Pharmaceuticals Ltd. Methods for accelerated return of skin integrity and for the treatment of impetigo
EP2312748A1 (fr) * 2009-10-19 2011-04-20 CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA Système de détection de signaux haute fréquence à bande étroite
JP2011119855A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Mitsubishi Electric Corp バースト光受信器
US9246601B2 (en) * 2011-05-03 2016-01-26 Yunzhi Dong Optical receiver
US9151604B1 (en) * 2011-10-06 2015-10-06 Laser Technology, Inc. Non-saturating receiver design and clamping structure for high power laser based rangefinding instruments
US20130188963A1 (en) * 2012-01-23 2013-07-25 Gil Afriat Applying controlled impedance to improve optical transceiver bandwidth
CN104137446B (zh) * 2012-02-23 2017-02-22 富士通光器件株式会社 光接收器以及光接收方法
ITMI20120736A1 (it) * 2012-05-03 2013-11-04 St Microelectronics Srl Amplificatore a trans-impedenza per interfaccia ottico-elettrica ad alta velocità
JP6217258B2 (ja) * 2013-09-06 2017-10-25 ソニー株式会社 電流電圧変換回路、光受信装置、および、光伝送システム
CN104811249A (zh) * 2014-01-24 2015-07-29 上海新纳通信技术有限公司 低功耗网络型光接收机及控制方法
US9337937B2 (en) 2014-03-10 2016-05-10 Cisco Technology, Inc. Common mode rejection ratio control for coherent optical receivers
WO2015160660A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-22 Arris Enterprises, Inc. Smart receivers and transmitters for catv networks
US9490757B2 (en) 2015-02-02 2016-11-08 International Business Machines Corporation Implementing enhanced bias configuration for CMOS inverter based optical transimpedance amplifier
US9571045B2 (en) 2015-02-02 2017-02-14 International Business Machines Corporation Implementing enhanced CMOS inverter based optical transimpedance amplifier
JP6211554B2 (ja) * 2015-04-15 2017-10-11 株式会社東海理化電機製作所 発光ダイオード駆動装置
JP6397374B2 (ja) * 2015-07-01 2018-09-26 日本電信電話株式会社 増幅器
US9577607B1 (en) 2015-08-03 2017-02-21 International Business Machines Corporation Peaking inductor array for peaking control unit of transceiver
ITUB20154605A1 (it) * 2015-10-12 2017-04-12 St Microelectronics Srl Amplificatore a transimpedenza, e relativo circuito integrato e ricevitore ottico
US10209127B2 (en) 2015-11-05 2019-02-19 Ciena Corporation Method and system for balancing optical receiver
MX2017011630A (es) 2016-09-08 2018-09-25 Foamix Pharmaceuticals Ltd Composiciones y metodos para tratar rosacea y acne.
JP2020027991A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 株式会社エヌエフ回路設計ブロック 電流増幅回路
JP2020077956A (ja) * 2018-11-07 2020-05-21 住友電気工業株式会社 光受信回路
CN110061779B (zh) * 2019-04-28 2021-04-27 重庆三峡学院 一种光纤通信系统
US11223334B2 (en) * 2020-02-07 2022-01-11 Analog Devices International Unlimited Company Transimpedance circuits and methods
US11811375B2 (en) * 2021-04-07 2023-11-07 Cisco Technology, Inc. Differential transimpedance amplifier employing asymmetric signal paths

