JP5048005B2 - 金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法に係り、より詳しくは一定の高さを持ち、別途のバンプパッドなしに回路パターンに直接接続することにより、微細なピッチで形成可能な金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法に関するものである。

電子産業の発達につれて、電子部品が高性能化していき、これに応えてパッケージ（ＰＫＧ）も小型化、高密度化することが要求される。また、ＩＣとメインボードを連結するインターポーザー（基板）も高密度化しなければならない。パッケージの高密度化の原因は、ＩＣのＩ／Ｏの数が増えることによるもので、インターポーザーと連結する方法もよりよい方向に進んでいる。現在の高密度パッケージにおけるＩＣ実装方法には、ワイヤボンディング方式とフリップボンディング方式が使用されており、Ｉ／Ｏが一定の数以上に増えると、実装にかかる費用のため、フリップボンディング方式が好まれている。

図１Ａ〜図１Ｅは従来技術による半導体チップ実装基板の最外層を形成する方法を示す図である。

図１Ａを参照すれば、パッド１３を備える基板１１上にはソルダレジスト１５が形成されている。ソルダレジスト１５はパッド１３の間に形成され、後続のバンプ２３の形成の際にソルダペースト１９が流出することを防止する役目をする。

そして、図１Ｂに示すように、ソルダレジスト１５上に印刷マスク１７を位置させる。印刷マスク１７は、後続のソルダペーストを印刷する過程でソルダレジスト１５上にソルダペーストが塗布されないようにするとともに、パッド１３上に塗布されるソルダペーストが一定の高さを持つようにする。そして、図１Ｃに示すように、スクイージーブレード２１を利用して、ソルダペースト１９をパッド１３上に印刷する。ソルダペースト１９は、図１Ｃに示すように、ソルダレジスト１５及び印刷マスク１７によって決まる凹部に充填される。

更に、図１Ｄに示すように、ソルダレジスト１５上に位置させた印刷マスク１７を除去した後、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を用いて、図１Ｅに示すようなバンプ２３を備えるプリント基板を製作する。

このように、プリンティング方式を用いるプリント基板のバンプ形成方法は、１２０μｍ以下の微細ピッチを持つバンプを具現しにくいという問題点を持つ。したがって、プリンティング方式を用いるバンプ形成方法は、微細なバンプを形成する場合、バンプが形成されないか、形成されるとしても体積が非常に少なく形成される問題点をもたらす。
また、パッド１３はメッキ方式で形成されるので、メッキ偏差によって厚さが互いに異なり、ソルダペースト１９を印刷する工程においても、印刷量を均一に調整することが難しいため、バンプ２３の高さが均一でなく、これによって半導体チップと連結されないバンプ２３も形成される問題点がある。

また、ソルダレジストとパッド１３間の高低差が大きいため、電子部品の実装の後、アンダーフィルの際、ボイド（ｖｏｉｄ）が発生する問題点があった。

したがって、本発明は前述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、微細なピッチとともに均一な高さを持つ金属バンプを含むプリント基板の構造及び製造方法を提供することをその目的とする。

前記目的を達成するために、一観点によれば、本発明は、（Ａ）メタルキャリア上に金属バンプ形成用凹部を形成する段階；（Ｂ）前記凹部を含む前記メタルキャリア上にバリアー層を形成する段階；（Ｃ）前記バリアー層上に、前記凹部を充填する金属バンプ及び回路パターンを含む上部回路層を形成する段階；（Ｄ）絶縁層を提供し、前記上部回路層を前記絶縁層上に転写する段階；及び（Ｅ）前記メタルキャリア及び前記バリアー層を除去する段階；を含む、金属バンプを持つプリント基板の製造方法を提供する。

前記（Ｅ）段階の後、前記絶縁層上に、前記金属バンプを露出する開放ホールを持つソルダレジスト層を形成する段階をさらに含むことができる。

前記（Ａ）段階は、（Ｉ）メタルキャリアを提供する段階；（ＩＩ）前記メタルキャリア上にエッチングレジストを塗布する段階；（ＩＩＩ）前記エッチングレジストに凹部形成用開口部をパターニングする段階；（ＩＶ）前記凹部形成用開口部を通じて露出した前記メタルキャリアをエッチングして凹部を形成する段階；及び（Ｖ）前記エッチングレジストを除去する段階；を含むことができる。

