JP4971045B2 - 光制御素子 - Google Patents
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Description
5;線欠陥導波路、10;光制御素子。
Claims (14)
- 誘電体からなる媒質に設定された複数の格子点それぞれに前記媒質と誘電率が異なる部分が配置された誘電率が規則的に変化する構造物であるフォトニック結晶配列に、前記誘電率の規則的な変化がない欠陥を導入して形成されたフォトニック結晶欠陥光導波路を有する光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥光導波路は、光の入射端から出射端までの光導波路全体にわたって前記誘電率の規則的な変化がない欠陥が延在するように形成され、
前記フォトニック結晶欠陥光導波路の光の伝搬する方向の全体に対して、前記欠陥の近傍における複数の格子点の一部を、前記フォトニック結晶欠陥光導波路における光の伝搬する方向と平行に本来ある位置からシフトさせたことを特徴とする光制御素子。 - 請求項1記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥光導波路の前記欠陥の近傍にあるフォトニック結晶配列の特定の列に対して、その列全体を構成する複数の格子点からなる格子点群を、前記フォトニック結晶欠陥光導波路における光の伝搬する方向と平行に本来ある位置からシフトさせたことを特徴とする光制御素子。 - 請求項1又は2記載の光制御素子において、
前記格子点のシフト量が一定であることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1又は2記載の光制御素子において、
前記格子点のシフト量が周期的に変化することを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥光導波路の前記欠陥の近傍にあるフォトニック結晶配列の複数列に対して、その複数列全体の格子点群を、前記フォトニック結晶欠陥光導波路における光の伝搬する方向と平行に本来ある位置からシフトさせたことを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥光導波路を挟んで等距離にあるフォトニック結晶配列の複数列に対して、その複数列全体の格子点群を、前記フォトニック結晶欠陥光導波路における光の伝搬する方向と平行に本来ある位置からシフトさせたことを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥光導波路を挟んで等距離にあるフォトニック結晶配列の複数列に対して、その複数列全体の格子点群を、前記フォトニック結晶欠陥光導波路の中心に対して対称になるようにシフトさせたことを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶配列の複数の格子点に配置される、前記媒質と誘電率が異なる複数の部分それぞれが、円形形状の孔で形成され、前記フォトニック結晶欠陥導波路近傍の円孔の直径が他のフォトニック結晶配列の円孔の直径と異なることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥導波路の欠陥部分の間隔は、フォトニック結晶配列の各列の間隔とは異なることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶配列の複数の格子点に配置される、前記媒質と誘電率が異なる複数の部分のうち、前記フォトニック結晶欠陥導波路近傍のフォトニック結晶配列を形成するフォトニック結晶の形状が、他のフォトニック結晶配列と異なることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥導波路の欠陥部分の屈折率は、フォトニック結晶配列が形成されている部分の屈折率とは異なることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至11のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥導波路の光が伝搬する欠陥部分の屈折率は、光の伝搬する方向に沿って変化することを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥導波路の光が伝搬する欠陥部分に分極反転構造を有することを特徴とする光制御素子。 - 請求項1乃至13のいずれかに記載の光制御素子において、
前記フォトニック結晶欠陥導波路の光が伝搬する欠陥部分を挟み込むように電極を設けたことを特徴とする光制御素子。
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