JP5352999B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5352999B2 JP5352999B2 JP2007333626A JP2007333626A JP5352999B2 JP 5352999 B2 JP5352999 B2 JP 5352999B2 JP 2007333626 A JP2007333626 A JP 2007333626A JP 2007333626 A JP2007333626 A JP 2007333626A JP 5352999 B2 JP5352999 B2 JP 5352999B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- type
- semiconductor
- semiconductor device
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
- H01L29/7828—Vertical transistors without inversion channel, e.g. vertical ACCUFETs, normally-on vertical MISFETs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
半導体基体の一主面に不純物を含まないヘテロ半導体材料を堆積させ、その後一部のヘテロ半導体材料を除去してヘテロ半導体領域を形成する第1の工程と、第1の工程の後に、少なくともヘテロ半導体領域の側面及びヘテロ半導体領域が形成されていない半導体基体の表面にまたがって第1の絶縁膜を堆積する第2の工程と、第2の工程の後に、酸化雰囲気中で熱処理し、第1の絶縁膜下の上記半導体基体とヘテロ半導体材料を酸化して絶縁膜を形成する第3の工程と、第3の工程の後に、ヘテロ半導体領域に不純物を導入する第4の工程と、を含むことを特徴としている。
まず、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法で製造された半導体装置について図1を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法で製造された半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示す当該半導体装置は、電界効果トランジスタの単位セルを2つ対向して並べた構成となっている。実際には、上記の単位セルを複数並列に配置接続して、1つの電界効果トランジスタを形成するが、第1の実施形態では2つの単位セルで代表して説明する。図1に示すように、当該半導体装置は、半導体材料である炭化珪素を基材とする半導体基体を備えている。第1の実施形態における半導体基体は、N型高濃度(以下、N+型とする。)のN+型炭化珪素基体1と、N型低濃度(以下、N−型とする。)のN−型炭化珪素エピタキシャル層2からなる。N+型炭化珪素基体1の一主面である表面上に、N−型炭化珪素エピタキシャル層2を形成している。炭化珪素のポリタイプ(結晶多形)は、いくつか存在するが、第1の実施形態では代表的な4Hのポリタイプを持つ炭化珪素を用いている。
次に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図5および図6を参照して説明する。また、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法で示された同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。ここで、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法で製造された半導体装置は、第1の実施形態と全く同じである。第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法が、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点は、多結晶シリコン10に不純物を導入する工程を、ゲート絶縁膜(熱酸化膜)5を形成する工程の後に実施することだけである。これにより、第1の実施形態と同様の効果を取得することができる。
3 N+型多結晶シリコン、4 ゲート絶縁膜(堆積膜)、
5 ゲート絶縁膜(熱酸化膜)、6 ゲート電極、7 ソース電極、
8 ドレイン電極、9 層間絶縁膜、10 多結晶シリコン、
11 レジストマスク、20 N型不純物
Claims (5)
- 半導体材料を基材とする半導体基体と、
前記半導体基体の一主面の一部に接触し、前記半導体材料とバンドギャップが異なるヘテロ半導体材料を基材とするヘテロ半導体領域と、
少なくとも前記ヘテロ半導体領域の側面及び前記ヘテロ半導体領域が形成されていない前記半導体基体の表面にまたがって形成された絶縁膜と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基体の前記一主面に不純物を含まない前記ヘテロ半導体材料を堆積させ、その後一部の前記ヘテロ半導体材料を除去して前記ヘテロ半導体領域を形成する第1の工程と、
前記第1の工程の後に、少なくとも前記ヘテロ半導体領域の側面及び前記ヘテロ半導体領域が形成されていない前記半導体基体の表面にまたがって第1の絶縁膜を堆積する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、酸化雰囲気中で熱処理し、前記第1の絶縁膜下の前記半導体基体と前記ヘテロ半導体材料を酸化して前記絶縁膜を形成する第3の工程と、
前記第3の工程の後に、前記ヘテロ半導体領域に不純物を導入する第4の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3の工程は、ウェット酸化、ドライ酸化、パイロジェニック酸化のうちいずれかの工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を介して、前記へテロ接合部の一部と接するゲート電極と、
前記ヘテロ半導体領域に接続するソース電極と、
前記半導体基体にオーミック接続するドレイン電極とを有する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ヘテロ半導体材料は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウムのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007333626A JP5352999B2 (ja) | 2007-06-08 | 2007-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
US12/105,318 US8067776B2 (en) | 2007-06-08 | 2008-04-18 | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereof |
KR1020080053031A KR100966229B1 (ko) | 2007-06-08 | 2008-06-05 | 반도체 장치의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 장치 |
EP20080157629 EP2053636B1 (en) | 2007-06-08 | 2008-06-05 | Method of manufacturing a semiconductor device |
CN 200810110641 CN101320688B (zh) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007153006 | 2007-06-08 | ||
JP2007153006 | 2007-06-08 | ||
JP2007333626A JP5352999B2 (ja) | 2007-06-08 | 2007-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016783A JP2009016783A (ja) | 2009-01-22 |
JP5352999B2 true JP5352999B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=40180665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007333626A Expired - Fee Related JP5352999B2 (ja) | 2007-06-08 | 2007-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2053636B1 (ja) |
JP (1) | JP5352999B2 (ja) |
KR (1) | KR100966229B1 (ja) |
CN (1) | CN101320688B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008311406A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Toyota Motor Corp | 溝ゲート型SiC半導体装置の製造方法 |
JP7154772B2 (ja) * | 2018-02-16 | 2022-10-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3719326B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-11-24 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP4179492B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2008-11-12 | 日産自動車株式会社 | オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置 |
JP4671314B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2011-04-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | オーミック電極構造体の製造方法、接合型fet又は接合型sitのオーミック電極構造体の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2002222950A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP1393362B1 (en) * | 2001-04-28 | 2011-12-14 | Nxp B.V. | Method of manufacturing a trench-gate semiconductor device |
JP2003243653A (ja) | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP3620513B2 (ja) | 2002-04-26 | 2005-02-16 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
US7282739B2 (en) * | 2002-04-26 | 2007-10-16 | Nissan Motor Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
JP4039375B2 (ja) | 2004-03-09 | 2008-01-30 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4687041B2 (ja) * | 2004-09-08 | 2011-05-25 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4736386B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-07-27 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5033316B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2012-09-26 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4956776B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2012-06-20 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007110071A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-04-26 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2007153006A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 車両用電源装置 |
JP4693122B2 (ja) | 2006-06-16 | 2011-06-01 | 株式会社小松製作所 | シリンダのストローク位置計測装置 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007333626A patent/JP5352999B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-05 KR KR1020080053031A patent/KR100966229B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-05 EP EP20080157629 patent/EP2053636B1/en active Active
- 2008-06-06 CN CN 200810110641 patent/CN101320688B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2053636A3 (en) | 2012-06-13 |
KR100966229B1 (ko) | 2010-06-25 |
KR20080108038A (ko) | 2008-12-11 |
JP2009016783A (ja) | 2009-01-22 |
EP2053636B1 (en) | 2014-12-17 |
CN101320688B (zh) | 2011-02-16 |
EP2053636A2 (en) | 2009-04-29 |
CN101320688A (zh) | 2008-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100893995B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
JP2006324585A (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007115875A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP3784393B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007066944A (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006066439A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7054403B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005229105A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
WO2010143376A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017175115A (ja) | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
JP4923543B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP4916247B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010080787A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5352999B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4100070B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6441412B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9978598B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
EP1908118B1 (en) | Method for producing a semiconductor device | |
JP2007299845A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP5374923B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2015070192A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置 | |
JP2007234942A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008103392A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US8067776B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereof | |
US9716159B1 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101018 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101028 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5352999 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |