JP7419483B2 - 一体型サーマルチョークによる高温ｒｆ接続 - Google Patents

Description

最新世代のプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセスでは、高周波電力の増加が必要である。この増加した電力要件は、既存の電気コネクタおよび導体の限界を超えている。高い周囲温度、ならびに導体および接続を流れる電流による加熱により、一般的に使用されている構成要素の能力を超える温度条件が発生する。

一部の現在のＰＥＣＶＤプロセスの電気接続は、ねじ山および予圧されたばね座金を使用している。ねじ式電気接続の制限の１つは、ねじによって提供される電気的接触部分が不十分で機器間で一定のレベルを保ち得ないことである。これにより、接続のさらなる電気的な抵抗加熱が引き起こされる。ねじ式電気接続のもう１つの制限は、無線周波数（ＲＦ）台座ロッドのねじが非常に脆く、ごく軽いトルクで締め付ける必要があり、そうでなければねじが破損してしまうことである。この軽いトルクでは、高電力の電気接続に必要な電気的接触を提供することができない。

他の市販の電気コネクタは、電気的接触を行うためにばね力に依存している。これらのコネクタは、摂氏約１５０～２００度までの温度で使用することができる。高周波電力の増加を必要とするＰＥＣＶＤプロセスでは、通常はセラミック台座を使用するため、電気コネクタが機能しなければならない環境は、摂氏３００～３５０度の範囲となり得る。

実施形態はこのような状況で生じるものである。

例示的な実施形態では、無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理システムの基板支持体に接続する際に使用するためのサーマルチョークロッドは、基板支持体に結合されるＲＦロッドに接続するための第１のコネクタおよびＲＦ源に結合するＲＦストラップに接続するための第２のコネクタを有する管状部材を含む。管状セグメントは、内径を有し、第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる。第１のコネクタは、管状セグメントの内面に連続する内面を有し、第１のコネクタは、第１のコネクタの内面から第１のコネクタの外面へと管状セグメントに向かう方向にテーパ状である円錐形状の端部領域を有する。第１のコネクタは、第１のコネクタの終端から所定の距離に沿って第１のコネクタの壁厚を貫通する複数のスリットを有する。管状セグメントの外面は、第１のコネクタに近接するねじ領域を有しており、前記ねじ領域は、環状キャップとねじ係合するためのものであり、前記環状キャップは、第１のコネクタ上に嵌合するように構成され、かつ、第１のコネクタの円錐形状の端部領域との接触時に第１のコネクタの内径を減少させるように構成される。

一実施形態では、環状キャップは、第１のコネクタに近接するねじ領域とねじ係合するための内側ねじ領域、および第１のコネクタの円錐形状の端部領域と合わさるように構成される内側テーパ壁を有する。一実施形態では、第２のコネクタは、内側ねじ領域を有し、サーマルチョークロッドは、ＲＦストラップをサーマルチョークロッドの第２のコネクタに接続するように構成されるねじ式機械的締結具をさらに含む。一実施形態では、ねじ式機械的締結具は、ボルトまたは小ねじのいずれかである。

一実施形態では、サーマルチョークロッドは、低い熱伝導率を有する基材で形成され、基材は、高導電性材料でめっきされる。一実施形態では、低い熱伝導率を有する基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含み、基材上にめっきされた高導電性材料は、金を含む。

別の例示的な実施形態では、プラズマ処理システムが提供される。プラズマ処理システムは、プラズマ処理チャンバに接続された第１の端部および無線周波数（ＲＦ）源からＲＦ信号を受信するための第２の端部を有するＲＦ入力ロッドを含む。前記システムはまた、第１のコネクタと、第２のコネクタと、これら第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメントとを有するサーマルチョークロッドを含む。第１のコネクタは、管状セグメントの内面に連続する内面を有する。さらに、第１のコネクタは、第１のコネクタの内面から第１のコネクタの外面へと管状セグメントに向かう方向にテーパ状である円錐形状の端部領域を有する。第１のコネクタはまた、第１のコネクタの終端から所定の距離に沿って第１のコネクタの壁厚を貫通する複数のスリットを有する。管状セグメントの外面は、第１のコネクタに近接するねじ領域を有する。第１のコネクタは、ＲＦ入力ロッドの第２の端部を受容するように構成され、第２のコネクタは、ＲＦストラップに接続するように構成される。環状キャップは、第１のコネクタ上に嵌合するように構成され、かつ、第１のコネクタの円錐形状の端部領域との接触時に第１のコネクタの内径を減少させるように構成される。前記システムはまた、ＲＦストラップに結合されたＲＦ源を含む。

一実施形態では、プラズマ処理チャンバは、処理領域を含み、プラズマ処理システムは、チャンバ内で処理領域の下に配置された基板支持体をさらに含む。この実施形態では、ＲＦ入力ロッドは、基板支持体に結合される。

一実施形態では、環状キャップは、第１のコネクタに近接するねじ領域とねじ係合するための内側ねじ領域、および第１のコネクタの円錐形状の端部領域と合わさるように構成される内側テーパ壁を有する。一実施形態では、第２のコネクタは、内側ねじ領域を有し、サーマルチョークロッドは、ＲＦストラップをサーマルチョークロッドの第２のコネクタに接続するように構成されるねじ式機械的締結具をさらに含む。一実施形態では、ねじ式機械的締結具は、ボルトまたは小ねじのいずれかである。

一実施形態では、サーマルチョークロッドは、低い熱伝導率を有する基材で形成され、基材は、高導電性材料でめっきされる。一実施形態では、低い熱伝導率を有する基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含み、基材上にめっきされた高導電性材料は、金を含む。

