JP5039442B2 - 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 - Google Patents

感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5039442B2
JP5039442B2 JP2007158320A JP2007158320A JP5039442B2 JP 5039442 B2 JP5039442 B2 JP 5039442B2 JP 2007158320 A JP2007158320 A JP 2007158320A JP 2007158320 A JP2007158320 A JP 2007158320A JP 5039442 B2 JP5039442 B2 JP 5039442B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive resin
group
represented
carbon atoms
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007158320A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008310089A (ja
Inventor
尊博 先崎
浩一 三隅
宏二 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2007158320A priority Critical patent/JP5039442B2/ja
Priority to KR1020080048534A priority patent/KR101032154B1/ko
Priority to US12/136,354 priority patent/US7977030B2/en
Publication of JP2008310089A publication Critical patent/JP2008310089A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5039442B2 publication Critical patent/JP5039442B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/122Sulfur compound containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/126Halogen compound containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/127Spectral sensitizer containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、回路基板の製造、回路基板に実装するCSP(チップサイズパッケージ)、微小電気機械システム(MEMS)素子及びMEMS素子を組み込んだ小型機械(マイクロマシン)、並びに高密度実装を行うための貫通電極等の電子部品の製造に好適に用いられる感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法に関する。
現在、精密微細加工技術の主流となっているホトファブリケーションとは、感光性樹脂組成物を被加工物表面に塗布して塗膜を形成し、ホトリソグラフィー技術によって塗膜をパターニングし、これをマスクとして化学エッチング、電解エッチング、及び/又は電気メッキを主体とするエレクトロフォーミングを行って、半導体パッケージ、MEMS素子等の各種精密部品を製造する技術の総称である。
従来、このようなホトファブリケーションに使用される感光性樹脂組成物としては、エポキシ樹脂と酸発生剤とを含有する感光性樹脂組成物が知られている。例えば、エポキシ官能性ノボラック樹脂、トリアリールスルホニウム塩等の酸発生剤、及びエポキシ基と反応可能な希釈剤を含む感光性樹脂組成物が開示されている(特許文献1参照)。また、ヒドロキシ基含有(メタ)アクリレートと酸無水物との反応生成物をさらにエポキシ樹脂と反応させて得たエポキシ基含有アクリル樹脂、及び光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物も開示されている(特許文献2参照)。
特公平7−78628号公報 特開2003−212956号公報
しかしながら、エポキシ基含有アクリル樹脂は本来、硬化物に柔軟性、強靭性を与える目的で使用されてきており、高硬度が得られるものではなかった。このため、エポキシ基含有アクリル樹脂を含有する感光性樹脂組成物は、高硬度が要求される永久膜を形成するためには好ましくないという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、エポキシ基含有アクリル樹脂を使用しながら高硬度化を実現可能な感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、エポキシ基含有アクリル樹脂を含有する感光性樹脂組成物に特定の光重合開始剤及び増感剤を含有させれば上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
本発明の第一の態様は、(A)エポキシ基含有アクリル樹脂、(B)光重合開始剤、及び(C)増感剤を含有してなる感光性樹脂組成物であって、前記(B)成分が、下記一般式(b1):
Figure 0005039442
(式(b1)中、Xb1は原子価sの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、sは1又は2である。nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表し、R1bはXb1に結合する置換又は無置換の、炭素原子数6〜30のアリール基、炭素原子数4〜30の複素環基、炭素原子数1〜30のアルキル基、炭素原子数2〜30のアルケニル基、又は炭素原子数2〜30のアルキニル基を表し(2個以上のR1bが互いに直接的又は間接的に結合し、Xb1を含む環構造を形成してもよい)、Xb2は置換又は無置換の、炭素原子数1〜8のアルキレン基、炭素原子数6〜20のアリーレン基、又は炭素原子数8〜20の複素環構造を含む2価の鎖状基を表し、Xb3−は炭素原子数1〜10のフッ素含有リン酸アニオン又はフッ素含有アンチモン酸アニオンを表す。)
で表されるオニウム塩を含有し、前記(C)成分が、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、及び2,6−ジヒドロキシナフタレンの中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする感光性樹脂組成物である。