前記（Ｂ）段階の後、前記バリアー層上にシード層を形成する段階をさらに含むことができる。

前記（Ｃ）段階は、（Ｉ）前記バリアー層上にメッキレジストルを塗布する段階；（ＩＩ）前記メッキレジストに前記凹部の少なくとも一部を露出する開口部を含む回路パターン形成用開口部をパターニングする段階；及び（ＩＩＩ）前記開口部をメッキして、前記凹部を充填する金属バンプ及び回路パターンを含む上部回路層を形成する段階；を含むことができる。

前記メタルキャリア及び前記回路層は電気伝導性金属でなり、前記バリアー層は前記メタルキャリア及び前記上部回路層を成す金属に対して選択的にエッチングされる金属でなることができる。

前記メタルキャリアは銅でなり、前記上部回路層は、銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）、またはすず（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金の中でいずれか一種でなり、前記バリアー層はニッケルでなることができる。

また、前記目的を達成するために、他の観点によれば、本発明は、（Ａ）第１キャリア上に金属バンプ形成用凹部を形成し、前記凹部を含む前記第１キャリア上に第１バリアー層を形成し、前記第１バリアー層上に、前記凹部を充填する金属バンプ及び回路パターンを含む上部回路層を形成する段階；（Ｂ）第２キャリア上に第２バリアー層を形成して前記第２バリアー層上に下部回路層を形成する段階；（Ｃ）絶縁層を提供し、前記絶縁層の上下面に前記上部回路層及び前記下部回路層を転写する段階；（Ｄ）前記第１キャリア及び前記第２キャリアを除去する段階；及び（Ｅ）前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層を除去する段階；を含むこと、金属バンプを持つプリント基板の製造方法を提供する。

前記（Ｅ）段階の後、前記絶縁層の上下部にソルダレジスト層を形成する段階をさらに含むことができる。

前記第１キャリア、第２キャリア、上部回路層及び下部回路層は電気伝導性金属でなり、前記第１バリアー層及び第２バリアー層は前記第１キャリア、第２キャリア、上部回路層及び下部回路層を成す金属に対して選択的にエッチングされる金属でなることができる。
前記（Ｄ）段階の後、前記上部回路層及び前記下部回路層を電気的に接続するビアを形成する段階をさらに含むことができる。

また、前記目的を達成するために、さらに別の観点によれば、本発明は、絶縁層の上部に埋め込まれた電気伝導性金属でなる回路パターンを含む上部回路層；及び前記回路パターンと同様の物質で一体形成され、前記回路パターンの上部に突出し、前記絶縁層の上部に突出した金属バンプ；を含む、金属バンプを持つプリント基板を提供する。

前記金属バンプの下面の一部が前記回路パターンに連結されることができる。

前記プリント基板は、前記絶縁層上に形成され、前記金属バンプを露出する開放ホールを持つソルダレジスト層をさらに含むことができる。

前記プリント基板は、前記絶縁層の下部に埋め込まれた下部回路層をさらに含むことができる。

前記プリント基板は、前記金属バンプ上に形成され、ＯＳＰ表面処理層またはニッケル及び金メッキ層でなる表面保護層をさらに含むことができる。

前記回路パターン及び前記金属バンプは、銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）、またはすず（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金の中でいずれか一種でなることができる。

前記プリント基板は、前記回路パターンと前記下部回路層を電気的に連結するビアをさらに含むことができる。

本発明によるプリント基板は、金属バンプを含むので、電気信号の伝達性能が向上し、バンプパッドがなくてバンプピッチが微細でバンプの高さが均一な高密度の最外角回路層を持つ。

また、本発明によるプリント基板の製造方法によれば、回路形成工程によって金属バンプを形成するので、微細なピッチの金属バンプを形成することが可能である。

従来技術による半導体チップ実装基板の最外層を形成する方法を順に示す工程断面図（１）である。 従来技術による半導体チップ実装基板の最外層を形成する方法を順に示す工程断面図（２）である。 従来技術による半導体チップ実装基板の最外層を形成する方法を順に示す工程断面図（３）である。 従来技術による半導体チップ実装基板の最外層を形成する方法を順に示す工程断面図（４）である。 従来技術による半導体チップ実装基板の最外層を形成する方法を順に示す工程断面図（５）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の平面図である。 図２Ａに示す金属バンプを持つプリント基板をＩ−Ｉ線に沿って切断した断面図である。 図２Ａに示すプリント基板に表面保護層がもっと形成されたプリント基板の断面図である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（５）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（６）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（７）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（８）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（９）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１０）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１１）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１２）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１３）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１４）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１５）である。 本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を順に示す工程断面図（１６）である。

