JP5066833B2 - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体パッケージの製造方法に関し、特に樹脂バリ除去技術を利用した半導体パッケージの製造方法に関する。

近年、半導体パッケージの小型化に伴い、その製造方法については簡素且つ確実な製造プロセスの構築が求められている。
半導体パッケージの製造においては、半導体チップとリードのボンディングが完了した後、半導体チップ及びリードを成形用金型内部に設置し、溶解した樹脂を注入し、半導体チップ及びリードをモールドで包囲することにより半導体パッケージを作製するのが一般的である。

図１２は半導体パッケージの概略図である。
半導体パッケージ１００は、半導体チップ１１０（図中の点線）の周囲がモールド１２０により包囲され、そのモールド１２０間にリード１３０が挿入されている。

リード１３０は、半導体チップ１１０の電極部に電気的に接続され、半導体チップ１１０へ電気信号を送信し、または半導体チップ１１０からの電気信号を取り出す機能を有する。従って、リード１３０の加工については、精密な加工技術が必要になる。例えば、高精度プレス加工等によって、ボンディング前にパターニングされている。

また、リード１３０は、製造工程において、その剛性を高めるために、隣接するリード１３０間に補助橋であるダイバ１３１が形成されている場合がある。このダイバ１３１は、最終的にリード１３０から取り除かれる。

ところで、モールド１２０の形成は、上下に分割された成形用金型で半導体チップ１１０、リード１３０、ダイバ１３１を挟持し、溶解した樹脂を成形用金型内部に流入・成形することによって行う。そして、溶解した樹脂を高圧プレスで封止して、モールド１２０が形成される。

図１３は成形用金型が半導体チップ及びリードを挟持する状態を示す要部断面図である。
この図では、リード１３０部分が上金型１４０、下金型１４１で挟持された状態の断面図を示している。また、半導体チップ１１０は、成形用金型内部に設置されており、点線で示されている。

上述したように、モールド１２０は、溶解した樹脂を高圧プレスで封止することにより形成する。しかし、成形用金型内部に余分な空間があると、そこへ溶解した樹脂が回り込む場合がある。

例えば、図１３に示す成形用金型内部には、上金型１４０、下金型１４１、リード１３０によって取り囲まれた空間部１５０が存在する。
このような空間部１５０が成形用金型内部に存在すると、成形中に空間部１５０に溶解した樹脂が流出し、空間部１５０、即ちリード１３０間に樹脂バリが形成する場合がある。

図１４は樹脂バリが形成した状態のリード部分の断面図である。
上述したように、図１３に示す空間部１５０に溶解した樹脂が流出した結果、リード１３０間に樹脂バリ１６０が形成している。このような樹脂バリ１６０がリード１３０間に残存すると発塵の要因になり、半導体パッケージとしての生産性が低下する。そのためモールド１２０の形成後に樹脂バリ１６０を除去する必要がある。

例えば、モールド１２０の形成後に、樹脂バリ１６０をプレスにより取り除く方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、この開示例ではプレス後の樹脂バリがリード間に残存し、ウォータージェット等の洗浄が必要になる場合がある。

これに対し、打ち抜きにより樹脂バリ１６０を取り除く方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。この方法によれば、樹脂バリは打ち抜きによりリード間に残存しないので、後工程での洗浄が不要になる。
特開２００４−１５８５９４号公報 特許第２５８９１８４号公報

しかしながら、図１４に示すリード１３０は、予め金属製平板の打ち抜きにより作製されている。このため、リード１３０上部の両端は直角にはならず、打ち抜きの結果、ダレ部１３２を形成している。このようなダレ部１３２が形成すると、成形中にダレ部１３２上面にまで溶解した樹脂が回り込み、ダレ部１３２上面にも樹脂バリ１６０ａが形成する。

このような場合、ダレ部１３２が形成したリード１３０面から樹脂バリ１６０を打ち抜くと、ダレ部１３２上面の樹脂バリ１６０ａがダレ部１３２上面に残存するという問題が生じている。そのプロセスを以下に説明する。

図１５〜図１７は樹脂バリの打ち抜き工程を示す要部断面図である。
図１５は打ち抜き前の要部断面図である。
先ず、ダレ部１３２上面にまで樹脂バリ１６０ａが形成したリード１３０を打ち抜き台１７０上に設置し、樹脂バリ１６０上面に打ち抜きパンチ１７１を設置する。