本発明の第二の態様は、本発明の感光性樹脂組成物から形成される感光性樹脂層の両面に保護膜を形成してなる感光性樹脂積層体である。
本発明の第三の態様は、本発明の感光性樹脂組成物を支持体上に塗布し、乾燥してから所定のパターンに露光した後、現像して得られた樹脂パターンを加熱処理して、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法である。
本発明の第四の態様は、本発明の感光性樹脂積層体の両面の保護膜を除去して支持体上に貼り付け、感光性樹脂層を所定のパターンに露光した後、現像して得られた樹脂パターンを加熱処理して、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法である。
本発明の第五の態様は、本発明の感光性樹脂積層体の一方の面の保護膜を除去し、露出した感光性樹脂層が接するように前記感光性樹脂積層体を支持体上に貼り付け、前記感光性樹脂層を所定のパターンに露光した後、前記感光性樹脂積層体の他方の面の保護膜を除去し、現像して得られた樹脂パターンを加熱処理して、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法である。
本発明の感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体によれば、エポキシ基含有アクリル樹脂、特定の光重合開始剤、及び増感剤を含有することにより、高硬度の樹脂パターンを形成することができる。
〔感光性樹脂組成物〕
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)エポキシ基含有アクリル樹脂、(B)光重合開始剤、及び(C)増感剤を含有してなるものである。以下、本発明の感光性樹脂組成物に含まれる各成分について説明する。
[(A)エポキシ基含有アクリル樹脂]
(A)エポキシ基含有アクリル樹脂(以下、(A)成分という。)としては、特に限定されず、従来公知の樹脂を用いることができる。
このような(A)成分としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノール又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ポリカルボン酸ポリグリシジルエステル、ポリオールポリグリシジルエステル、脂肪族又は脂環式エポキシ樹脂、アミンエポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸とを反応させて得られる樹脂や、エポキシ基を有する(メタ)アクリル化合物を構成モノマーとする樹脂等が挙げられる。
この中でも、下記一般式(a1)〜(a4)で表される(メタ)アクリル化合物を構成モノマーとする樹脂が好ましい。
Figure 0005039442
(式(a1)〜(a4)中、R1aは水素原子又はメチル基を表し、R2aは単結合又は炭素原子数1〜3のアルキレン基を表す。)
上記一般式(a1)〜(a4)において、R2aは単結合又は炭素原子数1〜3のアルキレン基であり、特に好ましくは単結合である。
(A)成分の質量平均分子量は1000〜20000であることが好ましく、より好ましくは5000〜10000である。上記の範囲とすることにより、適当な固形分濃度で高粘度を得ることができ、塗布均一性、現像性も良好となる。
(A)成分の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分に対して40〜99質量%であることが好ましく、より好ましくは80〜99質量%である。上記の範囲とすることにより、感光性樹脂組成物が高感度となり、得られる硬化樹脂パターンが高硬度となる。
[(B)光重合開始剤]
(B)光重合開始剤(以下、(B)成分という。)は、下記一般式(b1):
Figure 0005039442
(式(b1)中、Xb1は原子価sの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、sは1又は2である。nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表し、R1bはXb1に結合する置換又は無置換の、炭素原子数6〜30のアリール基、炭素原子数4〜30の複素環基、炭素原子数1〜30のアルキル基、炭素原子数2〜30のアルケニル基、又は炭素原子数2〜30のアルキニル基を表し(2個以上のR1bが互いに直接的又は間接的に結合し、Xb1を含む環構造を形成してもよい)、Xb2は置換又は無置換の、炭素原子数1〜8のアルキレン基、炭素原子数6〜20のアリーレン基、又は炭素原子数8〜20の複素環構造を含む2価の鎖状基を表し、Xb3−は炭素原子数1〜10のフッ素含有リン酸アニオン又はフッ素含有アンチモン酸アニオンを表す。)
で表されるオニウム塩を含有する。
上記一般式(b1)において、R1bが置換基を有する場合、その置換基は、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコシキカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキレンオキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基の各基、及びハロゲン原子の中から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
また、上記一般式(b1)において、2個以上のR1bが互いに間接的に結合する場合、2個以上のR1bは、−O−、−S−、−SO−、−SO−、−NH−、−NR4b−、−CO−、−COO−、−CONH−、炭素原子数1〜3のアルキレン基、又はフェニレン基を介して結合することが好ましい。R4bは、炭素原子数1〜5のアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表す。
上記一般式(b1)におけるXb2は、下記一般式(b7)で表すことができる。
Figure 0005039442
上記一般式(b4)中、Xb5は炭素原子数1〜8のアルキレン基、炭素原子数6〜20のアリーレン基、又は炭素原子数8〜20の複素環化合物の2価の基を表し、Xb5は炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基、炭素原子数6〜10のアリール基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基の各基、及びハロゲン原子の中から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。Xb6は−O−、−S−、−SO−、−SO−、−NH−、−NR4b−、−CO−、−COO−、−CONH−、炭素原子数1〜3のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。mは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。m+1個のXb5及びm個のXb6はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。R4bは前述の定義と同じである。
上記一般式(b1)におけるXb3−としては、SbF 、PF のほか、下記一般式(b8)で表されるものが挙げられる。
Figure 0005039442
上記一般式(b5)中、R5bは水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。好ましい炭素原子数は1〜8、さらに好ましい炭素原子数は1〜4である。アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常は80%以上であり、好ましくは90%以上、さらに好ましくは100%である。フッ素原子の置換率が80%未満である場合には、上記一般式(b1)で表されるオニウム塩の酸強度が低下する。
特に好ましいR5bは、炭素原子数が1〜4、かつフッ素原子の置換率が100%の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、CF、CFCF、(CFCF、CFCFCF、CFCFCFCF、(CFCFCF、CFCF(CF)CF、(CFCが挙げられる。
5bの個数vは1〜6であり、好ましくは2〜6である。v個のR5bはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
上記一般式(b1)において、カチオン部の好ましい具体例としては、トリフェニルスルホニウム、トリ−p−トリルスルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィド、ビス〔4−{ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]スルホニオ}フェニル〕スルフィド、ビス{4−[ビス(4−フルオロフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフィド、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジ−p−トリルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジフェニルスルホニウム、2−[(ジフェニル)スルホニオ]チオキサントン、4−[4−(4−tert−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジ−p−トリルスルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、2−ナフチルメチル(1−エトキシカルボニル)エチルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ−p−トリルヨードニウム、ビス(4−ドデシルフェニル)ヨードニウム、ビス(4−メトキシフェニル)ヨードニウム、(4−オクチルオキシフェニル)フェニルヨードニウム、ビス(4−デシルオキシ)フェニルヨードニウム、4−(2−ヒドロキシテトラデシルオキシ)フェニルヨードニウム、4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、及び4−イソブチルフェニル(p−トリル)ヨードニウムが挙げられる。
一方、上記一般式(b1)において、上記一般式(b8)で表されるアニオン部の好ましい具体例としては、[(CFCFPF、[(CFCFPF、[((CFCF)PF、[((CFCF)PF、[(CFCFCFPF、[(CFCFCFPF、[((CFCFCFPF、[((CFCFCFPF、[(CFCFCFCFPF、及び[(CFCFCFPFが挙げられる。これらのうち、[(CFCFPF、[(CFCFCFPF、[((CFCF)PF、[((CFCF)PF、[((CFCFCFPF、及び[((CFCFCFPFが特に好ましい。
上記一般式(b1)で表されるオニウム塩の中で特に好ましい一例としては、下記一般式(b2)で表されるジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムトリフルオロトリスフルオロアルキルホスファート、及び下記一般式(b3)で表されるジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムテトラフルオロアルキルホスファートが挙げられる。
Figure 0005039442
Figure 0005039442
上記一般式(b2)、(b3)において、t及びuは1〜8の整数を表し、好ましくは1〜4の整数である。
また、上記一般式(b1)で表されるオニウム塩の中で特に好ましい他の例としては、下記一般式(b4)で表されるものが挙げられる。
Figure 0005039442
上記一般式(b4)において、R2bは置換又は無置換の炭素原子数6〜20のアリーレン基を表し、R3bは置換又は無置換の炭素原子数6〜30のアリール基を表し、Yb1、Yb2、Yb3は水素原子又はハロゲン原子を表し、Xb4−はSbF 又はPF を表す。
上記一般式(b4)で表されるオニウム塩の中でも、R2bが下記一般式(b5):
Figure 0005039442
(式(b5)中、Yb4は水素原子又はハロゲン原子を表す。)
で表され、
3bが下記一般式(b6):
Figure 0005039442
(式(b6)中、Yb5は水素原子又はハロゲン原子を表す。)
で表されるものが好ましい。
上記一般式(b4)で表されるオニウム塩の中で特に好ましい一例としては、下記化学式(b9)で表される4−(2−クロロ−4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルビス(4−フロロフェニル)スルホニウムヘキサフルオロアンチモネートが挙げられる。
Figure 0005039442
上述したような(B)成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、従来公知の他の光重合開始剤と併用してもよい。従来公知の光重合開始剤を併用する場合の使用割合は任意でよいが、通常、上記一般式(b1)で表されるオニウム塩100質量部に対し、他の光重合開始剤は1〜10質量部、好ましくは3〜5質量部である。
(B)成分の含有量は、上記(A)成分100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましい。(B)成分の含有量を0.01質量部以上とすることで十分な感度が得られるようになり、20質量部以下とすることで溶剤に対する溶解性が向上して均一な溶液が得られ、保存安定性が向上する傾向がある。
[(C)増感剤]
(C)増感剤(以下、(C)成分という。)は、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、及び2,6−ジヒドロキシナフタレンの中から選ばれる少なくとも1種である。このような(C)成分の増感作用により、感光性樹脂組成物を高感度化できる。また、(B)成分のエポキシ基と架橋形成可能なヒドロキシ基を2個有するため、(B)成分の架橋密度を向上させ、感光性樹脂層からなる膜自体を高密度化でき、感光性樹脂層を高硬度化できる。(C)成分は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(C)成分の含有量は、上記(A)成分100質量部に対して、0.01〜40質量部である。このような含有量とすることにより、パターン形状を悪化させることなく、所望の効果が得られる。
[(D)溶剤]
本発明の感光性樹脂組成物は、その使用に際しては、上記各成分を(D)溶剤(以下、(D)成分という。)に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような(D)成分としては、特に限定されず、従来公知の溶剤を用いることができる。例えば、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、炭酸プロピレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトン、酢酸ブチル、メチルアミルケトン、2−ヘプタノン、酢酸エチル、メチルエチルケトン等が挙げられる。この中でも、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、炭酸プロピレンが好ましく用いられる。(D)成分は単独で用いてもよく、2種以上を混合してもよい。
(D)成分の使用量は、塗布性等を考慮し、固形分濃度が30〜70質量%となる範囲が好ましい。
[その他の成分]
本発明の感光性樹脂組成物は、感光性樹脂組成物の硬化後の物性を低下させずに、硬化前の感光性樹脂組成物の柔軟性を向上させる観点から、オキセタン誘導体やエポキシ誘導体を含有させてもよい。さらには、所望により、混和性のある添加剤、例えば、パターン性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、レベリング剤、カップリング剤等の従来公知のものを適宜含有させることができる。例えば、上記(A)成分100質量部に対して、エポキシ系シランカップリング剤を0.5〜30質量部、レベリング剤を0.01〜1質量部含有させることができる。
[感光性樹脂組成物の調製方法]
本発明の感光性樹脂組成物の調製は、例えば、上記各成分を通常の方法で混合、撹拌するだけでよく、必要に応じ、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等の分散機を用いて分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレンフィルター等を用いて濾過してもよい。
〔感光性樹脂積層体〕
本発明の感光性樹脂組成物は、溶液の形態で用いてもよいが、感光性樹脂組成物から形成される感光性樹脂層の両面に保護膜を形成し、感光性樹脂積層体の形態で用いてもよい。このように感光性樹脂積層体とすることにより、支持体上への塗布、及び乾燥工程を省略することができ、より簡便にパターン形成が可能となる。
感光性樹脂積層体の保護膜としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、及びポリエチレンフィルムのいずれかのポリマー状フィルムを用いることが好ましい。
〔パターン形成方法〕
本発明の感光性樹脂組成物を溶液の形態で用いる場合、スピンコーター等により感光性樹脂組成物を支持体上に塗布して乾燥し、活性光線又は放射線等を用いて所定のパターンに露光した後、現像し、得られた樹脂パターンを加熱処理することにより、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることができる。
一方、本発明の感光性樹脂組成物を感光性樹脂積層体の形態で用いる場合、感光性樹脂積層体の両面の保護膜を除去して支持体上に貼り付け、感光性樹脂層を所定のパターンに露光した後、現像し、得られた樹脂パターンを加熱処理することにより、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることができる。
なお、支持体上に貼り付ける際に感光性樹脂積層体の両面の保護膜を除去するのではなく、一方の面の保護膜のみを除去するようにしても構わない。この場合、露出した感光性樹脂層が接するように感光性樹脂積層体を支持体上に貼り付け、感光性樹脂層を所定のパターンに露光した後、感光性樹脂積層体の他方の面の保護膜を除去すればよい。
支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。この基板としては、例えばシリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板やガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、金等が用いられる。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
<実施例1〜5、比較例1>
表1に記載の配合(単位は質量部)に従って、エポキシ基含有アクリル樹脂、光重合開始剤、増感剤、及び溶剤を配合した感光性樹脂組成物を得た。
これら感光性樹脂組成物を、5インチのシリコンウエハ上にスピンコーターで塗布した後、乾燥させて、30μmの膜厚を有する感光性樹脂層を得た。この感光性樹脂層をホットプレートにより60℃で5分間、90℃で10分間プリベークした。プリベーク後、PLA−501F(コンタクトアライナー:キャノン社製)を用いてパターン露光(ソフトコンタクト、GHI線)を行い、ホットプレートにより90℃で5分間の露光後加熱(PEB)を行った。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を用いた浸漬法により、8分間の現像処理を行った。次いで、現像後の樹脂パターンをウエハごと、オーブンを用いて200℃で1時間のポストベークを行い、ウエハ上に硬化樹脂パターンを得た。
<評価>