以下、本発明による金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。添付図面の全般にわたって、同じか対応の構成要素は同一図面符号を付け、重複する説明は省略する。本明細書において、上部、下部などの用語は一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するもので、構成要素が前記用語によって制限されるものではない。

図２Ａは本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の平面図、図２Ｂは図２Ａに示す金属バンプを持つプリント基板をＩ−Ｉ線に沿って切断した断面図である。
これら図に示すように、本実施例による金属バンプを持つプリント基板は、絶縁層４００上に埋め込まれた電気伝導性金属でなる回路パターン６１０を含む上部回路層、及び回路パターン６１０と一体を成す金属バンプ６１５を含む構成である。

絶縁層４００は電気絶縁材の複合高分子樹脂でなり、例えば、プリプレグ、または通常の樹脂基板資材としてＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ系樹脂を使用することができるが、特別にこれらに限定されるものではない。

回路パターン６１０は電気信号を伝達する電気伝導性金属パターンであって、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、すず（Ｓｎ）、またはすず（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）の合金などの金属でなることができる。本実施例の回路パターン６１０は絶縁層４００に埋め込まれているが、絶縁層４００の外部に露出した露出面を含む。ここで、露出面とは回路パターン６１０が埋め込まれた絶縁層４００によって覆われていない面を意味し、絶縁層４００の外部に形成できる他の絶縁層やソルダレジスト層７００の外部に露出することを意味するものではない。

金属バンプ６１５は回路パターン６１０と一体を成すが回路パターン６１０の上部に突出し、絶縁層４００の上部に突出する。本実施例の金属バンプ６１５は絶縁層４００上に埋め込まれた回路パターン６１０と一体を成し、回路パターン６１０と同じ物質で構成される。よって、金属バンプ６１５と回路パターン６１０が明らかに区別されるものではないが、回路パターン６１０の他の部分に比べ、上部に突設された部分を金属バンプ６１５と名付けることができる。金属バンプ６１５は、後続のプリント基板に実装される電子部品とプリント基板の配線を電気的に接続する機能をする。

この際、金属バンプ６１５の下面全体が回路パターン６１０に連結される形状であることもできるが、金属バンプ６１５の下面の一部だけが回路パターン６１０に連結された形状になることができる。本実施例の回路パターン６１０及び金属バンプ６１５は銅でなる。

また、図３に示すように、金属バンプ６１５上に形成され、例えばＯＳＰ表面処理層またはニッケル及び金メッキ層でなる表面保護層６５０をさらに含むことができる。表面保護層６５０は金属バンプ６１５の損傷を防止して、後に実装される電子部品の接続をなだらかにする機能をする。

一方、本実施例によるプリント基板は、絶縁層４００の下部に埋め込まれた下部回路層６３０をさらに含む。構成の明確な表現のために、本実施例では単一回路層で構成された下部回路層６３０を例示的に示して説明したが、上部回路層と電気的に連結される下部回路層６３０は、上下に配列された複数の回路層とこれら回路層の間に介在された絶縁材でなることができることは当業者であれば容易に理解することができる。

また、本実施例によるプリント基板は、絶縁層４００の上部及び下部に形成され、金属バンプ６１５及び下部回路層６３０に形成された接続パッドを露出する開放ホールを持つソルダレジスト層７００をさらに含むことができる。ソルダレジスト層７００は絶縁層４００から露出した回路層を保護する機能をする。

また、図示されていないが、回路パターン６１０を含む上部回路層と下部回路層６３０を電気的に連結するビアをさらに含むことができる。

前述したようなプリント基板は、バンプパッドのない金属バンプ６１５を含むので、電気信号の伝達性能が向上し、バンプのピッチが微細でバンプの高さが均一な高密度の最外角回路層を持つ。

また、ソルダレジスト層７００と絶縁層４００との高低差が低いので、電子部品実装の際、アンダーフィル材料のボイド減少に有利である。

図４〜図１９は本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。

まず、第１キャリア１１０上に金属バンプ６１５形成用凹部１１５を形成する段階である。

図４に示すように、第１キャリア１１０を提供し、第１キャリア１１０上にエッチングレジスト２００を塗布する。第１キャリア１１０は例えば金、銀、銅、ニッケルなどの金属でなるメタルキャリアで、本実施例においては、銅でなる第１キャリア１１０が提供される。第１キャリア１１０が提供されれば、好ましくは感光性ドライフィルムでなるエッチングレジスト２００を塗布する。

その後、図５に示すように、エッチングレジスト２００に凹部形成用開口部２１０をパターニングする。光遮断パターンを持つマスク（図示せず）を使用してエッチングレジスト２００を選択的に硬化し、未硬化部分を除去することで、エッチングレジスト２００に凹部形成用開口部２１０をパターニングすることができる。

その後、図６に示すように、凹部形成用開口部２１０を通じて露出した第１キャリア１１０をエッチングし、図７に示すように、エッチングレジスト２００を除去して凹部１１５を形成する。例えば、プラズマを利用した乾式エッチング工程またはエッチング液を利用した湿式エッチング工程によって、凹部形成用開口部２１０を通じて露出した第１キャリア１１０をエッチングして凹部１１５を形成することができる。本工程においては、湿式エッチング法で凹部１１５を形成し、半球状の凹部１１５が第１キャリア１１０に形成される。

ついで、図８に示すように、凹部１１５を含む第１キャリア１１０上に第１バリアー層３１０を形成する。第１バリアー層３１０は食刻防止層で、第１キャリア１１０に対して、第１キャリア１１０が選択的にエッチングされるようにする導電性金属でなる。本実施例においては、ニッケルでなる第１バリアー層３１０を形成する。

その後、図示されていないが、第１バリアー層３１０上にシード層（図示せず）を形成する段階をさらに含むことができる。シード層の形成は後続の電解メッキの前処理工程であって、電気伝導性の低い金属で第１バリアー層３１０を形成した場合には、電解メッキの円滑な進行のためにシード層を形成することが好ましい。

ついで、第１バリアー層３１０上に、凹部１１５を充填する金属バンプ６１５、及び回路パターン６１０を含む上部回路層を形成する段階である。

図９に示すように、第１バリアー層３１０上にメッキレジスト５００を塗布する。メッキレジスト５００は感光性ドライフィルムであることが好ましい。

その後、図１０に示すように、メッキレジスト５００に、凹部１１５の少なくとも一部を露出する開口部を含む回路パターン６１０形成用開口部をパターニングする。光遮断パターンを持つマスク（図示せず）を使用してメッキレジスト５００を選択的に硬化して未硬化部分を除去することで、メッキレジスト５００に凹部１１５の少なくとも一部を露出する開口部を含む回路パターン６１０形成用開口部をパターニングすることができる。

この際、凹部１１５の全体を開放するメッキレジスト５００を形成することも可能であるが、回路パターン６１０の凹部１１５に連結される回路パターン６１０形成用開口部を形成するにおいて、露光工程上の誤差によって凹部１１５と正確に整合するパターンにメッキレジスト５００がパターニングされない場合が発生することができるので、露光工程の誤差を考慮して、凹部１１５の中心部までにメッキレジスト５００をパターニングすることが好ましい。凹部１１５は回路パターン６１０に比べて幅が大きいため、凹部１１５の中心部を基準としてメッキレジスト５００をパターニングすれば、露光工程上の誤差があっても、凹部１１５の少なくとも一部を露出する回路パターン６１０形成用開口部を形成することが可能である。

その後、図１１に示すように、メッキレジスト５００の開口部をメッキして、凹部１１５を充填する金属バンプ６１５、及び回路パターン６１０を含む上部回路層を形成する。第１バリアー層３１０を引入線としてメッキレジスト５００の開口部に電解メッキを施して、凹部１１５を充填する金属バンプ６１５、及び回路パターン６１０を含む上部回路層を形成することができる。金属バンプ６１５及び回路パターン６１０は、第１バリアー層３１０に対して選択的にエッチングされる電気伝導性金属でなり、本実施例においては、銅を使用する。

その後、図１２に示すように、残留メッキレジスト５００を除去する。残留メッキレジスト５００を除去することで、第１キャリア１１０上に上部回路層を形成することができる。

ついで、図１３に示すように、第２キャリア１３０上に第２バリアー層３３０を形成し、第２バリアー層３３０上に下部回路層６３０を形成する段階である。第２キャリア１３０上に下部回路層６３０を形成する工程は第１キャリア１１０上に上部回路層を形成する工程と特に違わなく、本実施例の第２キャリア１３０には凹部１１５が形成されないという点で一部違っている。しかし、下部回路層６３０にも金属でなるバンプを形成しようとする場合には、第１キャリア１１０と非常に類似の工程を行って下部回路層６３０を形成することができる。

ここで、第２キャリア１３０は第１キャリア１１０と類似の金属でなることが好ましいが、これに限定されるものではない。

下部回路層６３０の形成工程は前述した上部回路層の形成工程と並行することができる。また、単一キャリア、または熱接着剤で対向面が接着された一対のキャリアを使用して一面には上部回路層を形成すると同時に他面には下部回路層６３０を形成する工程で下部回路層６３０を形成することも可能である。

第２バリアー層３３０は、第２キャリア１３０に対して第２キャリア１３０が選択的にエッチングされるようにする金属でなる。本実施例においては、ニッケルでなる第２バリアー層３３０を形成する。

ついで、図１４及び図１５に示すように、絶縁層４００を提供し、絶縁層４００の上下面に上部回路層及び下部回路層６３０を転写する段階である。転写工程に先立ち、絶縁層４００との接着力向上のために、上部回路層及び下部回路層６３０の露出した表面を粗面処理して凹凸を形成することが好ましい。

ついで、図１６に示すように、第１キャリア１１０及び前記第２キャリア１３０を除去する。第１キャリア１１０及び第２キャリア１３０の除去は、絶縁層４００の硬化及び回路層の埋込みが済んでから進み、第１キャリア１１０及び第２キャリア１３０が金属でなる場合、通常のエッチングで除去することができる。この場合、第１キャリア１１０及び第２キャリア１３０を成す金属は第１バリアー層３１０及び第２バリアー層３３０を成す金属に対して選択的にエッチングされる金属でなるので、上部回路層及び下部回路層６３０の損傷なしに第１及び第２キャリア１３０を除去することが可能である。一方、第２キャリア１３０が金属ではなく、例えば剥離重合体でなる場合には、剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ）によって除去することも可能である。

その後、図示されていないが、上部回路層及び下部回路層６３０を電気的に接続するビアを形成する工程を行うことができる。レーザードリルを利用して絶縁層４００を穿孔し、ビアホールの内部を無電解／電解メッキによって金属で充填して上部回路層及び下部回路層６３０を電気的に接続するビアを形成することが可能である。

ついで、図１７に示すように、第１バリアー層３１０及び第２バリアー層３３０を除去する段階である。第１バリアー層３１０及び第２バリアー層３３０を成す金属は上部回路層及び下部回路層６３０を成す金属に対して選択的にエッチングされる金属でなるので、上部回路層及び下部回路層６３０の損傷なしに第１バリアー層３１０及び第２バリアー層３３０を除去することができる。本実施例においては、ニッケル選択エッチング液を使用する。

その後、図示されていないが、下部回路層６３０と電気的に連結される更なるビルドアップ層を形成するか、一括積層方式で多層基板を形成することができる。このような多層基板の製造工程は公知の技術によって実施されるので、ここでその詳細な説明は省略する。

ついで、図１８に示すように、絶縁層４００の上下部にソルダレジスト層７００を形成する。ソルダレジスト層７００は金属バンプ６１５及び下部回路層６３０の接続パッドを露出する開放ホールを持つ。

ついで、図１９に示すように、金属バンプ６１５上に表面保護層６５０を形成することができる。例えば、ＯＳＰ処理を行うかニッケル及び金メッキを行って表面保護層６５０を形成することが可能である。

前述した工程によれば、回路パターン６１０形成工程で金属バンプ６１５を形成するので、微細なピッチの金属バンプ６１５を形成することができ、金属バンプ６１５のパッドが除去されるので、最外角回路層を高密度で具現することができる。また、ソルダを利用したバンプ形成方式に比べ、工程が簡素化する利点がある。

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明はこれに限定されず、本発明の技術的思想内で、当該分野の通常の知識を持った者によってその変形又は改良が可能であることは言うまでもない。したがって、本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇に属するものである。

本発明に係る金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法は、一定の高さを持ち、別途のバンプパッドなしに回路パターンに直接接続することにより、微細なピッチで形成可能な金属バンプを持つプリント基板に適用可能である。

１１０ 第１キャリア
２００ エッチングレジスト
２１０ 凹部形成用開口部
１１５ 凹部
３１０ 第１バリアー層
４００ 絶縁層
５００ メッキレジスト
６１０ 回路パターン
６１５ 金属バンプ
１３０ 第２キャリア
３３０ 第２バリアー層
６３０ 下部回路層
６５０ 表面保護層

Claims (18)

