TWI840683B

TWI840683B - 耦合環、饋送環系統及電漿電極組件

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Publication number: TWI840683B
Application number: TW110125469A
Authority: TW
Inventors: 麥可Ｃ克拉吉; 艾力西瑪瑞卡塔諾; 約翰派翠克霍藍德; 志剛陳; 菲力克斯柯札維奇; 肯尼斯露千西
Original assignee: 美商蘭姆研究公司
Priority date: 2016-06-22
Filing date: 2017-06-19
Publication date: 2024-05-01

Abstract

描述用以控制電漿腔室內之邊緣區域的離子通量之方向性的系統及方法。該等系統其中一者包含：一第一射頻(RF)產生器，用以產生一第一RF信號；一第一阻抗匹配電路，連接至該第一RF產生器用以接收該第一RF信號以產生一第一修改後RF信號；及一電漿腔室。該電漿腔室包含：一邊緣環；及一耦合環，位於該邊緣環下方且連接至該第一阻抗匹配電路以接收該第一修改後RF信號。該耦合環包含一電極，該電極於該電極與該邊緣環之間產生一電容以在接收到該第一修改後RF信號後控制離子通量之方向性。

Description

耦合環、饋送環系統及電漿電極組件

本實施例係關於藉由使用在耦合環內之電極而控制電漿腔室之邊緣區域中的離子方向性之系統及方法。

電漿系統係用以控制電漿處理。電漿系統包含多個射頻(RF)來源、阻抗匹配器、及電漿反應器。工作件係置於電漿腔室中，且電漿係於電漿腔室內產生以處理工作件。

以相似或均勻的方式來處理工作件是重要的。為了以相似或均勻的方式處理工作件，對與電漿反應器相關聯的各種參數進行控制。例如，於工作件之處理期間內控制離子通量的方向性是重要的。在方向性上的控制有助於提高蝕刻率及達成工作件之特徵部的一定深寬比。

在以均勻的方式處理工作件的情況下，同時保持電漿腔室的各種元件之使用壽命是重要的。在施加RF功率至一些元件的情況下，元件耗損更快且無法持續其使用壽命。此外，由於這樣的耗損，元件對離子通量的方向性造成不利地影響，而這對在工作件處理上的均勻性產生不利地影響。

在此背景下本發明產生。

本揭露內容之實施例提供了藉由使用耦合環內的電極來控制電漿腔室的邊緣區域中的離子之方向性的設備、方法、及電腦程式。吾人應理解本發明可以許多方式加以達成，例如處理、設備、系統、硬體、方法、或電腦可讀媒介。以下描述幾個實施例。

由於在晶圓受蝕刻的輪廓角度(profile angle)或傾斜度與蝕刻率之間的取捨，在晶圓的邊緣滿足處理規格是困難的。蝕刻率係取決於晶圓邊緣的離子通量、及用以處理晶圓的一或更多處理氣體之化學性質(例如，混合、類型等)。在邊緣處到達晶圓的離子通量隨著進入電漿鞘層之離子通量、及在邊緣之電漿鞘層的形狀而變化。離子聚焦效應係隨著在晶圓上方的晶圓電漿鞘層厚度與邊緣環(其對晶圓邊緣外的電漿鞘層進行控制)上方的邊緣環電漿鞘層厚度上的差異而變化。保持晶圓邊緣外的均勻電漿密度、及使晶圓電漿鞘層與邊緣環電漿鞘層之間的差異最小化以提高蝕刻率及使輪廓角度保持為約90度(例如，在89.5度與90.5度之間、在89度與91度之間等)為重要的。此外，吾人期望控制邊緣環的耗損，使得邊緣環能夠達到其使用壽命(例如，大於500小時等)。

在一些實施例中，提供用以獨立控制與邊緣環相關聯之電漿參數的控制鈕(knob)。該控制鈕係藉由將有供電之電極嵌入至耦合環中、並提供射頻(RF)功率至該電極、或經由一可變阻抗RF濾波器將該電極連接至接地端而設置。RF功率之提供有時稱為向電極提供主動功率，且經由可變阻抗將電極連接至接地端的耦合有時稱為向電極提供被動功率。沒有對上電極步階位置、邊緣環高度及形狀、邊緣環連接材料等進行最佳化來控制電漿參數。然而，在一些實施例中，在對電極提供主動或被動功率之外，亦控制上電極步階位置、邊緣環高度及形狀、及/或邊緣環材料以控制電漿參數。

在各樣的實施例中，描述用以改善在晶圓邊緣之性能的一電容耦合RF供電邊緣環。藉由改變連接至邊緣環的主動或被動功率之量，從而控制在邊緣區域的電漿密度、在邊緣區域之電漿的鞘層均勻性、在邊緣區域之電漿的蝕刻率均勻性、及在邊緣區域中晶圓受蝕刻的傾斜度。沒有直接將RF或直流(DC)功率提供至邊緣環。將功率電容耦合至邊緣環降低了(例如，消除等)邊緣環材料與用以將功率直接傳遞至邊緣環的RF饋送零件之間發生任何電弧的機會。

在一些實施例中，描述一種控制電漿腔室內之邊緣區域的離子通量之方向性的系統。該系統包含：一射頻(RF)產生器，用以產生一RF信號；一阻抗匹配電路，連接至該RF產生器用以接收該第一RF信號以產生一修改後RF信號；及一電漿腔室。該電漿腔室包含：邊緣環；及耦合環，該耦合環係位於該邊緣環下方且連接至該第一阻抗匹配電路以接收該修改後RF信號。該耦合環包含電極，該電極於該電極與該邊緣環之間產生一電容以在接收到該修改後RF信號時控制離子通量之方向性。

在各樣的實施例中，描述一種控制電漿腔室內之邊緣區域的離子通量之方向性的系統。該系統包含：一第一RF濾波器，用以輸出一第一濾波後RF信號；一第二RF濾波器，連接至該第一RF濾波器用以接收該第一濾波後RF信號以輸出一第二濾波後RF信號；及一電漿腔室。該電漿腔室包含：邊緣環；及耦合環，該耦合環係位於該邊緣環下方且連接至該第二RF濾波器。該耦合環包含電極，該電極係用以接收該第二濾波後RF信號而進一步於該電極與該邊緣環之間產生一電容以在接收到該第二濾波後RF信號時控制離子通量之方向性。

在一些實施例中，描述一種控制電漿腔室內之邊緣區域的離子通量之方向性的系統。該系統包含：一RF濾波器，用以輸出一濾波後RF信號；及一電漿腔室。該電漿腔室包含：邊緣環；及耦合環，該耦合環係位於該邊緣環下方且連接至該RF濾波器以接收該濾波後RF信號。該耦合環包含電極，該電極於該電極與該邊緣環之間產生一電容以於接收到該濾波後RF信號後控制離子通量之方向性。

本文中所述之系統及實施例的一些優點包含達成約90度的輪廓角度。改變供應至耦合環(其連接至邊緣環)內之電極的主動或被動功率量以達成90度的輪廓角度。測量離子通量，並根據測量結果而控制離子通量。藉由對連接至耦合環內之電極的主動功率來源或被動功率來源加以控制，以改變在電極與邊緣環之間的電容而控制離子通量。改變電容以達到約90度的輪廓角度。該電容係用以控制邊緣環的電壓，以進一步控制邊緣區域之蝕刻晶圓的蝕刻率。邊緣環的電壓係與邊緣環相較於接地端之阻抗成正比。該輪廓角度有助於達成小於一預定量(例如，小於3%、小於2%、小於4%等)之邊緣輪廓(例如，頂部CD、弓部CD等)均勻性。

此外，本文中所述之系統及方法的其他優點包含藉由改變邊緣環電壓而延長邊緣環的使用壽命。一旦邊緣環耗損(例如，高度降低等)，則電漿鞘層被彎曲且離子通量變得聚焦在晶圓邊緣上。因此，邊緣傾斜度變得超出規格中所定義的範圍。調整邊緣環電壓產生了更均勻的電漿鞘層，並使晶圓邊緣處理參數回到規格中所定義的範圍。藉由將電極設置在耦合環中(而不是邊緣環)而增加了邊緣環的使用壽命。

從以下配合隨圖式所做出之詳細描述，將更清楚本發明的其他態樣。

100:電漿系統

102:邊緣區域

104:電漿腔室

108:IMC

110:邊緣環

112:耦合環

113:IMC

114:卡盤

115:腔室壁

120:基板

121:上電極

122:RF傳輸線

124:RF傳輸線

126:RF纜線

128:RF纜線

130:RF纜線

132:中心區域

200:系統

202:電極

204:功率銷

206:電漿腔室

207:RF濾波器

208:RF濾波器

212:上表面

214:下表面

216:絕緣體環

220:同軸纜線

222:套管

224:設施板

226:接地環

228:絕緣體環

232:間隙

238:限制環

241:覆蓋環

250:系統

254:RF纜線(RF傳輸線)

300:系統

302:離子通量探針

304:測量感測器

306:主機電腦系統

308:RF纜線

310:傳輸纜線

312:傳輸纜線

320:系統

322:馬達

324:傳輸纜線

326:連接機構

328:電源供應器

330:纜線

350:系統

352:DC偏壓探針

354:測量感測器

356:纜線

370:系統

402:網狀電極

404:環狀電極

500:電漿腔室

502:饋送環

504:RF棒

506:端部

508:端部

510:RF棒

512:RF筒

514:RF筒

604:絕緣體環

606:部分

608:部分

612:絕緣體環

614:可動式接地環

616:固定式接地環

650:部分

652:絕緣體環

654:絕緣體環

656:限制環部分

658:限制環水平部分

660:上電極延伸部

700:系統

702:功率銷

704:功率銷

708:圓形部分

710:臂部

712:臂部

714:臂部

716:臂部

718:端部

720:端部

722:端部

724:端部

726:端部

728:端部

730:點

732:點

734:點

800:曲線圖

802:曲線

804:曲線

806:曲線

810:離子通量

812a:方向性

812b:方向性

812c:方向性

900:曲線圖

902:曲線圖

參考以下配合隨圖式所做的詳細描述可最好地理解本發明。

圖1為一電漿系統之實施例的圖式，用以繪示藉由使用耦合環而控制電漿腔室之邊緣區域中的離子之方向性。

圖2A為一系統之實施例的圖式，用以繪示經由射頻(RF)濾波器將耦合環中的電極連接至阻抗匹配電路(IMC)並對電極提供主動功率。

圖2B為一系統之實施例的圖式，用以繪示向嵌入在耦合環內之電極提供被動功率。

圖3A為一系統之實施例的圖式，用以繪示使用離子通量來調諧x百萬赫茲(MHz)RF產生器、或x1千赫茲(kHz)RF產生器所供應的功率而控制邊緣區域內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域中之離子通量的方向性。

圖3B為一系統之實施例的圖式，用以繪示使用離子通量來調諧RF濾波器進行而控制邊緣區域內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域中之離子通量的方向性。

圖3C為一系統之實施例的圖式，用以繪示使用直流(DC)偏壓來調諧x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器所供應的功率而控制邊緣區域內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域內之離子通量的方向性。

圖3D為一系統之實施例的圖式，用以繪示使用DC偏壓電壓來調諧RF濾波器207而控制邊緣區域內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域中之離子通量的方向性。

圖4A為一網狀電極之實施例的圖式，該網狀電極係嵌入在耦合環內之電極的範例。

圖4B為一環狀電極之實施例的圖式，該環狀電極為電極之另一範例。

圖5為一電漿腔室之實施例的圖式，用以繪示饋送環的一部分、及該部分與功率銷之間的連接。

圖6為一電漿腔室的一部分之實施例的圖式，用以繪示電極相對於電漿腔室之其餘元件的位置。

圖7為一系統之實施例的圖式，用以繪示連接至RF棒的饋送環。

圖8A為一曲線圖之實施例，用以繪示隨著在供應至電極的功率量上之改變而在電漿腔室內處理之晶圓的歸一化蝕刻率上的變化。

圖8B為電漿腔室之一部分的圖式，用以繪示隨著在供應至電極的功率量上之改變而在離子通量的方向性上之變化。

圖9A為一曲線圖之實施例，用以繪示隨著在RF濾波器的電容上之改變而在蝕刻基板之蝕刻率上的變化。

圖9B為一曲線圖之實施例，該曲線圖繪製了邊緣環的尖峰電壓對圖9A之被動RF濾波器的電容之曲線。

以下實施例描述了藉由使用耦合環內之電極而控制電漿腔室的邊緣區域中之離子方向性的系統及方法。顯而易見的，本發明可被實行而無須其內部分或全部特定細節。在其他情況下，為了不對本發明造成不必要地混淆，眾所周知的程序步驟則沒有被詳述。

圖1為電漿系統100之實施例的圖式，用以繪示藉由使用耦合環112而控制電漿腔室104的邊緣區域102中之離子的方向性。電漿系統100包含x赫茲(MHz)射頻(RF)產生器、z MHz RF產生器、x1赫茲(kHz)RF產生器、阻抗匹配電路(IMC)108、另一IMC 113、及電漿腔室104。電漿腔室104包含邊緣環110、耦合環112、及卡盤114(例如，靜電卡盤(ESC))等。邊緣環110執行許多功能，其中包含將基板120定位在卡盤114上、及遮蔽電漿腔室104下方未被基板120保護的元件不受電漿腔室104中形成之電漿的離子所損傷。卡盤114(例如，下電極等)係由金屬所製成，例如陽極處理鋁、鋁合金等。

耦合環112位於邊緣環110下方且連接至邊緣環110。耦合環112係由電絕緣材料製成，例如介電質材料、陶瓷、玻璃、複合聚合物、鋁氧化物等。邊緣環110將電漿限制在基板120上方的區域，及/或保護卡盤114免於受電漿造成的侵蝕。邊緣環110係由一或更多材料製成，例如晶體矽、多晶矽、矽碳化物、石英、鋁氧化物、鋁氮化物、矽氮化物等。邊緣環110及耦合環112皆係位於卡盤114旁邊。基板120的邊緣係置於邊緣環110的上方，且邊緣環110的邊緣係位於邊緣區域102中。如一範例，邊緣區域102自邊緣環110而從卡盤114之邊緣沿著卡盤114的半徑延伸10公厘至15公厘的預定距離。電漿腔室104具有連接至接地的腔室壁115。

x MHz RF產生器經由RF纜線126、IMC 108、及RF傳輸線122連接至耦合環112。此外，x1 kHz RF產生器、及z MHz RF產生器經由IMC 113及另一RF傳輸線124連接至卡盤114。RF傳輸線包含了RF棒及圍繞RF棒的絕緣套管。x1 kHz RF產生器經由RF纜線128連接至IMC 113，且z MHz RF產生器經由RF纜線130連接至IMC 113。x1 kHz RF產生器之範例包含了具有400kHz的操作頻率之產生器、具有在360kHz與440kHz之間的操作頻率之產生器等。x MHz RF產生器之範例包含了具有2MHz的操作頻率之產生器、具有27MHz的操作頻率之產生器等。z MHz RF產生器之範例包含了具有27MHz的操作頻率之產生器、具有60MHz的操作頻率之產生器等。

x1 kHz RF產生器產生RF信號並將RF信號發送至IMC 113。相似地，z MHz RF產生器產生RF信號並將RF信號發送至IMC 113。IMC 113對連接至IMC 113之輸出端的一負載(例如，RF傳輸線124、電漿腔室104等)之阻抗與連接至IMC 113之輸入端的一來源(例如，RF纜線128、RF纜線130、x1 kHz RF產生器、及z MHz RF產生器等)之阻抗進行匹配，以在其輸出端提供一修改後RF信號。相似地，IMC 108對連接至IMC 108之輸出端的一負載(例如，電漿腔室 104、RF傳輸線122等)之阻抗與連接至IMC 108之輸入端的一來源(例如，x MHz RF產生器、RF纜線126等)之阻抗進行匹配，以在其輸出端提供一修改後RF信號。

在IMC 113之輸出端的修改後RF信號係發送至卡盤114以修改電漿腔室104中位於電漿腔室104之中心區域132的電漿之阻抗(例如，以產生及維持電漿等)。中心區域132係與邊緣區域102相鄰且被邊緣區域102所圍繞。中心區域從邊緣區域102的一端經由卡盤114的中心延伸至邊緣區域102的相反端。此外，在IMC108之輸出端的修改後RF信號係發送至耦合環112，以修改電漿腔室104的邊緣區域102內之離子的方向性及電漿的阻抗。電漿係於一或更多處理氣體(例如含氧氣體、含氟氣體等)經由上電極121供應至電漿腔室104的中心區域132時產生或維持。

上電極121面對卡盤114，且一間隙係形成於上電極121與卡盤114之間。上電極121係位於電漿腔室104內且由導電材料所製成。電漿腔室104內的電漿係用以處理基板120。例如，電漿係用以蝕刻基板120、用以將材料沉積在基板120上、用以清潔基板120等。

在一些實施例中，電漿腔室104包含額外零件，例如圍繞上電極121的上電極延伸部、在上電極121與上電極延伸部之間的介電環、位於上電極121及邊緣環110的邊緣旁邊以圍繞電漿腔室104內之間隙的限制環等。

在各樣的實施例中，x MHz RF產生器產生的RF信號係與x1 kHz RF產生器產生的RF信號、及z MHz RF產生器產生的RF信號同步化。例如，當x MHz RF產生器所產生的RF信號從低狀態脈衝至高狀態時，x1 kHz RF產生器所產生的RF信號從低狀態脈衝至高狀態，且由z MHz RF產生器所產生的RF信號從低狀態脈衝至高狀態。如另一範例，當x MHz RF產生器所產生的RF信號從高狀態脈衝至低狀態時，x1 kHz RF產生器所產生的RF信號從高狀態脈衝至低狀態，且z MHz RF產生器所產生的RF信號從高狀態脈衝至低狀態。相較於RF信號的低狀態，RF信號的高狀態具有RF信號之功率的較高位準(例如，均方根值、峰至峰振幅等)。

在一些實施例中，x MHz RF產生器產生的RF信號係未與x1 kHz RF產生器產生的RF信號同步化，或未與z MHz RF產生器產生的RF信號同步化，或未與x1 kHz RF產生器產生的RF信號同步化且未與由z MHz RF產生器產生的RF信號同步化。

圖2A為系統200之實施例的圖式，用以繪示經由RF濾波器208將耦合環112中的電極202連接至IMC108並對電極202提供主動功率。RF濾波器208降低到達x1 kHz RF產生器或x MHz RF產生器(其係經由IMC 108連接至RF濾波器208)之RF電流的量，以防止RF電流之RF功率對x1 kHz RF產生器或x MHz RF產生器、及任何在IMC108與電極202之間的RF傳輸系統之元件造成任何損傷。如一範例，RF濾波器208包含一或更多電容器、或一或更多電感器、或電容器與電感器之組合。RF電流係由電漿腔室206中的電漿產生。

系統200包含電漿腔室206，其為電漿腔室104(圖1)之範例。系統200更包含x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器、IMC108、及RF濾波器208。x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器係經由RF纜線126連接至IMC 108，該IMC 108經由RF傳輸線122連接至RF濾波器208。RF濾波器208係經由功率銷204連接至電極202。電極202係嵌入在耦合環112中。例如，電極202的任何部分皆未暴露在耦合環112外。如另一範例，電極202係嵌入在耦合環112中以更靠近耦合環112的上表面212(相較於耦合環112的下表面214)。上表面212係與邊緣環110相鄰，且下表面214係與電漿腔室206的絕緣體環216相鄰。絕緣體環216係位於耦合環112下方且由電絕緣材料(例如，石英等)製成。

功率銷204包含同軸纜線220、及套管222。套管222覆蓋同軸纜線220以使同軸纜線220與圍繞同軸纜線220的電場絕緣。套管222係由電絕緣體材料製成，例如塑膠、玻璃、塑膠及玻璃之組合等。功率銷204連接至電極202且經由饋送環連接至RF傳輸線，該RF傳輸線連接至RF濾波器208。如一範例，饋送環係由導電金屬(例如，鋁、銅等)所製成。功率銷204的一部分係位於絕緣體環216、設施板224旁邊，且功率銷204的其餘部分係被耦合環112所圍繞。設施板224係由金屬(例如，鋁等)所製成。

設施板224位於卡盤114下方且連接至RF傳輸線124。多個接地環226(其係由例如鋁等金屬所製成)圍繞絕緣體環228的一部份及絕緣體環216，並連接至接地端。絕緣體環228係由絕緣材料(例如，石英等)所製成並保護邊緣環110免於與直流(DC)功率連接。

電漿腔室206更包含面向卡盤114的上電極121。間隙232係形成於上電極121與卡盤114之間。電漿係形成於間隙232中用於處理基板120。堆疊多個限制環238以圍繞間隙232及上電極121的一部分。藉由一馬達機構開啟或關閉限制環238以控制間隙232內的壓力，及/或控制從間隙232流出至位於電漿腔室206下方的一或更多真空泵浦的電漿之量。覆蓋環241(例如，石英覆蓋環等)係覆蓋在接地環226之頂部上以保護接地環226不受到電漿之RF功率影響。

x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器供應一RF信號至IMC 108。IMC 108對一負載(例如，RF傳輸線122、RF濾波器208、及電漿腔室206)之阻抗與一來源(例如，RF纜線126、及x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器等)之阻抗進行匹配以產生一修改後RF信號。該修改後RF信號通過RF傳輸線122、RF濾波器208、饋送環、及功率銷204至電極202。藉由電極202接收該修改後RF信號改變了邊緣區域102中的電漿之阻抗，而邊緣區域102的一部分係位於間隙232內。在阻抗上的改變係用以改變邊緣區域102內之離子通量的方向性，以控制邊緣區域102內之基板120的電漿處理(例如，蝕刻、沉積、清潔等)。

在一實施例中，系統200不包含RF濾波器208，且IMC 108係經由RF傳輸線122連接至饋送環。

圖2B為系統250之實施例的圖式，用以繪示對嵌入在耦合環112內之電極202提供被動功率控制。除了系統250包含RF濾波器207(其連接至接地端，且在其輸出端經由RF纜線254連接至RF濾波器208)之外，系統250係與系統200相同。RF濾波器207包含一或更多電容器、或一或更多電感器、或電容與電感之組合。例如，RF濾波器207包含了與電感器並聯的電容器。如另一範例，RF濾波器207包含電容器。如另一範例，RF濾波器207包含與電感器串聯的電容器。在一實施例中，RF濾波器207的一或更多電容器為可變式的，且RF濾波器207的一或更多電感器為可變式的。

RF濾波器207對從邊緣區域102中之電漿接收到的RF信號提供了到接地端的阻抗路徑。RF信號係從邊緣區域102中的電漿產生，並經由邊緣環110、及在電極202與邊緣環110之間的電容而流動至電極202，而該電極202輸出一RF信號。來自電極202的RF信號通過功率銷204及饋送環至RF濾波器208。RF濾波器208將RF信號內的任何DC功率濾除以輸出一濾波後RF信號。該濾波後RF信號通過RF纜線254及RF濾波器207至接地端。RF濾波器207的電容、或電感、或電容與電感之組合決定了流動至接地端的濾波後RF信號之量，該濾波後RF信號係用以修改邊緣區域102內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域102中之離子通量的方向性。

在各樣的實施例中，RF濾波器207對從邊緣區域102內之電漿接收到的RF信號的一部分進行濾波，以經由RF傳輸線254將一濾波後信號輸出至RF濾波器208。RF信號的該部分流動至連接至RF濾波器207的接地端。RF濾波器 208經由RF傳輸線254所接收的濾波後信號係藉由RF濾波器208進行濾波以移除DC功率，以輸出一濾波後信號至功率銷204的同軸纜線220。經由同軸纜線220將該濾波後信號提供至電極202，以改變電極202與邊緣環110之間的電容。該電容係改變用以改變邊緣區域102內的電漿之阻抗。

在一些實施例中，不包含RF濾波器208，且RF濾波器207係經由RF傳輸線254連接至功率銷204。

圖3A為系統300之實施例的圖式，用以繪示對x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器所供應的功率進行調諧而控制邊緣區域102內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域102中之離子通量的方向性。除了系統300更包含平面離子通量探針302、測量感測器304、及主機電腦系統306之外，系統300係與圖2A之系統200相同。平面離子通量探針之範例為蘭摩爾探針(Langmuir probe)。主機電腦系統306之範例包含電腦、平板電腦、智慧型手機等。測量感測器304之範例包含複電壓感測器、或複電流感測器。

平面離子通量探針302係經由上電極121中的開口而插入，且離子通量探針302的導電部分(例如矽等)與上電極121之間具有間隔物。平面離子通量探針302具有一部分(例如，圓柱形部分、多邊形部分等)，該部分具有暴露於與邊緣區域102相關聯之電漿的一表面。平面離子通量探針302藉由RF纜線308連接至測量感測器304，該測量感測器304經由傳輸纜線310(例如，串列傳輸纜線、並列傳輸纜線、通用串列匯流排(USB)纜線等)而連接至主機電腦系統306。主機電腦系統306經由傳輸纜線312(例如，串列傳輸纜線、並列傳輸纜線、USB纜線等)連接至x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器。串列傳輸纜線係用以將數據串列傳輸(例如，一次一位元等)。並列傳輸纜線係用以將數據並列傳輸(例如，一次多個位元等)。

平面離子通量探針302測量與邊緣區域102相關聯的電漿之離子通量(例如，離子通量探針302的每單位表面積之離子流量、離子通量探針302之每單位表面積的電流量等)以產生一RF信號。該RF信號通過RF纜線308至測量感測器304，該測量感測器304測量該RF信號的複電壓或複電流。測量感測器304經由傳輸纜線310將測得之複電壓或測得之複電流作為數據輸出至主機電腦系統306。主機電腦306包含處理器及記憶體元件。處理器之範例包含中央處理單元(CPU)、控制器、特定應用積體電路(ASIC)、或可程式化邏輯元件(PLD)等。記憶體元件之範例包含唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、硬碟、揮發性記憶體、非揮發性記憶體、儲存磁碟冗餘陣列、閃存記憶體等。

主機電腦系統306的處理器基於測得之複電壓或測得之複電流而判定應由連接至IMC 108的x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器提供的功率量。例如，在一預定複電壓或一預定複電流與x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器所供應的功率之間的一對應關係(例如，一對一關係、關聯性、映射關係等)係儲存於連接至處理器的記憶體元件中。該預定複電壓或該預定複電流係與欲在邊緣區域102內產生的一離子通量預定量相對應(例如，與該離子通量預定量具有一對一的關係、映射至該預定量等)，且該關係儲存於主機電腦系統306的記憶體元件中。處理器根據測得之複電流而判定該測得之複電流與應達成之該預定複電流不匹配、或不在應達成之該預定複電流的一預定範圍內。處理器基於在預定複電流與應由x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器供應的功率量之間的對應關係而判定該功率量。處理器產生一控制信號，該控制信號向x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器指示了x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器應供應該功率量。

在一實施例中，處理器根據測得之複電壓判定該測得之複電壓與應達成之該預定複電壓不匹配、或不在應達成之該預定複電壓的一預定範圍內。處理器基於在該預定複電壓與應由x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器供應的功率量之間的對應關係而判定該功率量。處理器產生一控制信號，該控制信號向x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器指示了x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器應供應該功率量。

一旦接收到該功率量，x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器產生具有該功率量的一RF信號，並經由RF纜線126而將該RF信號供應至IMC 108。IMC 108對連接至IMC 108之負載的阻抗與連接至IMC 108之來源的阻抗進行匹配，以從由x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器接收到的RF信號產生一修改後RF信號。該修改後RF信號係經由RF濾波器208、連接至RF濾波器208的饋送環、及同軸纜線220而提供至電極202。電極202與邊緣環110的下表面之間的電容於電極202接收到該修改後RF信號時改變，以改變邊緣區域102內之電漿的阻抗而進一步修改邊緣區域102內之離子通量的方向。

圖3B為系統320之實施例的圖式，用以繪示對RF濾波器207進行調諧而控制邊緣區域102內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域102中之離子通量的方向性。除了系統320包含平面離子通量探針302、測量感測器304、主機電腦系統306、電源供應器328、及馬達322(例如，直流馬達、交流(AC)馬達等)之外，來源系統320係與系統250(圖2B)相同。電源供應器328之範例包含AC電源供應器或DC電源供應器。電源供應器328係經由傳輸纜線324連接至主機電腦系統306。此外，馬達322係經由纜線330連接至電源供應器328，且經由連接機構326連接至RF濾波器207。連接機構326之範例包含一或更多桿、一或更多齒輪、或其組合。連接機構326係連接至RF濾波器207的電路元件(例如，電感器、電容器等)以改變電路元件之參數(例如，電容、電感等)。例如，連接機構326旋轉以改變在RF濾波器207的一電容器的二平行板之間的面積、及/或該等板之間的距離。如另一範例，連接機構326係用以使被RF濾波器207之電感器的線圈所圍繞的芯移位以改變電感器的電感。

處理器根據測量感測器304所測得之複電流判定該測得之複電流與應達成之該預定複電流不匹配、或不在應達成之該預定複電流的預定範圍內。處理器基於在該預定複電流、應由電源供應器328供應的功率量(DC功率、AC功率等)、與RF濾波器207待達成的預定電容之間的對應關係而判定該功率量。處理器產生一控制信號，該控制信號向電源供應器328指示了電源供應器328應提供該功率量以達成RF濾波器207的該預定電容。

在一實施例中，處理器根據測得之複電壓而判定該測得之複電壓與應達成之該預定複電壓不匹配、或不在應達成之該預定複電壓的預定範圍內。處理器基於在該預定複電壓、欲達成的RF濾波器207之電容、與應由電源供應器328供應的功率量之間的對應關係而判定該功率量。處理器產生一控制信號，該控制信號向電源供應器328指示了電源供應器328應提供該功率量。

該控制信號係經由傳輸纜線324發送至電源供應器328。一旦接收到該功率量，電源供應器328產生該功率量並經由纜線330而將其供應至馬達322。馬達322的定子接收該功率量以產生一電場，該電場使馬達322的轉子旋轉。轉子之旋轉使連接機構326旋轉而改變RF濾波器207之參數以達成該預定電容。在參數(例如，電容等)上的變化改變了經由RF濾波器207流動至接地端(其連接到RF濾波器207)的RF功率量，以進一步改變電極202與邊緣環110之間的電容。電極202與邊緣環110之間的電容係透過RF纜線254、RF濾波器208、連接至RF濾波器208的饋送環、及同軸纜線220而加以改變。在電容上的變化改變了從RF濾波器207經由RF傳輸線254流動至RF濾波器208的濾波後信號之功率量。在功率量上的變化改變了邊緣區域102內之電漿的阻抗，以進一步修改邊緣區域102內之離子通量的方向性。

圖3C為系統350之實施例的圖式，用以繪示使用DC偏壓來調諧x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器所供應的功率以控制邊緣區域102內之電漿的阻抗而進一步控制邊緣區域102內之離子通量的方向性。除了系統350包含測量感測器354及DC偏壓探針352來代替平面離子通量探針302(圖3A))及測量感測器304(圖3A)之外，系統350係與系統300(圖3A)相同。測量感測器354之範例為DC偏壓電壓感測器。

DC偏壓感測器352的一部分經由邊緣環110中的開口延伸至邊緣環110中，且DC偏壓感測器352的其餘部分經由絕緣體環228中的開口延伸至絕緣體環228中。DC偏壓感測器352係經由纜線356連接至測量感測器354。測量感測器354提供了由邊緣環110之RF功率產生的一DC偏壓(例如，DC偏壓電壓等)之測量結果。邊緣環110的RF功率係基於邊緣區域102內之電漿的RF功率。測量感測器354係經由傳輸纜線310連接至主機電腦系統306。

DC偏壓探針352感測邊緣環110的DC偏壓電壓以產生一電信號，且該DC偏壓電壓係由邊緣區域102中之電漿的RF功率所誘發。該電信號係經由纜線356發送至測量感測器354，該測量感測器354基於該電信號而測量該DC偏壓電壓。所測得之DC偏壓電壓量係作為數據而從測量感測器354經由傳輸纜線310發送至主機電腦系統306。

主機電腦系統306之處理器基於該測得之DC偏壓電壓而判定應由連接至IMC 108之x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器供應的一功率量。例如，在DC偏壓電壓與x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器所供應的功率量之間的一對應關係(例如，一對一關係、關聯性、映射關係等)係儲存於連接至處理器的記憶體元件中。主機電腦系統306之處理器根據測得之DC偏壓電壓而判定該測得之DC偏壓電壓與應達成之預定DC偏壓電壓不匹配、或不在應達成之預定DC偏壓電壓的一預定範圍內。處理器基於在預定DC偏壓電壓與應由x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器供應的功率量之間的對應關係而判定該功率量。處理器產生一控制信號，該控制信號向x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器指示了x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器應供應該功率量。

一旦接收到該功率量，x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器產生具有該功率量的一RF信號，並經由RF纜線126而將該RF信號供應至IMC 108。IMC 108對連接至IMC 108之負載的阻抗與連接至IMC 108之來源的阻抗進行匹配，以從由x MHz RF產生器或x1 kHz RF產生器接收到的RF信號產生一修改後RF信號。該修改後RF信號係經由RF濾波器208、連接至RF濾波器208的饋送環、及同軸纜線220而提供至電極202。電極202與邊緣環110之間的電容於電極202接收該修改後RF信號時改變，以改變邊緣區域102內之電漿的阻抗而進一步修改邊緣區域102內之離子通量的方向。

圖3D為系統370之實施例的圖式，用以繪示使用DC偏壓電壓來調諧RF濾波器207而控制邊緣區域102內之電漿的阻抗以進一步控制邊緣區域102中之離子通量的方向性。除了系統370包含測量感測器354及DC偏壓探針352來代替平面離子通量探針302(圖3B)及測量感測器304(圖3B)之外，系統370係與系統320(圖3B)相同。如上面參照圖3C所解釋，測量感測器354經由傳輸纜線310將測得之DC偏壓電壓輸出至主機電腦系統306。

主機電腦系統306的處理器基於測得之DC偏壓電壓而判定應由電源供應器328供應之功率量。例如，在DC偏壓電壓與電源供應器328所供應的功率量之間的一對應關係(例如，一對一關係、關聯性、映射關係等)係儲存於連接至處理器的記憶體元件中。主機電腦系統306的處理器根據測得之DC偏壓電壓而判定該測得之DC偏壓電壓與應達成之預定DC偏壓電壓不匹配、或不在應達成之預定DC偏壓電壓的一預定範圍內。處理器基於在預定DC偏壓電壓與應由電源供應器328供應的功率量之間的對應關係而判定該功率量。處理器產生一控制信號，該控制信號向電源供應器328指示了應由電源供應器328供應之功率量。

該控制信號係經由傳輸纜線324發送至電源供應器328。如上面參照圖3B所述，一旦接收到該功率量，電源供應器328產生該功率量並經由纜線330而將其供應至馬達322，而馬達322旋轉以改變RF濾波器207之參數，且在參數上的變化改變了電極202與邊緣環110之間的電容。電極202與邊緣環110之間的電容係加以改變，以改變邊緣區域102內之電漿的阻抗而以進一步改變邊緣區域102內之離子通量的方向性。

在一些實施例中，電流(例如，複電流等)或電壓(例如，DC偏壓電壓、複電壓等)在此係稱為變數。

圖4A為網狀電極402之實施例的圖式，該網狀電極402係嵌入在耦合環112(圖1)內。網狀電極402包含導線的多個交叉以形成一網狀結構，且為電極202(圖2A)之範例。網狀電極402係由金屬(例如，鋁、銅等)所製成。

圖4B為環狀電極404之實施例的圖式，其為電極202(圖2A)之範例。環狀電極404在結構上為管狀的，或在結構上為平坦的(例如，板狀等)。環狀電極404係由金屬(例如，鋁、銅等)所製成。

圖5為電漿腔室500之實施例的圖式，用以繪示饋送環502的一部分、及該部分與功率銷204之間的連接。電漿腔室500為電漿腔室104(圖1)之範例。饋送環502於一端部506連接至RF傳輸線122(圖1)的RF棒504，且於相反的一端部508連接至功率銷204的同軸纜線220。電漿腔室500包含RF傳輸線124(圖1)的RF棒510。RF棒510係位於RF筒512內，該RF筒512於其底部部分被另一RF筒514所圍繞。

從IMC 108經由RF傳輸線122發送的修改後RF信號係經由RF傳輸線122的RF棒504及端部506而發送至饋送環502。修改後RF信號的一部分係從端部506經由端部508、及同軸纜線220傳輸至嵌入在耦合環112內的電極202，該電極202係用以提供在電極202與邊緣環110之間的電容耦合。

在對電極202提供被動功率的一些實施例中，RF棒504係屬於RF傳輸線254，而不是RF傳輸線122(圖1)。RF傳輸線254將RF濾波器207連接至RF濾波器208(圖2B)。

在各樣的實施例中，RF濾波器208連接至RF傳輸線254的RF棒504並連接至饋送環502。例如，在被動RF功率從連接至RF濾波器207的接地端流向電極202的實施例中，RF濾波器208之輸入端係連接至RF棒504，且RF濾波器208之輸出端係連接至饋送環502。如另一範例，在來自邊緣區域102的被動RF功率係流動至連接至RF濾波器207的接地端之實施例中，RF濾波器208之輸入端係連接至饋送環502，且RF濾波器208之輸出端係連接至RF棒504。如另一範例，RF濾波器208係連接至臂部716之端部506且連接至RF棒504。

在使用主動功率之實施例中，RF濾波器208之輸入端係連接至RF棒504，RF棒504進一步連接至IMC 108(圖2A)，且RF濾波器208之輸出端連接至饋送環502。

圖6為電漿腔室的一部分650之實施例的圖式，用以繪示電極202相對於電漿腔室之其餘元件的位置，該電漿腔室為電漿腔室104(圖1)之範例。部分650包含電漿腔室的絕緣體環652。絕緣體環652圍繞絕緣體環604的一部分，且絕緣體環652的一部分係位於絕緣體環604的下方。絕緣體環604係位於另一絕緣體環654的下方。

絕緣體環654係與耦合環112相鄰，且係在圍繞邊緣環110的絕緣體環612的下方。耦合環112係與卡盤114相鄰。邊緣環110係覆蓋在耦合環112之部分608的頂部上。耦合環112的部分608係作為電極202與邊緣環110之下表面之間的介電質，使得電容耦合係建立於電極202與邊緣環110之間。部分608在邊緣環110與耦合環112的其餘部分606之間建立一介電質。絕緣體環612係被可動式接地環614圍繞，該可動式接地環614連接至接地端。可動式接地環614係位於固定式接地環616的頂部上，該固定式接地環616亦連接至接地端。

絕緣體環654於其內側為與卡盤114、設施板224、及耦合環112相鄰，且於其外側與固定式接地環616相鄰。此外，絕緣體環604係位於設施板224的下方，該設施板224支撐著卡盤114。固定式接地環616係圍繞著絕緣體環654並與其相鄰，且位於絕緣體環652的頂部上。

限制環238(圖2A及2B)包含了限制環部分656及限制環水平部分658(例如，開有槽口的環等)。上電極121係由上電極延伸部660所圍繞。

形成於上電極121與卡盤114之間的間隙232係由上電極121、上電極延伸部660、限制環部分656、限制環水平部分658、絕緣體環612、邊緣環110、及卡盤114所圍繞。

耦合環112係由邊緣環110、絕緣體環654、及卡盤114所圍繞。例如，耦合環112係與卡盤114、邊緣環110、及絕緣體環654相鄰。如另一範例，邊緣環110係位於電極202嵌入其中的耦合環112之頂部上，卡盤114係與耦合環112的內側相鄰，且絕緣體環654係與耦合環112的外側相鄰。同軸纜線220通過絕緣體環604及絕緣體環654而連接至位於耦合環112之部分606中的電極202。

圖7為系統700之實施例的圖式，用以繪示連接至RF棒504的饋送環502。饋送環502包含連接至多個臂部710、712、714、及716的圓形部分708。圓形部分708為平的，或為環狀的。臂部716在端部506連接至RF棒504，且在相反的端部718連接至圓形部分708。例如，臂部716係於端部506透過裝配機構(例如，螺釘、螺栓、夾具、螺母、或其組合等)而裝配至RF棒504。相似地，臂部710於端部720連接至功率銷702。例如，臂部710於端部720透過裝配機構而裝配至功率銷702。功率銷702在結構及功能上與功率銷204相同。例如，功率銷702包含同軸纜線及圍繞該同軸纜線之至少一部分的套管。臂部710於相反的端部722連接至圓形部分708。

此外，臂部712於端部724連接至功率銷704，功率銷704在結構及功能上與功率銷204相同。例如，功率銷704包含同軸纜線及圍繞該同軸纜線之至少一部分的套管。如一範例，臂部712於端部724透過裝配機構而裝配至功率銷704。臂部712在相反的端部726連接至圓形部分708。

此外，臂部714在端部508連接至功率銷204。臂部714在相反的端部728連接至圓形部分708。臂部710從圓形部分708延伸以連接至功率銷702的同軸纜線，臂部712從圓形部分708延伸以連接至功率銷704的同軸纜線，且臂部714從圓形部分708延伸以連接至功率銷204的同軸纜線220。功率銷702(例如，功率銷702的同軸纜線等)係於點730連接至嵌入在耦合環112中的電極202。此外，功率銷704(例如，功率銷704的同軸纜線等)於點732連接至電極202，且功率銷204(例如，同軸纜線220等)於點734連接至電極202。

經由RF棒504及阻抗匹配電路108(圖1)接收到的修改後RF信號係經由臂部716而發送至圓形部分708，並分配在臂部710、712、及714之間。修改後RF信號的一部分功率通過臂部710及功率銷702(例如，功率銷702的同軸纜線等)至電極202，修改後RF信號的另一部分功率通過臂部712及功率銷704(例如，功率銷704的同軸纜線等)至電極202，且功率的再另一部分通過臂部714及功率銷204(例如，同軸纜線220等)至電極202。

在一些實施例中，饋送環502包含從圓形部分708延伸以連接到耦合環112內之電極202的任何其它數量之臂部(例如，二、一、四、五等)。

在各樣的實施例中，代替圓形部分708，使用另一形狀(例如，橢圓形、多邊形等)的部分。

圖8A為曲線圖800之實施例，用以繪示隨著在供應至電極202(圖2A)的功率量上之改變而在電漿腔室104內處理之晶圓的歸一化蝕刻率上的變化。該晶圓為基板120之範例(圖1)。曲線圖800係繪製，當從x1 kHz及z MHz RF產生器經由IMC 113(圖1)對電漿腔室104(圖1)的卡盤114提供RF功率且從x MHz RF產生器經由IMC 108(圖1)對電極202提供RF功率時，歸一化蝕刻率對晶圓半徑之曲線。

曲線圖800包含三個曲線802、804、及806。曲線802係於x MHz RF產生器的一RF功率量P1經由IMC 108供應至電極202時產生。曲線804係於x MHz RF產生器的一RF功率量P2經由IMC 108供應至電極202時產生，且曲線806係於x MHz RF產生器的一RF功率量P3經由IMC 108供應至電極202時產生。功率P3係大於功率P2，功率P2係大於功率P1。

圖8B為電漿腔室104(圖1)之一部分的圖式，用以繪示隨著在供應至電極202的功率量上之改變而在離子通量之方向性上的變化。當功率量P1係供應至電極202時，離子通量810的方向性812a係使得離子並非被垂直地引導向基板120，而是以負的角度-θ(相對於與耦合環112之直徑垂直的90度離子入射角)被引導。角度θ係相對於與耦合環112之直徑垂直的垂直軸而測量。這提高了邊緣區域102中蝕刻基板120的蝕刻率。

此外，當功率量P2係供應至電極202時，離子通量810的方向性812b係使得離子被垂直地引導(例如，θ=0)。相較於功率P1，功率P2使得邊緣環110的電壓提高。這降低了邊緣區域102中蝕刻基板120的蝕刻率(相較於提供功率量P1時)。蝕刻率係降低以在邊緣區域102達成均勻的蝕刻率，及在邊緣區域102達成平坦的電漿鞘層。例如，晶圓上方與邊緣環110上方之電漿鞘層的水平之間幾乎或沒有差距。

此外，當功率量P3係供應至電極202時，離子通量810的方向性812c使得離子並非被垂直地引導向基板120，而是以正的角度θ被引導。這降低了邊緣區域102中蝕刻基板120的蝕刻率(相較於提供功率量P2時)。藉由控制供應至電極202之功率量，離子通量810之方向性係透過功率銷204(圖2A)及電極202而加以控制。

在一些實施例中，代替提高電極202供應之功率，提高RF濾波器207(圖2B)的電容之量以使角度θ從負值改變為零而進一步改變為正值，以控制離子通量810之方向性。

圖9A為曲線圖900之實施例，用以繪示隨著在RF濾波器207(圖2B)之電容上的改變而在蝕刻基板120(圖1)之蝕刻率上的變化。曲線圖900針對RF濾波器207之各種電容值繪製了歸一化蝕刻率對晶圓半徑之曲線。隨著RF濾波器207的電容提高，在邊緣區域102(圖1)的晶圓之蝕刻率降低以達成在蝕刻率上的更高均勻性。

圖9B為曲線圖902之實施例，該曲線圖902繪製了邊緣環110(圖1)的尖峰電壓對RF濾波器207(圖2B)的電容之曲線。隨著RF濾波器207的電容提高，邊緣環110的尖峰電壓提高以將離子通量810(圖8B)之方向性從負θ改變至零而至正θ。

吾人應注意，在上述一些實施例中，將RF信號供應至卡盤114並將上電極121接地。在各樣的實施例中，將RF信號施加至上電極121並將卡盤114接地。

在一些實施例中，電極202及耦合環112其中每一者係分割為複數區段。電極202的每一區段係獨立地提供來自一或更多RF產生器的RF功率。

本文中所述之實施例可以各樣的電腦系統結構來實施，其中包括了手持硬體單元、微處理器系統、基於微處理器或可程式化之消費電子產品、微電腦、大型電腦、及類似裝置。本文中所述之實施例亦可在分散式計算環境中實施，其中任務係透過電腦網路連線之遠端處理硬體單元而執行。

在一些實行例中，控制器為系統的一部分，其可為上述範例的一部分。系統包含了半導體處理設備，半導體處理設備包含一或更多處理工具、一或更多腔室、用於處理的一或更多平臺、及/或特定處理元件(基板基座、氣流系統等)。系統係與電子設備整合，以於在半導體晶圓或基板處理之前、期間、及之後控制系統的操作。電子設備可稱作為「控制器」，其可控制系統之各種元件或子部分。依據系統的處理需求及/或類型，控制器可加以編程以控制本文中所揭露的任何製程，其中包含：處理氣體的輸送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、RF產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置及操作設定、出入工具、及其他轉移工具、及/或與系統連接或介接的負載鎖室之基板轉移。

廣義而言，在各樣的實施例中，控制器係定義為電子設備，其具有各種不同的積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體，其接收指令、發布指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用終點量測等。積體電路可包含儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位信號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、可程式化邏輯裝置(PLD)、一或更多微處理器、或執行程式指令(例如軟體)的微控制器。程式指令為以各種個別設定(或程式檔案)的形式而通訊至控制器的指令，該等設定定義了用以在半導體晶圓上或對半導體晶圓實行製程的操作參數。在一些實施例中，該等操作參數為由製程工程師定義之配方的部分，以在一或多個層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒之製造期間內完成一或多個處理步驟。

在一些實行例中，控制器為電腦的一部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、以其他方式網路連至系統、或其組合。舉例而言，控制器可為在「雲端」或工廠主機電腦系統的整體或部分，其可允許基板處理的遠端存取。該電腦可允許針對系統的遠端存取以監測製造操作的當前進度、檢查過往製造操作的歷史、檢查來自複數個製造操作的趨勢或性能度量、改變目前處理的參數、設定目前操作之後的處理步驟、或開始新的處理。

在一些實施例中，遠端電腦(例如伺服器)可透過網路提供製程配方給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。遠端電腦可包含使用者介面，其允許參數及/或設定的輸入或編程，這些參數及/或設定係接著從遠端電腦被傳遞至系統。在一些範例中，控制器接收設定形式的指令以對晶圓進行處理。吾人應理解設定係專門用於將於晶圓上執行之製程的類型、及控制器與其介接或對其進行控制之工具的類型。因此，如上面所述，控制器可為分散式的，例如藉由包含一或多個分散的控制器，其由網路連在一起且朝共同的目的作業(例如完成本文中所述之製程)。一個用於此等目的之分散式控制器之範例包含腔室上的一或多個積體電路，連通位於遠端(例如在平台級或作為遠端電腦的一部分)的一或多個積體電路，其結合以控制腔室中的製程。

在各樣的實施例中，不受限制地，系統包含電漿蝕刻腔室、沉積腔室、旋轉-潤洗腔室、金屬電鍍腔室、清潔腔室、斜邊蝕刻腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室、原子層沉積(ALD)腔室、原子層蝕刻(ALE)腔室、離子植入腔室、軌道腔室、及任何可關聯或使用於半導體晶圓的製造及/或生產中之其他的半導體處理系統。

吾人更應注意，雖然上述操作的描述係參照平行板電漿腔室，例如電容耦合電漿腔室等，但是在一些實施例中，上述的操作適用於其他類型的電漿腔室，例如一包括感應耦合電漿(ICP)反應器、變壓耦合電漿(TCP)反應器、導體工具、介電工具的電漿腔室、一包括電子迴旋共振(ECR)反應器的電漿腔室等。例如，一或更多RF產生器係連接至ICP電漿腔室內的電感器。電感器之形狀的範例包含螺線管、圓頂狀線圈、扁平狀線圈等。

如上面所述，依據將由工具執行的處理步驟，控制器可與下述通訊：一或更多其他工具電路或模組、其他工具元件、群組工具、其他工具介面、毗鄰工具、相鄰工具、位於工廠各處的工具、主電腦、另一個控制器、或用於材料傳送的工具，該等用於材料傳送的工具將晶圓的容器攜帶進出半導體生產工廠內的工具位置及/或裝載埠。

在了解上面的實施例後，吾人應理解該等實施例其中一些使用了各種不同電腦所實行的操作，其中操作涉及儲存在電腦系統中的資料。這些電腦實行操作係對物理量進行操縱的操作。

該等實施例其中一些亦關於用以執行這些操作的硬體單元或設備。該等設備係特別為特殊用途電腦而建構。當被定義為特殊用途電腦時，該電腦在仍可執行特殊用途的同時，亦可執行非特殊用途部分之其他處理、程式執行、或例行程序。

在一些實施例中，本文中所述之操作係由一電腦執行，其中該電腦係被一或更多儲存在電腦記憶體或透過網路所得到的電腦程式選擇性地啟動或配置。當透過電腦網路得到資料時，該資料係藉由電腦網路上的其他電腦來處理，例如，雲端的計算資源。

本文中所述的一或更多實施例亦可被製作為非暫態的電腦可讀媒體上的電腦可讀代碼。該非暫態的電腦可讀媒體係可儲存資料的任何資料儲存硬體單元(例如，記憶體裝置等)，其中該資料儲存硬體單元之後可被電腦系統讀取。非暫態的電腦可讀媒體的範例包括硬碟、網路附接儲存器(NAS)、ROM、RAM、光碟唯讀記憶體(CD-ROMs)、可錄式光碟(CD-Rs)、可覆寫式光碟(CD-RWs)、磁帶、及其他光學與非光學資料儲存硬體單元。在一些實施例中，非暫態的電腦可讀媒體包含電腦可讀的有形媒體，其中該電腦可讀的有形媒體係透過連接網路的電腦系統加以散佈，俾使電腦可讀代碼被以散佈的方式儲存及執行。

雖然以特定順序描述上述一些方法操作，但吾人應理解在各樣的實施例中，可在方法操作之間執行其他庶務操作，或可調整方法操作使得其在略為不同之時間發生，或可將其分散在系統中，該系統允許方法操作發生在不同的區間、或以與上述不同的順序執行。

吾人更應注意，在一些實施例中，可將任何上述實施例的一或更多特徵與任何其他實施例的一或更多特徵結合而不超出本揭露內容中描述之各樣實施例所述之範圍。

雖然為了清楚理解的目的已對前述的實施例進行詳細地描述，顯而易見的，仍可在隨附申請專利範圍的範圍內實行某些改變及修改。因此，本發明之實施例應被認為是說明性的而非限制性的，且本發明之實施例不受限於本文中所提供的細節，而是可在隨附申請專利範圍的範圍及均等物內加以修改。