JP7018703B2 - 静電チャック用の凸形の内面を有する環状エッジシール - Google Patents
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Description
本出願は、2015年8月10日出願の米国仮特許出願第62/203,118号の利益を主張するものである。上記の出願の開示全体を参照により本明細書に援用する。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
[適用例1]
上層と、
中間層と、
下層と、
前記上層と前記中間層との間に配置された第1の接着結合層と、
前記中間層と前記下層との間に配置された第2の接着結合層であって、前記中間層と、前記第1および第2の接着結合層との径方向外縁部が、前記上層および前記下層に対して環状スロットを形成している第2の接着結合層と、
前記環状スロット内に配置されたエッジシールであって、径方向内面と、径方向外面と、上面と、底面とを含む環状本体を含むエッジシールと、を備える静電チャックであって、
前記径方向内面が凸形である、静電チャック。
[適用例2]
適用例1のエッジシールであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられているエッジシール。
[適用例3]
適用例1のエッジシールであって、
前記本体の前記径方向外面が、前記上面と前記径方向外面との間の第1の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の第2の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第3の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の第4の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の前記第4の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第2の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第3の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第1の隅部との間で凸形である、エッジシール。
[適用例4]
適用例1のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも10%~30%大きいエッジシール。
[適用例5]
適用例1のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも15%~25%大きいエッジシール。
[適用例6]
適用例1のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも20%~24%大きいエッジシール。
[適用例7]
適用例1の静電チャックであって、前記上層がセラミック層を含み、前記中間層がヒータプレートを含み、前記下層が下側電極を含む静電チャック。
[適用例8]
適用例7の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
[適用例9]
適用例7の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
[適用例10]
基板処理システムであって、
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
適用例1の静電チャックと、を備える基板処理システム。
[適用例11]
基板処理システムの静電チャック用のエッジシールであって、
環状本体と、
前記本体の径方向内面であって、凸形である径方向内面と、
前記本体の径方向外面であって、前記本体の前記径方向外面が、上面と前記径方向外面との間の第1の隅部と、底面と前記径方向外面との間の第2の隅部との間で略平面状である径方向外面と、
前記本体の前記上面と、
前記本体の前記底面と、を備えるエッジシール。
[適用例12]
適用例11のエッジシールであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられているエッジシール。
[適用例13]
適用例11のエッジシールであって、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第3の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の第4の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の前記第4の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第2の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第3の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第4の隅部との間で凸形である
エッジシール。
[適用例14]
適用例11のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも10%~30%大きいエッジシール。
[適用例15]
適用例11のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも15%~25%大きいエッジシール。
[適用例16]
適用例11のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも20%~24%大きいエッジシール。
[適用例17]
静電チャックであって、
セラミック層と、
ヒータプレートと、
下側電極と、
前記セラミック層と前記ヒータプレートとの間に配置された第1の接着結合層と、
前記ヒータプレートと前記下側電極との間に配置された第2の接着結合層であって、前記ヒータプレートと、前記第1および第2の接着結合層と、の径方向外縁部が、前記セラミック層および前記下側電極に対して環状スロットを形成する第2の接着結合層と、
適用例11のエッジシールと、を備え、
前記エッジシールが、前記環状スロット内に配置される、静電チャック。
[適用例18]
適用例16の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
[適用例19]
適用例16の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
[適用例20]
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
適用例16の静電チャックと
を備える基板処理システム。
Claims (18)
- 上層と、
中間層と、
下層と、
前記上層と前記中間層との間に配置された第1の接着結合層と、
前記中間層と前記下層との間に配置された第2の接着結合層であって、前記中間層と、前記第1および第2の接着結合層との径方向外縁部が、前記上層および前記下層に対して環状スロットを形成している第2の接着結合層と、
前記環状スロット内に配置されたエッジシールであって、径方向内面と、径方向外面と、上面と、底面とを含む環状の本体を含むエッジシールと、を備える静電チャックであって、
前記径方向内面は、連続凸形曲面を有し、
前記本体の前記径方向外面が、前記上面と前記径方向外面との間の第1の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の第2の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第3の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の前記第1の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の第4の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第2の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第3の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第4の隅部との間で前記連続凸形曲面を有する、静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられている静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも10%~30%大きい静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも15%~25%大きい静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも20%~24%大きい静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、前記上層がセラミック層を含み、前記中間層がヒータプレートを含み、前記下層が下側電極を含む静電チャック。
- 請求項6に記載の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
- 請求項6に記載の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
- 基板処理システムであって、
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
請求項1に記載の静電チャックと、を備える基板処理システム。 - 基板処理システムの静電チャック用のエッジシールであって、
環状の本体であって、
前記本体の上面と、
前記本体の底面と、を備える本体と、
前記本体の径方向内面であって、連続凸形曲面を有する径方向内面と、
前記本体の径方向外面であって、前記本体の前記径方向外面が、前記上面と前記径方向外面との間の第1の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の第2の隅部との間で略平面状である径方向外面と、を備え、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第3の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の前記第1の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の第4の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第2の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第3の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第4の隅部との間で前記連続凸形曲面を有する、
エッジシール。 - 請求項10に記載のエッジシールであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられているエッジシール。
- 請求項10に記載のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも10%~30%大きいエッジシール。
- 請求項10に記載のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも15%~25%大きいエッジシール。
- 請求項10に記載のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも20%~24%大きいエッジシール。
- 静電チャックであって、
セラミック層と、
ヒータプレートと、
下側電極と、
前記セラミック層と前記ヒータプレートとの間に配置された第1の接着結合層と、
前記ヒータプレートと前記下側電極との間に配置された第2の接着結合層であって、前記ヒータプレートと、前記第1および第2の接着結合層と、の径方向外縁部が、前記セラミック層および前記下側電極に対して環状スロットを形成する第2の接着結合層と、
請求項10に記載のエッジシールと、を備え、
前記エッジシールが、前記環状スロット内に配置される、静電チャック。 - 請求項15に記載の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
- 請求項15に記載の静電チャックであって、前記第1および第2の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
- 処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
請求項15に記載の静電チャックと
を備える基板処理システム。
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