さらに別の例示的な実施形態では、無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理チャンバに接続するための方法が提供される。前記方法は、第１のコネクタと、第２のコネクタと、これら第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメントとを有するサーマルチョークロッドを準備することを含み、第１のコネクタは、管状セグメントの内面に連続する内面を有する。前記方法はまた、無線周波数（ＲＦ）入力ロッドの第１の端部をサーマルチョークロッドの第１のコネクタに挿入し、ＲＦ入力ロッドの第１の端部をサーマルチョークロッド内の所定の場所に位置決めすることを含み、ＲＦ入力ロッドは、プラズマ処理チャンバに結合される第２の端部を有する。さらに、前記方法は、第１のコネクタを圧縮して第１のコネクタの内径を減少させ、第１のコネクタの内面をＲＦ入力ロッドの外面に接触させて押し付け、ＲＦ入力ロッドに機械的に固定することを含む。前記方法はまた、無線周波数（ＲＦ）ストラップをサーマルチョークロッドの第２のコネクタに取り付けることを含み、ＲＦストラップは、ＲＦ源に結合される。

一実施形態では、サーマルチョークロッドを準備することは、低い熱伝導率を有する基材を含むサーマルチョークロッドを準備することを含み、基材は、高導電性材料でめっきされる。一実施形態では、低い熱伝導率を有する基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含み、基材上にめっきされた高導電性材料は、金を含む。

一実施形態では、第１のコネクタの内径を減少させるために第１のコネクタを圧縮することは、第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面を、第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面と合わさるように構成されるテーパ面と接触させることを含む。一実施形態では、第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面と合わさるように構成されるテーパ面は、第１のコネクタ上に嵌合するように構成された環状キャップの内面である。

一実施形態では、ＲＦ入力ロッドの第１の端部が位置決めされるサーマルチョークロッド内の所定の場所は、第１のコネクタと、管状セグメントの一部とを含む。一実施形態では、ＲＦストラップをサーマルチョークロッドの第２のコネクタに取り付けることは、機械的締結具をサーマルチョークロッドの第２のコネクタに取り付けることを含む。

本明細書における開示の他の態様および利点は、本開示の原理を例として示す添付の図面と併せて、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。

図１は、一実施形態による、堆積動作に使用されるプラズマ処理システムを示す簡略化された概略断面図である。

図２は、一実施形態による、ＲＦ入力ロッドに接続されるプロセスにおけるサーマルチョークロッドの断面図である。

図３Ａは、一実施形態による、サーマルチョークロッドをＲＦ入力ロッドに接続するプロセスを示す拡大断面図である。 図３Ｂは、一実施形態による、サーマルチョークロッドをＲＦ入力ロッドに接続するプロセスを示す拡大断面図である。

図４Ａは、一実施形態による、サーマルチョークロッドの部分斜視図である。

図４Ｂは、別の実施形態による、サーマルチョークロッドの部分斜視図である。

図５は、一実施形態による、サーマルチョークロッドに接続されたＲＦ入力ロッドを示す切り欠き斜視図である。

図６は、例示的な実施形態による、無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理チャンバに接続する際に実施される方法動作を示す流れ図である。

以下の説明では、例示的な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、例示的な実施形態は、これらの具体的な詳細の一部がなくても実施され得ることが当業者には明らかであろう。他の例では、プロセスの動作および実施態様の詳細が既に周知である場合、詳細な説明はしていない。

本発明の実施形態は、無線周波数（ＲＦ）入力ロッドをＲＦ源に電気的に接続するための強力なクランプ力を提供するコレット接続を有するサーマルチョークロッドを提供する。サーマルチョークロッドはまた、台座および電流抵抗加熱によって生成される高熱を、上流に位置する敏感な電気的構成要素から隔離する役割も果たす。この熱的機能性は、低い熱伝導率および耐高温能力を有する基材からサーマルチョークロッドを形成することによって実現される。電力の伝導に必要な導電性をサーマルチョークロッドに与えるために、基材は高導電性材料と併せて使用され、一実施形態では、高導電性材料が基材上にめっきされる。

図１は、一実施形態による、堆積動作に使用されるプラズマ処理システムを示す簡略化された概略断面図である。プラズマ処理システム１００は、チャンバ１０２を含んでおり、このチャンバ１０２内に、プロセスガスが流れることができる複数の開口部１０４ａを有するガス分配シャワーヘッド１０４、および基板支持体１０６が配置される。チャンバ１０２は、シャワーヘッド１０４と基板支持体１０６との間に位置する処理領域１０８を有する。プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセスの場合、基板支持体１０６は、堆積中に基板（例えば、ウエハ）を支持するための台座とすることができる。基板支持体１０６内には基板を加熱するためのヒータ１１０が設けられており、各ヒータは、交流（ＡＣ）発生器に結合される。無線周波数（ＲＦ）入力ロッド１１４の一方の端部は、基板支持体１０６に結合され、基板支持体の一部（例えば、台座）を形成する電極にＲＦ電力を提供する。ＲＦ入力ロッド１１４の他方の端部は、環状キャップ１１６ａを含むサーマルチョークロッド１１６に接続される。サーマルチョークロッドについては、後ほど、図２、図３Ａ～図３Ｂ、図４Ａ～図４Ｂ、および図５を参照してさらに詳細に説明する。

サーマルチョークロッド１１６には、無線周波数（ＲＦ）ストラップ１１８も接続される。ＲＦストラップ１１８は、適切なワイヤコネクタを介してインピーダンス整合ネットワーク１２０に結合される。１つまたは複数のＲＦ発生器を含む無線周波数（ＲＦ）発生器システム１２２は、適切なワイヤコネクタを介してインピーダンス整合ネットワーク１２０に結合される。動作中、ＲＦ発生器システム１２２は、インピーダンス整合ネットワーク１２０の入力に送信されるＲＦ信号を生成する。インピーダンス整合ネットワーク１２０は、整合ネットワークの出力に結合された負荷のインピーダンスを整合ネットワークの入力に結合されたソースのインピーダンスと整合させ、修正ＲＦ信号を生成する。修正ＲＦ信号は、インピーダンス整合ネットワーク１２０からワイヤコネクタおよびＲＦストラップ１１８を介してサーマルチョークロッド１１６に送信される。次いで修正ＲＦ信号（ＲＦ電流）は、その大部分がサーマルチョークロッド１１６の外面に沿って伝導され、図２、図３Ａ、および図３Ｂを参照して以下でより詳細に説明されるように、サーマルチョークロッドがＲＦ入力ロッドと接触する場所で形成された電気接続を介してＲＦ入力ロッド１１４に送信される。

図２は、一実施形態による、ＲＦ入力ロッドに接続されるプロセスにおけるサーマルチョークロッドの断面図である。図２に示すように、サーマルチョークロッド１１６は、第１のコネクタ１１６－１と、第２のコネクタ１１６－２と、これら第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメント１１６ｘとを含む。管状セグメント１１６ｘは、内径を有する。一実施形態では、内径は、約０．１２５インチ（３．１７５ｍｍ）～約０．１５６インチ（３．９６２ｍｍ）の範囲にある。本明細書で使用する場合、「約」および「およそ」という用語は、指定されたパラメータが妥当な公差内（例えば、±２０％）で変動する可能性があることを意味する。第１のコネクタ１１６－１の内面は、管状セグメント１１６ｘの内面に連続する。一実施形態では、第１のコネクタ１１６－１の内径は、管状セグメント１１６ｘの内径よりも小さい。これは、厳しい公差で局所的に機械加工された部分を界面領域内に設けることを可能にし、また、以下でより詳細に説明するように、サーマルチョークロッドがＲＦ入力ロッド上に完全に摺動されたときを知らせる段差を提供する。第１のコネクタ１１６－１の壁厚は、管状セグメント１１６ｘの壁厚よりも小さくする。一実施形態では、管状セグメント１１６ｘの壁厚は、およそ０．２５０インチ（６．３５ｍｍ）であり、第１のコネクタ１１６－１の壁厚は、およそ０．２０５インチ（５．２０７ｍｍ）である。第１のコネクタ１１６－１の壁厚を小さくすることにより、圧縮力を与えて第１のコネクタの内径を減少させることが可能となる。この点については、以下でより詳細に説明する。

第１のコネクタ１１６－１の端部領域は、第１のコネクタの内面から第１のコネクタの外面へと管状セグメント１１６ｘに向かう方向にテーパ状である円錐形状を有する。一実施形態では、円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚは、水平基準線に対して約１０度～約３０度の角度で配置される。環状キャップ１１６ａとのねじ係合を可能にするために、管状セグメント１１６ｘの外面には、第１のコネクタ１１６－１に近接して、またはその近くにねじ領域１１６ｘ－１が設けられる。図２の例では、ねじ領域１１６ｘ－１は、第１のコネクタ１１６－１に隣接している。他の実施形態では、ねじ領域１１６ｘ－１を第１のコネクタ１１６－１から所定の距離だけ離間させることができる。

環状キャップ１１６ａは、第１のコネクタ１１６－１上に嵌合し、その内径を減少させて第１のコネクタとＲＦ入力ロッド１１４との間に強固な接続を形成するように構成される。環状キャップ１１６ａは、管状セグメント１１６ｘの外面のねじ領域１１６ｘ－１とねじ係合するための内側ねじ領域１１６ａ－１を有する。環状キャップ１１６ａはまた、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚと合わさるように構成される内側テーパ壁１１６ａ－ｗを有する。一実施形態では、内側テーパ壁１１６ａ－ｗは、水平基準線に対して約１０度～約３０度の角度で配置される。

ＲＦ入力ロッド１１４をサーマルチョークロッド１１６に接続するため、環状キャップがサーマルチョークロッドから分離されているか、または第１のコネクタ１１６－１上に緩くねじ付けられている間に、ＲＦ入力ロッドが環状キャップ１１６ａの中央開口部を通して挿入される。次に、ＲＦ入力ロッド１１４の端部が第１のコネクタ１１６－１に挿入され、サーマルチョークロッド内の所定の場所に位置決めされる。図２に示す例では、ＲＦ入力ロッド１１４の端部の所定の場所は、第１のコネクタ１１６－１と、管状セグメント１１６ｘの一部とを含む。一実施形態では、ＲＦ入力ロッド１１４の端部の外径に段差１１４ａがあり、管状セグメント１１６ｘの内径に段差１１６ｘ－２がある。この実施形態では、段差１１６ｘ－２は、ＲＦ入力ロッド１１４の挿入深さについての位置決めストッパとして作用する。ＲＦ入力ロッド１１４がサーマルチョークロッド１１６内の所定の場所に配置された状態で、環状キャップ１１６ａは次に、管状セグメント１１６ｘの外面のねじ領域１１６ｘ－１にねじ付けられる。環状キャップ１１６ａが初期係合位置から完全係合位置に移動すると、環状キャップの内側テーパ壁１１６ａ－ｗは、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚと接触する。この接触により、第１のコネクタの内径を減少させる圧縮力が第１のコネクタ１１６－１に及ぼされる。第１のコネクタ１１６－１の内径が減少すると、第１のコネクタの内面の一部がＲＦ入力ロッド１１４の外面に接触して押し付けられ、第１のコネクタをＲＦ入力ロッドに機械的に固定する。ＲＦ入力ロッドをサーマルチョークロッドに接続するプロセスについては、後ほど、図３Ａ、図３Ｂ、図５、および図６を参照してさらに詳細に説明する。

図２を引き続き参照すると、第２のコネクタ１１６－２は、ねじ式機械的締結具１１６ｂとねじ係合するための内側ねじ領域１１６－２ｙを有する。ねじ式機械的締結具１１６ｂは、例えば、ボルトまたは小ねじなどの任意の適切な締結具とすることができる。ＲＦストラップ１１８は、ねじ式機械的締結具１１６ｂをＲＦストラップの開口部を通して挿入し、次にこの締結具をねじ領域１１６－２ｙの完全係合位置にねじ込んでＲＦストラップを第２のコネクタに強固に取り付けることによって、サーマルチョークロッド１１６の第２のコネクタ１１６－２に取り付けることができる。

図３Ａおよび図３Ｂは、一実施形態による、サーマルチョークロッドをＲＦ入力ロッドに接続するプロセスを示す拡大断面図である。図３Ａは、環状キャップが完全係合位置に達する前の第１のコネクタ１１６－１、環状キャップ１１６ａ、およびＲＦ入力ロッド１１４の相対位置を示す。図３Ａに示すように、環状キャップ１１６ａの内側テーパ壁１１６ａ－ｗは、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚとまだ接触していない。この状態では、ＲＦ入力ロッド１１４の外面と第１のコネクタ１１６－１の内面との間にギャップＧ₁が存在する。図３Ｂは、環状キャップが完全係合位置に達した後の第１のコネクタ１１６－１、環状キャップ１１６ａ、およびＲＦ入力ロッド１１４の相対位置を示す。図３Ｂに示すように、環状キャップ１１６ａは、図３Ａに示す環状キャップの位置に対して第１のコネクタ１１６－１に向かう方向に（すなわち、ページの右から左に）距離Ｘだけ動かされ、完全係合位置まで移動される。完全係合位置において、内側テーパ壁１１６ａ－ｗは、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚと接触し、圧縮力を第１のコネクタに及ぼす。この圧縮力は、第１のコネクタ１１６－１の内径を減少させ、第１のコネクタの内面の一部をＲＦ入力ロッド１１４の外面に接触させて押し付ける。図３Ｂに示す実施形態において、第１のコネクタ１１６－１の内面とＲＦ入力ロッド１１４の外面が押し付けられて接触する領域をＣＲ₁とする。この接触領域ＣＲ₁では、第１のコネクタの内面とＲＦ入力ロッドの外面との間にギャップが存在しない。そのため、図３Ｂに示すように、G₂はゼロに等しい。

第１のコネクタ１１６－１の内面とＲＦ入力ロッド１１４の外面が押し付けられて接触する接触領域の長さは、第１のコネクタの円錐形状の端部領域のサイズおよび形状を変更し、この変更に対応して環状キャップ１１６ａの内側テーパ壁１１６ａ－ｗの角度を変更することによって変えることができる。したがって、他の実施形態では、接触領域の長さを図３Ｂに示す接触領域ＣＲ₁の長さよりも長くすることができる。例えば、図３Ｂに示す接触領域ＣＲ₂は、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域を超えて延びている。

図４Ａは、一実施形態によるサーマルチョークロッドの部分斜視図である。図４Ａに示すサーマルチョークロッド１１６の部分は、管状セグメント１１６ｘと、第１のコネクタ１１６－１とを含む。説明を簡単にするために、図４Ａでは、管状セグメント１１６ｘの外面のねじ部分１１６ｘ－１が省略されている。図４Ａの実施形態では、複数のスリット１４０が第１のコネクタ１１６－１に形成され、軸方向フィンガ１１６－１１、１１６－１２、１１６－１３、および１１６－１４を画定する。スリット１４０は、第１のコネクタ１１６－１の長さにわたって形成されるが、スリットの長さは、図４Ｂを参照して以下で説明されるように変更可能である。環状キャップがサーマルチョークロッドに取り付けられるとき、軸方向フィンガ１１６－１１、１１６－１２、１１６－１３、および１１６－１４は上述した方法で半径方向に圧縮され、ＲＦ入力ロッドが第１のコネクタと共に配置されるときにＲＦ入力ロッドに対して強力なクランプ力を及ぼす。このようにして、第１のコネクタの軸方向フィンガは、サーマルチョークロッド内にＲＦ入力ロッドをしっかりと保持するコレットとして機能する。軸方向フィンガの半径方向の圧縮によって提供される強力なクランプ力により、サーマルチョークロッドの第１のコネクタとＲＦ入力ロッドとの間の電気的接触が改善される。

図４Ｂは、別の実施形態によるサーマルチョークロッドの部分斜視図である。図４Ｂに示すサーマルチョークロッド１１６の部分は、管状セグメント１１６ｘと、第１のコネクタ１１６－１とを含む。説明を簡単にするために、図４Ｂでは、管状セグメント１１６ｘの外面のねじ部分１１６ｘ－１が省略されている。図４Ｂに示す実施形態は、第１のコネクタに形成されたスリットの長さを除いて、図４Ａに示す実施形態と同じである。図４Ｂに示すように、スリット１４０’は、第１のコネクタ１１６－１の長さの一部にわたって形成されており、図４Ａに示すように第１のコネクタの長さにわたって形成されるのではない。一実施形態では、スリット１４０’は、第１のコネクタ１１６－１の長さの約４分の１（２５％）～約３分の１（３３％）にわたって形成される。他の実施形態では、スリット１４０’を、より長い距離（例えば、第１のコネクタの長さの約４０％、５０％、６０％など）、またはより短い距離（例えば、第１のコネクタの長さの約１０％、２０％など）にわたって形成することができる。第１のコネクタ１１６－１に形成されたスリット１４０’は、環状キャップがサーマルチョークロッドに取り付けられるときに軸方向フィンガ１１６－１１、１１６－１２、１１６－１３、および１１６－１４がＲＦ入力ロッドに対して半径方向に圧縮可能となる十分な長さにわたって形成される必要がある。一方、スリットの長さは長すぎるべきではなく、スリットによって画定された軸方向フィンガがサーマルチョークロッドの寿命を制限する可能性のある屈曲または他の変形を起こしやすくなるほど長くてはいけない。