硬化樹脂パターンの硬度の評価として、ヤング率及びビッカース硬さを測定した。測定は、硬度計フィッシャースコープHM2000(フィッシャー・インスツルメンツ社製)を用いて、室温で厚み方向に4mN/秒の割合で10秒間、押し込み深さが8μmになるまで荷重をかけ、5秒間保持することによって行った。
Figure 0005039442
(A−1):下記化学式(1)で表される構成モノマーからなる樹脂(質量平均分子量:8000)
Figure 0005039442
(A−2):上記化学式(1)及び下記化学式(2)で表される構成モノマーからなる樹脂(質量平均分子量:8000、(1):(2)=80:20(モル比))
Figure 0005039442
(A−3):上記化学式(1)及び下記化学式(3)で表される構成モノマーからなる樹脂(質量平均分子量:8000、(1):(3)=80:20(モル比))
Figure 0005039442
(B−1):ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファート
(B−2):4−(2−クロロ−4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルビス(4−フロロフェニル)スルホニウムヘキサフルオロロアンチモネート
(B−3):ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
(C−1):1,5−ジヒドロキシナフタレン
(C−2):2,3−ジヒドロキシナフタレン
(C−3):2,6−ジヒドロキシナフタレン
(D):γ−ブチロラクトン
表1から分かるように、エポキシ基含有アクリル樹脂とともに、上記一般式(b1)で表される光重合開始剤であるジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムトリフルオロトリスペンタフルオロエチルホスファート又は4−(2−クロロ−4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルビス(4−フロロフェニル)スルホニウムヘキサフルオロロアンチモネートと、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、又は2,6−ジヒドロキシナフタレンとを含有させた実施例1〜5の感光性樹脂組成物を用いた場合には、高硬度の硬化樹脂パターンが得られた。一方、光重合開始剤としてジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを用いた比較例1の感光性樹脂組成物を用いた場合には、硬度が劣っていた。

Claims (8)

  1. (A)エポキシ基含有アクリル樹脂、(B)光重合開始剤、及び(C)増感剤を含有してなる感光性樹脂組成物であって、
    前記(B)成分が、下記一般式(b1):
    Figure 0005039442
    (式(b1)中、Xb1は原子価sの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、sは1又は2である。nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表し、R1bはXb1に結合する置換又は無置換の、炭素原子数6〜30のアリール基、炭素原子数4〜30の複素環基、炭素原子数1〜30のアルキル基、炭素原子数2〜30のアルケニル基、又は炭素原子数2〜30のアルキニル基を表し(2以上のR1bが互いに直接的又は間接的に結合し、Xb1を含む環構造を形成してもよい)、Xb2は置換又は無置換の、炭素原子数1〜8のアルキレン基、炭素原子数6〜20のアリーレン基、又は炭素原子数8〜20の複素環構造を含む2価の鎖状基を表し、Xb3−PF 、又は下記一般式(b8):
    Figure 0005039442
    (R 5b は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭素原子数1〜8のアルキル基を表し、vは1〜6の整数を表す。v個のR 5b はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)
    で表されるアニオンを表す。)
    で表されるオニウム塩、又は下記一般式(b4):
    Figure 0005039442
    (式(b4)中、R 2b は置換又は無置換の炭素原子数6〜20のアリーレン基を表し、R 3b は置換又は無置換の炭素原子数6〜30のアリール基を表し、Y b1 、Y b2 、Y b3 は水素原子又はハロゲン原子を表し、X b4− はSbF を表す。)
    で表されるオニウム塩を含有し、
    前記(C)成分が、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、及び2,6−ジヒドロキシナフタレンの中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
  2. 前記(B)成分が、下記一般式(b2):
    Figure 0005039442
    (式(b2)中、tは1〜8の整数を表す。)
    で表されるオニウム塩であることを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  3. 前記(B)成分が、下記一般式(b3):
    Figure 0005039442
    (式(b3)中、uは1〜8の整数を表す。)
    で表されるオニウム塩であることを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記R2bが、下記一般式(b5):
    Figure 0005039442
    (式(b5)中、Yb4は水素原子又はハロゲン原子を表す。)
    で表され、
    前記R3bが、下記一般式(b6):
    Figure 0005039442
    (式(b6)中、Yb5は水素原子又はハロゲン原子を表す。)
    で表されることを特徴とする請求項記載の感光性樹脂組成物。
  5. 請求項1からいずれか記載の感光性樹脂組成物から形成される感光性樹脂層の両面に保護膜を形成してなる感光性樹脂積層体。
  6. 請求項1からいずれか記載の感光性樹脂組成物を支持体上に塗布し、乾燥してから所定のパターンに露光した後、現像して得られた樹脂パターンを加熱処理して、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
  7. 請求項記載の感光性樹脂積層体の両面の保護膜を除去して支持体上に貼り付け、感光性樹脂層を所定のパターンに露光した後、現像して得られた樹脂パターンを加熱処理して、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
