CN101989536B - 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板 - Google Patents

用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板 Download PDF

Info

Publication number
CN101989536B
CN101989536B CN 200910165099 CN200910165099A CN101989536B CN 101989536 B CN101989536 B CN 101989536B CN 200910165099 CN200910165099 CN 200910165099 CN 200910165099 A CN200910165099 A CN 200910165099A CN 101989536 B CN101989536 B CN 101989536B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas diffusion
diffusion plate
gas
etching
borderline region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 200910165099
Other languages
English (en)
Other versions
CN101989536A (zh
Inventor
王振斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hannstar Display Corp
Original Assignee
Hannstar Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hannstar Display Corp filed Critical Hannstar Display Corp
Priority to CN 200910165099 priority Critical patent/CN101989536B/zh
Publication of CN101989536A publication Critical patent/CN101989536A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101989536B publication Critical patent/CN101989536B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻。该气体扩散板具有数个边界与一中心，在气体扩散板上邻近边界处，各界定有一边界区域，所述边界区域的宽度由边界朝向中心逐渐缩小，其中气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入反应室，所述开口基本上仅设置在除了边界区域以外的气体扩散板上。本发明能够提高蚀刻的均匀性。

Description

用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板
【技术领域】
本发明是关于一种用于等离子体蚀刻制程的装置，特别是关于一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板。 
【背景技术】
由于液晶显示器具有低耗电以及轻、薄等优点，目前已逐渐取代传统的阴极射线管显示器。而在另一方面，由于科技的进步以及社会的需要，液晶显示器的尺寸也越来越大。为了制作大尺寸的液晶显示器，吾人必须使用更大尺寸的玻璃基板。另外，为了降低生产成本，液晶显示器面板的制造商也会在制程中使用大尺寸的玻璃基板，最后再将其切割成较小的基板。 
然而，在利用大尺寸的玻璃基板制作液晶显示器时，常会遇到当初利用小尺寸的玻璃基板制作液晶显示器所未遇到的问题。参考图1，一种现有实行等离子体蚀刻制程的装置100包含有一气体扩散板110及一电极120，气体扩散板110与电极120则位于一反应室130内。 
在实行等离子体蚀刻制程时，是将预先布设有一层薄膜的玻璃基板140置于电极120上，再由气体扩散板110将蚀刻气体150通入反应室130，以对玻璃基板140上的薄膜进行蚀刻，形成所要的元件。另外，参考图2，为了要让蚀刻气体150均匀地通入反应室130，气体扩散板110上设有数个均匀分布的开口112。 
上述蚀刻气体150对薄膜进行蚀刻后，会从玻璃基板140的四周流出，并由泵160抽离反应室130。因此，玻璃基板140四周表面上的蚀刻气体150的流量会较玻璃基板140上中央区域的流量来得大，如此会造成玻璃基板140四周表面上的薄膜的蚀刻率较中央区域的蚀刻率为高，使得蚀刻均匀性降低。而当玻璃基板140的尺寸越大时，此一现象会变得更为明显。 
【发明内容】
本发明提供一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板，能够提高蚀刻的均匀性。 
本发明提供一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于： 
该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近所述边界处，各界定有一边界区域，所述边界区域的宽度由所述边界朝向该中心逐渐缩小，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，所述开口基本上仅设置在除了所述边界区域以外的气体扩散板上。 
本发明提供一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于： 
该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近所述边界处，各界定有一边界区域，所述边界区域的宽度由所述边界朝向该中心逐渐缩小，在围绕该中心且在所述边界区域之间处，界定有一环形区域，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，所述开口基本上仅设置在除了所述边界区域与环形区域以外的气体扩散板上。 
于第一实施例中，本发明的气体扩散板界定有一矩形区域，其具有四个边界与一中心。在矩形区域内邻近边界处，各界定有一边界区域，所述边界区域的宽度由边界朝中心逐渐缩小。而气体扩散板上除了边界区域的矩形区域内，设置有数个均匀分布的开口。 
于第二实施例中，在围绕中心且在边界区域之间的矩形区域内，进一步界定有一环形区域，气体扩散板在该环形区域内亦未设置有开口。 
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示，作详细说明如下。 
【附图说明】
图1：为现有实行等离子体蚀刻制程的装置。 
图2：为用于图1的装置的气体扩散板。 
图3：为本发明的实行等离子体蚀刻制程的装置。 
图4：为本发明的气体扩散板。 
图5：为本发明的气体扩散板的另一态样。 
100    蚀刻装置    110    气体扩散板 
112    开口        120    电极 
130    反应室      140    基板 
150    蚀刻气体    160    泵 
300    蚀刻装置    320    电极 
330    反应室      340    基板 
350    蚀刻气体    360    泵 
400    气体扩散板  410    矩形区域 
412    中心        414    边界 
420    边界区域    430    开口 
440    环形区域 
【具体实施方式】
参考图3，本发明的实行等离子体蚀刻制程的装置300包含有一气体扩散板400及一电极320，其中气体扩散板400的尺寸为1300mm*1200mm，且其与电极320均位于一反应室330内。 
参考图4，本发明的气体扩散板400界定有一矩形区域410，其具有四个边界414与一中心412。在矩形区域410内邻近边界414处，各界定有一边界区域420，所述边界区域420的宽度由边界414朝中心412逐渐缩小，亦即边界区域420大体上呈抛物线形。而气体扩散板400上除了边界区域420以外的矩形区域410内，设置有数个均匀分布的开口430。 
在实行等离子体蚀刻制程时，是将预先布设有一层薄膜，例如是氧化硅或氮化硅薄膜的玻璃基板340置于电极320上，再从气体扩散板400的开口430通入蚀刻气体350，例如是六氟化硫(SF6)气体或氯气(Cl2)，以对玻璃基板340上的薄膜进行蚀刻，形成所要的元件。 
上述蚀刻气体350对薄膜进行蚀刻后，会从玻璃基板340的四周流出，并由泵360抽离反应室330。由于气体扩散板400是面对玻璃基板340，且其邻近边界414处的边界区域420未设置有开口430。因此，玻璃基板340 四周表面上的蚀刻气体350的流量并不会较玻璃基板340上其他区域的流量来得大，因此玻璃基板340四周表面上的薄膜的蚀刻率并不会较中央区域的蚀刻率为高，蚀刻均匀性得以提高。 
除此之外，由于实际应用上的考量，反应室330的壁通常不会距离玻璃基板340太远，亦即反应室330与玻璃基板340之间的间隙并不会太大。当玻璃基板340的尺寸越来越大时，亦即所需要的蚀刻气体350的流量增大时，蚀刻气体350并无法即时地从玻璃基板340四周宣泄出，造成蚀刻气体350朝向玻璃基板340的中心412流动，因而使得围绕玻璃基板中心412的表面上的薄膜的蚀刻率过大。 
请参考图5，为解决上述问题，在围绕中心412且在边界区域420之间的矩形区域410内，另界定有一环形区域440，气体扩散板400在该环形区域440内亦未设置有开口430，亦即开口430仅设置在除了边界区域420以及环形区域440以外的矩形区域410内。如此，可有效降低蚀刻气体350在玻璃基板340中心的区域的流量，从而使得其上的薄膜蚀刻率不会过高，因此提高蚀刻的均匀性。 
虽然本发明已以前述实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定者为准。 

