JP4990491B2 - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
107 キャッピングパターン、
109 シリコンフィン、
123v 垂直部、
123h 水平部、
125 第1ゲート、
127 第2ゲート。
Claims (30)
- 基板から上方に突出し、その上面にキャッピングパターンが形成された半導体フィンと、
前記キャッピングパターンおよび半導体フィンの両側面に形成された垂直部と前記垂直部で横に延長する水平部で構成された第1ゲートと、
前記第1ゲートの水平部の上部および前記キャッピングパターンの上に形成され、前記第1ゲートに比べて比抵抗が小さい第2ゲートとを含み、
前記第1ゲートの垂直部および前記半導体フィンの間にゲート絶縁膜が介在することを特徴とする半導体素子。 - 前記第1ゲートはドーピングされたポリシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第2ゲートは金属、金属シリサイド、または金属シリサイドおよび金属が順次に積層された構造であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記キャッピングパターンは酸化膜、窒化膜、または酸化膜および窒化膜が順次に積層された構造であり、前記ゲート絶縁膜より厚さが相対的にさらに厚いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一項に記載の半導体素子。
- 前記半導体フィンの下部を囲む下部絶縁膜と、
前記半導体フィンと一定の間隔を維持しながら、前記第1ゲートの垂直部を囲み、前記第1ゲートの水平部の下部面に接触し、その上部面が平坦な上部絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一項に記載の半導体素子。 - 前記下部絶縁膜は酸化膜および窒化膜が順次に積層された構造または第1酸化膜、前記第1酸化膜より薄い第2酸化膜および前記第2酸化膜より厚い窒化膜が順次に積層された構造であり、前記上部絶縁膜は酸化膜であることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記下部絶縁膜は窒化膜または酸化膜および前記酸化膜よりさらに厚い窒化膜が順次に積層された構造であり、前記上部絶縁膜は酸化膜であることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記キャッピングパターンは酸化膜、窒化膜、または酸化膜および窒化膜が順次に積層された構造であり、前記ゲート絶縁膜より厚さが相対的にさらに厚いことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記基板と半導体フィンとの間に位置する埋没酸化膜と、
前記半導体フィンの下部を覆うように前記埋没酸化膜上に形成された窒化膜と、
前記第1ゲートの垂直部の側面および水平部の下面、そして前記窒化膜によって限定される領域を満たす酸化膜とをさらに含み、
前記埋没酸化膜によって前記半導体フィンと前記基板は絶縁されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれか一項に記載の半導体素子。 - 前記キャッピングパターンは酸化膜、窒化膜、または酸化膜および窒化膜が順次に積層された構造であり、前記ゲート絶縁膜より厚さが相対的にさらに厚いことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。
- 前記第1ゲートの垂直部の上部面および水平部の上部は前記キャッピングパターンの上部と同一な高さであるか、またはさらに低く、前記半導体フィンの上部と同一な高さまたはさらに高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(1)と、
工程(1)後、前記基板の全面に沿って窒化膜ライナを形成する工程(2)と、
工程(2)後、前記窒化膜ライナ上に上部絶縁膜を形成する工程(3)と、
工程(3)後、前記キャッピングパターン上の前記窒化膜ライナが露出するまで前記上部絶縁膜を平坦化エッチングする工程(4)と、
工程(4)後、平坦化された前記上部絶縁膜の一部分を除去して、当該上部絶縁膜の高さを前記キャッピングパターンよりさらに低くなるようにする工程(5)と、
工程(4)後、前記窒化膜ライナの一部分を除去して前記半導体フィンの側面を露出させる工程(6)と、
工程(5)および工程(6)後、露出した前記半導体フィンの側面上にゲート絶縁膜を形成する工程(7)と、
工程(7)後、前記キャッピングパターンの上部と同一な高さまたは低い高さを有する第1ゲート膜を、前記上部絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上に形成する工程(8)と、
工程(8)後、前記第1ゲート膜より比抵抗が低い第2ゲート膜を、前記第1ゲート膜および前記キャッピングパターン上に形成する工程(9)と、
工程(9)後、前記第2ゲート膜をパターニングして、前記キャッピングパターンおよび前記第1ゲート膜を露出させつつ、前記半導体フィンを横切る第2ゲートを形成する工程(10)と、
工程(10)後、残存する窒化膜ライナが露出するまで前記第2ゲートの両側に露出した第1ゲート膜をエッチングして第1ゲートを形成する工程(11)と、
を含むことを特徴とする半導体素子形成方法。 - 前記第1ゲート膜を形成する工程(8)は、
前記半導体フィンの側面、前記低められた上部絶縁膜および前記キャッピングパターン上にポリシリコンを形成し、
前記キャッピングパターンを平坦化停止層として前記ポリシリコンを平坦化エッチングすることを含んでなされることを特徴とする請求項12に記載の半導体素子形成方法。 - 前記第2ゲートを形成する工程(10)は、
前記第1ゲート膜および前記キャッピングパターン上に低抵抗金属膜を形成し、
前記低抵抗金属膜上にゲートマスクを形成し、
前記ゲートマスクによって露出した金属膜をエッチングすることを含んでなされることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子形成方法。 - 前記低抵抗金属膜を形成する前に金属シリサイド膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体素子形成方法。
- 前記第2ゲートの両側に露出した第1ゲート膜をエッチングして第1ゲートを形成する工程(11)後、前記キャッピングパターンおよび前記低められた上部絶縁膜をイオン注入マスクとして使用して前記半導体フィンの両側の第1ゲートに不純物イオンを傾斜注入することをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子形成方法。
- 前記窒化膜ライナの一部分を除去して前記半導体フィンの側面を露出させる工程(6)は、平坦化された前記上部絶縁膜の一部分を除去して、当該上部絶縁膜の高さを前記キャッピングパターンよりさらに低くなるようにする工程(5)よりも、先に実行することを特徴とする請求項12〜16のいずれか一項に記載の半導体素子形成方法。
- 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(1)は、
シリコン基板を準備し、
前記シリコン基板上にパッド酸化膜およびパッド窒化膜を順次に形成した後、これをパターニングして前記キャッピングパターンを形成し、
前記キャッピングパターンによって露出したシリコン基板をエッチングすることを含んでなされることを特徴とする請求項12〜17のいずれか一項に記載の半導体素子製造方法。 - 前記窒化膜ライナを形成する工程(2)前に前記半導体フィンの下部側面を覆う下部絶縁膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体素子形成方法。
- 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(1)は、
SOI基板を準備し、
前記SOI基板上にシリコン基板上にパッド酸化膜およびパッド窒化膜を順次に形成した後、これをパターニングして前記キャッピングパターンを形成し、
前記SOI基板の埋没酸化膜が露出するまで、前記キャッピングパターンによって露出したSOI基板をエッチングすることを含んでなされることを特徴とする請求項12〜17のいずれか一項に記載の半導体素子形成方法。 - 前記窒化膜ライナを形成する工程(2)前に酸化膜ライナを形成することをさらに含み、前記酸化膜ライナは前記窒化膜ライナの一部が除去される時、前記キャッピングパターンのパッド窒化膜がエッチングされることを保護することを特徴とする請求項18または請求項20に記載の半導体素子形成方法。
- 前記キャッピングパターン上の窒化膜ライナが露出するまで前記上部絶縁膜を平坦化エッチングする工程(4)は、前記キャッピングパターンの前記パッド酸化膜が露出するまで前記上部絶縁膜、前記窒化膜ライナ、および前記パッド窒化膜を同時に平坦化エッチングすることをさらに含み、
前記平坦化された上部絶縁膜の一部分を除去して、当該上部絶縁膜の高さを前記キャッピングよりさらに低めるようにする前に、前記パッド酸化膜の熱酸化工程を進行して酸化膜からなったキャッピングパターンを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項18または請求項20に記載の半導体素子形成方法。 - 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(11)と、
工程(11)後、前記基板の全面に沿って窒化膜ライナを形成する工程(12)と、
工程(12)後、前記窒化膜ライナ上に上部絶縁膜を形成する工程(13)と、
工程(13)後、前記キャッピングパターン上の前記窒化膜ライナが露出するまで前記上部絶縁膜を平坦化エッチングする工程(14)と
工程(14)後、前記平坦化された上部絶縁膜の一部分を除去して、当該上部絶縁膜の高さを前記キャッピングパターンよりさらに低くなるようにする工程(15)と、
工程(14)後、前記窒化膜ライナの一部分を除去して前記半導体フィンの側面を露出させる工程(16)と、
工程(15)および工程(16)後、露出した前記半導体フィンの側面上にゲート絶縁膜を形成する工程(17)と、
工程(17)後、前記キャッピングパターンの上部よりさらに高くなるように、低められた前記上部絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成する工程(18)と、
