KR20220095677A - 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220095677A
KR20220095677A KR1020200187431A KR20200187431A KR20220095677A KR 20220095677 A KR20220095677 A KR 20220095677A KR 1020200187431 A KR1020200187431 A KR 1020200187431A KR 20200187431 A KR20200187431 A KR 20200187431A KR 20220095677 A KR20220095677 A KR 20220095677A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature sensor
shower head
gas distribution
distribution unit
temperature
Prior art date
Application number
KR1020200187431A
Other languages
English (en)
Inventor
김두순
문상민
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200187431A priority Critical patent/KR20220095677A/ko
Priority to CN202111348368.3A priority patent/CN114695052A/zh
Priority to US17/456,180 priority patent/US20220208526A1/en
Publication of KR20220095677A publication Critical patent/KR20220095677A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
    • G01K11/32—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는 상부 전극, 상기 상부 전극 아래에 배치되는 가스 분배 유닛, 상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드, 상기 샤워 헤드에 접촉되며, 상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서를 포함하는 온도 센서 유닛 및 상기 샤워 헤드 하부에 배치되는 하부 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 직접 접촉될 수 있다.

Description

온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치{PROCESSING CHAMBER INCLUDING A TEMPERATURE MEASURING UNIT AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE INCLUDING A TEMPERATURE MEASURING UNIT}
본 발명은 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 샤워 헤드를 통해 공정 온도를 정확하게 측정할 수 있는 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 샤워 헤드를 통해 공정 온도를 정확하게 측정할 수 있는 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치를 포함하는 집적 회로 장치 또는 평판 디스플레이 장치를 포함하는 디스플레이 장치는 대체로 증착 챔버, 스퍼터링 챔버, 식각 챔버, 세정 챔버, 건조 챔버 등과 같은 다양한 공정 챔버들을 포함하는 기판 처리 장치를 사용하여 제조될 수 있다. 상기 공정 챔버들 중의 일부는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 수 있으며, 플라즈마는 매우 높은 온도 또는 강한 전기장에 의해 생성될 수 있다.
종래의 기판 처리 장치는 플라즈마 처리 챔버 내에 가스 분배 유닛에 접촉되며, 기판에 대해 수행되는 플라즈마 처리 공정의 공정 온도를 측정하는 온도 센서를 포함할 수 있다. 그러나 종래의 온도 센서는 공정 가스를 분배하기 위한 가스 분배 유닛에 접촉되기 때문에, 플라즈마 처리 공정이 수행되는 플라즈마 처리 공간 내의 공정 온도를 정확하게 측정하기 어려울 수 있으며, 상기 기판에 대해 수행되는 플라즈마 처리 공정의 안정성이 저하될 수 있다. 또한, 이러한 기판을 이용하여 제조되는 집적 회로 장치나 디스플레이 장치의 신뢰성이 저하되는 문제점도 야기될 수 있다.
본 발명의 일 측면은 샤워 헤드를 통해 공정 온도를 정확하게 측정할 수 있는 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버를 제공한다
본 발명의 다른 측면은 샤워 헤드를 통해 공정 온도를 정확하게 측정할 수 있는 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 있어서, 가스 분배 유닛, 상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드 및 상기 샤워 헤드에 접촉되며 상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서를 구비하는 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버가 제공된다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 가스 분배 유닛 상에 배치되는 상부 전극 및 상기 상부 전극에 대향하는 하부 전극을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛에는 상기 제1 온도 센서를 수용하는 제1 수용 홀이 제공될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 온도 센서의 일측을 수용하기 위한 수용 홈을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 가스 분배 유닛과 상기 샤워 헤드를 결합시키는 체결 부재에 접촉될 수 있다. 예를 들면, 상기 체결 부재는 볼트 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 온도 측정 유닛은 상기 상부 전극을 통과하여 상기 가스 분배 유닛에 접촉될 수 있으며, 상기 가스 분배 유닛의 온도를 측정하는 제2 온도 센서를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극에는 상기 제2 온도 센서를 수용하는 제2 수용 홀이 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 열전대 온도 센서를 포함할 수 있다. 선택적으로는, 상기 제1 온도 센서는 파이버 센서를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 있어서, 상부 전극, 상기 상부 전극 아래에 배치되는 가스 분배 유닛, 상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드, 상기 샤워 헤드에 접촉되며, 상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서를 포함하는 온도 센서 유닛 및 상기 샤워 헤드 하부에 배치되는 하부 전극을 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 직접 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛에는 상기 제1 온도 센서를 수용하는 제1 수용 홀이 제공될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 온도 센서의 일측을 수용하기 위한 수용 홈을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 가스 분배 유닛과 상기 샤워 헤드를 결합시키는 체결 부재에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 온도 측정 유닛은 상기 상부 전극을 통과하여 상기 가스 분배 유닛에 접촉될 수 있으며, 상기 가스 분배 유닛의 온도를 측정하는 제2 온도 센서를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 있어서, 플라즈마 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다. 여기서, 상기 공정 챔버는, 상기 처리 공간 내에 배치되는 상부 전극, 상기 상부 전극 아래에 배치되는 가스 분배 유닛, 상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드, 상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서 및 상기 가스 분배 유닛의 온도를 측정하는 제2 온도 센서를 구비하는 온도 센서 유닛, 그리고 상기 샤워 헤드 하부에 배치되는 하부 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 온도 센서는 상기 샤워 헤드에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 직접 접촉될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 온도 센서의 일측을 수용하기 위한 수용 홈을 포함할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 가스 분배 유닛과 상기 샤워 헤드를 결합시키는 체결 부재에 접촉될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 온도 측정 유닛이 샤워 헤드에 접촉될 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있으므로, 공정 챔버의 처리 공간 내에서 발생되는 플라즈마에 직접 접촉되는 샤워 헤드의 온도를 측정함으로써, 상기 처리 공간 내에서 수행되는 공정의 온도를 정확하게 측정할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 의해 수행되는 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 의해 제조되는 기판을 포함하는 반도체 장치를 포함하는 집적 회로 장치 또는 평판 디스플레이 장치를 포함하는 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과들이 상술한 바에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛의 온도 센서를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 본 발명의 다양한 실시예들을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용한다. 제1, 제2, 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들이 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 것이다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "구비하다", "가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들을 보다 상세하게 설명한다. 도면들에 걸쳐 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 부호들로 나타내며, 동일한 구성 요소들에 대해 반복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(index module)(20) 및 처리 모듈(processing module)(55)을 포함할 수 있다.
인덱스 모듈(20)은 기판을 외부로부터 처리 모듈(55) 내로 이송할 수 있고, 처리 모듈(55)은 상기 기판에 대해 소정의 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 집적 회로 장치 또는 디스플레이 장치의 제조를 위해 이용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 인덱스 모듈(20)은 로드 챔버(10) 및 이송 프레임(15)을 포함할 수 있다. 로드 챔버(10) 내에는 상기 기판을 수용할 수 있는 캐리어(25)가 적재될 수 있다. 예를 들면, 상기 캐리어(25)로 전면 개방 일체형 포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 상기 캐리어(25)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드 챔버(10) 내로 이송될 수 있거나, 로드 챔버(10)로부터 외부로 이송될 수 있다.
이송 프레임(15)은 로드 챔버(10) 내에 적재된 캐리어(25)와 공정 모듈(55) 사이에서 상기 기판을 이송할 수 있다. 이송 프레임(15)은 인덱스 로봇(30) 및 인덱스 레일(35)을 포함할 수 있다. 인덱스 로봇(30)은 인덱스 레일(35)을 따라 이동할 수 있으며, 인덱스 모듈(20)과 처리 모듈(55) 사이에서 상기 기판을 이송할 수 있다. 예를 들면, 인덱스 로봇(30)은 인덱스 레일(35) 상에서 이동하면서 상기 기판을 캐리어(25)와 버퍼 슬롯(60) 사이에서 이송할 수 있다.
도 1에 예시한 바와 같이, 처리 모듈(55)은, 이에 한정되는 것은 아니지만, 상기 기판에 대하여 증착 공정, 식각 공정, 스퍼터링 공정, 도포 공정, 현상 공정, 세정 공정, 건조 공정 등을 포함하는 소정의 공정들을 수행할 수 있다. 처리 모듈(55)은 버퍼 챔버(40), 이송 챔버(45), 공정 챔버(50), 제어 유닛(도시되지 않음) 등을 포함할 수 있다.
인덱스 모듈(20) 및 처리 모듈(55) 사이에서 이송되는 상기 기판은 상기 처리 공정들을 위하여 버퍼 챔버(40) 내에서 대기할 수 있다. 버퍼 챔버(40) 내에는 상기 기판이 놓일 수 있는 버퍼 슬롯(60)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 버퍼 챔버(40) 내에서 복수의 버퍼 슬롯들(60)이 제공될 수 있으며, 이에 따라 복수의 기판들이 버퍼 챔버(40) 내에 놓일 수 있다.
이송 챔버(45)는 버퍼 챔버(40) 및 공정 챔버(50) 사이에 상기 기판을 이송할 수 있다. 이송 챔버(45)는 이송 로봇(65) 및 이송 레일(70)을 포함할 수 있다. 이송 로봇(65)은 이송 레일(70)을 따라 이동할 수 있으며, 상기 기판을 버퍼 챔버(40) 및 공정 챔버(50) 사이에서 이송할 수 있다. 예를 들면, 이송 로봇(65)은 이송 레일(70) 상에서 이동하면서 버퍼 슬롯(60) 상에 위치하는 상기 기판(들)을 공정 챔버(50) 내로 이송할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 복수의 공정 챔버들(50)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 공정 챔버들(50)은 반도체 장치를 포함하는 집적 회로 장치 또는 평판 디스플레이 장치를 포함하는 디스플레이 장치를 제조하기 위하여 다양한 공정들이 수행될 수 있는 식각 챔버, 증착 챔버, 스퍼터링 챔버, 도포 챔버, 현상 챔버, 세정 챔버, 건조 챔버 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 공정 챔버(50)는 기판을 플라즈마를 이용하여 처리하는 플라즈마 처리 챔버에 해당될 수 있다. 이 경우, 공정 챔버(50)는, 도 2에 예시한 바와 같이, 처리 공간(190) 내에 플라즈마를 발생시키기 위하여 상부 전극(100), 가스 분배 유닛(120), 히터(130), 샤워 헤드(140), 지지 유닛(160), 하부 전극(180), 온도 측정 유닛 등을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시한 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 지지 유닛(160)은 처리 공간(190) 내에 배치될 수 있으며, 상부에 놓이는 기판(도시되지 않음)을 지지할 수 있다. 예를 들면, 지지 유닛(160)은 정전기력을 이용하여 상기 기판을 지지하는 정전 척을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 지지 유닛(160)은 클램핑과 같은 방식으로 상기 기판을 지지할 수도 있다.
하부 전극(180)은 상기 기판이 상부에 위치하는 지지 유닛(160)을 지지할 수 있다. 하부 전극(180)은 지지 유닛(160)의 아래에 배치될 수 있으며, 지지 유닛(160)에 결합될 수 있다. 하부 전극(180)에는 하부 전극(180)에 고주파 바이어스 전력을 제공하기 위해 고주파 전원(도시되지 않음이 연결될 수 있다.
상부 전극(100)은 처리 공간(190)을 개재하여 하부 전극(180)에 대향하여 배치될 수 있다. 상부 전극(100)에는 고주파 전력을 상부 전극(100)에 인가할 수 있는 별도의 고주파 전원(도시되지 않음)이 연결될 수 있다. 이에 따라, 상부 전극(100)과 하부 전극(180) 사이의 처리 공간(190)에는 상기 플라즈마를 발생시키기 위한 전기장이 발생될 수 있다.
가스 분배 유닛(120)은 상부 전극(100) 아래에 배치될 수 있다. 가스 분배 유닛(120)에는 복수의 분배 홀들(125)이 제공될 수 있다. 가스 분배 유닛(120)에는 외부의 가스 소스로부터 처리 공간(190) 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 공정 가스가 공급될 수 있다. 이러한 공정 가스는 한 가지의 가스 또는 두 가지 이상의 가스들을 포함할 수 있다. 또한, 가스 분배 유닛(120)에는 상기 공정 가스의 가열을 위해 히터(130)가 제공될 수 있다. 예시하지는 않았지만, 히터(130)에는 히터(130)에 전력을 제공하기 위한 전원이 연결될 수 있다.
샤워 헤드(140)는 가스 분배 유닛(120) 아래에 위치할 수 있다. 예를 들면, 샤워 헤드(140)는 원형의 플레이트의 형상을 가질 수 있다. 샤워 헤드(140)에는 복수의 관통 홀들(145)이 제공될 수 있다. 상기 공정 가스는 가스 분배 유닛(120)의 분배 홀들(125) 및 샤워 헤드(140)의 관통 홀들(145)을 통하여 처리 공간(190) 내로 도입될 수 있다.
상기 온도 측정 유닛은 제1 온도 센서(150) 및 제2 온도 센서(170)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 온도 센서(150)는 샤워 헤드(140)의 온도를 측정할 수 있으며, 제2 온도 센서(170)는 가스 분배 유닛(120)의 온도를 측정할 수 있다. 제1 온도 센서(150)는 상부 전극(100) 및 가스 분배 유닛(120)을 통해 샤워 헤드(140)에 접촉될 수 있다. 제2 온도 센서(150)는 상부 전극(100)을 통해 가스 분배 유닛(120)에 접촉될 수 있다. 예를 들면, 제1 온도 센서(150)의 저면이 샤워 헤드(140)의 상면에 접촉될 수 있으며, 제2 온도 센서(150)의 저면이 가스 분배 유닛(120)의 상면에 접촉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 온도 센서(150)는 상부 전극(100) 및 가스 분배 유닛(120)을 통과하여 샤워 헤드(140)에 직접 접촉될 수 있다. 여기서, 상부 전극(100) 및 가스 분배 유닛(120)에는 제1 온도 센서(150)가 삽입되는 제1 수용 홀(155)이 제공될 수 있다. 또한, 제2 온도 센서(170)는 상부 전극(100)을 통과하여 가스 분배 유닛(120)에 직접 접촉될 수 있다. 상부 전극(100)에는 제2 온도 센서(170)가 삽입되는 제2 수용 홀(175)이 제공될 수 있다. 이 경우, 제2 온도 센서(170)는 히터(130)에 인접하는 가스 분배 유닛(120)의 일부에 접촉될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 온도 측정 유닛은 샤워 헤드(140)에 직접 접촉될 수 있는 제1 온도 센서(150)만을 포함할 수도 있다.
종래의 기판 처리 장치에 있어서, 플라즈마 처리 챔버 내에 가스 분배 유닛에 접촉되는 온도 센서만이 제공된다. 종래의 온도 센서는 상기 플라즈마 처리 챔버 내에서 기판에 대해 수행되는 플라즈마 처리 공정의 공정 온도를 측정하기 위하여 배치된다. 그러나 종래의 온도 센서는 공정 가스를 분배하기 위한 가스 분배 유닛에 접촉되기 때문에, 플라즈마 처리 공정이 수행되는 처리 공간 내의 공정 온도를 정확하게 측정하기 어려운 문제점이 있다. 이에 따라, 상기 기판에 대해 수행되는 플라즈마 처리 공정을 수행하는 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치의 안정성이 저하될 수 있다. 예를 들면, 상기 공정 챔버 내에서 상기 기판에 대해 원하는 플라즈마 처리 공정이 정확하게 수행되지 못할 수 있다. 또한, 이와 같은 기판을 이용하여 제조되는 집적 회로 장치나 디스플레이 장치의 신뢰성이 저하되는 문제점도 야기될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 온도 측정 유닛이 샤워 헤드(140)에 접촉될 수 있으며, 샤워 헤드(140)의 온도를 직접적으로 측정할 수 있는 제1 온도 센서(150)를 포함할 수 있다. 제1 온도 센서(150)가 처리 공간(190) 내에 발생되는 플라즈마에 직접 접촉되는 샤워 헤드(104)의 온도를 측정할 수 있기 때문에, 상기 온도 측정 유닛은 처리 공간(190) 내에서 진행되는 플라즈마 처리 공정의 온도를 정확하게 측정할 수 있다. 또한, 상기 온도 측정 유닛은 가스 분배 유닛(120)에 직접 접촉될 수 있는 제2 온도 센서(170)를 포함할 수 있으므로, 상기 기판에 대해 수행되는 상기 플라즈마 처리 공정의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 의해 수행되는 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 상기 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 의해 제조되는 기판을 포함하는 반도체 장치를 포함하는 집적 회로 장치 또는 평판 디스플레이 장치를 포함하는 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛의 온도 센서를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4를 참조하면, 상기 온도 측정 유닛의 제1 온도 센서(150)는 열전대 온도 센서(thermocouple sensor)(152), 센서 케이블(154), 접지 케이블(156) 및 커넥터(158)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 열전대 온도 센서(152)는 샤워 헤드(104)에 직접 접촉될 수 있으며, 센서 케이블(154)과 커넥터(158)를 통해 전원(도시되지 않음)에 전기적으로 연결될 수 있다. 샤워 헤드(104)의 온도를 측정하는 동안, 제1 온도 센서(150)는 접지 케이블(158)을 통해 접지될 수 있다.
도 4에는 제1 온도 센서(150)가 열전대 온도 센서(152)를 포함하는 구성으로 예시되지만, 제1 온도 센서(150)는 파이버 센서(fiber sensor)를 포함할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 5에 예시한 바와 같이, 다른 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛은 제1 온도 센서(150) 및 제2 온도 센서(170)를 포함할 수 있으며, 제1 온도 센서(150)는 샤워 헤드(140)에적 접촉될 수 있다. 여기서, 샤워 헤드(140)에는 제1 온도 센서(150)의 일측을 수용하기 위한 수용 홈(148)이 제공될 수 있으며, 제1 온도 센서(150)는 상부 전극(100) 및 가스 분배 유닛(120)을 통과하여 샤워 헤드(140)의 수용 홈(148) 내에 삽입됨으로써, 제1 온도 센서(150)가 샤워 헤드(140)에 직접 접촉될 수 있다. 이에 따라, 제1 온도 센서(150)가 샤워 헤드(140)의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있으므로, 처리 공간(190) 내에서 수행되는 플라즈마 처리 공정의 공정 온도가 보다 정확하게 측정될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 온도 측정 유닛은 제1 온도 센서(150) 및 제2 온도 센서(170)를 포함할 수 있으며, 제1 온도 센서(150)는 가스 분배 유닛(120)과 샤워 헤드(140)를 결합시키는 체결 부재(195)에 접촉될 수 있다. 예를 들면, 체결 부재(195)는 볼트 구조를 가질 수 있으며, 제1 온도 센서(150)의 저면이 이러한 체결 부재(195)의 상면에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 제1 온도 센서(150)를 포함하는 온도 측정 유닛이 샤워 헤드(140)를 통해 처리 공간(190) 내에서 진행되는 플라즈마 처리 공정의 공정 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 샤워 헤드에 접촉될 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있는 온도 측정 유닛을 이용하여 공정 챔버의 처리 공간 내에서 수행되는 공정의 온도를 정확하게 측정할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 의해 수행되는 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 의해 제조되는 기판을 포함하는 반도체 장치를 포함하는 집적 회로 장치 또는 평판 디스플레이 장치를 포함하는 디스플레이 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다음의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않고 본 발명을 다양하게 변경시키거나, 변화시킬 수 있는 점을 이해할 수 있을 것이다.