図１６は打ち抜き中の要部断面図である。
次に、図１６の上方から下方へ向かい、打ち抜きパンチ１７１をリード１３０間に貫通させ、樹脂バリ１６０ａを打ち抜く。このとき樹脂バリ１６０は、打ち抜きパンチ１７１によって押し出され、図１６の下方に向かって除去される。

図１７は打ち抜き後の要部断面図である。
前工程で樹脂バリ１６０は除去されたが、ダレ部１３２上面の樹脂バリ１６０ａの位置は、打ち抜きパンチ１７１の短手方向の外側に位置するため、打ち抜きパンチ１７１で樹脂バリ１６０ａの全てを除去することができない。また、高圧プレスで形成された樹脂バリ１６０ａはダレ部１３２上面に強く密着している。その結果、ダレ部１３２上面に樹脂バリ１６０ａが付着したまま残存する。

このように樹脂バリ１６０ａがダレ部１３２上面に残存すると、その後にブラシがけ等の２次加工によって樹脂バリ１６０ａをダレ部１３２上面から除去する必要があり、その結果、リード１３０が損傷する。リード１３０が損傷すると、半導体パッケージの品質が向上せず、生産性が悪くなるという問題が生じる。

また、打ち抜きパンチ１７１については、樹脂バリ１６０を切削するために、打ち抜きパンチ１７１をリード１３０間に挿入した際のクリアランスの確保が常時必要になる。その結果、半導体パッケージを製造する際の生産性が向上しないという問題がある。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、品質が良好になり、生産性が向上する半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明では、上記課題を解決するために、リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成された前記リードを成形用金型に挟持し、前記成形用金型の内部に溶解した樹脂を流入し、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、前記成型用金型と前記ダレ部を含む前記リード、前記リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの前記主面側の表面に凹部を形成し、流入した前記樹脂が硬化した後に、前記空間部の前記樹脂バリを、打ち抜きにより前記凹部が形成された側から反対側に押圧して歪曲させて除去することを特徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。

この半導体パッケージの製造方法により、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成されたリードは成形用金型に挟持され、成形用金型の内部に溶解した樹脂が流入され、成型用金型とダレ部を含むリード、リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの主面側の表面に凹部が形成され、流入した樹脂が硬化した後に、空間部の樹脂バリが打ち抜きにより凹部が形成された側から反対側に押圧されて歪曲して除去される。
また、本発明では、上記課題を解決するために、リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成された前記リードを成形用金型に挟持し、前記成形用金型の内部に溶解した樹脂を流入し、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、前記成型用金型と前記ダレ部を含む前記リード、前記リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの前記主面の反対側の表面に凹部を形成し、流入した前記樹脂が硬化した後に、前記空間部の前記樹脂バリを、打ち抜きにより前記主面側から前記凹部が形成された側に押圧して歪曲させて前記凹部から裂いて除去することを特徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。
この半導体パッケージの製造方法により、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成されたリードは成形用金型に挟持され、成形用金型の内部に溶解した樹脂が流入され、成型用金型とダレ部を含むリード、リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの主面の反対側の表面に凹部が形成され、流入した樹脂が硬化した後に、空間部の樹脂バリが、打ち抜きにより主面側から凹部が形成された側に押圧されて歪曲して凹部から裂かれて除去される。

本発明では、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成されたリードを成形用金型に挟持し、成形用金型の内部に溶解した樹脂を流入し、成型用金型とダレ部を含むリード、リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの主面側の表面に凹部を形成し、流入した樹脂が硬化した後に、空間部の樹脂バリを打ち抜きにより凹部が形成された側から反対側に押圧して歪曲させて除去するようにした。
また、本発明では、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成されたリードを成形用金型に挟持し、成形用金型の内部に溶解した樹脂を流入し、成型用金型とダレ部を含むリード、リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの主面の反対側の表面に凹部を形成し、流入した樹脂が硬化した後に、空間部の樹脂バリを、打ち抜きにより主面側から凹部が形成された側に押圧して歪曲させて凹部から裂いて除去するようにした。

これらにより、半導体パッケージの製造方法において、その生産性が向上し、そのような方法によって製造された半導体パッケージの品質が良好になる。

以下、本発明の実施形態の概要を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は樹脂バリ除去工程の基本原理を示すフロー図である。
先ず、半導体パッケージを構成する所定の部材を成形用金型に挟持する。この際、リード間に形成される樹脂バリ表面に凹部を形成するため、予め成形用金型に凸状の部分を形成しておく（ステップＳ０）。樹脂バリ表面に形成される凹部は、反対面に貫通しない。