1. （Ａ）メタルキャリア上に金属バンプ形成用凹部を形成する段階；
   （Ｂ）前記凹部を含む前記メタルキャリア上にバリアー層を形成する段階；
   （Ｃ）前記バリアー層上に、前記凹部を充填する金属バンプ及び回路パターンを含む上部回路層を形成する段階；
   （Ｄ）絶縁層を提供し、前記上部回路層を前記絶縁層上に転写する段階；及び
   （Ｅ）前記メタルキャリア及び前記バリアー層を除去する段階；
   を含むことを特徴とする、金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
2. 前記（Ｅ）段階の後、前記絶縁層上に、前記金属バンプを露出する開放ホールを持つソルダレジスト層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
3. 前記（Ａ）段階は、
   （Ｉ）メタルキャリアを提供する段階；
   （ＩＩ）前記メタルキャリア上にエッチングレジストを塗布する段階；
   （ＩＩＩ）前記エッチングレジストに凹部形成用開口部をパターニングする段階；
   （ＩＶ）前記凹部形成用開口部を通じて露出した前記メタルキャリアをエッチングして凹部を形成する段階；及び
   （Ｖ）前記エッチングレジストを除去する段階；
   を含むことを特徴とする、請求項１に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
4. 前記（Ｂ）段階の後、前記バリアー層上にシード層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
5. 前記（Ｃ）段階は、
   （Ｉ）前記バリアー層上にメッキレジストルを塗布する段階；
   （ＩＩ）前記メッキレジストに前記凹部の少なくとも一部を露出する開口部を含む回路パターン形成用開口部をパターニングする段階；及び
   （ＩＩＩ）前記開口部をメッキして、前記凹部を充填する金属バンプ及び回路パターンを含む上部回路層を形成する段階；
   を含むことを特徴とする、請求項１に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
6. 前記メタルキャリア及び前記回路層は電気伝導性金属でなり、前記バリアー層は前記メタルキャリア及び前記上部回路層を成す金属に対して選択的にエッチングされる金属でなることを特徴とする、請求項１に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
7. 前記メタルキャリアは銅でなり、前記上部回路層は、銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）、またはすず（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金の中でいずれか一種でなり、前記バリアー層はニッケルでなることを特徴とする、請求項６に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
8. （Ａ）第１キャリア上に金属バンプ形成用凹部を形成し、前記凹部を含む前記第１キャリア上に第１バリアー層を形成し、前記第１バリアー層上に、前記凹部を充填する金属バンプ及び回路パターンを含む上部回路層を形成する段階；
   （Ｂ）第２キャリア上に第２バリアー層を形成して前記第２バリアー層上に下部回路層を形成する段階；
   （Ｃ）絶縁層を提供し、前記絶縁層の上下面に前記上部回路層及び前記下部回路層を転写する段階；
   （Ｄ）前記第１キャリア及び前記第２キャリアを除去する段階；及び
   （Ｅ）前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層を除去する段階；
   を含むことを特徴とする、金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
9. 前記（Ｅ）段階の後、前記絶縁層の上下部にソルダレジスト層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
10. 前記第１キャリア、第２キャリア、上部回路層及び下部回路層は電気伝導性金属でなり、前記第１バリアー層及び第２バリアー層は前記第１キャリア、第２キャリア、上部回路層及び下部回路層を成す金属に対して選択的にエッチングされる金属でなることを特徴とする、請求項８に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
11. 前記（Ｄ）段階の後、前記上部回路層及び前記下部回路層を電気的に接続するビアを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
12. 絶縁層の上部に埋め込まれた電気伝導性金属でなる回路パターンを含む上部回路層；及び
    前記回路パターンと同様の物質で一体形成され、前記回路パターンの上部に突出し、前記絶縁層の上部に突出した金属バンプ；
    を含むことを特徴とする、金属バンプを持つプリント基板。
13. 前記金属バンプの下面の一部が前記回路パターンに連結されたことを特徴とする、請求項１２に記載の金属バンプを持つプリント基板。
14. 前記絶縁層上に形成され、前記金属バンプを露出する開放ホールを持つソルダレジスト層をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の金属バンプを持つプリント基板。
15. 前記絶縁層の下部に埋め込まれた下部回路層をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の金属バンプを持つプリント基板。
16. 前記金属バンプ上に形成され、ＯＳＰ表面処理層またはニッケル及び金メッキ層でなる表面保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の金属バンプを持つプリント基板。
17. 前記回路パターン及び前記金属バンプは、銅（Ｃｕ）、すず（Ｓｎ）、またはすず（Ｓｎ）及び銀（Ａｇ）の合金の中でいずれか一種でなることを特徴とする、請求項１２に記載の金属バンプを持つプリント基板。
18. 前記回路パターンと前記下部回路層を電気的に連結するビアをさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の金属バンプを持つプリント基板。