RU2714864C1 - Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур - Google Patents
Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2714864C1 RU2714864C1 RU2019117899A RU2019117899A RU2714864C1 RU 2714864 C1 RU2714864 C1 RU 2714864C1 RU 2019117899 A RU2019117899 A RU 2019117899A RU 2019117899 A RU2019117899 A RU 2019117899A RU 2714864 C1 RU2714864 C1 RU 2714864C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor structures
- plasma
- plasma processing
- spring washer
- fragment
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 29
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 6
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления полупроводниковых устройств высокой степени интеграции. Сущность изобретения заключается в том, что в реакторе плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащем вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, включающую газораспределитель и генератор плазмы, скрепленные между собой соединительными модулями, каждый соединительный модуль включает модуль компенсации термомеханических напряжений, установленный между газораспределителем и генератором плазмы. Технический результат: обеспечение возможности повышения надежности реактора. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к области нанотехнологий и полупроводниковых производств и может быть использовано в различных технологических процессах изготовления полупроводниковых устройств высокой степени интеграции посредством нанесения и травления функциональных материалов, включая проводники, полупроводники и диэлектрики на подложках различных полупроводников, например, кремния, германия, А3В5, карбида кремния, нитрида галлия, сапфира.
Известны реакторы плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащие вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, состоящую из модуля термостабилизации с блоком теплообмена и модуля формирования газовых потоков, включающего газораспределитель и генератор плазмы [Патент US 6267074, патент US 8635971].
Общим недостатком этих реакторов является то, что у них низкая эксплуатационная надежность, связанная с тем, что при термоциклировании может разрушаться генератор плазмы, т.к., учитывая специфику физико-химических процессов формирования плазмы, трудно подобрать близкие коэффициенты термического разрешения материалов, из которых изготавливают газораспределитель и генератор плазмы.
Известен также реактор плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащий вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, состоящую из модуля термостабилизации с блоком теплообмена и модуля формирования газовых потоков, включающего газораспределитель и генератор плазмы, скрепленные между собой соединительными модулями [заявка US 2013/0065396].
Это устройство выбрано в качестве прототипа предложенного решения.
Недостаток этого устройства заключается в его низкой надежности, связанной с возможностью разрушения генератора плазмы при термоциклировании. Это может возникать из-за того что газораспределитель обычно изготавливают из алюминиевого сплава, а генератор плазмы - из монокристаллического высокоомного кремния, кварца или керамики, коэффициенты термического расширения которых сильно различаются. При этом соединительные модули не обеспечивают компенсации сдвиговых напряжений между газораспределителем и генератором плазмы.
Техническим результатом изобретения является повышение надежности устройства.
Сущность изобретения заключается в том, что в реакторе плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащем вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, включающую газораспределитель и генератор плазмы, скрепленные между собой соединительными модулями, каждый соединительный модуль включает модуль компенсации термомеханических напряжений, установленный между газораспределителем и генератором плазмы.
Существует вариант, в котором каждый модуль компенсации термомеханических напряжений включает винт с головкой винта, сопряженный с резьбовой втулкой, закрепленной в генераторе плазмы, при этом между головкой винта и газораспределителем установлены плоская шайба и пружинная шайба, сопряженные друг с другом.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба имеет конусообразный фрагмент с плоским торцом, сопряженным с плоской шайбой.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба имеет конусообразный фрагмент с, по меньшей мере, двумя выборками, расположенными в плоскости оси симметрии конусообразного фрагмента.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба имеет C-образный фрагмент с плоским торцом, сопряженным с плоской шайбой.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба имеет C-образный фрагмент с, по меньшей мере, двумя выборками, расположенными в плоскости оси симметрии C-образного фрагмента.
На фиг. 1 изображена структурная схема реактора плазменной обработки полупроводниковых структур.
На фиг. 2 изображен вариант выполнения модуля компенсации термомеханических напряжений.
На фиг. 3 изображен вариант выполнения пружинной шайбы в виде конусообразного фрагмента.
На фиг. 4 изображен вариант выполнения пружинной шайбы в виде Сообразного фрагмента.
Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур содержит вакуумную камеру 1 (фиг. 1) с системой подвода газов 2 и системой откачки 3. В качестве системы откачки 3 можно использовать вакуумные агрегаты сухой откачки, включающие также турбонасос для обеспечения высокой скорости откачки при низком давлении и больших потоках газа. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур содержит подложкодержатель 4, выполненный, например, в виде электростатического или механического прижимного стола, установленный в зоне основания камеры 6 и соединенный с блоком ВЧ смещения 7. Блок ВЧ смещения может быть выполнен в виде ВЧ генератора соединенного с оконечным согласующим LC-устройством.
Устройство плазменной обработки полупроводниковых структур содержит также систему генерации плазмы 8, состоящую из модуля термо стабилизации 9 с блоком теплообмена 10 и модуля формирования газовых потоков 11, включающего газораспределитель 12 и генератор плазмы 13, скрепленные между собой соединительными модулями 14. Газораспределитель 12 может быть выполнен из алюминиевого сплава, а генератор плазмы 13 из - высокоомного материала, например, кремния, кварца или алюминиевой керамики. При этом генератор плазмы 13 может включать в себя электромагнитные индукционные антенны (не показано).
Отличием предложенного устройства от известного является то, что каждый соединительный модуль 14 включает модуль компенсации термомеханических напряжений 15, установленный между газораспределителем 12 и генератором плазмы 13.
Существует также вариант, в котором каждый модуль компенсации термомеханических напряжений 15 (фиг. 2) включает винт 16 с головкой винта 17, сопряженный с резьбовой втулкой 18, закрепленной в генераторе плазмы 13, при этом между головкой винта 17 и газораспределителем 12 установлены плоская шайба 19 и пружинная шайба 20, сопряженные друг с другом. Винт 16 может быть изготовлен из нержавеющей стали. Резьбовая втулка 18 может быть изготовлена из полиимида или полиамидоимида. Плоская шайба 19 может быть изготовлена из нержавеющей стали. Пружинная шайба 20 может быть изготовлена из пружинной нержавеющей стали, фосфористой или бериллиевой бронзы.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба 20 (фиг. 3) имеет конусообразный фрагмент 21 с плоским торцом 22, сопряженным с плоской шайбой 19. Соприкасающиеся поверхности плоской шайбы 19 и пружинной шайбы 20 могут иметь высоту микронеровностей в диапазоне 1 мкм -10 мкм.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба 20 имеет конусообразный фрагмент 21 с, по меньшей мере, двумя выборками 23, расположенными в плоскости оси симметрии конусообразного фрагмента 21. Выборки 23 могут быть выполнены на глубину от 1/3 до 2/3 расстояния между головкой вина 17 и плоской шайбой 19. Соприкасающиеся поверхности плоской шайбы 19 и пружинной шайбы 20 могут иметь высоту микронеровностей в диапазоне 5 мкм -20 мкм.
Существует также вариант, в котором пружинная шайба 20 (фиг. 4) имеет C-образный фрагмент 24 с плоским торцом 25, сопряженным с плоской шайбой 19. Соприкасающиеся поверхности плоской шайбы 19 и пружинной шайбы 20 могут иметь высоту микронеровностей в диапазоне 1 мкм -10 мкм. Существует также вариант, в котором пружинная шайба 20 имеет C-образный фрагмент 24 с, по меньшей мере, двумя выборками 26, расположенными в плоскости оси симметрии C-образного фрагмента 24. Выборки 26 могут быть выполнены на глубину от 1/3 до 2/3 расстояния между головкой вина 17 и плоской шайбой 19. Соприкасающиеся поверхности плоской шайбы 19 и пружинной шайбы 20 могут иметь высоту микронеровностей в диапазоне 5 мкм -20 мкм.
Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур работает следующим образом.
После предварительной откачки и дегазации вакуумной камеры 1 задают температуры в диапазоне 60°С - 180°С ее внутренних рабочих поверхностей, соприкасающихся с рабочей средой, химически активной плазмой. Задание температуры генератора плазмы 13 с модулем формирования газовых потоков 11 осуществляют через модуль термостабилизации 9, в котором циркулирует теплоноситель или вмонтированы электрические нагреватели (не показаны).