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4139767A (en) * 1977-10-17 1979-02-13 Northern Telecom Limited Photodetector with improved signal-to-noise ratio
JPH01114205A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Fujitsu Ltd 増幅器
US5095286A (en) * 1989-11-15 1992-03-10 Dylor Corporation Fiber optic receiver and amplifier
US5239402A (en) * 1989-12-01 1993-08-24 Scientific-Atlanta, Inc. Push-pull optical receiver
US4998012A (en) * 1989-12-01 1991-03-05 Scientific Atlanta, Inc. Fiber optic transimpedance receiver
US5013903A (en) * 1990-02-26 1991-05-07 At&T Bell Laboratories Lightwave receiver having differential input
US5267071A (en) * 1991-09-03 1993-11-30 Scientific-Atlanta, Inc. Signal level control circuitry for a fiber communications system
JPH0637556A (ja) * 1992-07-14 1994-02-10 Sony Corp 差動型フォトダイオード出力装置
JP2503837B2 (ja) * 1992-07-16 1996-06-05 日本電気株式会社 ディジタル光受信回路とディジタル光受信回路におけるプリアンプ回路
US5481389A (en) * 1992-10-09 1996-01-02 Scientific-Atlanta, Inc. Postdistortion circuit for reducing distortion in an optical communications system
US5430568A (en) * 1992-12-01 1995-07-04 Scientific-Atlanta, Inc. Optical communications system for transmitting information signals having different wavelengths over a same optical fiber
JPH06224652A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Toshiba Corp 光受信回路
US5347389A (en) * 1993-05-27 1994-09-13 Scientific-Atlanta, Inc. Push-pull optical receiver with cascode amplifiers
JPH08223228A (ja) * 1994-03-17 1996-08-30 Fujitsu Ltd 等化増幅器及びこれを用いた受信機並びにプリアンプ
JP2983160B2 (ja) * 1995-10-06 1999-11-29 八木アンテナ株式会社 高周波増幅装置
US5963352A (en) * 1997-02-21 1999-10-05 Scientific-Atlanta, Inc. Linearization enhanced operation of single-stage and dual-stage electro-optic modulators
JP3147082B2 (ja) * 1997-10-15 2001-03-19 日本電気株式会社 差動増幅回路
FI974225A (fi) * 1997-11-13 1999-05-14 Nokia Telecommunications Oy Optinen vastaanotin
GB9816529D0 (en) * 1998-07-29 1998-09-30 Northern Telecom Ltd A wide dynamic range transimpedance amplifier
US6084478A (en) * 1998-08-20 2000-07-04 Vitesse Semiconductor Corp. Transimpedance amplifier with automatic gain control
US6100758A (en) * 1998-12-09 2000-08-08 Ericsson Inc. Low noise resistively matched amplifier
US6577177B2 (en) * 1999-04-01 2003-06-10 General Instrument Corporation Non-linear distortion generator
EP1166434B1 (en) * 1999-04-01 2002-09-11 General Instrument Corporation Non-linear distortion generator for both second and third order distortion
US20060165413A1 (en) * 1999-05-24 2006-07-27 Broadband Royalty Corporation DWDM CATV return system with up-converters to prevent fiber crosstalk
JP4429565B2 (ja) * 1999-12-27 2010-03-10 富士通株式会社 信号増幅回路及びこれを用いた光信号受信器
SE520433C2 (sv) * 2000-12-01 2003-07-08 Transmode Systems Ab Förstärkarkrets, ett optiskt kommunikationssystem och en metod för att styra förstärkning
US6947857B2 (en) * 2001-03-16 2005-09-20 Mindspeed Technologies, Inc. Optical sequence time domain reflectometry during data transmission
US7072590B2 (en) * 2001-03-26 2006-07-04 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd. Fiber optic receiver with an adjustable bandwidth post-amplifier
WO2002082694A1 (en) * 2001-04-04 2002-10-17 Quellan, Inc. Method and system for decoding multilevel signals
KR100389206B1 (ko) * 2001-04-25 2003-06-27 주식회사 성진씨앤씨 컴퓨터 운영 시스템 보호 방법 및 장치
JP2003142966A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Alps Electric Co Ltd テレビジョンチューナの中間周波増幅器
US6674967B2 (en) * 2001-11-14 2004-01-06 Scientific-Atlanta, Inc. Fiber-to-the-home (FTTH) optical receiver having gain control and a remote enable
KR100605777B1 (ko) * 2002-04-25 2006-07-31 삼성전자주식회사 버스트모드 광 수신기의 판별 임계값 제어장치
JP2004080511A (ja) * 2002-08-20 2004-03-11 Seiko Epson Corp 差動増幅回路
JP4080298B2 (ja) * 2002-10-29 2008-04-23 松下電器産業株式会社 増幅器
EP1480333A3 (en) * 2003-05-22 2006-05-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency differential amplifier, differential mixer, differential oscillator and radio circuit using same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006017846A3 (en) 2007-03-01
EP1779558A4 (en) 2008-02-20
US20060034619A1 (en) 2006-02-16
WO2006020682A1 (en) 2006-02-23
CN101040468B (zh) 2012-07-04
EP1779558A1 (en) 2007-05-02
EP1779558B1 (en) 2012-11-28
WO2006017846A2 (en) 2006-02-16
WO2006020695A3 (en) 2006-05-04
JP2008510383A (ja) 2008-04-03
US7734193B2 (en) 2010-06-08
US20060034622A1 (en) 2006-02-16
US20060034620A1 (en) 2006-02-16
CN101040468A (zh) 2007-09-19
WO2006020695A2 (en) 2006-02-23
US7505696B2 (en) 2009-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5087773B2 (ja) 光信号検出回路及び方法
JP2008510383A5 (ja)
Kim et al. A 40-Gb/s optical transceiver front-end in 45 nm SOI CMOS
US6864750B2 (en) Cascode distributed amplifier
US8022771B2 (en) Linearized trans-impedance amplifiers
US11336236B2 (en) Differential transimpedance amplifier
JPH07500706A (ja) 光ファイバ通信システムにおける信号レベル制御
US8405461B2 (en) Light receiving circuit with differential output
Royo et al. CMOS transimpedance amplifier with controllable gain for RF overlay
WO2020243606A1 (en) Dc coupled amplifier having pre-drive and bias control
Ahmed Transimpedance amplifier (TIA) design for 400 Gb/s optical fiber communications
EP3404831B1 (en) Photoreceiver with pre-equalizing differential transimpedance amplifier
JP2006527545A (ja) 開ループの自動ゲイン制御回路を有する光受信器
Wolf et al. A metamorphic GaAs HEMT distributed amplifier with 50 GHz bandwidth and low noise for 40 Gbits/s
Romanova et al. Inductor-less low-noise CMOS transimpedance amplifier for OTDR applications
Koryakovtsev et al. A DC-20 GHz Integrated Linear Photonic Receiver in a $0.25\mu\mathrm {m} $ BiCMOS SiGe: C Technology
Kopa et al. Common-emitter feedback transimpedance amplifier for analog optical receivers
Fukuyama et al. Two-channel InP HBT differential automatic-gain-controlled transimpedance amplifier IC for 43-Gbit/s DQPSK photoreceiver
Aschei Design of Transimpedance Amplifiers for Coherent Optical Communications in 28 nm CMOS Technology
Wolf et al. A metamorphic GaAs HEMT distributed amplifier with 50 GHz bandwidth and low noise for 40 Gbits/s optical receivers
US20040052537A1 (en) Thermal noise reduction technique for optical receivers using identical amplifier circuits
Park et al. A 20-Gb/s coaxial cable receiver analog front-end in 90-nm CMOS technology
KR20150142234A (ko) 차동 전달 임피던스 증폭기
Ng et al. A 38-Gb/s 2-tap transversal equalizer in 0.13-μm CMOS using a microstrip delay element
Radovanović et al. High data-rates with CMOS photodiodes

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080806

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080806

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110712

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111012

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111019

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111114

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111212

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120717

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120816

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees