JP4980890B2 - シャワーヘッド電極アセンブリ、真空室及びプラズマエッチングの制御方法 - Google Patents
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Description
ヒータ700には、どんなタイプの能動ヒータも含まれ得る。ヒータ700は少なくとも1つの抵抗加熱素子を有する金属板を備えることが好ましく、抵抗加熱素子は、板を加熱して、上部シャワーヘッド電極200を均一に加熱する。いかなるヒータ構成を使用し得るが、熱伝導板と組み合わせた抵抗加熱素子が好ましく、板は、アルミニウム、アルミニウム合金、又は同様のもの等の金属材料で作られることが好ましく、金属材料は上部シャワーヘッド電極200と親和性がある形状に機械加工されることが好ましい。例えば、ヒータ700は、鋳造アルミニウム合金の板の中に、少なくとも1つの抵抗加熱素子を備えることができる。
天板800は、ヒータ700と協働して、上部シャワーヘッド電極200の温度を制御することが好ましく、天板800を使用して、ヒータ700を貫通する熱的な経路を介して、ヒータ700及び/又は上部シャワーヘッド電極200を冷却してもよい。天板800は、どんな熱伝導性材料を使用してもよいが、アルミニウム又はアルミニウム合金から作られることが好ましい。シャワーヘッドアセンブリは、設置されたとき、室の内部の天板800の下側を覆うことが好ましい。
装置100は、上部シャワーヘッド電極200の温度を監視するために、熱電対又は光ファイバ装置等、1つ以上の温度センサ950を含み得る。好ましい一実施形態では、温度センサ950は、温度制御装置900によって監視され、温度制御装置900は、電力供給装置250からヒータ700への電力を制御し、かつ/又は、監視温度の機能として、流体制御装置850から天板800を介した流体の流れを制御する。したがって、上部シャワーヘッド電極200を所定の温度若しくは温度範囲で又はその周辺で、加熱し、冷却し、又は維持するために、温度センサ950によって温度制御装置900に提供されるデータにより、電力供給装置250又は流体制御装置850は、温度制御装置900によってアクティブにされ、連続的又は間欠的な態様で、電力又は冷却流体を、それぞれヒータ700及び/又は天板800に供給することができるようになる。能動的な加熱及び/又は冷却の結果として、上部シャワーヘッド電極200の温度は、現在の下限温度又は閾値温度を下回ること、若しくは、現在の上限温度を超えて増大することが防止され、又は、予め定められた温度又はその周辺に保持され得る。
前述の通り、装置100は、上部シャワーヘッド電極200と流体連通し、上部シャワーヘッド電極200の上に配置されるガス分配部材500を含み得る。好ましくは、ガス分配部材500と組み合わせて上部シャワーヘッド電極200を使用することにより、プロセスガスは、処理中の基板上にある1つ以上のガス分配区画に送り届けられる。さらに、バフルにガスの流れを制御させる必要もなく、ガス分配部材500を使用して、ガスを上部シャワーヘッド電極200の裏面に分配することができる。例えば、本願の譲受人に譲渡された米国特許第6,508,913号を参照されたい。そこには、混合ガスを室の中の各区画に送り届けるための複数のカ゛ス供給装置及びガス供給ラインを備える、半導体基板を処理するためのガス分配システムが開示されており、ここに参考として、その全体を本明細書に援用する。
装置には、絶縁体600も含まれ得る。絶縁体600は、熱伝導性であるが電気的に絶縁性であることが好ましく、窒化アルミニウム又は窒化ホウ素等のセラミックであることがより好ましい。この絶縁体600は、上部シャワーヘッド電極200に加えられるRF電力を、他の電力源、及び、ヒータ700用等の他の電力源に関連する他の導電部分から絶縁する助けとして有用である。したがって、ヒータのAC又はDC電力と上部シャワーヘッド電極200のRF電力との間の電気的な干渉が低減された状態で、上部シャワーヘッド電極200を加熱することができるように、絶縁体600により、ヒータ700を電気的に絶縁するが上部シャワーヘッド電極200と熱的に接触して配置することができる。
装置100の各構成部品を構造的に支持するために、機械的な留め具を使用して、構成部品を互いに対して所定の位置に保持する。金属ボルトを機械的な留め具として使用することが好ましく、ボルトを使用して、装置100内で構成部品の各々を取り付ける。2つの別々のサブアセンブリを使用して、装置100のアセンブリを簡略化すること、及び、装置100内の構成部品の保守及び置換えをうまく進めることが好ましい。
Claims (36)
- シャワーヘッド電極アセンブリであって、
前記シャワーヘッド電極アセンブリは、真空室の内部で温度制御される上部壁の下に装着されるように構成され、RF(高周波)エネルギーが供給されるシャワーヘッド電極を備え、
前記シャワーヘッド電極アセンブリは、前記シャワーヘッド電極に取り付けられるRF分配部材を備え、
前記RF分配部材は、軸方向に延びて前記真空室の前記温度制御される上部壁内の開口に入るように構成される第1の部分と前記シャワーヘッド電極を覆って横方向に延びる第2の部分とを含み、前記シャワーヘッド電極全体にわたる複数の接点にRF経路を提供し、
前記複数の接点は、前記第2の部分の上面及び下面の間で軸方向に延び、横方向に間隔をあけた熱経路を提供し、
前記RF分配部材は、前記シャワーヘッド電極の裏面と前記RF分配部材との間で分離された中央プレナム及び環状プレナムにプロセスガスを供給するように動作可能な、軸方向に延びる第1及び第2のガス通路を含み、
前記軸方向に延びる第1のガス通路は、第1のガス供給装置を前記中央プレナムに接続するように構成され、前記軸方向に延びる第2のガス通路が、第2のガス供給装置を前記環状プレナムに接続するように構成され、
前記シャワーヘッド電極アセンブリは、前記RF分配部材に取り付けられ、前記真空室の前記上部壁と前記RF分配部材の前記第2の部分との間の熱経路の少なくとも一部分を前記シャワーヘッド電極に提供するように構成される熱経路部材を備え、
前記温度制御される上部壁は、前記熱経路部材と協働して、前記シャワーヘッド電極の温度を予め定められた温度範囲内に維持するように構成される、
ことを特徴とするシャワーヘッド電極アセンブリ。 - 前記熱経路部材が、熱伝導性の電気絶縁体を含むことを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記熱経路部材が、窒化物材料を含むことを特徴とする請求項2に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記熱経路部材が、窒化アルミニウム又は窒化ホウ素のプレートを含むことを特徴とする請求項2に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記真空室の前記温度制御される上部壁と前記シャワーヘッド電極との間の前記熱経路の少なくとも一部分を形成するヒータをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記アセンブリが、前記RF分配部材及び前記シャワーヘッド電極を囲む1つ又は複数の電気絶縁部材をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記ヒータ及び前記シャワーヘッド電極が、温度制御装置に接続されるように構成されることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記上部壁に面する前記ヒータの表面上にサーマルチョークをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記ヒータが、金属体及び抵抗加熱素子を備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記ヒータが、対向した高分子材料層の間に配置された抵抗加熱される材料を備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記ヒータが、交流又は直流電力が加えられる加熱エレメントを備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記ヒータと前記温度制御される上部壁との間の前記熱経路の少なくとも一部分を提供するように構成される複数のサーマルチョークをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記熱経路部材が、前記ヒータ及び前記RF分配部材と接触していることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 請求項5に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリを備える真空室であって、
温度制御装置と、
前記温度制御装置に応答して前記ヒータに電力を供給するように構成される電力供給装置と、
前記温度制御装置に応答して前記温度制御される上部壁に流体を供給するように構成された流体制御装置と、
前記シャワーヘッド電極の1つ又は複数の部分の温度を測定し、前記温度制御装置に情報を提供するように構成される温度センサ装置と
をさらに備えることを特徴とする真空室。 - 前記真空室の前記上部壁が電気的に接地されることを特徴とする請求項14に記載の真空室。
- 前記RF分配部材が、円形の金属プレートと、前記プレートと同軸の軸方向に延びるハブとを含み、前記軸方向に延びるハブが、前記シャワーヘッド電極の前記裏面に面する1つ又は複数のガス出口と連通する前記金属プレート内の1つ又は複数の放射状に延びるガス通路にプロセスガスを供給する、軸方向に延びる第1及び第2のガス通路を有することを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記軸方向に延びる第1のガス通路が、前記金属プレート中の前記放射状に延びる第1群のガス通路と連通する中央管路にプロセスガスを供給することを特徴とする請求項16に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記RF分配部材と前記シャワーヘッド電極の間の少なくとも1つのガスシールが、前記環状プレナムから前記中央プレナムを分離することを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記RF分配部材が、RF電力入力接続部を含むことを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記シャワーヘッド電極が、単一のRF電力源によって電力を供給されるように構成されることを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- 前記シャワーヘッド電極は、その一方の側がガス出口であり、したがって他方の側が前記RF分配部材と接触するバッキング部材にエラストマー接合される、シリコン電極プレートを含むことを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
- プラズマエッチングを制御する方法であって、
前記方法は、請求項1に記載のシャワーヘッド電極を介してプラズマエッチング室にプロセスガスを供給するステップを含み、
前記プロセスガスが、前記シャワーヘッド電極と半導体基板がその上に支持される下部電極との間のギャップに流入し、
前記方法は、RF電力を前記シャワーヘッド電極に印加し、かつ前記プロセスガスをプラズマ状態に励起することによって、前記プラズマエッチング室内の半導体基板をエッチングするステップを含み、
前記RF電力及び前記プロセスガスが、前記プラズマエッチング室の他の部分から電気的に絶縁された前記RF分配部材によって前記シャワーヘッド電極に供給される、
ことを特徴とする方法。 - 前記シャワーヘッド電極を、少なくとも80℃の温度で加熱するステップをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極を前記加熱するステップが、前記シャワーヘッド電極の少なくとも一部分を少なくとも100℃の温度に加熱し、維持することを含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記シャワーヘッド電極の少なくとも一部分を少なくとも150℃の温度に加熱し、維持することを含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記半導体基板をエッチングする前記ステップの前に行われることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- エッチングする前記ステップが、前記半導体基板上の酸化物層内の開口をエッチングすることを含み、前記開口が、パターン化されたフォトレジストによって画定されていることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記プロセスガスが、フルオロカーボンガス及びハイドロフルオロカーボンガスの少なくともいずれかを含み、前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記プロセスガス中のフッ素ラジカル密度を制御することによって、前記半導体基板上のフォトレジスト上の線条を低減させることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記エッチングするステップが、酸化シリコン層内に高アスペクト比の接触開口を形成することを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極から前記RF分配部材、前記熱経路部材、ヒータ、1つ又は複数のサーマルチョークに延び、前記上部壁に至る熱経路に沿って熱を伝導することによって前記シャワーヘッド電極を冷却するステップをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極に電力を印加する前記ステップが、前記プラズマエッチング室の外部のRF源から、前記RF分配部材を介し、前記RF分配部材と前記シャワーヘッド電極との間の前記複数の接点を介して、前記RF分配部材上に配置されたRF入力口にRF電力を供給することを含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- ガスを供給する前記ステップが、前記RF分配部材から前記シャワーヘッド電極の前記裏面にある前記プレナムにガスを供給することを含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- ガスを供給する前記ステップが、前記基板と前記シャワーヘッド電極との間の前記ギャップ内の中央領域に前記中央プレナムを介して第1の混合ガスを供給すること、前記中央領域を囲む前記ギャップ内の環状領域に前記環状プレナムを介して第2の混合ガスを供給することを含み、前記第2の混合ガスが前記第1の混合ガスとは異なり、又は、前記第2の混合ガスが前記第1の混合ガスと同じものであるが前記第1の混合ガスとは異なる流量で供給されることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記プラズマエッチング室内で1バッチ分のウエハを1枚ずつエッチングするステップを含み、前記シャワーヘッド電極が、前記1バッチ分のウエハを処理する間、実質的に均一な温度に維持されることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記シャワーヘッド電極の中心部と縁部との間の温度差が50℃未満となるように、前記シャワーヘッド電極の前記中心部及び前記縁部を加熱することを含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記シャワーヘッド電極の中心部と縁部との間の温度差が25℃未満となるように、前記シャワーヘッド電極の前記中心部及び前記縁部を加熱することを含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
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