工程(18)後、前記ポリシリコン膜上に、前記半導体フィンを横切りつつ前記ポリシリコン膜を一部露出するグルーブを具備する犠牲絶縁膜を形成する工程(19)と、
工程(19)後、前記グルーブを満たすように、一部露出した前記ポリシリコン膜および前記犠牲絶縁膜上に高融点金属膜を形成する工程(20)と、
工程(20)後、シリサイド熱処理工程を進行して、前記グルーブ下であって前記キャッピングパターン上のポリシリコンをシリサイド膜に変換させて第2ゲートを形成する工程(21)と、
工程(21)後、シリサイド反応せずに残った前記高融点金属膜および前記犠牲絶縁膜を除去して、前記ポリシリコン膜を露出する工程(22)と、
工程(22)後、前記第2ゲートをエッチングマスクとして使用して、前記犠牲絶縁膜を除去して露出した前記ポリシリコン膜をエッチングして、前記第2ゲートの下であって、前記半導体フィンの側面および前記キャッピングパターンの側面に残存する第1ゲートを形成する工程(23)と、
をことを含むことを特徴とする半導体素子形成方法。 - 前記窒化膜ライナの一部分を除去して前記半導体フィンの側面を露出させる工程(16)は、平坦化された前記上部絶縁膜の一部分を除去して、当該上部絶縁膜の高さを前記キャッピングパターンよりさらに低くなるようにする工程(15)よりも、先に実行することを特徴とする請求項23に記載の半導体素子形成方法。
- 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(11)は、
シリコン基板を準備し、
前記シリコン基板上にパッド酸化膜およびパッド窒化膜を順次に形成した後、これをパターニングして前記キャッピングパターンを形成し、
前記キャッピングパターンによって露出したシリコン基板をエッチングすることを含んでなされることを特徴とする請求項23に記載の半導体素子形成方法。 - 前記窒化膜ライナを形成する工程(12)前に、前記半導体フィンの下部側面を覆う下部絶縁膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体素子形成方法。
- 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(11)は、
SOI基板を準備し、
前記SOI基板上にシリコン基板上にパッド酸化膜およびパッド窒化膜を順次に形成した後、これをパターニングして前記キャッピングパターンを形成し、
前記SOI基板の埋没酸化膜が露出するまで、前記キャッピングパターンによって露出したSOI基板をエッチングすることを含んでなされることを特徴とする請求項23に記載の半導体素子形成方法。 - 前記窒化膜ライナを形成する工程(12)前に、酸化膜ライナを形成することをさらに含み、前記酸化膜ライナは前記窒化膜ライナの一部が除去される時、前記キャッピングパターンのパッド窒化膜がエッチングされることを保護することを特徴とする請求項25または請求項27に記載の半導体素子形成方法。
- 前記キャッピングパターン上の窒化膜ライナが露出するまで前記上部絶縁膜を平坦化エッチングする工程(14)は、
前記キャッピングパターンのパッド酸化膜が露出するまで前記上部絶縁膜、前記窒化膜ライナおよび前記パッド窒化膜を同時に平坦化エッチングすることをさらに含み、
前記平坦化された上部絶縁膜の一部分を除去して、当該上部絶縁膜の高さを前記キャッピングパターンよりさらに低くなるようにする前に、前記パッド酸化膜の熱酸化工程を進行して酸化膜からなったキャッピングパターンを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項25または請求項27に記載の半導体素子形成方法。 - 上方に突出され、その上部にキャッピングパターンが形成された半導体フィンを具備する基板を準備する工程(30)と、
工程(30)後、前記半導体フィンの電気的隔離のために前記半導体フィンの底の側面を覆う下部絶縁膜を形成する工程(31)と、
工程(31)後、前記下部絶縁膜に覆われずに露出した前記半導体フィンの側面上にゲート絶縁膜を形成する工程(32)と、
工程(32)後、前記キャッピングパターンの上部よりさらに高い上部面を有するポリシリコン膜を前記キャッピングパターン、前記ゲート絶縁膜および前記下部絶縁膜上に形成する工程(33)と、
工程(33)後、前記ポリシリコン膜上に、前記半導体フィンを横切りつつ前記ポリシリコン膜を一部露出するグルーブを具備する犠牲絶縁膜を形成する工程(34)と、
工程(34)後、前記グルーブを満たすように、一部露出した前記ポリシリコン膜および前記犠牲絶縁膜上に高融点金属膜を形成する工程(35)と、
工程(35)後、シリサイド熱処理工程を進行して、前記グルーブ下であって前記キャッピングパターン上のポリシリコンをシリサイド膜に変換させて第2ゲートを形成する工程(36)と、
工程(36)後、シリサイド反応せずに残った前記高融点金属膜および前記犠牲絶縁膜を除去する工程(37)と、
前記第2ゲートをエッチングマスクとして使用して、前記犠牲絶縁膜を除去して露出した前記ポリシリコン膜をエッチングして、前記第2ゲートの下であって、前記半導体フィンの側面および前記キャッピングパターンの側面に残存する第1ゲートを形成するする工程(37)と、
を含むことを特徴とする半導体素子形成方法。
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