次に、半導体チップの電極部とリードをボンディングした後、半導体チップ及びリードを成形用金型内部に設置する（ステップＳ１）。次いで、溶解した樹脂を成形用金型内部に流入し（ステップＳ２）、成形加工により樹脂を硬化させ、モールドを形成する。この際、樹脂バリに凹部が形成される（ステップＳ３）。そして、凹部が形成した樹脂バリを打ち抜きパンチで打ち抜く（ステップＳ４）。そして、半導体パッケージが完成する。

このような半導体パッケージの製造工程によれば、樹脂バリの除去を確実且つ簡素に行うことができる。また、打ち抜きパンチをリード間に挿入した際の微狭なクリアランスの確保が不要になる。その結果、半導体パッケージの品質、生産性が向上する。

次に、樹脂バリ除去工程の具体例を図１に示すフローと共に図面を参照しながら説明する。
最初に、半導体パッケージのリード間に樹脂バリが生成される工程から説明する。

図２は成形用金型が半導体チップ及びリードを挟持する工程を示す要部断面図である。
先ず、成形用金型の上金型３０には、予め凸状の部分である凸部５０が形成されている（ステップＳ０）。

次に、半導体チップ１０、リード２０とのボンディングが終了した後に、これらを成形用金型内部に配置する。そして、リード２０を上金型３０、下金型３１で挟持する（ステップＳ１）。

半導体チップ１０は、成形用金型内部に設置されており、点線で示している。ここでのリード２０の寸法は、例えば、厚みが０．３ｍｍであり、隣接するリード間の距離が１．５ｍｍであり、ピッチが２．５４ｍｍである。

また、成形用金型内部には、上金型３０、下金型３１、リード２０及びリード２０を連結するダイバ（不図示）によって四方が取り囲まれる空間部４０が形成される。
上述したように上金型３０には凸部５０が設けられており、凸部５０を空間部４０の上側から空間部４０の一部に突出させている。

そして、半導体チップ１０、リード２０を上金型３０、下金型３１に挟持させた状態で、溶解した樹脂、例えば熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を成形用金型内部に流入する（ステップＳ２）。

図３は樹脂バリ生成工程を示す要部図である。
図３（Ａ）は樹脂バリが生成された半導体パッケージの要部図である。
半導体パッケージ１は、半導体チップ１０（図の点線）の上下をモールド６０により封止され、モールド６０からはリード２０が導出されている。リード２０は、モールド６０内部で半導体チップ１０の電極部と電気的に接続されている。

モールド６０から外に導出されたリード２０の中途には、リード２０の剛性を高めるためのダイバ２１が形成されている。
上述したように、図２に示す上金型３０、下金型３１、リード２０及びダイバ２１によって取り囲まれる空間部４０には、溶解した樹脂が流出する。

樹脂が硬化した後、図３（Ａ）に示すモールド６０、リード２０及びダイバ２１によって取り囲まれた部分には、樹脂バリ７０が生成する（ステップＳ３）。
図３（Ｂ）は樹脂バリが生成されたリード部の断面図である。この図は、図３（Ａ）のＢ−Ｂの位置に対応している。

樹脂バリ７０は、リード２０間に生成され、その上面に凹部５１が形成されている。この凹部５１は、図２に示す上金型３０の凸部５０に対応して形成されたものである。即ち、凹部５１は、リード２０を打ち抜き形成する際に生じるダレ部２２の在る面に形成されている。

ここでの凹部５１の断面形状は矩形状である。凹部５１の寸法は例えば、深さが０．２ｍｍで、幅が０．９ｍｍである。尚、樹脂バリ７０は、リード２０のダレ部２２上面にまで回り込み、樹脂バリ７０ａがダレ部２２上面に生成している。

図３（Ｃ）は樹脂バリが生成されたダイバ及びモールド部の断面図である。この図は、図３（Ａ）のＣ−Ｃの位置に対応している。
樹脂バリ７０は、ダイバ２１とモールド６０間に生成され、その上面に凹部５１が形成されている。この凹部５１は、図２に示す上金型３０の凸部５０に対応して形成されたものである。

ここでの凹部５１の断面形状は矩形状である。凹部５１の寸法は、例えば、深さが０．２ｍｍで、幅が０．８ｍｍである。尚、樹脂バリ７０は、ダイバ２１のダレ部２２上面にまで回り込み、樹脂バリ７０ｂがダレ部２２上面に生成している。

