JP5061407B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にpn接合を利用した整流素子用の半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、高周波スイッチングに用いられる半導体装置として、高速リカバリーダイオードが公知である。このダイオードは、P型の半導体領域とN型の半導体領域とのpn接合を有し、ライフタイムキラーとして白金等の重金属を拡散させることによってキャリアのライフタイムを短くしたものである。
【0003】
図21は、従来の高速リカバリーダイオードの構成を示す縦断面図である。このダイオードは、N型の半導体基板11、半導体基板11よりもキャリア濃度が低いN型の半導体層12、P型の活性領域13、P型のガードリング領域14、酸化膜15、表面電極16および裏面電極17を有する。
【0004】
半導体層12は半導体基板11上にエピタキシャル成長により形成される。活性領域13およびガードリング領域14は、半導体層12上に積層された酸化膜をパターニングし、それをマスクとしてP型の不純物をイオン注入することにより形成される。そのイオン注入後の熱処理によって半導体層12の表面は再び酸化膜15で被覆されるが、その酸化膜15の一部を除去して活性領域13を露出させ、白金の熱拡散後に活性領域13上に表面電極16が形成される。裏面電極17は半導体基板11の裏面に形成される。
【0005】
ところで、近時、上述した構成のダイオードは力率改善回路(PFC回路)に用いられることがある。一般に、この用途で使用されるダイオードには、逆回復電流が小さく、かつ逆回復時の逆方向電流のピーク値を過ぎてからの電流減衰率が小さいというソフトリカバリー特性が要求される。その理由は、逆回復電流が大きいと力率改善回路にスイッチング素子として設けられるMOSトランジスタ等のターンオン損失の増大や素子温度の上昇を招き、その減衰率が大きいと大きな電圧ノイズが発生し、それが電源電圧に重畳されてダイオード、およびMOSトランジスタ等に印加されることによって、素子の破壊や、回路の誤動作を招くからである。
【0006】
そこで、図21に示す従来のpn接合ダイオードでは、白金拡散条件の制御によりキャリアのライフタイムを短くすることによって逆回復電流の低減を図っている。しかし、ダイオードの順方向電圧と逆回復電流とはトレードオフの関係にあり、順方向電圧の上昇を招く。さらに白金拡散条件制御だけでは逆回復時の逆方向電流の減衰率は小さくならないため、十分にソフトリカバリー化が達成されているとはいえない。そこで、白金濃度に加え、半導体層12の厚さをとアノードキャリア濃度を最適化することがおこなわれているが、半導体層12の厚さを増すと順方向電圧増加を招き、トレードオフは悪化する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ライフタイムキラーとして白金を拡散させたpn接合ダイオードでは、白金がダイオードの表面近傍の深さ数μmの領域にパイルアップして存在するため、それよりも深いpn接合近傍においては白金による効果が十分に発揮されない。そのため、上述したトレードオフの改善は不十分であり、ソフトリカバリー特性が余り改善されないという問題点がある。pn接合近傍において白金による効果を十分に発揮させるため、白金の注入量を増やすことが考えられる。しかし、その場合には、N型の半導体層が高抵抗化するだけでなく、P型の活性領域で白金濃度が高くなりすぎて欠陥が増加し、リーク電流が増えるという不具合を引き起こす。
【0008】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高速でかつ十分なソフトリカバリー特性を具えたダイオードを構成する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、第1導電型の半導体領域に白金をドープすることにより、その半導体領域の酸化膜で被われていない表面近傍部分を第2導電型に反転させ、その第2導電型の反転領域と第1導電型の半導体領域とでpn接合を形成するようにしたものである。pn接合の深さは、白金を熱拡散させる際の温度および時間を制御することにより調節する。
【0010】
この発明によれば、白金のドープによってできた第2導電型の反転領域と第1導電型の半導体領域とによりpn接合部が形成されるため、従来よりもpn接合部が浅くなり、pn接合部の位置と白金が有効に作用する位置とが一致する。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明では、第1導電型をN型、第2導電型をP型とし、たとえばシリコンでできた半導体とする。
【0012】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の構造を示す縦断面図である。この半導体装置は、As(ヒ素)ドープのN型の半導体基板21、P(リン)ドープのN型の半導体層22、P型の反転領域23、P型のガードリング領域24、酸化膜25、表面電極26、裏面電極27および活性領域エッジ部28を有する。たとえば半導体基板21の厚さは300μmであり、その不純物濃度は2×1019cm-3である。また、たとえば半導体層22の厚さは60μmであり、その不純物濃度は2×1014cm-3である。
【0013】
半導体層22の表面の一部は酸化膜25により被覆されている。反転領域23は、半導体層22の表面の、酸化膜25により被われていない領域の下に浅く形成されている。反転領域23の接合深さxj、すなわちpn接合の深さはたとえば数μmである。この反転領域23は、半導体層22の表面近傍領域にパイルアップした高濃度の白金によってN型の半導体層22がP型に反転してできたものである。
【0014】
なお、図1では、白金の拡散によって導電型が反転した領域の界面を破線で示す(他の図も同じ)。この破線で示す界面は、反転領域23と半導体層22とのpn接合部29に相当する。pn接合部29の深さは、白金の熱拡散条件およびその後の熱処理条件によって変化する。つまり、白金の熱拡散条件およびその後の熱処理条件を制御することによって、pn接合部29の深さを調節することができる。
【0015】
活性領域エッジ部28は、半導体層22の表面側の領域に、反転領域23を囲むように形成されている。活性領域エッジ部28は、反転領域23に接続しており、反転領域23とともに活性領域を構成する。活性領域エッジ部28の接合深さxjは約10μmであり、反転領域23(xj:数μm)よりも深い。ここで、ソフトリカバリー化を達成するためには、活性領域の接合深さは浅い方が望ましい。しかし、一般に活性領域が薄くなると、そのエッジ部分での電界増大による耐圧不良が起こり易くなってしまう。本実施の形態では、活性領域のエッジ部に活性領域エッジ部28を設けたことによって、活性領域の接合深さを従来よりも浅くしながらも、十分な耐圧を確保している。
【0016】
ガードリング領域24は、半導体層22の表面側の領域に、反転領域23および活性領域エッジ部28を囲むように、特に限定しないが、たとえば一重のリング状に形成されている。ガードリング領域24の接合深さxjは約10μmである。ガードリング領域24は二重、あるいはそれ以上設けられていてもよい。表面電極26は、反転領域23および活性領域エッジ部28の表面に接するように形成されている。裏面電極27は、半導体基板21の裏面に接するように形成されている。
【0017】
ここで、白金のパイルアップによって半導体層22の表面近傍領域に反転領域23ができることについて、図2を参照しながら簡単に説明する。図2は、半導体に熱拡散させた白金の深さ方向のプロファイルを説明するための模式図である。
【0018】
たとえば、AsドープのN型の半導体基板21(不純物濃度:2×1019cm-3、厚さ:300μm)上にPドープのN型の半導体層22(不純物濃度:2×1014cm-3、厚さ:60μm)をエピタキシャル成長させる。そして、半導体基板21の裏面または半導体層22の表面に白金を1重量%含有したペーストを塗布し、920℃で3時間の熱処理をおこなう。そうすると、白金はパイルアップして半導体基板21の裏面および半導体層22の表面に偏在する。その際、白金はアクセプタとして作用し、不純物濃度が低い半導体層22の表面から数μmメートルの領域がP型に反転する。
【0019】
N型の半導体層22の表面近傍領域において、白金のパイルアップによってP型に反転するのは、図3に示すように、半導体層22の表面が酸化膜25で被われていない領域である。つまり、N型の半導体層22の表面にたとえば厚さ900nmの酸化膜25を形成し、その中央部をフォトリソグラフィ技術により除去して半導体層22を露出させる。そして、半導体基板21の裏面または半導体層22の露出面に白金を1重量%含有したペーストを塗布し、920℃で3時間の熱処理をおこなうと、半導体層22の、酸化膜25で被われていない露出領域にのみ白金が高濃度で偏在し、P型に反転する。これは、半導体層22の表面近傍に拡散した白金が酸化膜25中に取り込まれるため、酸化膜25で被われている領域ではP型の反転が起こらないからであると推測される。
【0020】
つぎに、白金の熱拡散条件およびその後の熱処理条件を制御することによって、pn接合部29の深さを調節することが可能であることについて説明する。図4は、白金の熱拡散温度と反転領域23の略中央を通る縦断面(図3に一点鎖線で示す断面)における表面近傍領域のキャリア濃度分布との関係を示す特性図である。図4において、各プロファイルの谷となっているところがpn接合の深さに相当する。
【0021】
図4によれば、たとえばある熱拡散時間の場合、拡散温度が930℃では接合深さは約1μmであり、970℃では約10μmであり、1000℃では約25μmである。また、白金のプロファイルは、拡散時間が長くなると半導体の表面より内部に分布していくことが知られている(J.Appl.Phys.,Vol.61,No.3 1055)。したがって、接合深さは、同じ温度でも拡散時間が長くなるとより深くなる。
【0022】
図1に示す構成の半導体装置では、表面電極26および裏面電極27を形成する際には、電極の接触抵抗を安定化させるため、たとえば500℃で1時間の熱処理をおこなうが、この熱処理によってもpn接合部29の深さが変化する。図5は、930℃で白金を熱拡散させた半導体装置について、500℃で1時間の熱処理をおこなう前とおこなった後でのキャリア濃度分布の変化を示す特性図である。熱処理前の接合深さが1μmであるのに対して、熱処理後の接合深さは2μmである。このように、白金の熱拡散条件とその後の熱処理条件によって、N型の半導体層22とP型の反転領域23との接合深さを制御することができる。
【0023】
つぎに、図1に示す半導体装置の製造方法について図6〜図9を参照しながら説明する。まず、半導体基板21上に半導体層22をエピタキシャル成長させる。つづいて、半導体層22の表面上にたとえば厚さ900nmの熱酸化膜20を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、活性領域エッジ部28およびガードリング領域24の形成領域に対応する部分の酸化膜をたとえばリング状に除去する。ここまでの状態が図6に示されている。
【0024】
つづいて、酸化膜20の残部をマスクとして半導体層22にB(ボロン)をイオン注入する。このときのドーズ量は1×1014cm-2であり、加速電圧は50kVである。しかる後、1200℃で7時間の熱処理をおこない、活性領域エッジ部28およびガードリング領域24を形成する。このとき、同時にたとえば厚さが400nmの酸化膜が形成され、ウエハ全面が酸化膜25で被われる。ここまでの状態が図7に示されている。
【0025】
つづいて、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、活性領域を形成する部分の酸化膜25を除去する。この状態で、半導体基板21の裏面または活性領域を形成する領域の半導体表面に、白金を1重量%含有したペーストを塗布し、920℃で3時間の熱処理をおこなう。これによって、半導体層22の活性領域の表面近傍がP型に反転し、反転領域23が形成される。ここまでの状態が図8に示されている。
【0026】
つづいて、たとえばウエハ表面に厚さ3μmのAlSiをスパッタリングによって積層する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、AlSi層を所望の形状にパターニングする。しかる後、N2雰囲気中で500℃、1時間の熱処理をおこない、反転領域23および活性領域エッジ部28に接する低抵抗性の表面電極26を形成する。ここまでの状態が図9に示されている。なお、表面電極26は、純Alを真空蒸着することにより形成されていてもよい。