図５は、一実施形態による、サーマルチョークロッドに接続されたＲＦ入力ロッドを示す切り欠き斜視図である。図５に示すように、ＲＦ入力ロッド１１４は、ＲＦ入力ロッドの端部が管状セグメント１１６ｘ内に位置するように、環状キャップ１１６ａの環状開口部を通ってサーマルチョークロッド１１６内に延びている。環状キャップ１１６ａが第１のコネクタ１１６－１上に嵌合され、内側ねじ領域１１６ａ－１が管状セグメント１１６ｘの外面のねじ領域１１６ｘ－１とねじ係合されると、環状キャップは完全係合位置にある。環状キャップ１１６ａが完全係合位置にあるとき、内側テーパ壁１１６ａ－ｗは、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚと接触し、圧縮力を第１のコネクタに及ぼす。この圧縮力により、図３Ａおよび図３Ｂを参照して上述したように、第１のコネクタ１１６－１の内面の一部をＲＦ入力ロッド１１４の外面に接触させて押し付ける。第１のコネクタ１１６－１の半径方向の圧縮によって提供される強力なクランプ力により、サーマルチョークロッド１１６の第１のコネクタとＲＦ入力ロッド１１４との間の電気的接触が改善される。

図５の左側に示す括弧は、サーマルチョークロッド１１６の様々なセクションを示している。これらのセクションは、第１のコネクタ１１６－１と、第２のコネクタ１１６－２と、これら第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメント１１６ｘとを含む。第２のコネクタ１１６－２は、ＲＦストラップを第２のコネクタに固定するねじ式機械的締結具（例えば、図２に示すねじ式機械的締結具１１６ｂ参照）とねじ係合するための内側ねじ領域１１６－２ｙを含む。

ＲＦ入力ロッドとの電気的接触の改善に加えて、サーマルチョークロッドはまた、台座および電流抵抗加熱によって生成される高熱を、上流に位置する敏感な電気的構成要素から隔離する役割も果たす。この熱的機能性は、低い熱伝導率を有し、高温に耐えることが可能な基材からサーマルチョークロッドを形成することによって実現される。一実施形態では、低い熱伝導率を有する基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金で形成される。これらの材料の例は、タイプ３１６Ｌステンレス鋼、ならびにＩＮＣＯＮＥＬ（登録商標）、ＨＡＹＮＥＳ（登録商標）、およびＨＡＳＴＥＬＬＯＹ（登録商標）の商品名で市販されている超合金を含む。一実施形態では、基材は、ＲＦ入力ロッドの熱機械的性質（例えば、熱膨張係数）に一致するように選ばれる。熱膨張係数を一致させることによって、サーマルチョークロッドとＲＦ入力ロッドとの接続が高温時に緩む危険性が最小限に抑えられる。熱伝達をさらに低減するために、サーマルチョークロッドは、構成要素の断面積を最小限に抑えるように構成される。

電力供給に一般的に使用される導電性構成要素は、熱伝導性も高い。電力の伝導に必要な導電性をサーマルチョークロッドに与えるために、基材は、高導電性材料（例えば、金）と併せて使用される。一実施形態では、高導電性材料は、基材上にめっきされる。ＲＦ電流は主に導体の表面で伝導されるため、めっき材料を使用すると、基材の望ましい熱性質を維持しながら、必要なＲＦ伝導性がサーマルチョークロッドに与えられる。耐高温能力に関しては、基材は非常に高温に耐えることができるため、導電性めっきが制限要因である。金の導電性めっきは、摂氏約４００度までの高温に耐えることができると考えられており、これは、サーマルチョークロッドが高周波電力環境でセラミック台座と併せて使用されるときに機能する必要がある摂氏３００～３５０度の温度範囲を超える。

図６は、例示的な実施形態による、無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理チャンバに接続する際に実施される方法動作を示す流れ図である。動作６００では、第１のコネクタと、第２のコネクタと、これら第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメントとを有するサーマルチョークロッドが設けられる。一実施形態では、サーマルチョークロッドは、例えば、図２に示すサーマルチョークロッド１１６の構成を有する。一実施形態では、サーマルチョークロッドは低い熱伝導率を有する基材で形成され、基材が高導電性材料でめっきされる。一例として、低い熱伝導率を有する基材は、上述のように、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含むことができる。一実施形態では、基材上にめっきされる高導電性材料は、金を含む。

動作６０２では、ＲＦ入力ロッドの第１の端部は、サーマルチョークロッドの第１のコネクタに挿入され、サーマルチョークロッド内の所定の場所に位置決めされる。ＲＦ入力ロッドの第２の端部は、プラズマ処理チャンバ（例えば、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）チャンバ）に結合される。一実施形態では、ＲＦ入力ロッドの第１の端部が位置決めされるサーマルチョークロッド内の所定の場所は、例えば、図２および図５に示すように、第１のコネクタと、管状セグメントの一部とを含む。

ＲＦ入力ロッドの第１の端部がサーマルチョークロッド内に位置決めされると、動作６０４において、第１のコネクタを圧縮して第１のコネクタの内径を減少させ、第１のコネクタの内面をＲＦ入力の外面に接触させて押し付け、第１のコネクタをＲＦ入力ロッドに機械的に固定する。一実施形態では、第１のコネクタの内径を減少させるために第１のコネクタを圧縮することは、第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面を、第１のコネクタの端部領域に設けられたこのテーパ面と合わさるように構成されるテーパ面と接触させることを含む。一例として、第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面は、第１のコネクタ１１６－１の円錐形状の端部領域の表面１１６－１ｚとすることができる（例えば、図２参照）。一実施形態では、第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面と合わさるように構成されるテーパ面は、環状キャップ１１６ａのテーパ内側壁１１６ａ－ｗである（例えば、図２および図５参照）。

動作６０６では、ＲＦストラップは、サーマルチョークロッドの第２のコネクタに接続される。ＲＦストラップは、例えば、図１に示すＲＦ発生器システム１２２などのＲＦ源に結合される。一実施形態では、ＲＦストラップをサーマルチョークロッドの第２のコネクタに取り付けることは、機械的締結具をサーマルチョークロッドの第２のコネクタに取り付けることを含む。一例として、機械的締結具は、ボルトまたは小ねじなどのねじ式機械的締結具とすることができる。一実施形態では、図２に示すように、ＲＦストラップ１１８は、ねじ式機械的締結具１１６ｂをＲＦストラップの開口部を通して挿入し、次にこの締結具をねじ領域１１６－２ｙの完全係合位置にねじ込んでＲＦストラップを第２のコネクタに強固に取り付けることによって、サーマルチョークロッド１１６の第２のコネクタ１１６－２に取り付けることができる。

いくつかの実施態様では、コントローラは、上述した例の一部であり得るシステムの一部である。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、１つまたは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理装置を備えることができる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と一体化されてもよい。そのような電子機器は「コントローラ」と呼ばれることがあり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示されているプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波数（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ツールに対するウエハ搬送（搬入および搬出）、他の搬送ツール、および／または特定のシステムに接続または連動するロードロックが含まれる。

広義には、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、クリーニング動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、および／または、１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってしてもよい。

いくつかの実施態様において、コントローラは、システムと統合または結合されるか、その他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ファブホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部であってもよい。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製作動作の履歴を検討し、複数の製作動作から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供することができる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでいてもよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、１つまたは複数の動作中に実施される各処理ステップのためのパラメータを特定するものである。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラが連動または制御するように構成されるツールのタイプに特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続され共通の目的（本明細書に記載のプロセスおよび制御など）に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを備えることによって分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの例として、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路であって、（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔配置されておりチャンバにおけるプロセスを制御するよう組み合わせられる１つまたは複数の集積回路と通信するものが挙げられるであろう。

限定はしないが、例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、追跡チャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および／または製造に関連するか使用されてもよい任意の他の半導体処理システムを含んでもよい。

上述のように、ツールによって実施される１つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、１つまたは複数の他のツール回路もしくはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に位置するツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場においてツール場所および／もしくはロードポートに対してウエハの容器を搬入および搬出する材料搬送に使用されるツールと通信してもよい。

上記の実施形態を念頭に置いて、本実施形態は、コンピュータシステムに記憶されたデータを含む様々なコンピュータ実装動作を用いることができることを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理的操作を必要とする動作である。本実施形態の一部を形成する本明細書に記載の動作のいずれかは、有用な機械動作である。本実施形態はまた、これらの動作を実施するためのデバイスまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータなど、必要とされる目的のために特別に構築されてもよい。専用コンピュータとして定義される場合、コンピュータは、特殊目的のために動作することが可能でありながら、さらに、特殊目的の一部ではない他の処理、プログラム実行またはルーチンを実施することができる。あるいは、コンピュータメモリやキャッシュに記憶されているか、またはネットワークを介して得られた１つまたは複数のコンピュータプログラムによって選択的に起動または構成される汎用コンピュータによって、動作を処理してもよい。データがネットワークを介して得られる場合、データは、ネットワーク上の他のコンピュータ、例えば、多数のコンピューティング資源によって処理されてもよい。

１つまたは複数の実施形態はまた、コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして製作することができる。コンピュータ可読媒体は、データを記憶することができる任意のデータ記憶デバイスであり、データはその後、コンピュータシステムによって読み取ることができる。コンピュータ可読媒体の例は、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、リードオンリメモリ、ランダムアクセスメモリ、ＣＤ－ＲＯＭ、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－ＲＷ、磁気テープ、ならびに他の光学および非光学データ記憶デバイスを含む。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードが分散方式で記憶および実行されるように、ネットワーク結合コンピュータシステムを介して分散されるコンピュータ可読有形媒体を含み得る。

上記説明では方法動作を特定の順序で説明した。しかし、各動作の間に他のハウスキーピング動作を実施してもよいし、または各動作がわずかに異なる時間に起こるように調整してもよいし、またはオーバーレイ動作の処理が所望の方法で実施される限り、処理に関連する様々な間隔で処理動作が起こることを可能にするシステム内に各動作が分散されてもよいことを理解されたい。

