KR20190031151A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190031151A
KR20190031151A KR1020180107587A KR20180107587A KR20190031151A KR 20190031151 A KR20190031151 A KR 20190031151A KR 1020180107587 A KR1020180107587 A KR 1020180107587A KR 20180107587 A KR20180107587 A KR 20180107587A KR 20190031151 A KR20190031151 A KR 20190031151A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
arm
plasma
screw
upper structure
Prior art date
Application number
KR1020180107587A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102583378B1 (ko
Inventor
료우 손
료우헤이 사토우
유이치 구와하라
?타로 다와라야
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190031151A publication Critical patent/KR20190031151A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102583378B1 publication Critical patent/KR102583378B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

플라즈마 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 용기의 상부에 마련되어, 그 하부 영역에 플라즈마를 발생시키는 상부 구조체와, 상부 구조체의 주위에 고정된 구조체 지지용 링과, 링을 지지하며 상하로 이동 가능한 암을 구비하고, 링 및 암 중 한쪽에 고정되며, 선단부가 다른 쪽에 맞닿는 나사(볼트 포함)와, 링 또는 암에 마련되며, 링의 수평 방향의 이동을 규제하는 구멍을 통과하는 핀을 구비하고 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
종래의 플라즈마 처리 장치는 특허문헌 1~3에 기재되어 있다. 특허문헌 1은, 처리 용기의 상부에 위치하는 유전체창 상에 배치된 안테나에, 마이크로파를 조사함으로써, 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치를 개시하고 있다. 특허문헌 2는, 처리 용기의 상부에 위치하는 상부 전극에 고주파를 인가함으로써, 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치를 개시하고 있다. 특허문헌 3은, 처리 용기의 상부에 위치하는 상부 구조체를, 암을 이용하여 상하로 이동시키는 이동 기구를 개시하고 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2013-16443호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2012-216614호 특허문헌 3: 일본 특허공보 4896337호
그러나, 종래의 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 메인터넌스 전후에 있어서, 플라즈마의 안정성이 저하되는 경우가 있었다. 특히 특허문헌 1에서 나타내는 바와 같이, 안테나의 슬롯 형상과 유전체창의 오목부에 의하여 고효율의 플라즈마를 생성시키는 것이 특징이지만, 메인터넌스에 의하여, 슬롯과 오목부의 위치 관계가 항상 일정하게 조립되지 않으면, 플라즈마 생성 상태가 달라지게 된다. 본 발명은, 이와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 안정적인 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본원 발명자들이 예의 검토한바, 상부 구조체를 지지하는 링이, 메인터넌스할 때의 상하 이동 시에 경사져 변형되는 경우가 있으며, 또 열에 의하여 어긋나는 것이 판명되었다. 이 어긋남에 의하여, 플라즈마의 안정성이 저하된다.
따라서, 본 발명의 양태에 관한 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기의 상부에 마련되어, 그 하부 영역에 플라즈마를 발생시키는 상부 구조체와, 상기 상부 구조체의 주위에 고정된 구조체 지지용 링과, 상기 링을 지지하며 상하로 이동 가능한 암을 구비하고, 상기 링 및 상기 암 중 한쪽에 고정되며, 선단부가 다른 쪽에 맞닿는 나사(볼트 포함)와, 상기 링 또는 상기 암에 마련되며, 상기 링의 수평 방향의 이동을 규제하는 구멍을 통과하는 핀을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 상부 구조체를 상방으로 이동시킬 때에, 상부 구조체(및 링)가, 자체 중량에 의하여 암에 대하여 경사졌다고 해도, 암과 링이 나사에 의하여 상대 위치가 고정되어 있는 개소의 이들의 거리는 일정하며, 또 핀은 구멍 안을 축방향으로 이동할 수 있으므로, 이 위치에 있어서는, 링은 상하로 자유롭게 이동할 수 있다. 즉, 상부 구조체(및 링)가 암에 대하여 경사져도, 링이 수평면 상에 재치되면, 상부 구조체의 경사는, 핀이 구멍 안을 자유롭게 이동할 수 있음으로써, 복원되어 수평이 된다. 이 구조에 의하면, 상부 구조체가 상방으로 이동하는 경우에 암에 대하여 경사져도, 하방으로 이동시킨 후에는, 원래의 위치로 복원되므로, 상부 구조체의 위치 결정이 정확하게 이루어져, 안정적으로 플라즈마가 발생한다.
또, 상기 나사의 선단부는, 회전 가능하게 지지된 볼로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기의 링이 수평 방향으로 다소 이동해도, 볼의 존재에 의하여, 상부 구조체에 불필요한 수평 방향의 힘이 가해지는 경우가 없기 때문에, 상부 구조체의 위치 결정이 정확하게 이루어져, 안정적으로 플라즈마가 발생한다.
또, 상기 나사의 수는 3개 이상인 것을 특징으로 한다. 평면은 3점(点)을 포함하므로, 나사의 수가 3개 이상이면, 나사가 규제하는 링과 암의 사이의 거리를, 3개소에서 조정할 수 있으며, 따라서 나사 조정에 의하여, 링의 상면을 수평으로 유지할 수 있다.
이 플라즈마 처리 장치에 의하면, 안정적인 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
도 1은 플라즈마 처리 장치의 기본적인 종단면 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 플라즈마 처리 장치의 제어계의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 플라즈마 처리 장치의 상부 구조체를 들어 올린 상태를 나타내는 도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 구조를 간략화하여 나타내는 도이다.
도 5는 도 4에 나타낸 플라즈마 처리 장치를 위에서 본 도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 플라즈마 처리 장치의 암 근방의 종단면(XZ 단면)을 나타내는 도이다.
도 7은 나사(클램핑·스크루)의 단면도이다.
도 8은 나사를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 위에서 본 도이다.
도 9는 도 8에 나타낸 플라즈마 처리 장치의 암 근방의 종단면(YZ 단면)을 나타내는 도이다.
도 10은 Y축 방향을 따라 이간(離間)된, 2세트의 나사(C) 및 핀(D)이 존재하는 경우의 암 근방의 종단면 구성을 나타내는 도이다.
도 11은 도 10에 나타낸 암을 초기 위치(Z0)까지 내린 상태를 나타내는 암 근방의 종단면(YZ 단면)을 나타내는 도이다.
도 12는 비교예에 관한 플라즈마 처리 장치의 암 근방의 종단면(YZ 단면)을 나타내는 도이다.
도 13은 Y축 방향을 따라 이간된, 2세트의 나사(C) 및 핀(D)이 존재하는 경우의 암 근방의 종단면 구성을 나타내는 도이다.
도 14는 도 13에 나타낸 암을 초기 위치(Z0)까지 내린 상태를 나타내는 암 근방의 종단면(YZ 단면)을 나타내는 도이다.
도 15는 복수의 플라즈마 처리 장치를 갖는 시스템 구성도이다.
본 발명의 일 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 본 명세서 및 도면에 있어서 실질적으로 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙인다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치의 종단면도, 도 2는 도 1에 나타낸 플라즈마 처리 장치의 제어계의 구성을 나타내는 블록도이다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 원통 형상의 처리 용기(2)를 구비한다. 처리 용기(2)의 천장부는 유전체로 이루어지는 유전체창(천판)(16)으로 가려진다. 처리 용기(2)는, 예를 들면 알루미늄으로 이루어지며, 전기적으로 접지된다. 처리 용기(2)의 내벽면은, 알루미나 등의 절연성의 보호막으로 피복되어 있다.
처리 용기(2)의 바닥부의 중앙에는, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함)(W)를 재치하기 위한 받침대(3)가 마련된다. 받침대(3)의 상면에 웨이퍼(W)가 지지된다. 받침대(3)는, 예를 들면 알루미나나 질화 알루미나 등의 세라믹재로 이루어진다. 받침대(3)의 내부에는, 히터(5)가 매립되어, 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열할 수 있도록 되어 있다. 히터(5)는, 지주 내에 배치된 배선을 통하여 히터 전원(4)에 접속된다(도 2 참조).
받침대(3)의 상면에는, 받침대(3)에 재치되는 웨이퍼(W)를 정전 흡착하는 정전 척(CK)이 마련된다. 정전 척(CK)에는, 정합기(MG)를 통하여 바이어스용 직류 혹은 고주파 전력을 인가하는 바이어스용 전원(BV)이 접속된다(도 2 참조).
처리 용기(2)의 바닥부에는, 받침대(3)에 재치되는 웨이퍼(W)의 표면보다 하방의 배기구로부터 처리 가스를 배기하는 배기관(11)이 마련된다. 배기관(11)에는, 압력 제어 밸브(PCV)를 통하여, 진공 펌프 등의 배기 장치(10)가 접속된다(도 2 참조). 배기 장치(10)는, 압력 제어 밸브(PCV)를 통하여, 처리 용기(2)의 내부에 연통되어 있다. 압력 제어 밸브(PCV) 및 배기 장치(10)에 의하여, 처리 용기(2) 내의 압력이 소정의 압력으로 조절된다.
처리 용기(2)의 천장부에는 기밀성을 확보하기 위한 O링 등의 시일(15)을 사이에 두고 유전체창(16)이 마련된다. 유전체창(16)은, 예를 들면 석영, 알루미나(Al2O3), 혹은 질화 알루미늄(AlN) 등의 유전체로 이루어지고, 마이크로파에 대하여 투과성을 갖는다.
유전체창(16)의 상면에는, 원판 형상의 슬롯판(20)이 마련된다. 슬롯판(20)은, 도전성을 갖는 재질, 예를 들면 Ag, Au 등으로 도금이나 코팅된 구리로 이루어진다. 슬롯판(20)에는, 예를 들면 복수의 T자 형상이나 L자 형상의 슬롯(21)이 동심원 모양으로 배열되어 있다.
슬롯판(20)의 상면에는, 마이크로파의 파장을 압축하기 위한 지파판(遲波板)(25)이 배치된다. 지파판(25)은, 예를 들면 석영(SiO2), 알루미나(Al2O3), 혹은 질화 알루미늄(AlN) 등의 유전체로 이루어진다. 지파판(25)은 알루미늄 등으로 구성된 도전성의 커버(26)에 의해 덮인다. 온도 조절 재킷(커버)(26)에는 원환(圓環) 모양의 열매(熱媒) 유로(27)가 마련된다. 이 열매 유로(27)를 흐르는 열매에 의하여 커버(26) 및 지파판(25)이 소정의 온도로 조절된다. 2.45GHz의 파장의 마이크로파를 예로 들면, 진공 중의 파장은 약 12cm이며, 알루미나제의 유전체창(16) 중에서의 파장은 약 3~4cm가 된다.
커버(26)의 중앙에는, 마이크로파를 전파하는 동축 도파관(30)이 접속된다. 동축 도파관(30)은, 내측 도체(31)와 외측 도체(32)로 구성되어 있다. 내측 도체(31)는, 지파판(유전체판)(25)의 중앙을 관통하여 슬롯판(20)의 중앙에 접속된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 동축 도파관(30)에는, 모드 변환기(37) 및 직사각형 도파관(36)을 통하여 마이크로파 발생기(35)가 접속된다. 마이크로파는, 2.45GHz 외에, 860MHz, 915MHz나 8.35GHz 등의 마이크로파를 이용할 수 있다.
마이크로파 발생기(35)가 발생한 마이크로파는, 마이크로파 도입로로서의, 직사각형 도파관(36), 모드 변환기(37), 동축 도파관(30), 및 지파판(25)에 전파된다. 지파판(25)에 전파된 마이크로파는 슬롯판(20)의 다수의 슬롯(21)으로부터 유전체창(16)을 통하여 처리 용기(2) 내에 공급된다. 마이크로파에 의하여 유전체창(16)의 하방에 전계가 형성되어, 처리 용기(2) 내의 처리 가스가 플라즈마화된다.
슬롯판(20)에 접속되는 내측 도체(31)의 하단은 원뿔대 형상으로 형성된다. 이로써, 동축 도파관(30)으로부터 지파판(25) 및 슬롯판(20)에 마이크로파가 효율적으로 손실 없이 전파된다.
레이디얼 라인 슬롯 안테나에 의하여 생성된 마이크로파 플라즈마의 특징은, 유전체창(16) 바로 아래(플라즈마 여기 영역이라고 불림)에서 생성된 비교적 전자 온도가 높은 에너지의 플라즈마가 확산되고, 웨이퍼(W) 바로 위(확산 플라즈마 영역)에서는 약 1~2eV 정도의 낮은 전자 온도의 플라즈마가 되는 것에 있다. 즉, 평행 평판 등의 플라즈마와는 달리, 플라즈마의 전자 온도의 분포가 유전체창(16)으로부터의 거리의 함수로서 명확하게 발생하는 것에 특징이 있다. 보다 상세하게는, 유전체창(16) 바로 아래에서의 수 eV~약 10eV의 전자 온도가, 웨이퍼(W) 상에서는 약 1~2eV 정도로 감쇠한다. 웨이퍼(W)의 처리는 플라즈마의 전자 온도가 낮은 영역(확산 플라즈마 영역)에서 행해지기 때문에, 웨이퍼(W)에 리세스 등의 큰 대미지를 주는 경우가 없다. 플라즈마의 전자 온도가 높은 영역(플라즈마 여기 영역)으로 처리 가스가 공급되면, 처리 가스는 용이하게 여기되어, 해리된다. 한편, 플라즈마의 전자 온도가 낮은 영역(플라즈마 확산 영역)으로 처리 가스가 공급되면, 플라즈마 여기 영역 근방으로 공급된 경우에 비하여, 해리의 정도는 억제된다.
처리 용기(2)의 천장부의 유전체창(16) 중앙에는, 웨이퍼(W)의 중심부에 처리 가스를 도입하는 중앙 도입부(55)가 마련된다. 동축 도파관(30)의 내측 도체(31)에는, 처리 가스의 공급로(52)가 형성된다. 중앙 도입부(55)는 공급로(52)에 접속된다.
중앙 도입부(55)는, 유전체창(16)의 중앙에 마련된 원통 형상의 공간부에 끼워 넣어지는 원기둥 형상의 블록(57)과, 동축 도파관(30)의 내측 도체(31)의 하면과 블록(57)의 상면과의 사이에 적당한 간격을 갖고 형성된 가스 저류부(60)와, 선단부에 가스 분출용 개구를 갖는 원기둥 형상 공간이 연속된 테이퍼 형상의 공간부로 구성된다. 블록(57)은, 예를 들면 알루미늄 등의 도전성 재료로 이루어지고, 전기적으로 접지되어 있다. 블록(57)에는 상하 방향으로 관통하는 복수의 중앙 도입구가 형성된다. 다만, 상기 공간부의 형상은, 테이퍼 형상에 한정되는 것은 아니며, 단순한 원기둥 형상이어도 된다. 또, 중앙 도입구의 평면 형상은, 필요한 컨덕턴스 등을 고려하여 진원(眞圓) 또는 긴 구멍으로 형성된다. 알루미늄제의 블록(57)은, 양극 산화 피막 알루미나(Al2O3), 이트리아(Y2O3) 등으로 코팅된다.
파이프 형상의 내측 도체(31)를 관통하는 공급로(52)로부터 가스 저류부(60)에 공급된 처리 가스는, 가스 저류부(60) 내에 확산된 후, 블록(57)의 복수의 중앙 도입구로부터 하방으로 또한 웨이퍼(W)의 중심부를 향하여 분사된다.
처리 용기(2)의 내부에는, 웨이퍼(W)의 상방의 주변을 둘러싸도록, 웨이퍼(W)의 주변부에 처리 가스를 공급하는 링 형상의 주변 도입부(61)가 배치된다. 주변 도입부(61)는, 천장부에 배치되는 중앙 도입구보다 하방이며, 또한 받침대(3)에 재치된 웨이퍼(W)보다 상방에 배치된다. 주변 도입부(61)는 중공의 파이프를 환(環, 고리) 형상으로 한 것이며, 그 내주측(內周側)에는 둘레 방향으로 일정한 간격을 두고 복수의 주변 도입구(62)가 형성된다. 주변 도입구(62)는, 주변 도입부(61)의 중심을 향하여 처리 가스를 분사한다. 주변 도입부(61)는, 예를 들면 석영으로 이루어진다. 처리 용기(2)의 측면에는, 스테인리스제의 공급로(53)가 관통한다. 공급로(53)는 주변 도입부(61)에 접속된다. 공급로(53)로부터 주변 도입부(61)의 내부에 공급된 처리 가스는, 주변 도입부(61)의 내부의 공간에 확산된 후, 복수의 주변 도입구(62)로부터 주변 도입부(61)의 내측을 향하여 분사된다. 복수의 주변 도입구(62)로부터 분사된 처리 가스는 웨이퍼(W)의 주변 상부에 공급된다. 또한, 링 형상의 주변 도입부(61)를 마련하는 대신에, 처리 용기(2)의 내측면에 복수의 주변 도입구(62)를 형성해도 된다.
가스 공급원(100)은, 중앙 도입구 및 주변 도입부(61)에 가스를 공급한다. 가스 공급원(100)에 이용되는 가스로서는, 희가스(Ar 등)를 이용할 수 있는데, 그 외의 첨가 가스를 이용할 수도 있다. 폴리실리콘 등의 실리콘계의 막을 에칭할 때는, 첨가 가스로서, Ar 가스, HBr 가스(또는 Cl2 가스), O2 가스를 공급하고, SiO2 등의 산화막을 에칭할 때는, 첨가 가스 G21, G22, G23, G2x로서, Ar 가스, CHF계 가스, CF계 가스, O2 가스를 공급하며, SiN 등의 질화막을 에칭할 때는, 첨가 가스로서 Ar 가스, CF계 가스, CHF계 가스, O2 가스를 공급한다.
또한, CHF계 가스로서는 CH3(CH2)3CH2F, CH3(CH2)4CH2F, CH3(CH2)7CH2F, CHCH3F2, CHF3, CH3F 및 CH2F2 등을 들 수 있다.
CF계 가스로서는, C(CF3)4, C(C2F5)4, C4F8, C2F2, 및 C5F8 등을 들 수 있는데, 에칭에 적절한 해리종(解離種)이 얻어진다는 관점에서, C5F8이 바람직하다.
가스 공급원(100)에 또한, O2, SF6 등의 클리닝 가스 그 외의 공통 가스를 공급할 수도 있다.
여기에서, 균일한 플라즈마의 생성, 면내 균일한 웨이퍼(W)의 처리를 목적으로 하여, 플로 스플리터에 의하여 공통 가스의 분기 비율을 조절하고, 중앙 도입부(55) 및 주변 도입부(61)로부터의 가스 도입량을 조절해도 된다.
도 1에 나타낸 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상부 구조체를 구성하는 플라즈마 발생 유닛은, 유전체창(16)과, 유전체창(16) 상에 마련된 슬롯판(20)과, 마이크로파를 전파시키기 위하여, 슬롯판(20)에 전기적으로 접속된 동축 도파관(30)을 구비하고 있다.
동축 도파관(30)은, 파이프 형상의 내측 도체(31)과, 내측 도체(31)를 둘러싸는 파이프 형상의 외측 도체(32)를 구비하고 있다. 내측 도체(31)는, 슬롯판(20)의 중앙 부위에 접촉하고 있지만, 슬롯판(20)의 주변 부위에는, 각종의 위치 결정 부재가 배치되어 있다. 슬롯판(20) 상에는, 지파판 가이드 링(GR)이 배치되고, 지파판 가이드 링(GR)의 내측면은, 지파판(25)의 XY 평면 내에서의 위치를 규제하고 있다. 지파판(25)과 온도 조절 재킷(26)의 사이에는, 상하 방향으로 뻗는 제2 위치 고정 핀(P2)가 개재되고, 유전체창(16)의 상면에 마련된 제1 위치 고정 핀(P1)은, 슬롯판(20)을 관통하여, 지파판 가이드 링(GR)의 오목부 내에 삽입되어 있다. 따라서, 유전체창(16)에 대하여, 슬롯판(20) 및 지파판(25)의 위치가 상대적으로 이동하기 어렵도록 규제되고 있다.
지파판(25)은, 동축 도파관(30)을 전파하는 마이크로파의 파장을 압축하는 것이다. 지파판(25)은, 슬롯판(20) 상의 지파판 가이드 링(GR)에 의해 위치 규제되므로, 슬롯판(20)과 지파판(25)의 사이의 위치 결정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 온도 조절 재킷(26)은, 이것에 열적으로 접속된 지파판(25), 동축 도파관(30) 및 슬롯판(20) 등의 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절 재킷(26)은, 내부에 온도 조절용 유체가 흐르는 통로를 갖고 있으며, 통로에 냉각시킨 매체를 흘리면, 이것에 열적으로 접속된 부품이 냉각된다.
이 플라즈마 발생 유닛은, 슬롯판(20)에 마련된 위치 결정 구멍을 통과하고, 유전체창(16)과 지파판 가이드 링(GR)의 사이에 마련된 제1 위치 고정 핀(P1)과, 온도 조절 재킷(26)과 지파판 가이드 링(GR)의 사이에 마련된 제2 위치 고정 핀(P2)을 구비하고 있다. 이 구조에 의하면, 제1 위치 고정 핀(P1)과 제2 위치 고정 핀(P2)에 의하여, 유전체창(16), 슬롯판(20), 지파판 가이드 링(GR)의 위치가 고정된다. 또한, 위치 고정 핀의 수는, 동일한 XY 평면 내에 있어서 복수이다.
또한, 온도 조절 재킷(26)과 지파판 가이드 링(GR)의 사이에는, 제2 스프링(SP2)이 개재되어 있다. 또, 내측 도체(31)과 슬롯판(20)의 사이에는, 제1 스프링(SP1)이 배치되어 있다.
슬롯판(20), 지파판 가이드 링(GR) 및 온도 조절 재킷(26)은, 이들 주위를 둘러싸서 지지하는 링 형상의 홀드 부재(RH)와, 홀드 부재(RH)에 고정된 링(R)을 구비하고 있다. 또한, 홀드 부재(RH) 및 링(R)은, 일체 형성되어도 된다. 또, 지파판 가이드 링(GR), 온도 조절 재킷(26), 홀드 부재(RH) 및 링(R) 중, 어느 2개 이상 혹은 모든 부품이, 일체 형성되어도 된다.
링(R)은, 상부 구조체의 주위에 고정된 구조체 지지용 링이며, 이 링(R)의 하부에는, 링(R)을 지지하여 상하로 이동 가능한 암(AM)이 배치되어 있다. 링(R)이 암(AM)의 상면에서 지지된 상태에서, 암(AM)을 상방으로 이동시키면, 링(R)은 상방으로 이동하고, 암(AM)을 하방으로 이동시키면, 링(R)은 하방으로 이동한다.
링(R)은, 처리 용기(2)의 상단 개구부 상에 위치하는 링 형상의 스페이서(2I) 상에 위치하고 있다. 스페이서(2I)는, 처리 용기(2)와 마찬가지로, 예를 들면 알루미늄으로 이루어지는 도전체, 혹은 SiO2나 알루미나 혹은 세라믹 등의 절연체로 이루어진다. 링(R)은, 스페이서(2I)에 대하여, 핀(A)에 의하여 수평 방향(XY 평면 내 방향)으로의 이동이 규제되고 있다. 즉, 핀(A)은, 스페이서(2I) 및 처리 용기(2)에 마련된 구멍 내에 삽입되어 있으며, 동시에, 링(R)의 관통 구멍을 관통하고 있다. 또한, 슬롯판(20)과 웨이퍼(W)의 간격은, 스페이서(2I)의 두께의 변경, 유전체창(16)의 두께의 변경, 혹은 유전체창(16)과 시일(15)의 사이에 새로운 스페이서를 삽입함으로써, 변경할 수 있다. 이로써, 확산 플라즈마 영역의 확대를 조정하여, 웨이퍼(W) 상에서의 전자 밀도의 감쇠량을 변경할 수 있다.
도 3은 플라즈마 처리 장치의 상부 구조체를 들어 올린 상태를 나타내는 도이다.
상부 구조체(US)는, 슬롯판(20), 지파판(25), 온도 조절 재킷(26), 동축 도파관(30), 모드 변환기(37), 및 직사각형 도파관(36)을 포함한다. 이하에서는, 설명의 명확화를 위하여, 동 도면의 점선 사각 내에서 나타나는 상부 구조체(US)를, 도 2와 같이 블록으로 나타내어 설명한다.
도 4는 도 3에 나타낸 구조를 간략화하여 나타내는 도이다.
유전체창(16) 중, 플라즈마 처리 장치에 구비된 때에 플라즈마를 생성하는 측이 되는 하측의 평탄면(146)의 직경 방향 외측 영역에는, 환 형상으로 이어지고, 유전체창(16)의 판두께 방향 내방 측을 향하여 테이퍼 형상으로 오목한 환 형상의 제1 오목부(147)가 마련되어 있다. 평탄면(146)은 유전체창(16)의 직경 방향의 중앙 영역에 마련되어 있다. 이 중앙의 평탄면(146)에는, 원형의 제2 오목부(153)가 둘레 방향을 따라 등간격으로 형성되어 있다. 환 형상의 제1 오목부(147)는, 평탄면(146)의 외경 영역으로부터 외경 측을 향하여 테이퍼 형상, 구체적으로는, 평탄면(146)에 대하여 경사진 내측 테이퍼면, 내측 테이퍼면으로부터 외경 측을 향하여 직경 방향으로 똑바로, 즉 평탄면(146)과 평행하게 뻗는 평탄한 바닥면, 바닥면으로부터 외경 측을 향하여 테이퍼 형상, 구체적으로는, 바닥면에 대하여 경사져 뻗는 외측 테이퍼면으로 구성되어 있다.
상부 구조체(US) 내에는, 슬롯판이 포함되어 있지만, 이 슬롯판과 제1 오목부(147) 및 제2 오목부(153)의 위치 맞춤 정밀도는, 플라즈마의 안정성에 영향을 준다. 또한, 슬롯판에 있어서의 슬롯 패턴은, 종래부터 다양한 것이 알려져 있으며, 또 유전체창(16)에 있어서의 오목부 형상도 다양한 것이 알려져 있다. 슬롯 패턴으로서는, 예를 들면 L자 형상의 슬롯을 원주를 따라 나열한 것 등이나, 슬롯의 길이 방향의 경사가, 둘레 방향을 따라 교대로 다른 것 등이 알려져 있다.
도 5는, 도 4에 나타낸 플라즈마 처리 장치를 위에서 본 도이며, 화살표 IV-IV선의 종단면 구조가 도 4의 구조가 된다.
링(R)은 포크 형상을 갖는 암(AM) 상에 배치되어 있다. 암(AM)의 기부(基部)는, 승강 장치(EL)에 고정되어 있으며, Z축 방향으로 이동할 수 있다. 승강 장치(EL)는, XY 평면 내에 있어서 회전하는 것도 가능하기 때문에, 암(AM)은, XY 평면 내에 있어서 이동할 수도 있다. 포크의 내측면은, 단차를 갖고 있기 때문에, 이 단차부의 하단의 면 상에 링(R)을 배치할 수 있다.
도 6은 도 5에 나타낸 플라즈마 처리 장치의 암 근방의 종단면(XZ 단면)을 나타내는 도이다.
Y축 방향에서 암(AM)을 본 도이며, 암(AM)의 단차부의 하단의 면(기준면(S)로 함) 상에, 나사(C)의 선단부가 맞닿아 있다. 나사(C)는, 링(R)에 마련된 나사 구멍을 통하여, 링에 비틀려 넣어지고, 선단부가, 암(AM)의 기준면(S)을 하방으로 누르고 있다. 나사(C)의 회전량에 따라, 링(R)과 암(AM)의 간격(Z 방향)을 조정하는 것이 가능하다. 링(R)에는, 핀(A)이 통과하는 관통 구멍도 마련되어 있다.
암(AM)의 초기 위치는, 기준면(S)이, Z축 방향의 초기 위치(Z0)에 있었다고 하면, 도 6에서는, 기준면(S)은 제2 위치(Z2)에 있다. 제2 위치(Z2)는, 링(R)이 접촉하는 스페이서(2I)의 상면의 위치, 제1 위치(Z1)보다 높은 위치에 있다. 초기 위치(Z0)로부터 암(AM)을 상승시키는 경우, 먼저, 나사(C)의 선단부에 기준면(S)이 맞닿고, 다음으로, 링(R)이 나사(C)에 하방으로부터 가해지는 힘에 의하여 상승한다.
장치의 메인터넌스가 종료된 후, 암(AM)은 하방으로 초기 위치(Z0)까지 내려가게 되는데, 암(AM)을 내리는 도중, 제1 위치(Z1)에서 일단 정지할 수 있다. 이 경우, 핀(A)이 링(R)의 관통 구멍을 통과하고 있지만, 링(R)의 하면으로부터 돌출되어 있는 나사(C)의 선단부의 길이만큼, 링(R)과 스페이서(2I)가 맞닿지 않고 이간되어 있다. 또, 나사(C)의 선단부에는, 회전 가능하게 지지된 볼이 매립되어 있다. 이로 인하여, 기준면(S) 상을 나사(C)의 선단부의 볼이 미끄러져, 링(R) 및 상부 구조체(US)를 수평으로 가동시킬 수 있다.
도 7은 나사(C)(클램핑·스크루)의 단면도이다.
나사(C)는, 선단부에 마련된 볼(C1)과, 볼을 지지하고, 주위에 나사산이 형성된 나사부(C2)와, 나사를 회전시키기 위하여 이용되는 평면 형상이 다각형인 헤드부(C3)로 구성되어 있다. 볼(C1)은, 어느 방향으로도 자유롭게 회전할 수 있다. 나사(C)는, 완전 볼 타입의 클램핑·스크루이다.
도 8은 나사를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 위에서 본 도이다. 도 9는, 도 8에 나타낸 플라즈마 처리 장치의 암 근방의 종단면(YZ 단면)을 나타내는 도이다. 도 8에 있어서의 화살표 VIV-VIV선의 종단면 구조가 도 9의 구조가 된다.
도 9에 있어서는, 1세트의 나사(C) 및 핀(D)의 근방에 있어서의 종단면 구성을 나타내고 있다. 도 10은 Y축 방향을 따라 이간된, 2세트의 나사(C) 및 핀(D)이 존재하는 경우의 종단면 구성을 나타내고 있다. 도면의 우측의 세트는, 도 8에 있어서의 승강 장치(EL)에 가장 가까운 C-D의 세트를, Z축을 중심으로 90도 회전시켜 나타내고 있는 것이라고 생각해도 된다. 이 경우에, 암(AM)을 초기 위치(Z0)로부터 상방(제1 위치(Z1) 혹은 제2 위치(Z2))로 밀어 올리면(도 9, 도 10), 나사(C)의 선단부가 암(AM)에 맞닿고, 암(AM)으로부터 뻗는 핀(D)은, 링(R)에 마련된 관통 구멍을 통과한다. 또한, 핀(D)의 형상은, 원기둥형의 샤프트의 주위에 1개의 원환이 마련된 형상이며, 원환 부분의 하면이 암(AM)의 기준면에 접촉하고 있다.
나사(C)는, 링(R) 상의 복수의 개소에 배치되어 있다. 상부 구조체의 자체 중량에 의하여, 암(AM)은 휘어, 링(R) 및 상부 구조체(US)가 경사지게 되는데, 복수 개소의 나사(C)의 각각의 회전수(나사 바로 아래의 링(R)의 하면과 기준면(S) 간의 거리(나사(C)의 하방으로의 돌출 거리))를 조정하고, 링(R)과 암(AM)의 간격을 조정함으로써, 상부 구조체를 수평으로 유지할 수 있다. 예를 들면, 승강 장치(EL)에 가까운 쪽의 나사(C)의 하방으로의 돌출 거리를, 승강 장치(EL)로부터 먼 쪽의 나사(C)의 하방으로의 돌출 거리보다 짧게 함으로써, 링(R)의 상면을 수평으로 유지하고, 따라서 상부 구조체(US)를 수평으로 유지할 수 있다. 이로 인하여, 나사(C)는 3개 이상이 바람직하다. 상세하게 설명하면, 평면은 3점(点)을 포함하므로, 나사의 수가 3개 이상이면, 나사가 규제하는 링(R)과 암(AM)의 사이의 거리를, 3개소에서 조정할 수 있으며, 따라서 나사 조정에 의하여, 링(R)의 상면을 수평으로 유지할 수 있다. 1개의 나사(C)의 근방에는 핀(D)이 마련되어 있다. 핀(D)은, 암(AM)의 기준면으로부터 상방으로 뻗어 있으며, 링(R)에 마련된 관통 구멍을 관통하고 있다. 즉, 핀(D)의 기능은, 링(R)의 XY 평면 내에서의 이동의 규제이지만, 상하 방향의 이동에 관해서는, 링(R)은 핀(D)으로부터는 자유롭다.
또한, 실시형태의 나사(C)와 핀(D)은, 각각 고정하는 측의 부재가 반대여도 된다.
유전체창(16)에 대하여, 상부 구조체(US)의 XY 평면의 위치 조정 및 수평도의 조정이 종료된 후, 암(AM)을 제1 위치(Z1)로부터 초기 위치(Z0)까지 내림으로써, 링(R)이 스페이서(2I)에 맞닿아, 나사(C)의 선단부와 암(AM)이 이간된다.
암(AM)이, 도 6 또는 도 11의 초기 위치(Z0)에 있는 경우(기준면(S)의 위치가 초기 위치(Z0)), 도 6의 핀(A)은, 링(R)을 관통하고, 또 링(R)의 그 외의 위치에 있어서, 핀(A)과는 별도로, 복수의 볼트(B)(도 8 중에서는 12개)에 의하여, 링(R)은 처리 용기(2)에 고정된다. 즉, 볼트(B)는, 도 6의 스페이서(2I)를 관통하여, 처리 용기(2)의 상단부에 마련된 나사 구멍 안에 비틀려 넣어져 있다. 이로써, 링(R)과 처리 용기(2)는, 구조적으로도 열적으로도 전기적으로도 안정적이다. 또 복수의 볼트(B)는, 등간격으로 배치되는 것이 바람직하다(도 8 중에서는, 각도 30도씩 배치하고 있다).
이상의 시공에 의하여, 상부 구조체의 자체 중량이나, 열에 의하여, 암(AM)과 링(R)의 상대 위치가 수평 방향으로 변화하고, 이들에 응력이 가해지는 경우에도, 이들 부재의 변형이나 위치 어긋남, 특히 상부 구조체(US)에 포함되는 슬롯판(20)의 위치에 대하여 XY 평면 내에서의 조정하는 것이 가능해져, 메인터넌스 전후에 있어서의 변형이나 위치 어긋남에 따른 플라즈마의 안정성의 저하를 억제하는 것이 가능해진다. 또, 나사(C)의 선단부와 암(AM)이 이간됨으로써, 링(R) 및 상부 구조체(US)가 암(AM)에 고정되지 않기 때문에, 프로세스 처리 시에 상부 구조체가 가열되어 열팽창이 발생해도, 가열되지 않는 암(AM)에 의하여 상부 구조체(US)가 변형되는 경우도 발생하지 않는다.
또한, 도 6 및 도 11과 같이, 암(AM)의 기준면(S)을 초기 위치(Z0)까지 내려, 링(R)이 스페이서(2I)에 맞닿았을 때, 링(R) 및 상부 구조체(US)의 자체 중량은, 암(AM)으로부터 스페이서(2I)로 이동하여, 암(AM)의 휨은 회복되지만, 링(R) 및 상부 구조체(US)가 암(AM)에 고정되지 않기 때문에, 암(AM)의 휨의 회복에 의한 나사(CX)를 통하여 링(R)을 밀어 올리는 힘이 발생하지는 않는다.
한편, 핀(D) 대신에, 볼트(D1)를 이용하고, 나사(C) 대신에 볼을 갖지 않는 볼트(나사(CX))를 이용한 경우, 이하와 같은 문제가 발생한다.
도 12는, 도 9와 동일 개소에 있어서의, 비교예에 관한 암 근방의 종단면(YZ 단면)을 나타내는 도이다. 도 13은 Y축 방향을 따라 이간된, 2세트의 나사(C) 및 핀(D)이 존재하는 경우의 종단면 구성을 나타내고 있다. 도면의 우측의 세트는, 도 8에 있어서의 승강 장치(EL)에 가장 가까운 C-D의 세트를, Z축을 중심으로 90도 회전시켜 나타내고 있는 것이라고 생각해도 된다.
볼트(D1)는, 당기는 나사이고, 암(AM)의 상면에 마련된 나사 구멍에 비틀려 넣어져 있으며, 조이면 링(R)과 암(AM)이 가까워진다. 나사(CX)는, 미는 나사이며, 비틀어 넣으면 링(R)과 암(AM)이 멀어지려고 하지만, 상기와 달리, 선단부는 볼이 아니다. 또한, 상기와 마찬가지로 볼트(D1) 및 나사(CX)는, 링(R) 상의 복수의 개소에 배치되어 있다.
이 경우, 도 12의 상태로부터, 암(AM)을 더 끌어올리려고 하면, 상부 구조체(US)의 중량을 암(AM)이 받게 되어, 암(AM)이 휘어, 링(R) 및 상부 구조체(US)가 경사져, 유전체창(16)과 상부 구조체(US)가 평행하지 않게 된다. 이로 인하여, 메인터넌스 후, 다시 암(AM)을 내리기 전에 복수의 볼트(D1) 및 나사(CX)에 의하여, 링(R) 및 상부 구조체(US)를 유전체창(16)에 대하여 수평이 되도록, 즉 링(R)의 상면이 수평이 되도록, 이들 볼트(D1) 및 나사(CX)를 조정한다(도 13). 단, 볼트(D1) 및 나사(CX)에 의하여, 암(AM)과 링(R)이 고정되어 있기 때문에, XY 평면 방향으로는 위치 조정을 할 수 없다. 또, 초기 위치(Z0)에 있어서도, 볼트(D1) 및 나사(CX)는 링(R)을 암(AM)에 고정하고 있다. 또한, 링(R)은 암(AM)에 고정되어 있으므로, 비교예에 있어서는, 초기 위치(Z0)와 제1 위치(Z1)의 거리는, 상기의 실시형태의 구조의 경우의 거리보다 짧아진다.
상기의 링(R)의 수평 조정 후, 암(AM)을 초기 위치(Z0)까지 내리면(도 14), 링(R)은, 도 6에 나타낸 스페이서(2I)에 맞닿아, 링(R) 및 상부 구조체(US)의 자체 중량은, 암(AM)으로부터 스페이서(2I)로 이동한다. 그렇게 되면 암(AM)의 휨은 회복되어, 나사(CX)를 통하여 링(R)을 밀어 올리는 힘(PF)이 발생한다. 이로 인하여, 경우에 따라서는, 이 밀어 올리는 힘(PF)에 의하여, 상부 구조체의 중량에 의한 암의 경사와는 반대 기울기의 경사가 지게 되어, 유전체창(16)과 상부 구조체(US), 특히 슬롯판(20)과의 평행을 유지할 수 없게 되어, 플라즈마의 안정성을 저해하는 요인이 된다.
이상 설명한 바와 같이, 상술한 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기(2)와, 처리 용기(2)의 상부에 마련되어, 그 하부 영역에 플라즈마를 발생시키는 상부 구조체(US)와, 상부 구조체(US)의 주위에 고정된 구조체 지지용 링(R)과, 링을 지지하며 상하로 이동 가능한 암(AM)을 구비하고, 링(R) 및 암(AM) 중 한쪽에 고정되며, 선단부가 다른 쪽에 맞닿는 나사(C)(볼트 포함)와, 링 또는 암에 마련되어, 링(R)의 수평 방향의 이동을 규제하는 구멍을 통과하는 핀(D)을 구비하고 있다.
이 경우, 상부 구조체(US)를 상방으로 이동시킬 때에, 상부 구조체(및 링(R))가, 자체 중량에 의하여 암(AM)이 휘어 경사졌다고 해도, 나사(C)에 의하여 상부 구조체를 수평으로 유지하도록 조정할 수 있고, 또 나사(C)의 선단부의 볼 구조에 의하여 수평 방향으로 조정할 수 있다. 이 구조에 의하면, 상부 구조체(US)를 하방으로 이동시켰을 때, 유전체창(16)에 대하여 상부 구조체의 위치 결정이 항상 정확하게 이루어져, 안정적으로 플라즈마가 발생한다.
또, 나사(C)의 선단부는, 회전 가능하게 지지된 볼로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 링(R)이 수평 방향으로 다소 이동해도, 볼의 존재에 의해, 상부 구조체에 불필요한 수평 방향의 힘이 가해지는 경우가 없기 때문에, 상부 구조체의 위치 결정이 정확하게 이루어져, 안정적으로 플라즈마가 발생한다.
도 15는 복수의 플라즈마 처리 장치를 갖는 시스템 구성도이다.
챔버로 이루어지는 반송 장치의 주위에는, 복수의 암(AM) 및 승강 장치(EL)이 배치되어 있다. 처리 대상인 웨이퍼는, 로드 록실로부터 반송 장치를 통하여, 플라즈마 처리 장치(1) 내에 반송된다. 여기에서, 암(AM)은, 수평면 내에 있어서 회전할 수 있으므로, 암(AM)은, 회전 후에, 반송 장치 상에 위치할 수도 있어, 스페이스를 유효 활용할 수 있다.
또한, 상술한 상부 구조체는, 마이크로파를 슬롯판에 조사함으로써, 유전체창의 바로 아래에 플라즈마를 발생시키는 것이었지만, 이들은 유전체창과 코일 안테나를 이용한 유도 결합형 플라즈마 처리 장치(ICP)나, 평행 평판을 이용한 평행 평판형 플라즈마 처리 장치로 하는 것도 가능하다. 유도 결합형 플라즈마 처리 장치의 경우, 예를 들면 코일 안테나를 포함하는 상부 구조체를 지지하게 되며, 평행 평판형 플라즈마 처리 장치의 경우, 예를 들면 평행 평판 전극의 한쪽을 포함하는 상부 구조체를 지지하게 된다. 즉, 본 발명은, 처리 용기의 상부에 위치하는 코일 안테나나 상부 전극에 고주파를 인가함으로써, 처리 용기 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치에도 적용 가능하다.
또, 나사(C)의 회전량에 따라, 링(R)과 암(AM)의 간격(Z 방향)의 조정을 가능하게 하고, 나사(C)의 선단부의 볼에 의하여, 암(AM)에 대한 링(R)의 XY 평면에 있어서의 위치 조정을 가능하게 하고 있지만, 나사 형상 혹은 볼트 형상에 한정되는 것은 아니며, 링(R)과 암(AM)의 위치 관계를, XY 방향 및 Z 방향으로 가변할 수 있으면, 대용되어도 된다. 또, XY 방향과 Z 방향을 각각 독립적으로 가변하도록, 기능이 나눠진 부위여도 된다.

Claims (3)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    처리 용기와,
    상기 처리 용기의 상부에 마련되어, 그 하부 영역에 플라즈마를 발생시키는 상부 구조체와,
    상기 상부 구조체의 주위에 고정된 구조체 지지용 링과,
    상기 링을 지지하며 상하로 이동 가능한 암을 구비하고,
    상기 링 및 상기 암 중 한쪽에 고정되며, 선단부가 다른 쪽에 맞닿는 나사와,
    상기 링 또는 상기 암에 마련되며, 상기 링의 수평 방향의 이동을 규제하는 구멍을 통과하는 핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 나사의 선단부는, 회전 가능하게 지지된 볼로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 나사의 수는 3개 이상인 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치.
KR1020180107587A 2017-09-15 2018-09-10 플라즈마 처리 장치 KR102583378B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017178099A JP2019053924A (ja) 2017-09-15 2017-09-15 プラズマ処理装置
JPJP-P-2017-178099 2017-09-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190031151A true KR20190031151A (ko) 2019-03-25
KR102583378B1 KR102583378B1 (ko) 2023-10-04

Family

ID=65720653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180107587A KR102583378B1 (ko) 2017-09-15 2018-09-10 플라즈마 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10971341B2 (ko)
JP (1) JP2019053924A (ko)
KR (1) KR102583378B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7296829B2 (ja) * 2019-09-05 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、処理方法、上部電極構造
US20230182248A1 (en) * 2021-12-10 2023-06-15 Kla Corporation Four-point tilt alignment wafer chuck
JP7510457B2 (ja) 2022-04-06 2024-07-03 株式会社アルバック プラズマ処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263278A (ja) * 1985-09-11 1987-03-19 Tlv Co Ltd 減圧弁
US20040082251A1 (en) * 2002-10-29 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing
KR20060129341A (ko) * 2004-01-16 2006-12-15 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치
JP2012216614A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2013016443A (ja) 2011-07-06 2013-01-24 Tokyo Electron Ltd アンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100638917B1 (ko) 2000-05-17 2006-10-25 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 부품의 조립 기구 및 그 조립 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263278A (ja) * 1985-09-11 1987-03-19 Tlv Co Ltd 減圧弁
US20040082251A1 (en) * 2002-10-29 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing
KR20060129341A (ko) * 2004-01-16 2006-12-15 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치
JP2012216614A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2013016443A (ja) 2011-07-06 2013-01-24 Tokyo Electron Ltd アンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10971341B2 (en) 2021-04-06
US20190088454A1 (en) 2019-03-21
JP2019053924A (ja) 2019-04-04
KR102583378B1 (ko) 2023-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101386552B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법과 플라즈마 에칭 처리 장치 및 방법
US9883549B2 (en) Substrate support assembly having rapid temperature control
TWI388001B (zh) 具有圓形地對稱於濺射靶材之ｒｆ及ｄｃ饋給的物理氣相沉積反應器
KR200479295Y1 (ko) 플라즈마 처리 챔버의 가동 기판 지지 어셈블리를 위한 소모성 격리 링
KR20190031151A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR980011769A (ko) 유도 결합된 hdp-cvd 반응기
US9324600B2 (en) Mounting table structure and plasma film forming apparatus
KR20190003370A (ko) 플라즈마 발생 유닛 및 플라즈마 처리 장치
JP2009187990A (ja) プラズマ処理装置
US20210327741A1 (en) Substrate support and substrate processing apparatus
JP7264576B2 (ja) 製造プロセスにおける超局所化及びプラズマ均一性制御
KR102523730B1 (ko) 이중 주파수 표면파 플라즈마 소스
US8558134B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US10847348B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5410882B2 (ja) プラズマエッチング処理装置とプラズマエッチング処理方法
JP2019149422A (ja) プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
KR102616555B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US11450545B2 (en) Capacitively-coupled plasma substrate processing apparatus including a focus ring and a substrate processing method using the same
US11488804B2 (en) Shower head assembly and plasma processing apparatus having the same
US20150096882A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US10312057B2 (en) Plasma processing apparatus
CN112185789A (zh) 蚀刻方法和等离子体处理装置
KR102684970B1 (ko) 포커스 링을 포함하는 용량성 결합 플라즈마 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
US20220375728A1 (en) Temperature control method and temperature control device
KR102500590B1 (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right