即ち、凹部５１の形状は、深さ０．２ｍｍ、縦幅０．９ｍｍ、横幅０．８ｍｍの直方体状に凹部を形成している。
次に、この凹部５１を形成した樹脂バリ７０を半導体パッケージ１から打ち抜きにより取り除く工程について説明する。

図４〜図６は樹脂バリの打ち抜き工程を示す要部断面図である。
図４は打ち抜き前の工程を示す要部断面図である。
リード２０部分を打ち抜き台８０上に設置し、樹脂バリ７０上に、打ち抜きパンチ８１を設置する（ステップＳ４）。

ここで、樹脂バリ７０の凹部５１が形成された面と打ち抜きパンチ８１は対向させる。即ち、打ち抜きパンチ８１は、樹脂バリ７０の凹部５１が形成された面から挿入させる。
尚、ここでの打ち抜きパンチ８１の幅は、凹部５１の幅（０．９ｍｍ）よりも大きく、リード２０間（１．３ｍｍ）、ダイバ２１−モールド６０間（１．０ｍｍ）の距離以下であればよい。従って、打ち抜きパンチ８１をリード２０間に挿入した際の微狭なクリアランス（１０〜１００μｍ）は設けない。即ち、図中のＡは、打ち抜きパンチ８１の幅が凹部５１の幅よりも大きく、リード２０間、ダイバ２１−モールド６０間の距離以下であるように調整する。このように、打ち抜きパンチ８１の短手方向の幅は、凹部５１の開口部より大きく、図２に示す空間部４０の平面形状より小さくなるように調整する。

図５は打ち抜き開始の工程を示す要部断面図である。
打ち抜きパンチ８１を樹脂バリ７０に押圧し、樹脂バリ７０の打ち抜きを開始する。
ここで、樹脂バリ７０には凹部５１が形成されている。従って、樹脂バリ７０の容積は凹部５１が形成されていないときに比べ、凹部５１部分の容積だけ減少している。その結果、樹脂バリ７０の形状的な剛性は樹脂バリ７０に凹部５１が形成されていないときに比べ低下している。

このような樹脂バリ７０の凹部５１が形成されている面から、打ち抜きパンチ８１で樹脂バリ７０を押圧すると、図に示すように樹脂バリ７０全体が押圧されることにより、一旦歪曲する。

図６は打ち抜き中の工程を示す要部断面図である。
図６の上方から下方へ打ち抜きパンチ８１をリード２０間に挿入し、樹脂バリ７０の打ち抜きをする。

上述したように、樹脂バリ７０全体が打ち抜きパンチ８１による押圧により一旦歪曲する。樹脂バリ７０全体が歪曲すると、ダレ部２２に付着していた樹脂バリ７０ａがダレ部２２から剥離しやすくなり、打ち抜き中にダレ部２２に付着していた樹脂バリ７０ａが樹脂バリ７０の中心方向に向かって引き込まれるように共に移動する。

図７は打ち抜き後の工程を示す要部断面図である。
打ち抜きパンチ８１を貫通させ、樹脂バリ７０をリード２０から除去する（ステップＳ５）。ここで、ダレ部２２上面の樹脂バリ７０ａは、樹脂バリ７０と共に、一体となってリード２０間から除去される。即ち、ダレ部２２に付着した樹脂バリ７０ａは、打ち抜きにより残存することはなく、樹脂バリ７０として一体となってリード２０間から除去することができる。

尚、図３に示すダイバ２１のダレ部２２に付着した樹脂バリ７０ｂについても、本実施形態の打ち抜きにより残存することはなく、樹脂バリ７０として一体となってダイバ２１−モールド６０間から除去することができる。

そして、ダイバ２１をリード２０から除去し、半導体パッケージ１が完成する。
このような方法によれば、リード及びダイバのダレ部上面に形成した樹脂バリが打ち抜き後にダレ部上面に残ることはない。その結果、その後のブラシがけ等の２次加工が不要になり、リードの損傷を防止することができる。

また、打ち抜きパンチをリード間に挿入した際の微狭なクリアランスの確保が不要になり、クリアランスの管理等の無駄な工程を省くことができる。
即ち、上記の実施例によれば、半導体パッケージの品質、半導体パッケージの製造工程における生産性が向上する。