10: 로드 챔버 15: 이송 프레임
20: 인덱스 모듈 25: 캐리어
30: 인덱스 로봇 35: 인덱스 레일
40: 버퍼 챔버 45: 이송 챔버
50: 공정 챔버 55: 처리 모듈
60: 버퍼 슬롯 65: 이송 로봇
70: 이송 레일 100: 상부 전극
120: 가스 분배 유닛 125: 분배 홀들
130: 히터 140: 샤워 헤드
145: 관통 홀들 148: 수용 홈
150: 제1 온도 센서 152: 열전대 온도 센서
154: 센서 케이블 155: 제1 수용 홀
156: 접지 케이블 158: 커넥터
160: 지지 유닛 170: 제2 온도 센서
175: 제2 수용 홀 180: 하부 전극
190: 처리 공간 195: 체결 부재

Claims (20)

  1. 가스 분배 유닛;
    상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드; 및
    상기 샤워 헤드에 접촉되며, 상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서를 구비하는 온도 측정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 가스 분배 유닛 상에 배치되는 상부 전극 및 상기 상부 전극에 대향하는 하부 전극을 더 포함하며, 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 접촉되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  3. 제2항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛에는 상기 제1 온도 센서를 수용하는 제1 수용 홀이 제공되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  4. 제2항에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 온도 센서의 일측을 수용하기 위한 수용 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 가스 분배 유닛과 상기 샤워 헤드를 결합시키는 체결 부재에 접촉되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  6. 제5항에 있어서, 상기 체결 부재는 볼트 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  7. 제2항에 있어서, 상기 온도 측정 유닛은 상기 상부 전극을 통과하여 상기 가스 분배 유닛에 접촉되며, 상기 가스 분배 유닛의 온도를 측정하는 제2 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  8. 제7항에 있어서, 상기 상부 전극에는 상기 제2 온도 센서를 수용하는 제2 수용 홀이 제공되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 열전대 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 파이버 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.
  11. 상부 전극;
    상기 상부 전극 아래에 배치되는 가스 분배 유닛;
    상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드;
    상기 샤워 헤드에 접촉되며, 상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서를 포함하는 온도 센서 유닛; 및
    상기 샤워 헤드 하부에 배치되는 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛에는 상기 제1 온도 센서를 수용하는 제1 수용 홀이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 온도 센서의 일측을 수용하기 위한 수용 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 가스 분배 유닛과 상기 샤워 헤드를 결합시키는 체결 부재에 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 온도 측정 유닛은 상기 상부 전극을 통과하여 상기 가스 분배 유닛에 접촉되며, 상기 가스 분배 유닛의 온도를 측정하는 제2 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 플라즈마 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 공정 챔버는,
    상기 처리 공간 내에 배치되는 상부 전극;
    상기 상부 전극 아래에 배치되는 가스 분배 유닛;
    상기 가스 분배 유닛 아래에 배치되는 샤워 헤드;
    상기 샤워 헤드의 온도를 측정하는 제1 온도 센서 및 상기 가스 분배 유닛의 온도를 측정하는 제2 온도 센서를 구비하는 온도 센서 유닛; 및
    상기 샤워 헤드 하부에 배치되는 하부 전극을 포함하며,
    상기 제1 온도 센서는 상기 샤워 헤드에 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 상부 전극 및 상기 가스 분배 유닛을 통과하여 상기 샤워 헤드에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 온도 센서의 일측을 수용하기 위한 수용 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제1 온도 센서는 상기 가스 분배 유닛과 상기 샤워 헤드를 결합시키는 체결 부재에 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020200187431A 2020-12-30 2020-12-30 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 KR20220095677A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200187431A KR20220095677A (ko) 2020-12-30 2020-12-30 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
CN202111348368.3A CN114695052A (zh) 2020-12-30 2021-11-15 包括温度测量单元的工程腔室及基板处理装置