したがって、例示的な実施形態の開示は、本開示の範囲を例示することを意図しているが、これを限定するものではなく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲およびその等価物に記載されるものである。本開示の例示的な実施形態は、理解を明確にする目的で、ある程度詳細に記載されているが、以下の特許請求の範囲内で特定の変更および修正を実施できることは明らかであろう。以下の特許請求の範囲において、要素および／またはステップは、特許請求の範囲に明示的に記載されているか、または本開示によって暗示的に要求されている場合を除き、動作の特定の順序を暗示するものではない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理システムの基板支持体に接続する際に使用するためのサーマルチョークロッドであって、
前記基板支持体に結合されるＲＦロッドに接続するための第１のコネクタおよび前記ＲＦ源に結合するＲＦストラップに接続するための第２のコネクタを有する管状部材と、前記第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延び、内径を有する管状セグメントとを備え、前記第１のコネクタは、前記管状セグメントの内面に連続する内面を有し、前記第１のコネクタは、前記第１のコネクタの前記内面から前記第１のコネクタの外面へと前記管状セグメントに向かう方向にテーパ状である円錐形状の端部領域を有し、前記第１のコネクタは、前記第１のコネクタの終端からあらかじめ定められた距離に沿って前記第１のコネクタの壁厚を貫通する複数のスリットを有し、前記管状セグメントの外面は、前記第１のコネクタに近接するねじ領域を有しており、前記ねじ領域は、環状キャップとねじ係合するためのものであり、前記環状キャップは、前記第１のコネクタ上に嵌合するように構成され、かつ、前記第１のコネクタの前記円錐形状の端部領域との接触時に前記第１のコネクタの内径を減少させるように構成される、
サーマルチョークロッド。
適用例２：
適用例１のサーマルチョークロッドであって、
前記環状キャップは、前記第１のコネクタに近接する前記ねじ領域とねじ係合するための内側ねじ領域、および前記第１のコネクタの前記円錐形状の端部領域と合わさるように構成される内側テーパ壁を有する、サーマルチョークロッド。
適用例３：
適用例１のサーマルチョークロッドであって、
前記第２のコネクタは、内側ねじ領域を有し、前記サーマルチョークロッドは、前記ＲＦストラップを前記サーマルチョークロッドの前記第２のコネクタに接続するように構成されるねじ式機械的締結具をさらに含む、サーマルチョークロッド。
適用例４：
適用例３のサーマルチョークロッドであって、
前記ねじ式機械的締結具は、ボルトまたは小ねじのいずれかである、サーマルチョークロッド。
適用例５：
適用例１のサーマルチョークロッドであって、
前記サーマルチョークロッドは、低い熱伝導率を有する基材で形成され、前記基材は、高導電性材料でめっきされる、サーマルチョークロッド。
適用例６：
適用例５のサーマルチョークロッドであって、
低い熱伝導率を有する前記基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含み、前記基材上にめっきされた前記高導電性材料は、金を含む、サーマルチョークロッド。
適用例７：
プラズマ処理チャンバに接続された第１の端部および無線周波数（ＲＦ）源からＲＦ信号を受信するための第２の端部を有するＲＦ入力ロッドと、
第１のコネクタと、第２のコネクタと、前記第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメントとを有するサーマルチョークロッドであって、前記第１のコネクタは、前記管状セグメントの内面に連続する内面を有し、前記第１のコネクタは、前記第１のコネクタの前記内面から前記第１のコネクタの外面へと前記管状セグメントに向かう方向にテーパ状である円錐形状の端部領域を有し、前記第１のコネクタは、前記第１のコネクタの終端からあらかじめ定められた距離に沿って前記第１のコネクタの壁厚を貫通する複数のスリットを有し、前記管状セグメントの外面は、前記第１のコネクタに近接するねじ領域を有し、前記第１のコネクタは、前記ＲＦ入力ロッドの前記第２の端部を受容するように構成され、前記第２のコネクタは、ＲＦストラップに接続するように構成され、環状キャップは、前記第１のコネクタ上に嵌合するように構成され、かつ、前記第１のコネクタの前記円錐形状の端部領域との接触時に前記第１のコネクタの内径を減少させるように構成されるサーマルチョークロッドと、
前記ＲＦストラップに結合されたＲＦ源と
を備える、プラズマ処理システム。
適用例８：
適用例７のプラズマ処理システムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、処理領域を含み、
前記プラズマ処理システムは、前記チャンバ内で前記処理領域の下に配置された基板支持体をさらに備え、前記ＲＦ入力ロッドは、前記基板支持体に結合される、プラズマ処理システム。
適用例９：
適用例７のプラズマ処理システムであって、
前記環状キャップは、前記第１のコネクタに近接する前記ねじ領域とねじ係合するための内側ねじ領域、および前記第１のコネクタの前記円錐形状の端部領域と合わさるように構成される内側テーパ壁を有する、プラズマ処理システム。
適用例１０：
適用例７のプラズマ処理システムであって、
前記第２のコネクタは、内側ねじ領域を有し、前記サーマルチョークロッドは、前記ＲＦストラップを前記サーマルチョークロッドの前記第２のコネクタに接続するように構成されるねじ式機械的締結具をさらに含む、プラズマ処理システム。
適用例１１：
適用例１０のプラズマ処理システムであって、
前記ねじ式機械的締結具は、ボルトまたは小ねじのいずれかである、プラズマ処理システム。
適用例１２：
適用例７のプラズマ処理システムであって、
前記サーマルチョークロッドは、低い熱伝導率を有する基材で形成され、前記基材は、高導電性材料でめっきされる、プラズマ処理システム。
適用例１３：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、
低い熱伝導率を有する前記基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含み、前記基材上にめっきされた前記高導電性材料は、金を含む、プラズマ処理システム。
適用例１４：
無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理チャンバに接続するための方法であって、
第１のコネクタと、第２のコネクタと、前記第１のコネクタおよび第２のコネクタの間に延びる管状セグメントとを有するサーマルチョークロッドを準備することであって、前記第１のコネクタは、前記管状セグメントの内面に連続する内面を有することと、
無線周波数（ＲＦ）入力ロッドの第１の端部を前記サーマルチョークロッドの前記第１のコネクタに挿入し、前記ＲＦ入力ロッドの前記第１の端部を前記サーマルチョークロッド内のあらかじめ定められた場所に位置決めすることであって、前記ＲＦ入力ロッドは、プラズマ処理チャンバに結合される第２の端部を有することと、
前記第１のコネクタを圧縮して前記第１のコネクタの内径を減少させ、前記第１のコネクタの内面を前記ＲＦ入力ロッドの外面に接触させて押し付け、前記ＲＦ入力ロッドに機械的に固定することと、
無線周波数（ＲＦ）ストラップを前記サーマルチョークロッドの前記第２のコネクタに取り付けることであって、前記ＲＦストラップは、ＲＦ源に結合されることと
を含む、方法。
適用例１５：
適用例１４の方法であって、
前記サーマルチョークロッドを準備することは、低い熱伝導率を有する基材を含むサーマルチョークロッドを準備することを含み、前記基材は、高導電性材料でめっきされる、方法。
適用例１６：
適用例１５の方法であって、
低い熱伝導率を有する前記基材は、ステンレス鋼またはニッケルクロム基超合金を含み、前記基材上にめっきされた前記高導電性材料は、金を含む、方法。
適用例１７：
適用例１４の方法であって、
前記第１のコネクタの内径を減少させるために前記第１のコネクタを圧縮することは、前記第１のコネクタの端部領域に設けられたテーパ面を、前記第１のコネクタの前記端部領域に設けられた前記テーパ面と合わさるように構成されるテーパ面と接触させることを含む、方法。
適用例１８：
適用例１７の方法であって、
前記第１のコネクタの前記端部領域に設けられた前記テーパ面と合わさるように構成される前記テーパ面は、前記第１のコネクタ上に嵌合するように構成された環状キャップの内面である、方法。
適用例１９：
適用例１４の方法であって、
前記ＲＦ入力ロッドの前記第１の端部が位置決めされる前記サーマルチョークロッド内の前記あらかじめ定められた場所は、前記第１のコネクタと、前記管状セグメントの一部とを含む、方法。
適用例２０：
適用例１４の方法であって、
前記ＲＦストラップを前記サーマルチョークロッドの前記第２のコネクタに取り付けることは、機械的締結具を前記サーマルチョークロッドの前記第２のコネクタに取り付けることを含む、方法。