【0027】
最後に、半導体基板21の裏面にTi、NiおよびAuを真空蒸着により積層して裏面電極27を形成して、半導体装置が完成し、図1に示す状態となる。たとえば、Tiの厚さは0.7μmであり、Niの厚さは0.3μmであり、Auの厚さは0.1μmである。
【0028】
つぎに、図1に示す本実施の形態の半導体装置と図21に示す従来構造の半導体装置とについて、逆回復特性を測定した結果について説明する。図10は本実施の形態の半導体装置の逆回復電流を示す波形図であり、図11は従来の半導体装置の逆回復電流を示す波形図である。
【0029】
本実施の形態の半導体装置では、逆回復電流のピーク値は約2.3Aである。それに対して従来の半導体装置の逆回復電流のピーク値は約4.6Aである。したがって、本実施の形態の逆回復電流のピーク値は従来のおおよそ50%であり、大幅に低減されているのがわかる。また、ピーク後の逆回復電流の減衰は、従来の波形(図11)に比べて著しくソフト化されているのがわかる。
【0030】
図12に、順方向電圧VFと、逆回復電流ピーク値IRPの結果を示す。図12において、従来構造でのPt拡散条件調整によるトレードオフはすべてハードリカバリーであり、ソフト化するにはVFを増加、すなわちトレードオフは右へシフトすることになる。したがって、従来構造でのPt拡散条件調整によるトレードオフに比べ、本発明の実施の形態1の結果は、トレードオフの改善が図られていることがわかる。
【0031】
上述した実施の形態1によれば、N型の半導体層22に白金を熱拡散させることによりその半導体層22の表面近傍領域がP型に反転し、そのP型の反転領域23とN型の半導体層22とにより浅いpn接合部を形成するため、必要以上に白金の濃度を高くしなくても、白金の効果が発揮される位置にpn接合部が形成される。したがって、高速でかつ十分なソフトリカバリー特性を具えたダイオードを構成する半導体装置が得られる。
【0032】
また、活性領域を浅く形成することができるため、ダイオードの順方向電圧と逆回復電流とのトレードオフの関係を改善することができる。また、従来のようにN型の半導体層22にP型の不純物を注入してP型の半導体領域を形成することによってpn接合を形成する必要がないので、製造プロセスが簡略化される。
【0033】
なお、上述した実施の形態1では白金の熱拡散につづいて電極26,27を形成するとしたが、これに限らない。たとえば、白金の熱拡散後、電極26,27の形成前に、半導体装置全体の厚さが300μm程度になるように、半導体基板1の裏面を研磨してもよい。そうすれば、放熱特性が向上する。
【0034】
また、上述した実施の形態1では反転領域23と活性領域エッジ部28とで活性領域を構成したが、これに限らない。それほど高い耐圧が要求されない場合には、たとえば図13に示すように、活性領域エッジ部28を設けずに活性領域を反転領域23のみで構成してもよい。図13に示す例では、ガードリング領域24は二重に設けられている。
【0035】
実施の形態2.
図14は、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の構造を示す縦断面図である。この半導体装置は、As(ヒ素)ドープのN型の半導体基板41、P(リン)ドープのN型の半導体層42、P型の反転領域43、P型のガードリング領域44、酸化膜45、表面電極46および裏面電極47を有する。たとえば半導体基板41の厚さは500μmであり、その不純物濃度は2×1019cm-3である。また、たとえば半導体層42の厚さは60μmであり、その不純物濃度は2×1014cm-3である。
【0036】
半導体層42の表面の一部は酸化膜45により被覆されている。反転領域43は、半導体層42の表面の、酸化膜45により被われていない領域の下に浅く形成されている。反転領域43の接合深さ(pn接合部49の深さ)xjはたとえば数μmである。ガードリング領域44は、半導体層42の表面側の領域に、反転領域43を囲むように、特に限定しないが、たとえば二重のリング状に形成されている。ガードリング領域44の接合深さxjは反転領域43と同じである。ガードリング領域44は一重、あるいは三重以上設けられていてもよい。表面電極46は、反転領域43の表面に接するように形成されている。裏面電極47は、半導体基板41の裏面に接するように形成されている。
【0037】
ここで、反転領域43およびガードリング領域44は、半導体層42の表面近傍領域にパイルアップした高濃度の白金によってN型の半導体層42がP型に反転してできたものである。したがって、実施の形態1と同様に白金の熱拡散条件およびその後の熱処理条件を制御することによって、反転領域43およびガードリング領域44の接合深さを制御することができる。
【0038】
つぎに、図14に示す半導体装置の製造方法について図15〜図17を参照しながら説明する。まず、実施の形態1と同様にして半導体基板41上に半導体層42およびたとえば厚さが900nmの熱酸化膜45を順次形成する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、酸化膜45の一部を除去して反転領域43およびガードリング領域44の形成領域の半導体表面を露出させる。ここまでの状態が図15に示されている。
【0039】
つづいて、半導体基板41の裏面または酸化膜45の除去により露出させた半導体表面に、白金を1重量%含有したペーストを塗布し、920℃で3時間の熱処理をおこなう。これによって、半導体層42の露出面近傍がP型に反転し、反転領域43およびガードリング領域44が形成される。ここまでの状態が図16に示されている。
【0040】
そして、実施の形態1と同様にして反転領域43に接する低抵抗性の表面電極46を形成する。ここまでの状態が図17に示されている。最後に、半導体基板41の裏面に裏面電極47を形成して、半導体装置が完成し、図14に示す状態となる。
【0041】
上述した実施の形態2によれば、実施に形態1と同様に、高速でかつ十分なソフトリカバリー特性を具えたダイオードを構成する半導体装置が得られるという効果と、P型不純物の注入工程が不要であるため製造プロセスが簡略化されるという効果が得られる。それに加えて、実施の形態2によれば、ガードリング領域44も白金の熱拡散によって反転領域43と同時に形成されるので、実施の形態1に比べてさらに製造プロセスが簡略化されるという効果が得られる。
【0042】
なお、上述した実施の形態2では活性領域を単一の反転領域43で構成する単純な構成としたが、これに限らない。たとえば図18に示すように、活性領域の一部にP型の反転領域43が設けられており、活性領域の残りの部分がN型のままとなっている構成でもよい。つまり、活性領域をリング状、ストライプ状またはドット状などの任意の微細パターンの反転領域43で構成してもよい。この場合には、白金の熱拡散時に、活性領域を形成する領域の半導体表面に前記微細パターンの相補的なパターンをなす酸化膜を残しておけばよい。この構造は実施の形態1の半導体装置にも適用できる。
【0043】
また、上述した実施の形態2では半導体基板21上に半導体層22をエピタキシャル成長させたウエハに素子を形成したが、これに限らない。たとえば図19に示すように、半導体基板141として、上述したエピタキシャル成長させたウエハよりも安価であるため、たとえば不純物濃度が2×1014cm-3で厚さが500μmのFZウエハを用いてもよい。この場合には、FZウエハの表面にたとえば厚さが800nmの酸化膜45を形成し、その酸化膜45の一部を開口した後、半導体基板141を裏面側からたとえば60μmの厚さとなるように機械研磨する。その後、半導体基板141の裏面から白金を熱拡散させて、反転領域43およびガードリング領域44を形成する。
【0044】
そして、必要に応じて、半導体基板141の裏面と裏面電極47とを低抵抗で接触させるため、半導体基板141の裏面からAs等のN型のドーパントをたとえば表面濃度が1×1018cm-3以上となるように注入する。そして、表面電極46および裏面電極47を形成する。この構造は実施の形態1の半導体装置にも適用できる。
【0045】
実施の形態3.
図20は、本発明にかかる半導体装置を適用した力率改善回路の一例を示す回路図である。この力率改善回路は、本発明にかかる半導体装置、たとえば上述した実施の形態1または実施の形態2の構成のダイオード61、ダイオード・ブリッジ62およびスイッチング素子であるMOSトランジスタ63を備えている。符号64は交流入力、符号65はインダクタンス、符号66はキャパシタをそれぞれ表す。
【0046】
この力率改善回路において、トランジスタ63がオン状態からオフ状態に切り替わると、インダクタンス65に蓄積されたエネルギーを放出するため、ダイオード61は導通状態となる。この導通状態のダイオード61は、トランジスタ63がオフ状態からオン状態に切り替わるときには逆バイアス状態となる。その際、ダイオード61は、ダイオード61に蓄積されている電荷がなくなるまで導通するため、その逆回復期間中は、負荷に流れる電流に加えて逆回復電流がダイオード61に流れる。そのため、トランジスタ63のターンオン初期には大きな電流が流れることになるが、上述したようにダイオード61の逆回復電流が従来よりも大幅に小さいので、トランジスタ63のターンオン初期時に流れる電流は従来よりも小さくなる。
【0047】
また、逆回復電流が減少するときの時間変化と回路の浮遊インダクタンスにより電圧ノイズが発生し、その電圧ノイズが電源電圧に重畳されてトランジスタ63およびダイオード61に印加されることになるが、上述したように逆回復電流のピーク後の減衰率が従来よりも著しく小さいため、発生する電圧ノイズも極めて小さい。したがって、実施の形態3によれば、力率改善回路を構成する半導体素子の破壊や、回路の誤動作を防ぐことができる。
【0048】
以上において本発明は、種々変更可能である。たとえば、白金はP型のシリコン半導体中でドナーとして機能するため、第1導電型をP型とし、第2導電型をN型としてもよい。この場合には、P型の半導体層の表面近傍にN型の反転領域が形成されることになる。
【0049】
また、上記実施の形態においては、半導体領域の表面近傍にその内部よりも高濃度に白金をドープする方法として、表面からの白金の熱拡散(手法)を用いて説明したが、本発明はこの手法に限定されるものではない。たとえば、白金のイオンを注入する方法やシリコン結晶作成時におけるドーブ処理などであってもよい。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、白金の熱拡散によってできた第2導電型の反転領域と第1導電型の半導体領域とによりpn接合部が形成されるため、従来よりもpn接合部が浅くなり、pn接合部の位置と白金が有効に作用する位置とが一致する。したがって、高速でかつ十分なソフトリカバリー特性を具えたダイオードを構成する半導体装置が得られるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の構造を示す縦断面図である。
【図2】半導体に熱拡散させた白金の深さ方向のプロファイルを説明するための模式図である。
【図3】酸化膜によって特定領域にのみ反転領域を形成した様子を示す半導体装置の縦断面図である。
【図4】白金の熱拡散温度と表面近傍領域のキャリア濃度分布との関係を示す特性図である。
【図5】白金の熱拡散後に熱処理をおこなう前とおこなった後でのキャリア濃度分布の変化を示す特性図である。
【図6】図1に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図7】図1に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図8】図1に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図9】図1に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図10】図1に示す半導体装置の逆回復電流を示す波形図である。
【図11】従来の半導体装置の逆回復電流を示す波形図である。
【図12】本発明の実施の形態1にかかる半導体装置のVFとIRPトレードオフ改善(従来構造との比較)を示す説明図である。
【図13】本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の他の例を示す縦断面図である。
【図14】本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の構造を示す縦断面図である。
【図15】図14に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図16】図14に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図17】図14に示す半導体装置の製造途中における要部を示す縦断面図である。
【図18】本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の他の例を示す縦断面図である。
【図19】本発明の実施の形態2にかかる半導体装置のさらに他の例を示す縦断面図である。
【図20】本発明にかかる半導体装置を適用した力率改善回路の一例を示す回路図である。
【図21】従来の高速リカバリーダイオードの構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
20,25,45 酸化膜
21,41,141 半導体基板(半導体領域)
22,42 半導体層(半導体領域)
23,43 反転領域
24 ガードリング領域(不純物拡散領域)
26,46 表面電極(第1の電極)
27,47 裏面電極(第2の電極)
28 活性領域エッジ部(不純物拡散領域)
29,49 pn接合部
44 ガードリング領域(第2の反転領域)
Claims (12)
- シリコン半導体からなる第1導電型の半導体領域と、
前記半導体領域の表面層に形成され主電流が流れる活性領域と、
前記活性領域の外周にて前記半導体領域の表面上に形成され、前記活性領域を露出する開口部を有する酸化膜と、
前記活性領域の、前記酸化膜の開口部に露出された表面近傍にその内部よりも高濃度に白金がドープされてなる第2導電型の反転領域と、
前記半導体領域と前記反転領域とからなるpn接合部と、を具備し、
前記酸化膜の、前記半導体領域に接する側の部分には白金が取り込まれていることを特徴とする半導体装置。 - 前記pn接合部に順方向バイアスの電圧が印加され順方向電流が流れることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記反転領域と接する第1の電極と、
前記半導体領域と接する第2の電極と、
前記反転領域を一重または二重以上に囲み、かつ前記pn接合部よりも深い位置で前記半導体領域と接合する第2導電型の不純物拡散領域と、
をさらに具備することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記反転領域を二重以上に囲む前記不純物拡散領域のうち最内周の不純物拡散領域は、前記反転領域に接続するとともに前記第1の電極と接していることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記反転領域と接する第1の電極と、
前記半導体領域と接する第2の電極と、
前記反転領域を一重または二重以上に囲み、かつ前記半導体領域の表面近傍にその内部よりも高濃度にドープされた白金により第2導電型に反転してなる第2の反転領域をさらに具備することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の電極は前記半導体領域とも接していることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- シリコン半導体からなる第1導電型の半導体領域の第1の主面の一部を酸化膜で被覆する工程と、
前記半導体領域の表面近傍にその内部よりも高濃度に白金をドープし、当該白金を前記酸化膜に取り込ませることで前記第1の主面の露出部分の表面近傍領域に選択的に第2導電型の反転領域を形成する工程と、
前記反転領域と接する第1の電極、および前記半導体領域の第2の主面と接する第2の電極をそれぞれ形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体領域の第1の主面の露出部分、または前記半導体領域の第2の主面から白金を熱拡散させ、前記酸化膜の、前記半導体領域に接する部分に前記白金を取り込ませることによって、前記半導体領域の第1の主面の露出部分の表面近傍にその内部よりも高濃度に白金を選択的にドープすることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン半導体からなる第1導電型の半導体領域の第1の主面の一部を酸化膜で被覆する工程と、
前記酸化膜をマスクとして前記半導体領域に第2導電型の不純物イオンを注入し、熱処理をおこなって第2導電型の不純物拡散領域を形成するとともに、前記第1の主面を酸化膜で被覆する工程と、
前記不純物拡散領域で囲まれた領域の前記酸化膜の一部を除去する工程と、
前記半導体領域の表面近傍にその内部よりも高濃度に白金をドープし、前記不純物拡散領域で囲まれた領域の前記第1の主面の露出部分の表面近傍領域に、前記白金を前記酸化膜に取り込ませることで前記不純物拡散領域よりも浅い接合の第2導電型の反転領域を選択的に形成する工程と、
前記反転領域と接する第1の電極、および前記半導体領域の第2の主面と接する第2の電極をそれぞれ形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物拡散領域で囲まれた領域の前記第1の主面の露出部分、または前記半導体領域の第2の主面から白金を熱拡散させ、前記酸化膜の、前記半導体領域に接する部分に前記白金を取り込ませることによって、前記半導体領域の第1の主面の露出部分の表面近傍にその内部よりも高濃度の白金を選択的にドープすることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 白金の拡散前に、前記不純物拡散領域で囲まれた領域の前記酸化膜の一部を除去する際に、前記不純物拡散領域のうち最内周の不純物拡散領域が露出するように前記酸化膜を除去し、
また、前記第1の電極を最内周の前記不純物拡散領域と接するように形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記白金を熱拡散させる際の温度および時間を制御して前記反転領域の形成深さを調節することを特徴とする請求項7〜11のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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