尚、上記の説明では、凹部の形状の断面を矩形状としたが、その断面形状は矩形状以外のものであってよい。例えば、図２に示す凸部５０の形状を変えることにより半円状、多角状、Ｕ字状にしてもよい。また、Ｖ字状になるように凹部の側面にテーパを形成してもよい。

また、図３の説明では矩形状の凹部の寸法の一例として、深さ０．２ｍｍ、縦幅０．９ｍｍ、横幅０．８ｍｍとしたが、特にこれらの寸法に限定する必要はない。例えば、深さが０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ未満であり、リード間距離１．３ｍｍに対し、その縦幅が０．１ｍｍ以上０．９ｍｍ未満、ダイバ−モールド間距離１．０ｍｍに対し、その横幅が０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ未満でもよい。

ここで、樹脂バリに形成させる凹部の数については、特に一つに限らない。即ち、樹脂バリに形成させる凹部の数については、樹脂バリ表面に少なくとも一つ形成させればよい。

図８は樹脂バリに形成する凹部が２条の溝状である状態を説明する要部断面模式図である。
この図では、一例として凹部５２の断面形状をＶ字状とし、凹部５２は、リード２０を打ち抜き形成する際に生じるダレ部２２の在る面の、リード２０間に２条の溝状に形成され状態を示している。そして、樹脂バリ７１は、凹部５２が形成された側から打ち抜きによって除去される。

打ち抜きの際には、打ち抜きパンチ８２を用い、その位置については２条の溝間を押圧させることで、樹脂バリ７１を除去する。このときの打ち抜きパンチ８２の短手方向の幅は、２条の溝間の距離より小さくさせる。

このように、樹脂バリ７１に形成させる凹部５２の数を複数形成させることにより、樹脂バリ７１の形状的な剛性は樹脂バリ７１に凹部５２が形成されていないときに比べ低下し、ダレ部２２に付着した樹脂バリ７１ａは、打ち抜きにより残存することはなく、樹脂バリ７１として一体となってリード２０間から除去される。

例えば、リード間距離が１．３ｍｍ以上に幅広くなる場合には、複数個の凹部を形成させることで、ダレ部２２に付着した樹脂バリ７１ａは、打ち抜きにより残存することはなく、樹脂バリ７１として一体となってリード２０間から除去される。

尚、このような複数の凹部５２を形成させた場合の凹部５２の断面形状は、Ｖ字状に限らず、それぞれを半円状、多角状、Ｕ字状にしてもよい。
また、樹脂バリ上面に形成した凹部は、その上面だけに限らず、その下面に凹部を形成してもよい。その結果、打ち抜く方向によらず、確実に樹脂バリを剥離することができる。

図９〜図１１は樹脂バリ下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き工程を示す要部断面図である。
図９は下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き前の工程を示す要部断面図である。

リード２０部分を打ち抜き台８０上に設置し、樹脂バリ７２上に、打ち抜きパンチ８３を設置する。
ここで、凹部５３は、リード２０間の中央に溝状に形成され、リード２０を打ち抜き形成する際に生じるダレ部２２の在る面とは反対の面に形成されている。

尚、打ち抜きパンチ８３の短手方向の幅は、凹部５３の開口部より大きく、図２に示す空間部４０の平面形状より小さくなるように調整する。
図１０は下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き中の工程を示す要部断面図である。

図１０の上方から下方へ打ち抜きパンチ８３をリード２０間に挿入し、凹部５３が形成されていない側から打ち抜きによって樹脂バリ７２の打ち抜きをする。
ここで、樹脂バリ７２全体が打ち抜きパンチ８３による押圧により一旦歪曲する。樹脂バリ７２全体が歪曲すると、凹部５３に亀裂が生じ、ダレ部２２に付着していた樹脂バリ７２ａがダレ部２２から剥離しやすくなる。そして、打ち抜き中にダレ部２２に付着していた樹脂バリ７２ａが樹脂バリ７２に向かって引き込まれるように共に移動する。

図１１は下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き後の工程を示す要部断面図である。
打ち抜きパンチ８３を貫通させ、樹脂バリ７２をリード２０から除去する。ここで、ダレ部２２上面の樹脂バリ７２ａは、樹脂バリ７２と共に、一体となってリード２０間から除去される。即ち、ダレ部２２に付着した樹脂バリ７２ａは、打ち抜きにより残存することはなく、樹脂バリ７２として一体となってリード２０間から除去することができる。

このように、樹脂バリを打ち抜く際に、凹部を形成させた結果、凹部を形成させていないときに比べ、形状的な剛性が低下し、樹脂バリが打ち抜きパンチによる押圧により容易に剥離する程度に、少なくとも樹脂バリ上面または樹脂バリ下面に、所定の凹部が形成されていればよい。

これにより、半導体パッケージの製造方法において、その生産性が向上し、そのような方法によって製造された半導体パッケージの品質が良好になる。

樹脂バリ除去工程の基本原理を示すフロー図である。 成形用金型が半導体チップ及びリードを挟持する工程を示す要部断面図である。 樹脂バリ生成工程を示す要部図であり、（Ａ）は樹脂バリが生成された半導体パッケージの要部図であり、（Ｂ）は樹脂バリが生成されたリード部の断面図であり、（Ｃ）は樹脂バリが生成されたダイバ及びモールド部の断面図である。 打ち抜き前の工程を示す要部断面図である。 打ち抜き開始の工程を示す要部断面図である。 打ち抜き中の工程を示す要部断面図である。 打ち抜き後の工程を示す要部断面図である。 樹脂バリに形成する凹部が２条の溝状である状態を説明する要部断面模式図である。 下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き前の工程を示す要部断面図である。 下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き中の工程を示す要部断面図である。 下面に凹部を形成させた樹脂バリの打ち抜き後の工程を示す要部断面図である。 半導体パッケージの概略図である。 成形用金型が半導体チップ及びリードを挟持する状態を示す要部断面図である。 樹脂バリが形成した状態のリード部分の断面図である。 打ち抜き前の要部断面図である。 打ち抜き中の要部断面図である。 打ち抜き後の要部断面図である。

符号の説明

１、１００ 半導体パッケージ
１０、１１０ 半導体チップ
２０、１３０ リード
２１、１３１ ダイバ
２２、１３２ ダレ部
３０、１４０ 上金型
３１、１４１ 下金型
４０、１５０ 空間部
５０ 凸部
５１、５２、５３ 凹部
６０、１２０ モールド
７０、７０ａ、７０ｂ、７１、７１ａ、７２、７２ａ、１６０、１６０ａ 樹脂バリ
８０、１７０ 打ち抜き台
８１、８２、８３、１７１ 打ち抜きパンチ

Claims (10)

1. リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成された前記リードを成形用金型に挟持し、前記成形用金型の内部に溶解した樹脂を流入し、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、
   前記成型用金型と前記ダレ部を含む前記リード、前記リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの前記主面側の表面に凹部を形成し、
   流入した前記樹脂が硬化した後に、前記空間部の前記樹脂バリを、打ち抜きにより前記凹部が形成された側から反対側に押圧して歪曲させて除去することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
2. 前記樹脂バリの打ち抜きには、打ち抜きパンチを用い、前記打ち抜きパンチは、前記凹部の開口部より大きく、前記空間部の平面形状より小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
3. 前記凹部は、前記リード間に２条の溝状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
4. 前記樹脂バリの打ち抜きには、打ち抜きパンチを用い、前記打ち抜きパンチは、前記２条の溝間を押圧することを特徴とする請求項３記載の半導体パッケージの製造方法。
5. リードの打ち抜き形成時に主面にダレ部が形成された前記リードを成形用金型に挟持し、前記成形用金型の内部に溶解した樹脂を流入し、半導体パッケージを形成する半導体パッケージの製造方法において、
   前記成型用金型と前記ダレ部を含む前記リード、前記リードを連結するダイバに囲まれた空間部に生じる樹脂バリの前記主面の反対側の表面に凹部を形成し、
   流入した前記樹脂が硬化した後に、前記空間部の前記樹脂バリを、打ち抜きにより前記主面側から前記凹部が形成された側に押圧して歪曲させて前記凹部から裂いて除去することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
6. 前記凹部を、前記リード間の中央に溝状に形成することを特徴とする請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。
7. 前記樹脂バリの打ち抜きには、打ち抜きパンチを用い、前記打ち抜きパンチは、前記凹部の開口部より大きく、前記空間部の平面形状より小さいことを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージの製造方法。
8. 前記樹脂バリを打ち抜いた後に前記ダイバを前記リードから除去することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 前記樹脂の材質が熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
10. 前記樹脂バリに形成される前記凹部の断面形状は、矩形状、半円状、矩形以外の多角状、Ｖ字状、Ｕ字状であることを特徴とする請求項１、３、５、６のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。

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