При повышении температуры реактора за счет термического расширения возникает тянущее усилие в радиальных направления от центра реактора на всех соединительных модулях 14 между газораспределителем 12 и генератором плазмы 11, поскольку они изготовлены из разных материалов, и имеют разные коэффициенты термического расширения.
При этом соединительные модули 14 с модулями компенсации термомеханических напряжений 15 принимают это механическое расширение на себя, предотвращая возникновение разрушающих напряжений в хрупком материале генератора плазмы 13.
После установления стабильной заданной температуры в вакуумную камеру 1 подают рабочие газы, устанавливают заданные расходы газовых компонентов и рабочее давление.
Затем производят зажигание газового разряда и генерируется химически активная плазменная среда для обработки полупроводниковой подложки 5.
Термостабилизация системы генерации плазмы 8 при этом осуществляется за счет контроля температуры теплоносителя в блоке теплообмена 10. Температура системы генерации плазмы 8 измеряется контактными термометрами (не показаны), вмонтированными в материал генератора плазмы 13. Обычно температуру измеряют с помощью термопарных или резистивных датчиков.
То, что каждый соединительный модуль 14 включает модуль компенсации термомеханических напряжений 15, установленный между газораспределителем 12 и генератором плазмы 13, позволяет компенсировать температурные сдвиги между ними, что минимизирует возможность разрушения генератора плазмы 13 и повышает надежность устройства.
То, что каждый модуль компенсации термомеханических напряжений 15 включает винт 16 с головкой винта 17, сопряженный с резьбовой втулкой 18, закрепленной в генераторе плазмы 13, при этом между головкой винта 17 и газораспределителем 12 установлены плоская шайба 19 и пружинная шайба 20, сопряженные друг с другом, позволяет компенсировать температурные сдвиги между газораспределителем 12 и генератором плазмы 13, по координатам X, Y, Z, что повышает надежность устройства.
То, что пружинная шайба 20 имеет конусообразный фрагмент 21 с плоским торцом 22, сопряженным с плоской шайбой 19, улучшает возможности сдвига между конусообразным фрагментом 21 и плоской шайбой 19, что улучшает термокомпенсацию по координатам X, Y и повышает надежность устройства.
То, что пружинная шайба 20 имеет конусообразный фрагмент 21 с, по меньшей мере, двумя выборками 23, расположенными в плоскости оси симметрии конусообразного фрагмента 21, сохраняет возможности сдвига между конусообразным фрагментом 21 и плоской шайбой 19 при повышенных температурных изменениях размеров элементов по координате Z и повышает надежность устройства.
То, что пружинная шайба 20 имеет C-образный фрагмент 24 с плоским торцом 25, сопряженным с плоской шайбой 19 улучшает возможности сдвига между конусообразным фрагментом 21 и плоской шайбой 19, что повышает термокомпенсацию по координатам X, Y при повышенных температурных изменениях размеров элементов по координате Z и повышает надежность устройства.
То, что пружинная шайба 20 имеет C-образный фрагмент 24 с, по меньшей мере, двумя выборками 26, расположенными в плоскости оси симметрии C-образного фрагмента 24, улучшает термокомпенсацию по координатам X, Y при повышенных температурных изменений элементов по координате Z, что повышает надежность устройства.
Claims (6)
1. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащий вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, состоящую из модуля термостабилизации с блоком теплообмена и модуля формирования газовых потоков, включающего газораспределитель и генератор плазмы, скрепленных между собой соединительными модулями, отличающийся тем, что каждый соединительный модуль включает модуль компенсации термомеханических напряжений, установленный между газораспределителем и генератором плазмы.
2. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур по п. 1, отличающийся тем, что каждый модуль компенсации термомеханических напряжений включает винт с головкой винта, сопряженный с резьбовой втулкой, закрепленной в генераторе плазмы, при этом между головкой винта и модулем формирования газовых потоков установлены плоская шайба и пружинная шайба, сопряженные друг с другом.
3. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур по п. 2, отличающийся тем, что пружинная шайба имеет конусообразный фрагмент с плоским торцом, сопряженным с плоской шайбой.
4. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур по п. 3, отличающийся тем, что пружинная шайба имеет конусообразный фрагмент с по меньшей мере двумя выборками, расположенными в плоскости оси симметрии конусообразного фрагмента.
5. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур по п. 2, отличающийся тем, что пружинная шайба имеет C-образный фрагмент с плоским торцом, сопряженным с плоской шайбой.
6. Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур по п. 5, отличающийся тем, что пружинная шайба имеет C-образный фрагмент с по меньшей мере двумя выборками, расположенными в плоскости оси симметрии C-образного фрагмента.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019117899A RU2714864C1 (ru) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019117899A RU2714864C1 (ru) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2714864C1 true RU2714864C1 (ru) | 2020-02-19 |
Family
ID=69625885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019117899A RU2714864C1 (ru) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2714864C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2133998C1 (ru) * | 1998-04-07 | 1999-07-27 | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2408950C1 (ru) * | 2009-10-13 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет), (МИЭТ) | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| US20130065396A1 (en) * | 2004-04-30 | 2013-03-14 | Lam Research Corporation | Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (rf) power for plasma processing |
| RU2483501C2 (ru) * | 2010-07-30 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Плазменный реактор с магнитной системой |
| RU2670249C1 (ru) * | 2017-12-22 | 2018-10-19 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| US20180308664A1 (en) * | 2017-04-24 | 2018-10-25 | Kenneth S. Collins | Plasma reactor with filaments and rf power applied at multiple frequencies |
-
2019
- 2019-06-10 RU RU2019117899A patent/RU2714864C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2133998C1 (ru) * | 1998-04-07 | 1999-07-27 | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| US20130065396A1 (en) * | 2004-04-30 | 2013-03-14 | Lam Research Corporation | Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (rf) power for plasma processing |
| RU2408950C1 (ru) * | 2009-10-13 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет), (МИЭТ) | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2483501C2 (ru) * | 2010-07-30 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Плазменный реактор с магнитной системой |
| US20180308664A1 (en) * | 2017-04-24 | 2018-10-25 | Kenneth S. Collins | Plasma reactor with filaments and rf power applied at multiple frequencies |
| RU2670249C1 (ru) * | 2017-12-22 | 2018-10-19 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11158527B2 (en) | Thermal management systems and methods for wafer processing systems | |
| US20240112893A1 (en) | Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates | |
| TWI501347B (zh) | 靜電夾盤之邊緣環 | |
| CN106463449B (zh) | 具有凸起的顶板及冷却通道的静电夹盘 | |
| US9779975B2 (en) | Electrostatic carrier for thin substrate handling | |
| JP7376623B2 (ja) | ウエハ処理システム向けの熱管理のシステム及び方法 | |
| US6905984B2 (en) | MEMS based contact conductivity electrostatic chuck | |
| US6444040B1 (en) | Gas distribution plate | |
| TW201735215A (zh) | 靜電卡盤機構以及半導體加工裝置 | |
| KR20080110652A (ko) | 오염물질이 저감되는 가스 주입 시스템 및 이용 방법 | |
| JP7419483B2 (ja) | 一体型サーマルチョークによる高温ｒｆ接続 | |
| TW202002156A (zh) | 靜電夾盤及基板固定裝置 | |
| RU2714864C1 (ru) | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур | |
| JP5382602B2 (ja) | ウエハ保持体および半導体製造装置 | |
| KR20190031151A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| US11521884B2 (en) | Electrostatic chuck sidewall gas curtain | |
| JP5846077B2 (ja) | 樹脂膜のパターニング方法およびそれを用いたセンサの製造方法 | |
| US12009182B2 (en) | Temperature control method and temperature control device | |
| US20220375728A1 (en) | Temperature control method and temperature control device | |
| JP2022510429A (ja) | 多重ヒータアレイを備えた静電チャックのための長寿命かつ拡張温度範囲の埋め込みダイオード設計 | |
| RU2718132C1 (ru) | Устройство плазменной обработки полупроводниковых структур | |
| JP2024002949A (ja) | プラズマ処理装置、リング、静電チャックの検査方法及び基板処理方法 | |
| KR102080109B1 (ko) | 기판처리장치의 제어방법 | |
| TW202333193A (zh) | 用於冷卻電漿處理製程構件的方法及電漿蝕刻方法和系統 | |
| TW202144757A (zh) | 氣體感測裝置 |