JP5055945B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態に係る半導体装置について図1を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示す第1の実施形態に係る半導体装置では、電界効果トランジスタの単位セルを2つ対向して並べた構造を備えている。なお、実際には、上記電界効果トランジスタの単位セルが複数並列に配置接続されて1つのトランジスタを形成している。
次に、第2の実施形態に係る半導体装置について、第1の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図2乃至図6を参照して説明する。また、第2の実施形態に係る半導体装置について、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。なお、第2の実施形態に係る半導体装置の構造は、第1の実施形態の半導体装置の構造と基本的には同じである。第2の実施形態の半導体装置が、第1の実施形態と異なる点は、N+型多結晶シリコン4とソース電極9とを接続するために、導電体領域5を形成していることだけである。よって、第1の実施形態の半導体装置と同様の効果を取得できる。
次に、第3の実施形態に係る半導体装置について、第2の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図7を参照して説明する。また、第3の実施形態に係る半導体装置について、第2の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。なお、第3の実施形態に係る半導体装置の構造は、第2の実施形態の半導体装置の構造と基本的には同じである。第3の実施形態の半導体装置が、第2の実施形態と異なる点は、N−型炭化珪素エピタキシャル層2の表面に接し、かつN−型炭化珪素エピタキシャル層2とN+型多結晶シリコン4とのヘテロ接合界面の近傍に、電界緩和領域12を形成していることだけである。よって、第2の実施形態の半導体装置と同様の効果を取得できる。
3 絶縁体領域、4 N+型多結晶シリコン、5 導電体領域、
6 ゲート絶縁膜、7 ゲート電極、8 層間絶縁膜、9 ソース電極、
10 ドレイン電極、11 レジスト、12 電界緩和領域
Claims (7)
- 半導体基体と、前記半導体基体の表面の所定領域に形成された絶縁体領域と、
前記半導体基体と異なるバンドキャップ幅を有する半導体材料から成り、前記半導体基体とヘテロ接合を形成し、かつ前記絶縁体領域の側面にサイドウォール状に形成されたヘテロ半導体領域と、
前記半導体基体の表面および前記ヘテロ半導体領域の側面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、
前記へテロ半導体領域に接続されたソース電極と、
前記半導体基体に接続されたドレイン電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記へテロ半導体領域と前記ソース電極は、前記絶縁体領域上に形成された導電体領域を介して接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体基体の表面に接し、かつ前記ヘテロ接合界面の近傍に電界緩和領域を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体基体は、炭化珪素、窒化ガリウム、もしくはダイヤモンドのいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ヘテロ半導体領域はシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウムヒ素のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
- 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基体の表面に前記絶縁体領域を形成する工程と、
マスク層を用いて前記絶縁体領域をパターニングする工程と、
前記絶縁体領域上、前記絶縁体領域側面、および前記半導体基体上に前記へテロ半導体を等方的に成膜する工程と、
前記へテロ半導体を異方性エッチングによりエッチングし、前記絶縁体領域側面に自己整合的に前記へテロ半導体領域を形成する工程を有することを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基体の表面に前記絶縁体領域を形成する工程と、
前記絶縁体領域上に前記導電体領域を形成する工程と、
マスク層を用いて前記導電体領域および前記絶縁体領域をパターニングする工程と、
前記導電体領域上、前記導電体領域側面、前記絶縁体領域側面、および前記半導体基体上に前記へテロ半導体を等方的に成膜する工程と、
前記へテロ半導体を異方性エッチングによりエッチングし、前記導電体領域側面および前記絶縁体領域側面に自己整合的に前記へテロ半導体領域を形成する工程を有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
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