  8. 請求項記載の感光性樹脂積層体の一方の面の保護膜を除去し、露出した感光性樹脂層が接するように前記感光性樹脂積層体を支持体上に貼り付け、前記感光性樹脂層を所定のパターンに露光した後、前記感光性樹脂積層体の他方の面の保護膜を除去し、現像して得られた樹脂パターンを加熱処理して、所定形状の硬化樹脂パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
JP2007158320A 2007-06-15 2007-06-15 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法 Active JP5039442B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007158320A JP5039442B2 (ja) 2007-06-15 2007-06-15 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法
KR1020080048534A KR101032154B1 (ko) 2007-06-15 2008-05-26 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 적층체, 및 패턴 형성방법
US12/136,354 US7977030B2 (en) 2007-06-15 2008-06-10 Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminate, and method for pattern forming

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007158320A JP5039442B2 (ja) 2007-06-15 2007-06-15 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008310089A JP2008310089A (ja) 2008-12-25
JP5039442B2 true JP5039442B2 (ja) 2012-10-03

Family

ID=40132662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007158320A Active JP5039442B2 (ja) 2007-06-15 2007-06-15 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7977030B2 (ja)
JP (1) JP5039442B2 (ja)
KR (1) KR101032154B1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8617795B2 (en) * 2006-02-16 2013-12-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive resin composition and pattern forming method using the same
US8288078B2 (en) * 2007-01-24 2012-10-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive resin composition, and pattern formation method using the same
JP5210201B2 (ja) * 2009-02-24 2013-06-12 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、及びパターン形成方法
EP2531891B1 (en) 2010-02-05 2020-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Negative photosensitive resin composition, pattern formation method, and liquid discharge head
US8980968B2 (en) 2010-02-05 2015-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, method for producing structure, and liquid discharge head
JP5473645B2 (ja) * 2010-02-05 2014-04-16 キヤノン株式会社 感光性樹脂組成物及び液体吐出ヘッド
JP6182864B2 (ja) * 2012-01-17 2017-08-23 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
JP6354972B2 (ja) * 2013-11-28 2018-07-11 川崎化成工業株式会社 光カチオン重合性組成物及びその重合方法
TWI758326B (zh) * 2016-09-16 2022-03-21 日商日產化學工業股份有限公司 保護膜形成組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1289803C (en) 1985-10-28 1991-10-01 Robert J. Cox Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith
JP3437069B2 (ja) * 1996-09-19 2003-08-18 日本曹達株式会社 光触媒組成物
EP0927726B1 (en) * 1996-09-19 2004-11-10 Nippon Soda Co., Ltd. Photocatalytic composition
JP4201440B2 (ja) * 1999-09-09 2008-12-24 関西ペイント株式会社 活性エネルギー線硬化型組成物およびその組成物を使用してなる被膜形成方法
JP3978585B2 (ja) 2002-01-28 2007-09-19 ダイセル・サイテック株式会社 エポキシ(メタ)アクリレート、その製造方法、活性エネルギー線硬化型エポキシ(メタ)アクリレート組成物、硬化物及びその用途
JP3715244B2 (ja) * 2002-02-15 2005-11-09 Jsr株式会社 光硬化性樹脂組成物
TWI281095B (en) * 2002-11-01 2007-05-11 Sumitomo Chemical Co Radiation sensitive resin composition
JP4514089B2 (ja) * 2003-01-22 2010-07-28 関西ペイント株式会社 硬化型澱粉組成物、変性澱粉、その製造方法、及びその物品
JP4237088B2 (ja) * 2003-07-24 2009-03-11 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法
JP2005250067A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Toyo Gosei Kogyo Kk 感放射線ネガ型レジスト組成物およびパターン形成方法
WO2005093514A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 感光性樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法
EP1752463B1 (en) * 2004-05-28 2013-07-17 San-Apro Limited Novel fluorinated alkylfluorophosphoric acid salt of onium and transition metal complex
JP4913142B2 (ja) * 2006-07-14 2012-04-11 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパターン形成方法(3)
US8288078B2 (en) * 2007-01-24 2012-10-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive resin composition, and pattern formation method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080110484A (ko) 2008-12-18
US20080311511A1 (en) 2008-12-18
KR101032154B1 (ko) 2011-05-02
US7977030B2 (en) 2011-07-12
JP2008310089A (ja) 2008-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5039442B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法
JP4564977B2 (ja) 感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、積層体、及びデバイス
US20130189850A1 (en) Resist underlayer coating forming composition for forming photo-crosslinking cured resist underlayer coating
JP2010276694A (ja) 感光性樹脂組成物及びその積層体並びにそれらの硬化物
WO2013122208A1 (ja) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
US8288078B2 (en) Photosensitive resin composition, and pattern formation method using the same
JP2008250200A (ja) 感光性樹脂組成物、及びこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP6929198B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、半導体素子、プリント配線板および電子部品
TWI305868B (ja)
JP5020645B2 (ja) 感光性樹脂組成物、及びこれを用いたパターン形成方法
US20100068648A1 (en) Photosensitive resin composition, and resist pattern formation method using the same
JP4789727B2 (ja) 感光性樹脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP2009012300A (ja) ナノインプリント用モールド形成組成物、並びにナノインプリント用モールド及びその製造方法
TWI355560B (en) Photosensitive resin composition and pattern formi
JP2019148750A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品
JP4851359B2 (ja) 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP7191622B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品
JPH11106606A (ja) 感放射線性樹脂組成物
WO2021065540A1 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物および電子部品
JPWO2020203648A1 (ja) 平坦化膜形成用の感光性樹脂組成物、電子デバイスの製造方法および電子デバイス
JP4789728B2 (ja) 感光性樹脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP7360380B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、プリント配線板および半導体素子
JP5020646B2 (ja) 感光性樹脂組成物、及びこれを用いたパターン形成方法
JP2019028316A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、プリント配線板および半導体素子
JP7094150B2 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120703

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120709

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5039442

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150