US17/456,180 US20220208526A1 (en) 2020-12-30 2021-11-23 Process chamber having a temperature measuring unit and apparatus for processing a substrate having a temperature measuring unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200187431A KR20220095677A (ko) 2020-12-30 2020-12-30 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220095677A true KR20220095677A (ko) 2022-07-07

Family

ID=82119925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200187431A KR20220095677A (ko) 2020-12-30 2020-12-30 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220208526A1 (ko)
KR (1) KR20220095677A (ko)
CN (1) CN114695052A (ko)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891087A (en) * 1984-10-22 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Isolation substrate ring for plasma reactor
WO2001076326A1 (en) * 2000-03-30 2001-10-11 Tokyo Electron Limited Optical monitoring and control system and method for plasma reactors
US6645344B2 (en) * 2001-05-18 2003-11-11 Tokyo Electron Limited Universal backplane assembly and methods
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US8317968B2 (en) * 2004-04-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
WO2010001938A1 (ja) * 2008-07-04 2010-01-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および誘電体窓の温度調節機構
KR102344525B1 (ko) * 2015-03-18 2021-12-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
WO2017218044A1 (en) * 2016-06-15 2017-12-21 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for high power plasma etch processes
US10607817B2 (en) * 2016-11-18 2020-03-31 Applied Materials, Inc. Thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring

Also Published As

Publication number Publication date
CN114695052A (zh) 2022-07-01
US20220208526A1 (en) 2022-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11265971B2 (en) Sensor system for multi-zone electrostatic chuck
TWI517761B (zh) 屏蔽性蓋加熱器組件
TWI403617B (zh) 在一基板上用於溫度之空間及時間控制之裝置
TWI650442B (zh) 溫度控制的基板支撐組件
JP5921952B2 (ja) 電極アッセンブリ
KR100929449B1 (ko) 기판 처리 장치 및 포커스 링
KR19980063620A (ko) 반도체 웨이퍼 공정 처리 시스템내의 받침대에 웨이퍼를기계적 및 정전기적으로 크램핑하는 방법 및 장치
TW201606925A (zh) 可調式溫度控制基板支撐組件
KR20240014568A (ko) 통합된 온도 측정 전기 디바이스들을 가진 기판 홀더
JP2014112672A (ja) 温度制御素子アレイを備えるｅｓｃ用の電力切替システム
CN102150243A (zh) 温控热边缘环组合件
JP2008243937A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2015030457A1 (ko) 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치
US20080160462A1 (en) Method and system for bake plate heat transfer control in track lithography tools
KR20220095677A (ko) 온도 측정 유닛을 포함하는 공정 챔버 및 온도 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
US20190279848A1 (en) Measuring device and operation method of system for inspecting focus ring
KR20090012710A (ko) 기판 처리 장치
KR20200005398A (ko) 정전 척 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US20230178407A1 (en) Floating pcb design for substrate support assembly
US20220238360A1 (en) Rf immune sensor probe for monitoring a temperature of an electrostatic chuck of a substrate processing system
US20030139043A1 (en) Apparatus and method for monitoring a plasma etch process
TWI570763B (zh) 蝕刻裝置
US11226367B2 (en) Substrate testing cartridge and method for manufacturing same
KR20190062850A (ko) 배플 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR102387279B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal