JP5032868B2 - 基板エッチング装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 223
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 127
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
本発明が解決しようとする技術的課題は、複数の基板を均一な厚さで同時にエッチングすることができる基板エッチング装置を提供することである。
エッチング液が満たされるエッチング槽と、
・前記エッチング液によってエッチングされる複数の基板を装着するための、前記エッチング槽の内部に設置されたカセットと、
・前記カセットの下部面に配置される多孔板と、
・前記多孔板に前記複数の基板に対応するように複数で形成され、それぞれが複数の吐出口を有する吐出部と、
・前記吐出口にそれぞれ連結され、ガスの供給を受けて前記吐出口を通じて前記複数の基板にバブルを提供する第1ライン。
前記第1ラインは、複数のグループに区分され、前記複数のグループの中で少なくとも一つのグループは、残りのグループと異なる圧力のガスの供給を受ける。
発明2は、前記発明1において、前記第1ラインの前記複数のグループにそれぞれ連結され、同一のグループに属する前記第1ラインに同一の圧力のガスを供給する第2ラインをさらに含む基板エッチング装置を提供する。
発明3は、発明1において、前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、同一の前記吐出部に属する少なくとも一つ以上の前記吐出口に連結されている基板エッチング装置を提供する。
発明4は、前記発明1において、前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、互いに異なる前記吐出部に属する二つ以上の前記吐出口に連結されている基板エッチング装置を提供する。
発明5は、前記発明1において、前記グループ毎に属する第1ラインの数が互いに異なる基板エッチング装置を提供する。
発明6は、前記発明2において、前記第2ラインは圧力調節器を有する基板エッチング装置を提供する。
発明7は、前記発明1において、前記第1ラインは前記吐出口と直接連結されている基板エッチング装置を提供する。
発明8は、前記発明1において、前記同一の吐出部に属する前記吐出口は、前記カセットに装着される前記複数の基板面に沿って形成されている、基板エッチング装置を提供する。
発明9は、前記発明8において、前記吐出部は、前記カセットに装着される複数の基板の間に位置するように配置されている基板エッチング装置を提供する。
発明10は、前記発明1において、各吐出部は、前記複数の基板それぞれの装着位置に対応する位置に形成され、前記吐出部それぞれに属する吐出口は、前記各吐出部に対応した複数の基板の装着位置の両側に配置されている基板エッチング装置を提供する。
発明11は、前記発明10において、前記複数の基板の装着位置の両側に配置された吐出口は、前記装着位置を挟んでジグザグ状に配置されている基板エッチング装置を提供する。
・エッチング液が満たされるエッチング槽と、
・前記エッチング液によってエッチングされる複数の基板を装着するための、前記エッチング槽の内部に設置されたカセットと、
・前記カセットに形成され、前記複数の基板を隔離する隔壁と、
・前記カセットの下部面に下部面に配置される多孔板と、
・前記多孔晩に前記複数の基板に対応するように複数で形成され、それぞれが複数の吐出口を有する吐出部と、
・前記吐出口にそれぞれ連結され、ガスの供給を受けて前記吐出口を通じて前記複数の基板にバブルを提供する第1ライン。
発明13は、前記発明12において、前記第1ラインは、複数のグループに区分され、前記複数のグループの中で少なくとも一つのグループは残りのグループと異なる圧力のガスの供給を受ける基板エッチング装置を提供する。
発明14は、前記発明13において、前記複数のグループにそれぞれ連結され、同一のグループに属した前記第1ラインには同一の圧力のガスを供給する第2ラインをさらに含む、基板エッチング装置を提供する。
発明15は、前記発明13において、前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、同一の前記吐出部に属する少なくとも一つ以上の前記吐出口に連結されている基板エッチング装置を提供する。
発明16は、前記発明13において、前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、互いに異なる前記吐出部に属する二つ以上の前記吐出口に連結されている基板エッチング装置を提供する。
発明17は、前記発明13において、同一の吐出部に属する前記吐出口は、前記カセットに装着される前記複数の基板面に沿って形成されている基板エッチング装置を提供する。
発明18は、前記発明13において、各吐出部は、前記複数の基板それぞれの装着位置に対応する位置に形成され、前記吐出部それぞれに属する吐出口は、前記各吐出部に対応した複数の基板の装着位置の両側に配置されている基板エッチング装置を提供する。
図5Aは、本発明の別の実施形態による基板エッチング装置を利用して、基板をエッチングした後の基板表面の厚さの分布を測定して示したグラフである。比較実施形態による基板エッチング装置は、基板(説明の便宜のために第1基板と称する)に全て同一の圧力のガスによってバブルを提供する。
110 エッチング槽
120 カセット
125 隔壁
130 基板
140 多孔板
150 吐出口
180 バブル板
200 供給ライン
210 第1供給
220 第2ライン
225 圧力調節器
300 供給源
Claims (16)
- エッチング液が満たされるエッチング槽と、
前記エッチング液によってエッチングされる複数の基板を装着するための、前記エッチング槽の内部に設置されたカセットと、
前記カセットの下部面に配置される多孔板と、
前記多孔板に前記複数の基板に対応するように複数で形成され、それぞれが複数の吐出口を有する吐出部と、
前記吐出口にそれぞれ連結され、ガスの供給を受けて前記吐出口を通じて前記複数の基板にバブルを提供する第1ラインと、を含み、
前記第1ラインは、複数のグループに区分され、前記複数のグループの中で少なくとも一つのグループは、残りのグループと異なる圧力のガスの供給を受け、
各吐出部は、前記複数の基板それぞれの装着位置に対応する位置に形成され、
前記吐出部それぞれに属する吐出口は、前記各吐出部に対応した複数の基板の装着位置の両側に配置されており、
前記複数の基板の装着位置の両側に配置された吐出口は、前記装着位置を挟んでジグザグ状に配置されている、基板エッチング装置。 - 前記第1ラインの前記複数のグループにそれぞれ連結され、同一のグループに属する前記第1ラインに同一の圧力のガスを供給する第2ラインをさらに含む、請求項1に記載の基板エッチング装置。
- 前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、同一の前記吐出部に属する少なくとも一つ以上の前記吐出口に連結されている、請求項1に記載の基板エッチング装置。
- 前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、互いに異なる前記吐出部に属する二つ以上の前記吐出口に連結されている、請求項1に記載の基板エッチング装置。
- 前記グループ毎に属する第1ラインの数が互いに異なる、請求項1に記載の基板エッチング装置。
- 前記第2ラインは圧力調節器を有する、請求項2に記載の基板エッチング装置。
- 前記第1ラインは前記吐出口と直接連結されている、請求項1に記載の基板エッチング装置。
- 同一の吐出部に属する前記吐出口は、前記カセットに装着される前記複数の基板面に沿って形成されている、請求項1に記載の基板エッチング装置。
- 前記吐出部は、前記カセットに装着される複数の基板の間に位置するように配置されている、請求項8に記載の基板エッチング装置。
- エッチング液が満たされるエッチング槽と、
前記エッチング液によってエッチングされる複数の基板を装着するための、前記エッチング槽の内部に設置されたカセットと、
前記カセットに形成され、前記複数の基板を隔離する隔壁と、
前記カセットの下部面に配置される多孔板と、
前記多孔板に前記複数の基板に対応するように複数で形成され、それぞれが複数の吐出口を有する吐出部と、
前記吐出口にそれぞれ連結され、ガスの供給を受けて前記吐出口を通じて前記複数の基板にバブルを提供する第1ラインと、
を含み、
各吐出部は、前記複数の基板それぞれの装着位置に対応する位置に形成され、
前記吐出部それぞれに属する吐出口は、前記各吐出部に対応した複数の基板の装着位置の両側に配置されており、
前記複数の基板の装着位置の両側に配置された吐出口は、前記装着位置を挟んでジグザグ状に配置されている、基板エッチング装置。 - 前記第1ラインは、複数のグループに区分され、前記複数のグループの中で少なくとも一つのグループは残りのグループと異なる圧力のガスの供給を受ける、請求項10に記載の基板エッチング装置。
- 前記複数のグループにそれぞれ連結され、同一のグループに属した前記第1ラインには同一の圧力のガスを供給する第2ラインをさらに含む、請求項11に記載の基板エッチング装置。
- 前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、同一の前記吐出部に属する少なくとも一つ以上の前記吐出口に連結されている、請求項11に記載の基板エッチング装置。
- 前記複数のグループの中で同一のグループに属する前記第1ラインは、互いに異なる前記吐出部に属する二つ以上の前記吐出口に連結されている、請求項11に記載の基板エッチング装置。
- 同一の吐出部に属する前記吐出口は、前記カセットに装着される前記複数の基板面に沿って形成されている、請求項11に記載の基板エッチング装置。
- 各吐出部は、前記複数の基板それぞれの装着位置に対応する位置に形成され、
前記吐出部それぞれに属する吐出口は、前記各吐出部に対応した複数の基板の装着位置の両側に配置されている、請求項11に記載の基板エッチング装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060050500A KR101244896B1 (ko) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 기판 식각장치 |
KR10-2006-0050500 | 2006-06-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324567A JP2007324567A (ja) | 2007-12-13 |
JP5032868B2 true JP5032868B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=38857045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007072702A Expired - Fee Related JP5032868B2 (ja) | 2006-06-05 | 2007-03-20 | 基板エッチング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7807017B2 (ja) |
JP (1) | JP5032868B2 (ja) |
KR (1) | KR101244896B1 (ja) |
CN (1) | CN101086957B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101244896B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 식각장치 |
JP5213638B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2013-06-19 | 新電元工業株式会社 | ウェットエッチング方法 |
JP2013155057A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sanwa Frost Industry Co Ltd | Lcdガラス基板のエッチング方法およびその装置 |
JP6016174B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-10-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP6032623B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-11-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP6707412B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 |
JP6609231B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2019-11-20 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
CN106356322A (zh) * | 2016-10-20 | 2017-01-25 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种晶圆腐蚀装置以及腐蚀方法 |
CN109075111A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-12-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于改进的化学蚀刻的方法和系统 |