Claims (20)

1. 無線周波数（ＲＦ）源をプラズマ処理システムの基板支持体に接続するためのサーマルチョーク部材であって、
   第１の壁厚を画定する第１の内面および第１の外面を有する第１のコネクタと、
   第２のコネクタと、
   前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとの間に延びるセグメントであって、前記第１の壁厚は、前記第１のコネクタの端部領域において前記第１のコネクタの終端に向かってテーパ状であり、前記第１のコネクタは、前記第１のコネクタの前記第１の壁厚を貫通し、前記第１のコネクタの前記終端からあらかじめ定められた距離で延びて、複数のフィンガを画定する複数のスリットを有する、セグメントと、
   を備える、サーマルチョーク部材。
2. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記フィンガは、前記プラズマ処理システムのＲＦ入力ロッドに機械接続および電気接続を提供するように構成されたコレットを備える、サーマルチョーク部材。
3. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記セグメントは、セグメントの壁厚を画定するセグメントの内面およびセグメントの外面を備え、前記第１の壁厚は、前記セグメントの壁厚よりも薄い、サーマルチョーク部材。
4. 請求項３に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記第１の内面は、前記セグメントの内面と連続し、前記第１のコネクタは、前記プラズマ処理システムのＲＦ入力ロッドを受容するように構成された第１の開口部を備え、前記第２のコネクタは、前記ＲＦ源のＲＦ源導体を前記第２のコネクタに接続する締結具を受容するように構成された第２の開口部を備える、サーマルチョーク部材。
5. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、さらに、
   少なくとも前記第１のコネクタの上に嵌合するように構成されたキャップを備える、サーマルチョーク部材。
6. 請求項５に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記キャップは、前記プラズマ処理システムのＲＦ入力ロッドに前記第１のコネクタをクランプするように構成される、サーマルチョーク部材。
7. 請求項５に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記セグメントは、前記キャップとねじ係合するための、前記第１のコネクタに近接するねじ領域を備える、サーマルチョーク部材。
8. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記第２のコネクタは、前記ＲＦ源のＲＦ源導体に接続するように構成される、サーマルチョーク部材。
9. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
   前記セグメントは、低い熱伝導率および高い導電率を有する１つまたは複数の材料を備える、サーマルチョーク部材。
10. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
    前記セグメントは、低い熱伝導率を有する基材、および、前記基材に配置された高い導電率を有するめっき材料を備える、サーマルチョーク部材。
11. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
    前記複数のスリットは、前記第１のコネクタの長さの少なくとも２０％延びる、サーマルチョーク部材。
12. 請求項１に記載のサーマルチョーク部材であって、
    テーパ状の前記第１のコネクタの前記端部領域は円錐形状であり、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとの間に延びる前記セグメントは管状である、サーマルチョーク部材。
13. プラズマ処理システムであって、
    ＲＦ入力ロッドと、
    ＲＦ源導体に結合されたＲＦ源と、
    サーマルチョーク部材であって、
    第１の壁厚を画定する第１の内面および第１の外面を有し、前記ＲＦ入力ロッドに接続された第１のコネクタと、
    前記ＲＦ源導体に接続された第２のコネクタと、
    前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとの間に延びるセグメントであって、前記第１のコネクタは、前記第１のコネクタの前記第１の壁厚を貫通し、前記第１のコネクタの終端からあらかじめ定められた距離で延びて、複数のフィンガを画定する複数のスリットを有する、セグメントと、を備える、サーマルチョーク部材と、
    を備える、プラズマ処理システム。
14. 請求項１３に記載のプラズマ処理システムであって、
    前記第１の壁厚は、前記第１のコネクタの端部領域において前記第１のコネクタの終端に向かってテーパ状である、プラズマ処理システム。
15. 請求項１４に記載のプラズマ処理システムであって、
    テーパ状の前記第１のコネクタの前記端部領域は円錐形状であり、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとの間に延びる前記セグメントは管状である、プラズマ処理システム。
16. 請求項１３に記載のプラズマ処理システムであって、さらに、
    処理チャンバに配置された基板支持体であって、前記ＲＦ入力ロッドは前記基板支持体に結合される、基板支持体を備える、プラズマ処理システム。
17. 請求項１６に記載のプラズマ処理システムであって、
    前記サーマルチョーク部材は、前記基板支持体によって生成された熱を熱的に隔離し、前記ＲＦ源から前記ＲＦ入力ロッドへの電気接続を提供するように構成される、プラズマ処理システム。
18. 請求項１３に記載のプラズマ処理システムであって、
    前記セグメントは、低い熱伝導率および高い導電率を有する１つまたは複数の材料を備える、プラズマ処理システム。
19. 請求項１３に記載のプラズマ処理システムであって、
    前記サーマルチョーク部材は、さらに、少なくとも前記第１のコネクタの上に嵌合するように構成されたキャップを備える、プラズマ処理システム。
20. 請求項１３に記載のプラズマ処理システムであって、
    前記複数のフィンガは、前記ＲＦ入力ロッドに機械接続および電気接続を提供するように構成されたコレットを備える、プラズマ処理システム。

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