Claims (14)

1.一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于：
该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近所述边界处，各界定有一边界区域，所述边界区域的宽度由所述边界朝向该中心逐渐缩小，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，所述开口仅设置在除了所述边界区域以外的气体扩散板上。
2.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于：所述边界区域的形状为抛物线形。
3.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于：该蚀刻气体为六氟化硫气体或氯气。
4.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于：该气体扩散板的尺寸为1300mm*1200mm。
5.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于：该气体扩散板具有四个边界。
6.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于：该基板为玻璃基板。
7.如权利要求3所述的气体扩散板，其特征在于：该基板上形成有氧化硅或氮化硅薄膜，该蚀刻气体是对该薄膜进行蚀刻。
8.一种用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于：
该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近所述边界处，各界定有一边界区域，所述边界区域的宽度由所述边界朝向该中心逐渐缩小，在围绕该中心且在所述边界区域之间处，界定有一环形区域，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，所述开口仅设置在除了所述边界区域与环形区域以外的气体扩散板上。
9.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于：所述边界区域的形状为抛物线形。 
10.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于：该蚀刻气体为六氟化硫气体或氯气。
11.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于：该气体扩散板的尺寸为1300mm*1200mm。
12.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于：该气体扩散板具有四个边界。
13.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于：该基板为玻璃基板。
14.如权利要求10所述的气体扩散板，其特征在于：该基板上形成有氧化硅或氮化硅薄膜，该蚀刻气体是对该薄膜进行蚀刻。 
CN 200910165099 2009-07-30 2009-07-30 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板 Expired - Fee Related CN101989536B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910165099 CN101989536B (zh) 2009-07-30 2009-07-30 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910165099 CN101989536B (zh) 2009-07-30 2009-07-30 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101989536A CN101989536A (zh) 2011-03-23
CN101989536B true CN101989536B (zh) 2013-03-13

Family

ID=43746012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200910165099 Expired - Fee Related CN101989536B (zh) 2009-07-30 2009-07-30 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101989536B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150602C (zh) * 1997-09-19 2004-05-19 西门子公司 气体分配板
CN1848368A (zh) * 2005-12-02 2006-10-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
WO2008070181A2 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Applied Materials, Inc. Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma control grid and electrode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150602C (zh) * 1997-09-19 2004-05-19 西门子公司 气体分配板
CN1848368A (zh) * 2005-12-02 2006-10-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
WO2008070181A2 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Applied Materials, Inc. Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma control grid and electrode

Also Published As

Publication number Publication date
CN101989536A (zh) 2011-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10642089B2 (en) Liquid crystal display panel, liquid crystal display apparatus and method for manufacturing same
CN101097334A (zh) 液晶显示板及其制造方法
JP2007324567A (ja) 基板エッチング装置
CN108597978B (zh) 干刻蚀设备
KR20150060399A (ko) 반사 시트와 이의 제조 방법
KR20030062141A (ko) 방전공간이 분할된 평판 형광램프
CN202383394U (zh) 一种阵列基板
JP4708396B2 (ja) ドライ・エッチング装置
US20190146249A1 (en) Display panel and display device
US20160291375A1 (en) Display substrate, method for manufacturing the same, and liquid crystal display device
CN103018954A (zh) 一种彩色滤光片及其制作方法、显示装置
CN103293742A (zh) 一种显示面板的切割方法及显示装置
CN108257976B (zh) Tft基板及其制作方法
CN107797346A (zh) 液晶显示面板、液晶显示面板制备方法及显示装置
US10948752B2 (en) Display panel and display apparatus
JP5357080B2 (ja) 液晶表示パネルの製造方法
CN101989536B (zh) 用于等离子体蚀刻制程的气体扩散板
CN109037019B (zh) 干蚀刻设备
US20210333597A1 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
KR20100075126A (ko) 표시 장치
US10268094B1 (en) Array substrate, display panel and method of manufacturing array substrate
CN107402478A (zh) 一种显示装置、显示面板及其制作方法
TWI433234B (zh) 用於電漿蝕刻製程之氣體擴散板
KR20120076897A (ko) 평판디스플레이 패널 제조방법
US20180149891A1 (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130313

Termination date: 20160730

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee