RU2670249C1 - Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур - Google Patents
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2670249C1 RU2670249C1 RU2017145282A RU2017145282A RU2670249C1 RU 2670249 C1 RU2670249 C1 RU 2670249C1 RU 2017145282 A RU2017145282 A RU 2017145282A RU 2017145282 A RU2017145282 A RU 2017145282A RU 2670249 C1 RU2670249 C1 RU 2670249C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- module
- unit
- substrate
- solenoidal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 101
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 17
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010584 magnetic trap Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical class FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEYLAWVXYZUVDD-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-5-(2-methylprop-2-enoylamino)benzoic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)NC1=CC=C(O)C(C(O)=O)=C1 XEYLAWVXYZUVDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGWIJUOSCAQSSV-XHDPSFHLSA-N (S,S)-hexythiazox Chemical compound S([C@H]([C@@H]1C)C=2C=CC(Cl)=CC=2)C(=O)N1C(=O)NC1CCCCC1 XGWIJUOSCAQSSV-XHDPSFHLSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- 241000463291 Elga Species 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован, например, для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что в реакторе для плазменной обработки полупроводниковых структур блок подачи и дозирования технологических газов выполнен в виде первого блока импульсной подачи и дозирования технологических газов 4. Причем в устройство введен второй газораспределительный модуль 24 со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 26 и с блоком синхронизации 28, при этом блок синхронизации 28 сопряжен с первым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 4, со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 26, с блоком подачи напряжения 12, с первым блоком питания 20 первой соленоидальной катушки 16 и со вторым блоком питания 21 второй соленоидальной катушки 17. Технический результат изобретения заключается в увеличении однородности и скорости плазмохимического травления на подложках диаметром более 100 мм, а также в обеспечении возможности реализации анизотропного селективного плазмохимического травления кремниевых структур в производстве МЭМС или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован, например, для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов.
Известен плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов, содержащий технологическую камеру, сопряженную со средствами откачки, в которой установлен подложкодержатель с первой продольной осью O-O1, на котором закреплена подложка, содержащий также геликонный источник плазмы, включающий разрядную камеру с первым торцом и вторым торцом, соленоидальную антенну, расположенную с внешней стороны разрядной камеры, крышку, расположенную со стороны первого торца разрядной камеры, а также газовую систему, сопряженную с крышкой, при этом источник плазмы в зоне второго торца разрядной камеры закреплен на технологической камере симметрично первой продольной оси O-O1, содержащий также магнитную систему, расположенную симметрично первой продольной оси O-O1 и включающую первую соленоидальную магнитную катушку и вторую соленоидальную магнитную катушку (патент RU 2293796). Существенным недостатком этого технического решения является неэффективное размещение соленодоидальных катушек, а именно, размещение их в зоне циллиндрической антенны. При таком размещении соленодоидальных катушек имеется возможность управлять характеристиками плазмы, в частности плотностью плазмы, только в зоне действия магнитных полей, то есть в разрядной камере, и достигать максимальных значений плотности плазмы возможно только в разрядной камере. Далее, на выходе из разрядной камеры плазма диффузно распространяется в технологическую камеру, где ее плотность значительно снижается. Такое техническое решение ухудшает функциональные возможности описанного устройства: в нем отсутствует возможность управлять характеристиками плазмы в зоне технологической камеры, а также отсутствует возможность управлять характеристиками осаждаемых покрытий, таким образом снижается равномерность и скорость осаждения покрытий.
Известен также реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащий вакуумную камеру, плазмообразующий модуль, включающий газораспределительный модуль с блоком подачи и дозирования технологических газов, при этом плазмообразующий модуль расположен в верхней части вакуумной камеры и соединен с ВЧ генератором, содержащий также модуль отвода газа, столик с подложкой, включающей верхнюю плоскость, расположенный в нижней части вакуумной камеры и соединенный с блоком подачи напряжения, содержащий также магнитную систему, состоящую из соосно расположенных первой соленоидальной катушки и второй соленоидальной катушки, причем первая соленоидальная катушка расположена в верхней части вакуумной камеры в области плазмообразующего модуля и соединена с первым блоком питания, а вторая соленоидальная катушка расположена ниже верхней плоскости подложки и соединена со вторым блоком питания, при этом плазмообразующий модуль расположен напротив подложки (патент RU 2408950). Это устройство выбрано в качестве прототипа предложенного решения.
Недостаток этого устройства заключается в том, что предложенная конструкция не обеспечивает приемлемую однородность и скорость плазмохимического травления на подложках диаметром более 100 мм, а так же не позволяет осуществлять анизотропное селективное травление кремниевых структур в производстве МЭМС или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов. Эти недостатки обусловлены тем, что система генерации плазмы выполнена в виде спирального плоского индуктора, система подвода газа не позволяет одновременную раздельную подачу технологических газов, а электрод-подложкодержатель (столик) не может быть размещен в области наибольшей плотности плазмы, вследствие отсутствия соответствующих приводов. Что снижает функциональные возможности устройства.
Задачей настоящего изобретения является обеспечение отечественных полупроводниковых производств производительным и прецизионным технологическим оборудованием с расширенными функциональными возможностями и предназначенного для выполнения технологических операций при изготовлении современных полупроводниковых приборов уровня 0,65-0,45 нм с использованием подложек диамером более 100 мм.
Технический результат изобретения заключается в увеличении однородности и скорости плазмохимического травления на подложках диаметром более 100 мм, а также - в обеспечении возможности реализации анизотропного селективного плазмохимического травления кремниевых структур в производстве МЭМС или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов.
Указанный технический результат достигается тем, что в реакторе для плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащем вакуумную камеру, плазмообразующий модуль, включающий первый газораспределительный модуль с блоком подачи и дозирования технологических газов, при этом плазмообразующий модуль расположен в верхней части вакуумной камеры и соединенн с ВЧ генератором, содержащий также модуль отвода газа, столик с подложкой, включающей верхнюю плоскость, расположенный в нижней части вакуумной камеры и соединенный с блоком подачи напряжения, содержащий также магнитную систему, состоящую из соосно расположенных первой соленоидальной катушки и второй соленоидальной катушки, причем первая соленоидальная катушка расположена в верхней части вакуумной камеры в области плазмообразующего модуля и соединена с первым блоком питания, а вторая соленоидальная катушка расположена ниже верхней плоскости подложки и соединена со вторым блоком питания, при этом плазмообразующий модуль расположен напротив подложки, блок подачи и дозирования технологических газов выполнен в виде первого блока импульсной подачи и дозирования технологических газов. При этом в устройство введен второй газораспределительный модуль со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов и с блоком синхронизации, причем блок синхронизации сопряжен с первым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов, со вторым блоком импульсной подачи и дозирования газов, с блоком подачи напряжением, с первым блоком питания первой соленоидальной катушки и со вторым блоком питания второй соленоидальной катушки.
Существует вариант, в котором в устройство введена третья соленоидальная катушка с первым модулем вертикальной подвижки и с третьим блоком питания, сопряженным с блоком синхронизации, при этом третья соленоидальная катушка расположена соосно с первой соленоидальной катушкой и второй соленоидальной катушкой таким образом, что верхняя плоскость подложки оказывается между нижней плоскостью А третьей солиноидальной катушки и верхней плоскостью В второй соленоидальной катушки.
Существует также вариант, в котором ВЧ генератор сопряжен с блоком синхронизации.
Существует также вариант, в котором второй газораспределительный модуль выполнен в виде кольца диаметром d1 с нижней плоскостью С и установлен соосно над подложкой диаметром d2 нижней плоскостью С на расстоянии h от ее верхней плоскости, при этом выполняются условия d2≤d1≤1.2d2, 0,01d1≤h≤0,2d2 или h≤Н/2 если 0,2d2≥Н, где Н расстояние между верхней плоскостью подложки и нижней границей плазмообразующего модуля.
Существует также вариант, в котором плазмообразующий модуль выполнен в виде цилиндрического спирального индуктора, расположенного на цилиндрической образующей трубы, выполненной из диэлектрического материала, причем первый газораспределительный модуль расположен в торцевой заглушке с отверстием, закрепленной на трубе.
Существует также вариант, в котором в устройство введен второй модуль вертикальной подвижки, сопряженный со вторым газораспределительным модулем.
Существует также вариант, в котором в устройство введен третий модуль вертикальной подвижки, сопряженный со столиком.
Существует также вариант, в котором второй газораспределительный модуль установлен с возможностью его оперативной замены.
На фиг. 1 изображена схема реактора для плазменной обработки полупроводниковых структур в общем виде.
На фиг. 2 изображен упрощенный вариант схемы выполнения плазмообразующего модуля с использованием цилиндрического спирального индуктора.
На фиг. 3 изображены графики распределения плотности ионного тока в плазменном реакторе вдоль плоскости подложки при различных значениях магнитной индукции в случае использования цилиндрического спирального индуктора (II) в сравнении с использованием плоской антенны (I), как у прототипа.
На фиг. 4 графически изображено распределение магнитного поля при включенных первой соленодоидальной катушки и второй соленодоидальной катушки.
На фиг. 5 изображено распределение плотности ионного тока вдоль оси O1-O2 при включенных первой соленодоидальной катушки и второй соленодоидальной катушки, а также различных значениях магнитной индукции.
На фиг. 6 изображена диаграмма области плазмохимического травления и плазмохимической полимеризации в зависимости от отношения фтора к углероду в химических соединениях рабочих газов и от напряжения смещения на столике с подложкой.
На фиг. 7 изображены РЭМ-снимки с результатами глубокого травления кремния на макетных образцах тестовой структуры (Бош процесс) на экспериментальном стенде реактора в смеси газов.
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур, содержит вакуумную камеру 1, предназначенную для создания рабочего давления в ней при использовании таких газов, как например, гексафторид серы SF6, фторидов углерода CXFY, аргона Ar. Реактор содержит также плазмообразующий модуль 2, включающий первый газораспределительный модуль 3 с первым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 4, который может быть выполнен в виде набора элементов для газового регулирования и коммутации, таких, как прецизионный регулятор расхода газа типа РРГ-10, регулятора давления типа РДМ, манометр и коммутирующий электромагнитный клапан. Плазмообразующий модуль 2 расположен в верхней части 5 вакуумной камеры 1 и соединен с ВЧ генератором 6, который является стандартным изделием и производится серийно, например, высокочастотный генератор Cesar (фирмы Advanced Energy). Реактор содержит также модуль отвода газа 7, со средствами откачки, в качестве которых может быть использованы турбомолекулярный насос типа STPA1300CV производительностью 1300 л/с, форвакуумная система сухой откачки типа iHX100, дроссельная заслонка типа 65046-PHCG(VAT), а также элементы измерения и регулирования вакуума. Реактор содержит также столик 8 с подложкой 9, включающей верхнюю плоскость 10. В качестве столика 8 можно использовать металлический диск, например, из нержавеющей стали. В качестве подложки 9 можно использовать кремниевую пластину. Столик 8 расположен в нижней части 11 вакуумной камеры 1 и соединен с блоком подачи напряжения 12, который может быть выполнен в виде стандартного высокочастотного генератора CX-600S (фирмы Comdel Inc.). Реактор содержит также магнитную систему, состоящую из соосно расположенных первой соленоидальной катушки 16 и второй соленоидальной катушки 17, каждая из которых может быть выполнена в виде конструкции, состоящей из цилиндрического каркаса из диэлектрического материала с намотанными на его внешнюю поверхность витками медной проволоки диаметром 1,5 мм. Первая соленодоидальная катушка 16 расположена в верхней части 5 вакуумной камеры 1 в области плазмообразующего модуля 2 и соединена с первым блоком питания 20, а вторая соленодоидальная катушка 17 расположена ниже верхней плоскости 10 подложки 9 и соединена со вторым блоком питания 21. Первый блок питания 20 и второй блок питания 21 являются стандартными изделиями, например, источниками питания ЕА Electroavtomatic EA-PS 8720-15. Плазмообразующий модуль 2 расположен напротив подложки 9. В качестве отличительных признаков реактор включает второй газораспределительный модуль 24 со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 26 и с блоком синхронизации 28. Второй блок импульсной подачи и дозирования технологического газа 26 может быть выполнен в виде набора элементов для газового регулирования и коммутации, таких, как прецизионный регулятор расхода газа типа РРГ-10, регулятора давления типа РДМ, манометр и коммутирующий электромагнитный клапан. Блок синхронизации 28 сопряжен с первым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 4, со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 26, с блоком подачи напряжением 12, с первым блоком питания 20 первой соленоидальной катушки 16 и со вторым блоком питания 21 второй соленоидальной катушки 17. Блок синхронизации 28 может быть выполнен в виде программируемого устройства, управляющего в автоматическом режиме заданным алгоритмом работы заявляемого изобретения. Таким устройством может быть программируемый контроллер AL2-24-15, фирмы Mitsubishi.
В одном из вариантов в реактор введена третья соленоидальная катушка 18 с первым модулем вертикальной подвижки 29 и с третьим блоком питания 22, сопряженным с блоком синхронизации 28, при этом третья соленоидальная катушка 18 расположена соосно с первой соленоидальной катушкой 16 и второй соленоидальной катушкой 17 таким образом, что верхняя плоскость 10 подложки 9 оказывается между нижней плоскостью А третьей соленоидальной катушки 18 и верхней плоскостью В второй соленоидальной катушки 17. Третья соленоидальная катушка 18 может быть выполнен в виде конструкции, состоящей из цилиндрического каркаса из диэлектрического материала с намотанными на его внешнюю поверхность витками медной проволоки диаметром 1,5 мм. Третий блок питания 22 является стандартным изделием, например, источником питания ЕА Electroavtomatic EA-PS 8720-15. Первый блок вертикальной подвижки 29 может быть выполнен в виде сервопривод НМСА.303313.012 (производство ОАО НИИТМ, Зеленоград, РФ).
В одном из вариантов ВЧ генератор 6 сопряжен с блоком синхронизации 28.
В одном из вариантов второй газораспределительный модуль 24 выполнен в виде кольца диаметром d1 с нижней плоскость С и установлен соосно над подложкой 9 диаметром d2 нижней плоскость С на расстоянии h от ее верхней плоскости 10, при этом выполняются условия d2≤d1≤1,2d2, 0,01d2≤h≤0,2d2 или h≤H/2 если 0,2d2≥Н, где Н расстояние между верхней плоскостью 10 подложки 9 и нижней границей плазмообразующего модуля 2. Второй газораспределительный модуль 24 может быть изготовлен из кварцевой, керамической или металлической трубки с вутренним диаметром 3-5 мм с отверстиями, направленными в центр кольца диаметром 0,5-2,5 мм. Диаметр подложки d2 может быть в диапазоне 50 мм - 450 мм. Величина расстояния h может быть в диапазоне 1 мм - 120 мм. Величина расстояния Н может быть в диапазоне 50 мм - 750 мм.
В основном варианте плазмообразующий модуль 2 выполнен в виде цилиндрического спирального индуктора 36, расположенного на цилиндрической образующей 38 трубы 39, выполненной из диэлектрического материала. Спиральный индуктор 36 может быть изготовлен из медной трубки и иметь следующие характеристики: диаметр трубки 10 мм, количество витков цилиндрической спирали 1-5. В качестве диэлектрического материала трубы 39 можно использовать кварц или специальную керамику типа нитрида алюминия (AlN). Толщина стенок трубы 39 может быть в диапазоне 3-7 мм. В этом варианте первый газораспределительный модуль 3 расположен в торцевой заглушке 40 с отверстием 41, и закреплен на трубе 39. Диаметр d3 отверстия 41 в заглушке 40 может быть в диапазоне d3≤0,6-0,8d4. Первый газораспределительный модуль 3 может представлять собой металлический диск с отверстием (не показано), соединенным с блоком подачи технологических газов 4. Подробно элементы плазмообразующего модуля показаны в [1].
В одном из вариантов в реактор введен второй модуль вертикальной подвижки 42, сопряженный со вторым газораспределительным модулем 24. В качестве второго модуля вертикальной подвижки 42 можно использовать сервопривод НМСА.303313.012 (производство ОАО НИИТМ, Зеленоград, РФ). Вертикальная подвижка второго газораспределительного модуля 24 может быть в диапазоне 0,1-0,5 Н.
В одном из вариантов в реактор введен третий модуль вертикальной подвижки 44, сопряженный со столиком 8. В качестве третьего модуля вертикальной подвижки 44 можно использовать сервопривод НМСА.303313.012 (производство ОАО НИИТМ, Зеленоград, РФ). Вертикальная подвижка столика 8 может быть в диапазоне 0,1-0,5 Н.
В одном из вариантов второй газораспределительный модуль 24 установлен с возможностью его оперативной замены. Для этого в нижней части 11 вакуумный камеры 1 могут быть установлены V-образные захваты (не показаны), сопряженные с первым модулем вертикальной подвижки 42.
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур работает следующим образом.
Рассмотрим вариант, когда в реакторе реализуется технологический процесс плазмохимического травления глубоких щелей в кремниевой подложке диаметром до 200 мм.
Подготовительные операции:
- Через загрузочный шлюз (в графических материалах не показан) в вакуумную камеру 1 на столике 8 размещают подложку 9.
- Используя модуль отвода газа 7 производят вакуумирование рабочего объема камеры 1 до необходимого уровня остаточного вакуума (например, до 1.10-4 Па).
- При помощи первого модуля вертикальной подвижки 29 устанавливают необходимое положение третьей соленодидальной катушки 18, при котором ее электромагнитное поле, совместно с электромагнитным полем второй соленодоидальной катушки 17 формирует магнитную ловушку в области верхней плоскости 10 подложки 9.
- При помощи третьего модуля вертикальной подвижки 44 устанавливают необходимую высоту Н между верхней частью 5 вакуумной камеры 1 и верхней плоскостью 10 подложки 9 (например, 50-750 мм).
- При помощи второго модуля вертикальной подвижки 42 устанавливают необходимую величину расстояния h между верхней плоскостью 10 подложки 9 и нижней плоскостью С второго газораспределительного модуля 24 (например, 1-120 мм).
- От первого 20 и второго 21 блоков питания задают необходимые значения токов на первой 16 и второй 17 соленодоидальных катушках (например, 5А, 7А соответственно).
- Подготавливают к работе первый блок импульсной подачи и дозирования технологических газов 4 и второй блок импульсной подачи и дозирования технологических газов 26 и устанавливают значения расходов газа в газовых магистралях. В зависимости от выбранного технологического режима, к блоку 4 подключаются плазмообразующий газ аргон и устанавливается его расход - 250-300 см3/мин и реактивные газы травления типа эльгаза SF6 или халодон14 CF4 и устанавливается расход - 240-260 см3/мин, а к блоку 26 подключаются полимеробразующие газы C2F4 или C4F8 и устанавливают их расход - 120-150 см3/мин.
- Подготавливают к работе ВЧ генератор 6 и блок подачи напряжения 12 в соответствии с инструкциями по эксплуатации на их работу.
- Подготавливают к работе блок синхронизации 28 в соответствии с инструкцией по эксплуатации на его работу.
- Посредством блока синхронизации 28 устанавливают последовательность включения и длительность работы элементов устройств, участвующих в выполнении технологического процесса.
- Через первый газораспределительный модуль 3 плазмообразующего модуля 2 по газовому каналу аргона (в графических материалах не показан) в вакуумную камеру 1 подают газ аргон и устанавливают рабочее давление в вакуумной камере 1 (например, 0,5-1,5 Па).
- Включают ВЧ генератор 6, после чего в плазмообразующем модуле 2 загорается плазменный разряд, который при помощи магнитных полей, формируемых первой 16 и второй 17 соленодоидальными катушками, образует в объеме вакуумной камеры 1 плазменный столб с повышенной плотностью плазмы.
Далее реализуют технологический процесс, при котором последовательность и длительность операций регулируется блоком синхронизации 28. Технологический процесс выполняют чередованием импульсов травления кремния через маску и импульсов осаждения полимерной пленки на поверхности отверстий, образовавшихся в процессе травления.
Импульсы травления, в процессе которых реализуется процесс травление кремния через маску. В течение импульса травления выполняются следующие операции, задаваемые блоком синхронизации 28.
- Через первый газораспределительный модуль 3 плазмообразующего модуля 2 по газовому каналу (в графических материалах не показан) подают реактивный газ травления (SF6, CF4 и др.), который создает в плазме атомы фтора, которые взаимодействуя, например, с кремниевой подложкой 9, производят изотропное травление кремния через лежащую на нем маску. Таким образом, в кремниевой подложке 9 формируются изотропное отверстие небольшой глубины, зависящей от длительность подачи травящего газа, которое может составлять от нескольких секунд до минуты.
- Одновременно включают блок подачи напряжения 12 и подают напряжение смещения на столик 8 в диапазоне минус 200-300 В, который обеспечивает бомбардировку и очистку дна отверстия травления от полимерной пленки, при сохранении ее на боковой поверхности.
- После окончания времени импульса травления обычно отключают канал подачи травящего газа (в графических материалах не показан) в блоке подачи и дозирования технологических газа 4
- Отключают блок подачи напряжения 12 и прекращают подачу напряжения смещения на столик 8, и напряжение на столике становится менее минус 50 В.
Импульс полимеризации, в процессе которого реализуется изотропное осаждения полимерной пленки на поверхности и в вытравленных отверстиях. В течение этого импульса выполняются следующие операции, задаваемые блоком синхронизации 28.
- Снижают мощность ВЧ генератора до необходимого значения (например, на 50% от заданного на импульсе травления).
- Включают второй блок импульсной подачи и дозирования полимеризующего газа 26, например, C4F8. В течение этого импульса полимерезующий газ взаимодействует с плазмой плазмообразующего модуля 2 с образование в результате плазмохимического процесса тонкой тефлоновая полимерной пленки типа F-C-F которая изотропно осаждается на поверхности и стенках кремниевых структур, протравленных в течение предыдущего импульса, что обеспечивает анизотропию травления при последующих импульсах травления.
- Для повышения эффективности плазмохимического процесса полимеризации под воздействием плазмы плазмообразующего модуля 2 одновременно с подачей полимеризующего газа от третьего блока питания 22 подают напряжение на третью соленодоидальную катушку 18 с установленным значением тока 5 А.
- После окончания времени импульса осаждения полимерной пленки отключают блок импульсной подачи и дозирования плазмообразующих газов 26 и третий блок питания 22 третьей соленодоидальной катушки 18. Мощность ВЧ генератора 6 повышают до исходного значения.
- Количество и время чередующихся импульсов травления и осаждения определяет глубину отверстий и скайлоп (неровность боковых стенок) в кремниевой структуре. На практике для травления отверстий глубиной до 100 мкм количество импульсов может составляет 100 до 1000.
- После завершения технологического процесса формирования глубоких отверстий в кремниевой подложке 9 устройство отключают. В том числе отключают: модуль отвода газа 7, ВЧ генератор 6, блоки питания 20, 21, 22, блоки импульсной подачи и дозирования технологических газов 4 и 26, модули вертикальной подвижки 44 и 42, блок подачи напряжения 12 и блок синхронизации 28.
На диаграмме фиг. 6 показаны области траления и полимеризации кремния в зависимости от отношения концентраций фтора к углероду (F/C) в области верхней плоскости 10 подложки 9 и напряжения смещения на верхней плоскости 10 подложки 9. Процесс плазмохимической полимеризации начинается когда отношение концентрации фтора к углероду становится меньше 3 при отсутствии напряжения смещения. При увеличении отрицательного смещения процесс полимеризации уходит область уменьшения отношений.
При реализации стандартного Бош процесса травления, происходит последовательный напуск в плазмообразующий модуль газа травления с подачей смещения на подложку 9, далее его откачка, снятие напряжения с подложки ь9 и подача полимеробразующего газа с последующей откачкой и дальнейшее проведение импульсов травления и полимеризации. В результате процессов откачки повышается расход реактивных газов, увеличивается время импульсов и формируется структура с большими скайлопами 47 (Фиг. 7), уменьшается, соответственно, и скорость травления.
На фиг. 7 представлена фотография, полученная на сканирующем электронном микроскопе, отверстий протравленных в Si на реакторе предлагаемой конструкции в смеси газов (Ar+CF4) и C4F8 в камере объемом 40 дм3, ВЧ 13б54МГц, 1,5 кВт., диаметр отверстия 10 мкм.
То, что в реакторе для плазменной обработки полупроводниковых структур блок подачи и дозирования технологических газов выполнен в виде первого блока импульсной подачи и дозирования технологических газов 4, а также то, что в реактор введен второй газораспределительный модуль 24 со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов газов 26 и с блоком синхронизации 28, при этом блок синхронизации 28 сопряжен с первым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 4, со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов 26, с блоком подачи напряжением 12, с первым блоком питания 20 первой соленоидальной катушки 16 и со вторым блоком питания 21 второй соленоидальной катушки 17, приводит к тому, что обеспечивается возможность проведения локального изменение отношения концентраций фтора к углероду, не во всем объеме реактора, а только в области верхней плоскости 10 подложки 9, реализуя анизатропное травления путем только периодической подачей полимеробразующего газа, импульсов смещения и импульсов управления без последовательных процессов объемной откачки газов, что повышает скорость и однородность процесса травления кремния и расширяет функциональные возможности технологического оборудования, в составе которого будет использован заявляемый реактор. Это особенно важно, когда процессы должны быть реализованы в камере с большим объемом.
То, что в устройство введена третья соленоидальная катушка 18 с первым блоком вертикальной подвижки 29 и с третьим блоком питания 22, сопряженным с блоком синхронизации 28, при этом третья соленоидальная катушка 18 расположена соосно с первой соленоидальной катушкой 16 и второй соленоидальной катушкой 17 таким образом, что верхняя плоскость 10 подложки 9 оказывается между нижней плоскостью А третьей солиноидальной катушки 18 и верхней плоскостью В второй соленоидальной катушки 17 приводит к тому, что магнитные поля, создаваемые соленодоидальными катушками 18 и 17 формируют в области подложки 9 магнитную ловушку - то есть конфигурацию магнитного поля, способную длительное время удерживать заряженные частицы или плазму в ограниченном объеме. Принцип удержания основан на взаимодействии заряженных частиц с магнитным полем [2].
Это позволяет значительно увеличить концентрацию плазмы в области верхней плоскости 10 обрабатываемой поверхности кремниевой подложки 9 и способствует интенсификации осаждения защитных пленок на стенках отверстий в кремниевых структурах, сформированных в течение предыдущего импульса травления. При этом блок синхронизации 28 позволяет включать третью соленодоидальную катушку 18 именно во время импульса осаждения полимерной пленки и отключать после завершения этого импульса. Таким образом, увеличение концентрации плазмы в области верхней плоскости 10 обрабатываемой поверхности кремниевой подложки 9 приводит к увеличению скорости осаждения защитных пленок на стенках отверстий в кремниевых структурах.
То, что ВЧ генератор 6 сопряжен с блоком синхронизации 28 приводит к тому, что изменение мощности ВЧ генератора на импульсах осаждения происходит в соответствии с заданным алгоритмом выполнения технологического процесса. При этом снижение мощности ВЧ генератора 6 во время импульсов осаждения позволяет снижать энергию ионов в направлении осаждаемых защитных пленок, чем снижается интенсивность процесса их распыления, который идет параллельно с процессом осаждения. Это способствует увеличению скорости осаждения защитных пленок на стенках отверстий в кремниевых структурах.
То, что второй газораспределительный модуль 24 выполнен в виде кольца диаметром d с нижней плоскостью С и установлен соосно над с подложкой 9 диаметром D нижней плоскостью С на расстоянии h от ее верхней плоскости 10, при этом выполняются условия d2≤d1≤1,2d2, 0,01d≤h≤0,2d2 или ≤H/2 если 0,2d2≥Н, где Н расстояние между верхней плоскостью 10 подложки 9 и нижней границей плазмообразующего модуля 2 приводит к тому, что увеличивается однородность и скорость плазмохимического травления на подложках диаметром более 100 мм, а также - обеспечивается возможность реализации анизотропного селективного плазмохимического травления кремниевых структур. Это происходит из-за того, что в области верхней плоскости 10 подложки 9 можно изменять химический состав плазмы без изменения состава газов, подаваемых из первого газораспределительного модуля 3. При этом выполнение указанных соотношений обеспечивает необходимое и достаточное распределение плазмы в зоне верхней плоскости 10 подложки 9.
То, что плазмообразующий модуль 2 выполнен в виде цилиндрического спирального индуктора 36, расположенного на цилиндрической образующей 38 трубы 39, выполненной из диэлектрического материала, причем первый газораспределительный модуль 3 расположен в торцевой заглушке 40 с отверстием 41, закрепленной на трубе 39, приводит к тому, что равномерность, как травления кремния, так и осаждения полимерных пленок повышается вследствие более равномерного распределения плотности ионного тока вдоль подложки 9, по сравнению с прототипом, где плазма формируется с использованием плоского индуктора. На фиг. 3 показано распределение плотности ионного тока по диаметру в области подложки 9 в случае использования плоского (I) и цилиндрического (II) спирального индуктора. Из приведенных графиков видно, что при использовании цилиндрического спирального индуктора 36 распределение плотности ионного тока (II) по диаметру в области подложки 9 значительно более равномерное, чем распределение плотности ионного тока (I) там же в случае плоского индуктора. Это в основном, и определяет увеличение равномерности травления и осаждения при использовании цилиндрического спирального индуктора 36.
То, что в устройство введен второй модуль вертикальной подвижки 42, сопряженный со вторым газораспределительным модулем 24, а также третий модуль вертикальной подвижки 44, сопряженный со столиком 8 позволяет перемещать конструкцию, состоящую из столика 8 с подложкой 9 и второго газораспределительного модуля 24 по оси O1-O2, размещая их в оптимальной зоне, например, в области наибольшей плотности ионного тока, где имеют место максимальные значения скорости травления кремния и осаждения полимерных пленок. На фиг. 5 показаны результаты измерений зависимости плотности ионного тока (I) от места расположения измерительного лонгмюровского зонда при различных значениях магнитной индукции. Особенности зондовых измерений в плазме пониженного давления приведены в [3].
Из выполненных измерений следует, что при различных значениях магнитной индукции, создаваемой первой 16 и второй 17 соленодоидальными катушками, имеются наиболее оптимальные области размещения подложки 9 по оси O1-O2, где и следует ее размещать. Например, в нашем случае при необходимости использования плазмы с максимальными значениями ионного тока, подложка 9 может быть размещена на расстоянии Н=300 мм или на расстоянии Н=110 мм, где значения ионного тока максимальны. Возможность размещать обрабатываемую подложку 9 в наиболее оптимальной области может быть реализована при использовании модулей вертикальной подвижки 42 и 44. Эта возможность позволяет размещать подложку 9 в области, где путем предварительных настроечных экспериментов, определена возможность получать наиболее оптимальные значения скорости, равномерности и селективности процессов плазмохимического травления, а также скорости и равномерности плазмохимического осаждения.
То, что в устройство введен второй модуль вертикальной подвижки 42, сопряженный со вторым газораспределительным модулем 24, а также - введен третий модуль вертикальной подвижки 44, сопряженный со столиком 8 позволяет регулировать и оптимизировать величины h и Н для повышения однородности и скорости плазменного травления.
То, что второй газораспределительный модуль 24 установлен с возможностью его оперативной замены приводит к повышению однородности и скорости плазменного травления за счет применения газораспределительных модулей, выполненных с учетом используемых газов.
Источники информации
1. Патент US 5487785.
2. Лебедев Ю.А. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗОНДЫ В ПЛАЗМЕ ПОНИЖЕННОГО ДАВЛЕНИЯ. Институт нефтехимического синтеза им А.В. Топчиева РАН, 2011 г.
[3]. Брушлинский К.В., Савельев В.В. Магнитные ловушки для удержания плазмы // Математическое моделирование. - 1999. - Т. 11. - №. 5. - С. 3-36.
Claims (8)
1. Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащий вакуумную камеру (1), плазмообразующий модуль (2), включающий первый газораспределительный модуль (3) с блоком подачи и дозирования технологических газов, при этом плазмообразующий модуль (2) расположен в верхней части (5) вакуумной камеры (1) и соединен с ВЧ-генератором (6), содержащий также модуль отвода газа (7), столик (8) с подложкой (9), включающей верхнюю плоскость (10), расположенный в нижней части (11) вакуумной камеры (1) и соединенный с блоком подачи напряжения (12), содержащий также магнитную систему, состоящую из соосно расположенных первой соленоидальной катушки (16) и второй соленоидальной катушки (17), причем первая соленоидальная катушка (16) расположена в верхней части (5) вакуумной камеры (1) в области плазмообразующего модуля (2) и соединена с первым блоком питания (20), а вторая соленоидальная катушка (17) расположена ниже верхней плоскости (10) подложки (9) и соединена со вторым блоком питания (21), при этом плазмообразующий модуль (2) расположен напротив подложки (9), отличающийся тем, что блок подачи и дозирования технологических газов выполнен в виде первого блока импульсной подачи и дозирования технологических газов (4), в устройство введен второй газораспределительный модуль (24) со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов (26) и с блоком синхронизации (28), при этом блок синхронизации (28) сопряжен с первым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов (4), со вторым блоком импульсной подачи и дозирования технологических газов (26), с блоком подачи напряжения (12), с первым блоком питания (20) первой соленоидальной катушки (16) и со вторым блоком питания (21) второй соленоидальной катушки (17).
2. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что в него введена третья соленоидальная катушка (18) с первым модулем вертикальной подвижки (29) и с третьим блоком питания (22), сопряженным с блоком синхронизации (28), при этом третья соленоидальная катушка (18) расположена соосно с первой соленоидальной катушкой (16) и второй соленоидальной катушкой (17) таким образом, что верхняя плоскость (10) подложки (9) оказывается между нижней плоскостью А третьей соленоидальной катушки (18) и верхней плоскостью В второй соленоидальной катушки (17).
3. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что ВЧ-генератор (6) сопряжен с блоком синхронизации (28).
4. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что второй газораспределительный модуль (24) выполнен в виде кольца диаметром d1 с нижней плоскостью С и установлен соосно над подложкой (9) диаметром d2 нижней плоскостью С на расстоянии h от ее верхней плоскости (10), при этом выполняются условия d2≤d1≤1,2d2, 0,01d1≤h≤0,2d2 или h≤Н/2, если 0,2d2≥Н, где Н расстояние между верхней плоскостью (10) подложки (9) и нижней границей плазмообразующего модуля (2).
5. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что плазмообразующий модуль (2) выполнен в виде цилиндрического спирального индуктора (36), расположенного на цилиндрической образующей (38) трубы (39), выполненной из диэлектрического материала, причем первый газораспределительный модуль (3) расположен в торцевой заглушке (40) с отверстием (41), закрепленной на трубе (39).
6. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что в него введен второй модуль вертикальной подвижки (42), сопряженный со вторым газораспределительным модулем (24).
7. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что в него введен третий модуль вертикальной подвижки (44), сопряженный со столиком (8).
8. Реактор по п. 1, отличающееся тем, что второй газораспределительный модуль (24) установлен с возможностью его оперативной замены.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017145282A RU2670249C1 (ru) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017145282A RU2670249C1 (ru) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2670249C1 true RU2670249C1 (ru) | 2018-10-19 |
Family
ID=63862387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017145282A RU2670249C1 (ru) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2670249C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2714864C1 (ru) * | 2019-06-10 | 2020-02-19 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2753823C1 (ru) * | 2020-12-21 | 2021-08-23 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур |
| RU2814510C1 (ru) * | 2023-09-20 | 2024-02-29 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ травления карбида кремния |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2133998C1 (ru) * | 1998-04-07 | 1999-07-27 | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| WO2002097854A2 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Plasma Tech Co., Ltd. | Plasma reactor |
| RU2293796C2 (ru) * | 2005-01-11 | 2007-02-20 | Институт микроэлектроники и информатики РАН | Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов |
| RU2408950C1 (ru) * | 2009-10-13 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет), (МИЭТ) | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2483501C2 (ru) * | 2010-07-30 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Плазменный реактор с магнитной системой |
-
2017
- 2017-12-22 RU RU2017145282A patent/RU2670249C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2133998C1 (ru) * | 1998-04-07 | 1999-07-27 | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| WO2002097854A2 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Plasma Tech Co., Ltd. | Plasma reactor |
| RU2196395C1 (ru) * | 2001-05-30 | 2003-01-10 | Александров Андрей Федорович | Плазменный реактор и устройство для генерации плазмы (варианты) |
| RU2293796C2 (ru) * | 2005-01-11 | 2007-02-20 | Институт микроэлектроники и информатики РАН | Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов |
| RU2408950C1 (ru) * | 2009-10-13 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет), (МИЭТ) | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2483501C2 (ru) * | 2010-07-30 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Плазменный реактор с магнитной системой |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2714864C1 (ru) * | 2019-06-10 | 2020-02-19 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" | Реактор плазменной обработки полупроводниковых структур |
| RU2753823C1 (ru) * | 2020-12-21 | 2021-08-23 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" | Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур |
| RU2816689C1 (ru) * | 2023-07-31 | 2024-04-03 | Леонид Александрович Мочалов | Способ получения тонких пленок вида Pb-Ch-Ch и устройство для его реализации |
| RU2814510C1 (ru) * | 2023-09-20 | 2024-02-29 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ травления карбида кремния |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI822617B (zh) | 射頻產生器及用於產生射頻訊號的方法 | |
| US10090160B2 (en) | Dry etching apparatus and method | |
| US9502219B2 (en) | Plasma processing method | |
| US8753474B2 (en) | Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive couple plasma reactor | |
| KR101941828B1 (ko) | 플라즈마 에칭 프로세스를 위한 급속하고 균일한 가스 스위칭 | |
| US11742184B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| KR100812829B1 (ko) | 플라즈마 성막 장치 및 플라즈마 성막 방법 | |
| KR101164829B1 (ko) | 일 세트의 플라즈마 처리 단계를 튜닝하는 방법 및 장치 | |
| US8008596B2 (en) | Plasma processing apparatus and electrode used therein | |
| TWI645442B (zh) | Plasma processing device | |
| US20100003827A1 (en) | Method and device for etching a substrate by means of plasma | |
| JP5819154B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| US20220238313A1 (en) | Apparatus for plasma processing and method of etching | |
| KR20170101952A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법 | |
| KR20170129054A (ko) | 에칭 방법 | |
| KR20150024277A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN110416116B (zh) | 蚀刻装置和蚀刻方法 | |
| TW201712146A (zh) | 氣體供給系統、氣體供給控制方法及氣體置換方法 | |
| RU2670249C1 (ru) | Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур | |
| TWI712342B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| US20160372306A1 (en) | Method for Controlling Plasma Uniformity in Plasma Processing Systems | |
| TWI446439B (zh) | 電漿處理方法 | |
| TWI656558B (zh) | Cleaning method of plasma processing device and plasma processing device | |
| US11450515B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR20070116505A (ko) | 반도체 기판 처리장치 |