JP7190912B2 (ja) | 2019-01-10 | 2022-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7116694B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2022-08-10 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
JP7381351B2 (ja) * | 2020-01-20 | 2023-11-15 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
JP2022073307A (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI825502B (zh) * | 2020-10-30 | 2023-12-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
CN112885698B (zh) * | 2021-01-15 | 2022-12-27 | 苏州赛莱德自动化科技有限公司 | 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置 |
TWI798664B (zh) * | 2021-03-23 | 2023-04-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 蝕刻工具以及曝氣裝置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62124744A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Tdk Corp | エツチング方法 |
JPS6455828U (ja) | 1987-10-02 | 1989-04-06 | ||
US5000795A (en) * | 1989-06-16 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning method and apparatus |
JPH0338037A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-19 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
JPH04151829A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-25 | Nippon Steel Corp | シリコンウエハ洗浄用ウエハキャリア |
US5730162A (en) * | 1995-01-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrates |
US6240938B1 (en) * | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
US6199568B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-03-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank |
US6911097B1 (en) | 2000-07-31 | 2005-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist stripper using nitrogen bubbler |
JP2003093982A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Seiko Epson Corp | 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法 |
JP2003264226A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Seiko Instruments Inc | 基板キャリアー |
JP2004327826A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
KR100636035B1 (ko) * | 2003-11-08 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 |
US7243911B2 (en) * | 2004-01-27 | 2007-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
KR101244896B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 식각장치 |
-
2006
- 2006-06-05 KR KR1020060050500A patent/KR101244896B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-03-20 US US11/688,591 patent/US7807017B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-20 JP JP2007072702A patent/JP5032868B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-05 CN CN2007101088819A patent/CN101086957B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7807017B2 (en) | 2010-10-05 |
KR101244896B1 (ko) | 2013-03-19 |
JP2007324567A (ja) | 2007-12-13 |
KR20070116450A (ko) | 2007-12-10 |
CN101086957B (zh) | 2010-10-20 |
US20080017313A1 (en) | 2008-01-24 |
CN101086957A (zh) | 2007-12-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110118 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120130 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
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R371 | Transfer withdrawn |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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