JP5064451B2 - 液体を脱気する機器及びその方法 - Google Patents
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Description
液浸リソグラフィで使用する液体の脱気を提供することが望ましい。
−放射ビームB(例えば、UV放射又はDUV放射)を調整するように構成された照明系(照明器)ILと、
−パターン化装置(例えば、マスク)MAを支持するように構成された支持構造体(例えば、マスク・テーブル)MTであって、ある種のパラメータに従ってパターン化装置を正確に位置決めするように構成された第1位置決め装置PMに結合された支持構造体MTと、
−基板(例えば、レジストを塗布したウエハ)Wを保持するように構成された基板テーブル(例えば、ウエハ・テーブル)WTであって、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2位置決め装置PWに結合された基板テーブルWTと、
−基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに、パターン化装置MAによって放射ビームBに付与されたパターンを投影するように構成された投影系(例えば、屈折型投影レンズ系)PSとを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、放射ビームに付与されたパターン全体を目標部分Cに1回で投影する(即ち、1回の静止露光)。次いで、X方向及び/又はY方向に基板テーブルWTの位置を変えて、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMTと基板テーブルWTとを同期走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する(即ち、1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決めることができる。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.別のモードでは、プログラム可能なパターン化装置を保持するマスク・テーブルMTを本質的に固定したまま、基板テーブルWTを移動又は走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する。このモードでは一般に、パルス化された放射源を使用し、基板テーブルWTの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー配列などのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
120 半透膜
125 チャンバ
140 排出口
150 イオン交換器
240 出口
250 液体気化器
Claims (5)
- 液体を脱気する機器において、
第1の側に前記液体が提供される半透膜と、
(i)前記半透膜の第2の側に前記液体の蒸気を提供する気化装置、又は
(ii)前記半透膜の第2の側に前記液体中に溶解する際に解離するガスのガス源及び前記半透膜の下流の前記液体用のイオン交換ユニットと、を備える、液体を脱気する機器。 - 前記液体が前記半透膜の近くでより長くとどまるように、前記半透膜に隣接して設けられたチャンバをさらに備える請求項1に記載の機器。
- 前記半透膜は複数のチューブ状である請求項1又は2のいずれかに記載の機器。
- 前記半透膜は、疎水性である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の機器。
- 液体を脱気する方法において、
半透膜の一方の側に前記液体を提供し、前記半透膜の別の側にガスを提供し、
前記ガスは、前記液体の蒸気、又は前記液体中に溶解する際に解離し前記半透膜の下流で除去されるガスである、液体を脱気する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/067,492 | 2005-02-28 | ||
US11/067,492 US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006049892A Division JP4461108B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-27 | リソグラフィ機器、デバイス製作方法、及び液体を脱気する機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009260381A JP2009260381A (ja) | 2009-11-05 |
JP5064451B2 true JP5064451B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=36931656
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006049892A Active JP4461108B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-27 | リソグラフィ機器、デバイス製作方法、及び液体を脱気する機器 |
JP2009178556A Expired - Fee Related JP5064451B2 (ja) | 2005-02-28 | 2009-07-31 | 液体を脱気する機器及びその方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006049892A Active JP4461108B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-27 | リソグラフィ機器、デバイス製作方法、及び液体を脱気する機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7428038B2 (ja) |
JP (2) | JP4461108B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7428038B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7291850B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2003226A (en) * | 2008-08-19 | 2010-03-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method. |
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NL2005951A (en) * | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
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EP4321934A1 (en) * | 2022-08-11 | 2024-02-14 | ASML Netherlands B.V. | Fluid dispensing system and method |
Family Cites Families (124)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
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TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
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JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2005236047A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP2005286068A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4510494B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7379155B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7428038B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
-
2005
- 2005-02-28 US US11/067,492 patent/US7428038B2/en active Active
-
2006
- 2006-02-27 JP JP2006049892A patent/JP4461108B2/ja active Active
-
2008
- 2008-08-26 US US12/198,448 patent/US8107053B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-31 JP JP2009178556A patent/JP5064451B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-22 US US13/335,129 patent/US8958051B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080314249A1 (en) | 2008-12-25 |
JP2006245573A (ja) | 2006-09-14 |
US7428038B2 (en) | 2008-09-23 |
US20060192929A1 (en) | 2006-08-31 |
US8958051B2 (en) | 2015-02-17 |
JP4461108B2 (ja) | 2010-05-12 |
JP2009260381A (ja) | 2009-11-05 |
US8107053B2 (en) | 2012-01-31 |
US20120097034A1 (en) | 2012-04-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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