JP2002006278A

JP2002006278A - 光デバイス

Info

Publication number: JP2002006278A
Application number: JP2000194881A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Hamada; 智之浜田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-06-23
Filing date: 2000-06-23
Publication date: 2002-01-09

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトニック結晶を容易に作成できる光デバイ
スおよびフォトニック結晶光デバイスを提供する。【解決手段】コア層が電気光学効果を示すスラブ光導波
路と、電気光学効果によりコア層の屈折率を変化させる
手段を備えた光デバイスであり、コア層中の少なくとも
一部分に所望の周期的屈折率パターンを電気光学効果に
より誘起してフォトニック結晶を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムあ
るいは光計測システムの分野において用いられるフォト
ニック結晶およびフォトニック結晶を有する光デバイス
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光の波動状態を人為的に制御でき
る材料としてフォトニック結晶が注目をあつめており、
フォトニック結晶を用いた各種光デバイスが考案されて
いる。フォトニック結晶は、周期が光波長の１／２程度
の屈折率変化を内部に有する人工結晶である。

【０００３】フォトニック結晶の特徴は、同結晶中の光
波がバンド構造を形成することにある。結晶中の電子波
が、周期的な結晶格子により回折されて電子バンド構造
を形成するのと同様に、フォトニック結晶中の光波は、
同結晶内部の周期的な屈折率変化により回折されて光バ
ンド（フォトニックバンド）構造を形成する。フォトニ
ック結晶は、光に対する禁制帯であるフォトニックバン
ドギャップ、および光に対する強い分散性と異方性を有
し、屈折率の変化周期および変化パターンを変えること
により、結晶内の光の伝播状態を大きく制御することが
できるという特徴を有する。

【０００４】これまでに、このようなフォトニック結晶
の特徴を生かした種々の光デバイスが提案されている。
フォトニックバンドギャップ中の波長の光はフォトニッ
ク結晶中を自由に伝播できないので、同結晶中に強くと
じこめられる。特開平１１−３３０６１９号公報および
特開平１１−１８６６５７号公報では、この強い光閉じ
込め効果を利用した低しきい値レーザの提案がなされて
いる。

【０００５】また、川上らは応用物理学会誌第６８巻１
３３５〜１３４５ページ（１９９９年）において、強い
光閉じ込め効果を利用した無損失急峻曲がり光導波路を
紹介している。これは、フォトニックバンド中の波長の
光がフォトニック結晶中を伝播しないことを利用し、フ
ォトニック結晶をクラッドとして用いることにより、従
来型の導波路では不可能であった急峻曲がり光導波を可
能とするデバイスである。一方、特開平１１−２７１５
４１号公報は、フォトニック結晶が光に対する高い分散
性を有することを利用した光分波素子の提案を行ってい
る。

【０００６】フォトニック結晶の作成法としては、屈折
率の異なる２種類の半導体を交互積層した半導体多層膜
に周期的に空孔をあける方法が知られている。例えば、
特開平１１−３３０６１９号公報は半導体スラブ導波路
に空孔を開けて屈折率変化を生じさせ、導波路内部に２
次元フォトニック結晶を作成する方法を提案している。

【０００７】特開平１１−１８６６５７号公報および特
開平１１−３１６１５４号公報には、半導体多層膜に空
孔を開けて３次元的な周期的屈折率変化を多層膜中に形
成し、フォトニック結晶を作成する方法が示されてい
る。特開２０００−０３１５８７号には、ＧａＡｓ／Ａ
ｌＡｓ多層膜のＡｌＡｓ層の特定部分を酸化して周期的
屈折率変化を生じさせ、３次元的なフォトニック結晶を
構成する方法が開示されている。

【０００８】また川上らは、前記応用物理学会誌第６８
巻１３３５〜１３４５ページ（１９９９年）において
「自己クローニング」とよばれる方法を提案している。
「自己クローニング」法は、基板表面上にサブミクロン
間隔で格子状に孔を形成し、基板上に屈折率の異なる２
種類の材料を交互積層してフォトニック結晶を作成する
方法である。「自己クローニング」法は、多層膜に周期
的に空孔をあける方法と比較して、プロセス面で有利で
ある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術によりフォトニック結晶を作成することは容易では
ない。フォトニック結晶を作成する方法としては、屈折
率の異なる２種類の半導体を交互積層した半導体多層膜
に周期的に空孔をあける方法が知られているが、特開２
０００−３１５８７号公報が指摘しているように、光波
長の１／２程度の周期で半導体多層膜に空孔を開けるの
は容易ではなく、現在のフォトリソグラフィー技術によ
っても半導体多層膜に空孔を開けることに成功した例は
ない。

【００１０】そこで、特開２０００−３１５８７号公報
は、化学的プロセスにより屈折率変化を誘起してフォト
ニック結晶を作成する方法を提案している。この方法
は、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層膜のＡｌＡｓ層の特定部分
を酸化して屈折率変化を誘起し、フォトニック結晶を作
成するという方法である。しかし、この方法は複雑な酸
化工程を要する。

【００１１】一方、川上らが考案した「自己クローニン
グ」の方法によれば、フォトニック結晶をより簡便に作
成することができるが、同方法は、格子状に孔の形成さ
れた基板を必要とし、基板を作成するためのエッチング
工程が別途必要となる。

【００１２】さらに、従来技術は、機械的・化学的な手
法でフォトニック結晶を作るため、複雑な形状・構造の
フォトニック結晶を作成する場合、その工程が複雑とな
る。

【００１３】本発明の目的は、このような課題を解決し
て、フォトニック結晶を容易に作成できる光デバイスお
よびそれを用いたフォトニック結晶光デバイスを提供す
ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、コ
ア層が電気光学効果を示すスラブ光導波路と、電気光学
効果によりコア層の屈折率を変化させる手段を備えた光
デバイスであり、コア層中の少なくとも一部分に所望の
周期的屈折率パターンを電気光学効果により誘起してフ
ォトニック結晶を作成できることを特徴とする光デバイ
スにより達成される。

【００１５】本発明の代表的な構成は、上記スラブ導波
路の両表面上に複数の電極が一定の間隔で互いに平行と
なるように配置されており、電極の幅および電極の間隔
が導波光波長の１／４以下であり、一方の面上の電極が
他面上の電極と上記導波路をはさんで交差するように配
置してある光デバイスであって、電極を適宜選択して電
圧を印加することにより、所望のフォトニック結晶構造
をコア層内部に作成できることを特徴とする光デバイス
である。

【００１６】従来の技術においては、周期的な屈折率変
化を機械的・化学的な手段により誘起し、フォトニック
結晶を作成していた。したがって、必然的に光デバイス
に必要とされる複雑な形状を有するフォトニック結晶を
作成することは困難であり、また、作成にあたっては複
雑な工程を必要とした。

【００１７】そこで、本発明においては、周期的な屈折
率変化を電気光学効果を利用して誘起することにより電
気的にフォトニック結晶を作成できるようにした。本発
明では、電気的に周期的な屈折率変化を誘起するため、
従来の技術において必要とされた複雑な機械的・化学工
程を経ることなく、フォトニック結晶を容易に作成する
ことができる。

【００１８】本発明では、コア層が電気光学効果を示す
スラブ導波路の両表面上の両表面上に複数の電極が一定
の間隔で互いに平行となるように配置し、一方の面上の
電極が他面上の電極と上記導波路をはさんで交差するよ
うにして、電極を適当に選択してスラブ導波路に電圧を
印加することにより、導波路コア内部に周期的な屈折率
変化を電気光学効果により生じさせるようにした。

【００１９】フォトニック結晶の屈折率周期は、結晶内
光波長の１／２程度とする必要がある。そこで本発明で
は、スラブ導波路表面上の電極の幅および電極の間隔を
導波光波長の１／４以下とすることにより、電気光学効
果により誘起される屈折率変化の周期が結晶内光波長の
１／２程度となるようにした。このような電極は、半導
体デバイスの配線工程で用いられる光リソグラフィー技
術を用いることにより容易に作成できる。川上らが応用
物理学会誌第６８巻１３３５〜１３４５ページ（１９９
９年）で指摘しているように、光ファイバ通信で用いら
れる波長１．５μm帯用のフォトニック結晶では、屈折
率変化周期を０．５μm程度とする必要があるが、現在
の光リソグラフィー技術によれば、電極の幅および電極
の間隔を０．１μm程度とすることができる。

【００２０】本発明では、電気光学効果によりスラブ導
波路内部にフォトニック結晶を形成するので、電気光学
効果を生じさせる電圧を印加する電極を変えることによ
り、結晶の形状および構造を変化させることが可能であ
る。本発明によれば、フォトニック結晶を容易に作成で
き、回折格子、導波路、急峻曲がり導波路として作用す
るフォトニック結晶光デバイスを容易に作成することが
できる。

【００２１】また本発明では、電気光学効果によりフォ
トニック結晶を作成するので、フォトニック結晶の形状
・構造を容易に変化させることができ、構造・機能が可
変な回折格子、導波路等を実現することができる。

【００２２】このように、本発明によれば、フォトニッ
ク結晶およびフォトニック結晶を有する光デバイスを容
易に作成でき、さらに従来にはない光デバイスを実現す
ることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１および２は、本
発明の典型的な構成になる光デバイスの平面図および断
面図であり、図３および４は本実施例により形成される
フォトニック結晶の模式的説明図である。

【００２４】図１において、１は電気光学効果を示す基
板、２は電極ａ〜ｔからなる上面側の電極群、３は電極
Ａ〜Ｔからなる下面側の電極群である。本実施例では上
記基板１をスラブ導波路コア層とし、その内部を光が導
波する構造とした。スラブ導波路のクラッドは空気層で
ある。

【００２５】上記導波路コア層１は、電気光学効果を示
す材料で構成されていればよく、例えばニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯ₃）で構成することができる。電極群２
および３を構成する電極は、それぞれ導波路コア層１の
異なる表面上に一定の間隔で配置され、本実施例におい
て電極の幅および電極の間隔は０．２５μmである。

【００２６】図２は図１の実施例の上記電極Ａ部分の断
面図である。本実施例は電極を適宜選択して電圧を印加
することにより、導波路コア層１の任意部分に電気光学
効果を誘起して、上記電圧印加部分の屈折率を変化させ
ることができる。例えば、電極Ａと電極ａの間に電圧を
印加した場合には、導波路コア層１のそれら電極が交差
する部分４の屈折率が電気光学効果により変化する。同
様に電極Ｓと電極ｓの間に電圧を印加した場合、５の部
分の屈折率が電気光学効果により変化する。

【００２７】図２に示すように、４の部分は導波路コア
層１内部では柱状になっており、導波路コア層１を導波
する光に対する格子点として作用する。このように本実
施例では、導波路コア層１の任意の部分に導波光に対す
る格子点を形成できる。すなわち、電極ａ〜ｔおよび電
極Ａ〜Ｔを適宜選択して複数の格子点が周期的に形成さ
れるようすることで、導波路コア層１の内部に２次元フ
ォトニック結晶を構成することができる。

【００２８】図３は、本実施例により形成されるフォト
ニック結晶の模式図である。ここで、図３では選択した
電極のインデックスのみを示す。電極群２の電極ｆ，
ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌ，ｍ，ｎ，ｏと電極群３の電極
Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｏを選択し、電極群
２と３の間に電圧を印加することにより、導波路コア層
１の内部に縦方向１０周期、横方向１０周期の２次元フ
ォトニック結晶６が構成される。上記フォトニック結晶
６は、縦方向、横方向ともに格子周期が０．５μmであ
る等方的な２次元フォトニック結晶である。

【００２９】図４は、本実施例により形成されるフォト
ニック結晶の他の構成例の模式図である。電極群２の電
極ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌ，ｍ，ｎ，ｏと電極群３
の電極Ｆ，Ｈ，Ｊ，Ｌ，Ｎを選択し、電極群２と３の間
に電圧を印加することにより、導波路コア層１の内部に
縦方向に５周期、横方向に１０周期の屈折率変化を有す
る２次元フォトニック結晶７が形成される。このフォト
ニック結晶７は、横方向の格子周期が０．５μm、縦方
向の格子周期が１．５μmである。

【００３０】本実施例のように、本発明によればスラブ
導波路１中に様々な形での２次元フォトニック結晶を容
易に形成することできる。また、本実施例では、電極群
２および３を構成する電極の幅および間隔を０．２５μ
mとした。このため、スラブ導路１中に形成されるフォ
トニック結晶の格子定数は０．５μmの整数倍に制限さ
れる。電極幅および間隔をより短くすることによりこの
制限を緩和することができる。例えば、電極幅および間
隔を０．１μmとした場合には、格子定数が０．２μmの
整数倍となるフォトニック結晶を形成できる。

【００３１】（実施例２）フォトニック結晶は周期的な
屈折率変化を有し、光に対する回折格子として作用する
ので、本発明により回折格子を作成することができる。
図５および図６は、実施例１（図１）を用いて構成され
る回折格子として作用する光デバイスの模式図である。

【００３２】図５に示すように、電極群２の電極ｏ，
ｐ，ｑ，ｒ，ｓと電極群３の電極Ａ〜Ｔを選択し、電極
群２と３の間に電圧を印加すると、導波路コア層１中に
縦方向に２０周期、横方向に５周期の屈折率変化を有す
るフォトニック結晶８が形成される。電極群２および３
の電極間隔が０．２５μmであるので、フォトニック結
晶８の格子定数は縦・横両方向ともに０．５μmとな
り、フォトニック結晶８は導波路コア層１を導波する波
長１．０μmの光に対する回折格子として作用する。す
なわち、電極の幅および間隔を導波光波長の１／４とす
ることにより、導波光に対する回折格子が形成される。

【００３３】一方、図６に示すように、電極群２の電極
ｏ，ｑ，ｓと電極群３の電極Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｇ，Ｉ，Ｋ，
Ｍ，Ｏ，Ｑ，Ｓを選択し、電極群２と３の間に電圧を印
加した場合には、導波路コア層１中に縦方向に１０周
期、横方向に３周期の屈折率変化を有するフォトニック
結晶９が形成される。電極群２および３の電極幅および
間隔が０．２５μmであるので、上記フォトニック結晶
９の格子定数は、縦方向、横方向ともに１．０μmとな
る。上記フォトニック結晶９は、導波路コア層１を導波
する波長２．０μmの導波光に対する回折格子として作
用する。

【００３４】以上のように、本実施例によれば図１の光
デバイスを用いて構造が可変な回折格子を作成できる。

【００３５】（実施例３）フォトニック結晶は、フォト
ニックバンドギャップ中の波長の光をブラッグ反射する
性質があり、この性質を利用してフォトニック結晶をク
ラッドとする光導波路を作成することができる。

【００３６】実施例１の光デバイス（図１）の電極群２
の全電極ａ〜ｆと電極群３の全電極Ａ〜Ｔを選択し、両
者間に電圧を印加すると、図７のように導波路コア層１
中に電気光学効果によるフォトニック結晶１０が形成さ
れる。電極の幅および間隔が０．２５μmであるので、
フォトニック結晶１０の格子定数は０．５μmとなり、
フォトニック結晶１０は波長が１．０μmの導波光をブ
ラッグ反射する。したがって波長が１．０μmの光は９
内部を伝播することができない。

【００３７】一方、電極群２の全電極ａ〜ｆと、Ｋを除
く電極群３の電極Ａ〜ＪおよびＬ〜Ｔを選択し、電極群
２と３の間に電圧を印加すると、図８に示すように格子
定数が０．５μmである２つのフォトニック結晶１１お
よび１２が導波路コア層１中に形成され、上記フォトニ
ック結晶１１と１２の間には、格子点が存在しない領域
１３ができる。

【００３８】ここで、光ファイバ１４を用いて導波光波
長が１．０μmの光を１に入力すると、導波光はフォト
ニック結晶１１と１２の領域内部には伝播できないの
で、上記領域１３の内部を導波する。このため、図８の
デバイスは、領域１１および１２をクラッド、領域１３
をコアとする導波路として作用する。このように、本発
明による図１の光デバイスを用いて導波路を形成するこ
とができる。

【００３９】また、実施例１の光デバイスの電極群２の
電極ａ〜ｊ、ｌ〜ｔと電極群３の電極Ａ〜Ｊ、Ｌ〜Ｔを
選択し、電極群２と３の間に電圧を印加すると、図９に
示すように導波路コア層１中に格子定数が０．５μmの
４つのフォトニック結晶１５、１６、１７および１８が
形成され、それらの領域間に格子点が存在しない領域１
９および２０が形成される。上記フォトニック結晶領域
１５、１６、１７および１８は、波長が１．０μmの導
波光に対するクラッドとして作用し、領域１９および２
０はコアとして作用する。したがって、図９のデバイス
は、交差型導波路として作用する。

【００４０】（実施例４）図１０は本発明の他の実施例
の光デバイスの模式図、図１１および１２は本実施例に
より形成されるフォトニック結晶導波路の模式説明図で
ある。

【００４１】図１０において、１は電気光学効果を示す
基板、２１および２２は電極群である。電極群２１およ
び２２は基板１の異なる表面上に配置され、電極群２１
は等間隔で配置されたＬ字型電極ａ〜ｔ、電極群２２は
等間隔で配置されたＬ字型電極Ａ〜Ｔからなる。電極の
幅および電極の間隔は０．２５μmである。本実施例の
光デバイスは、基板１の表面上に配置された電極の形状
がＬ字型である点が図１に示した実施例１の光デバイス
と異なる。

【００４２】図１１は、本実施例により実現される急峻
曲がり導波路として作用する光デバイスの模式図であ
る。電極群２１の電極全ておよび電極群２２の電極Ｅを
除く電極を選択し、電極群２１と２２の間に電圧を印加
することにより、導波路コア層１の内部にフォトニック
結晶領域２３および２４が構成される。図には、選択し
た電極のインデックスのみを示す。

【００４３】フォトニック結晶領域２３および２４の格
子定数は０．５μmであり、上記領域２３と２４の間に
は格子点が存在しないＬ字型の領域２５が形成される。
光ファイバ２６により、導波光波長１．０μmの光を導
波路コア層１内部に入力すると、導波光はフォトニック
結晶領域２３および２４の内部には進行することができ
ず、格子点が存在しないＬ字型の領域２３の内部を導波
する。

【００４４】このように、図１１の光デバイスは、フォ
トニック結晶領域２３および２４をクラッド、格子点が
存在しない領域２５をコアとする急峻曲がり導波路とし
て機能する。

【００４５】図１２は、同様に本実施例により構成され
る急峻曲がり導波路として作用する、光デバイスの模式
図である。電極群２１の全ての電極および電極群２２の
電極ＥおよびＯを除く電極を選択し、電極群２１と２２
の間に電圧を印加する。これにより、導波路コア層１の
内部にフォトニック結晶領域２７、２８および２９と格
子点が存在しない二つのＬ字型の領域３０および３１が
構成される。

【００４６】フォトニック結晶２７、２８、２９の格子
点間隔は０．５μmである。光ファイバ３２により導波
波長が１．０μmの光を導波路コア層１内部に導波する
と、導波光はフォトニック結晶２７、２８の内部には進
行できず、格子点が存在しないＬ字型の領域３０内部を
導波する。同様に光ファイバ３３により導波路コア層１
内部に光を導波させると、導波光はフォトニック結晶２
８、２９の内部には進行できず、格子点が存在しないＬ
字型の領域３１の内部を導波する。

【００４７】このように、図１２の光デバイスは、フォ
トニック結晶領域２７，２８および２９をクラッド、格
子点が存在しないＬ字型の領域３０および３１をコアと
する２つの独立した急峻曲がり導波路を有する光デバイ
スとして機能する。

【００４８】（実施例５）図１３は、本発明のさらに他
の実施例になる光デバイスの模式図である。図１３にお
いて、１は電気光学効果を示す基板、３４および３５は
それぞれ基板１の異なる面上に配置された電極群であ
る。電極群３４は直線状の電極ａ〜ｔ、３５は直線上の
電極Ａ〜Ｔからなり、電極群３４および３５は相互に６
０度の角度で交差するように配置されている。電極の幅
および電極の間隔は０．５μmである。

【００４９】図１４は、本実施例により構成されるフォ
トニック結晶の模式図である。電極群３４の電極ｃ〜
ｊ、電極群３５の電極Ｃ〜Ｊを選択し、電極群３４と３
５の間に電圧を印加することにより、フォトニック結晶
３６が導波路コア層１内部に形成される。図３および４
に示したように、実施例１の光デバイスにより形成され
るフォトニック結晶の結晶単位格子が正方形状あるは長
方形状であるのに対し、本実施例の光デバイスによるフ
ォトニック結晶の単位格子は菱形状である。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電気光
学効果によりフォトニック結晶をスラブ導波路中に容易
に構成でき、それらフォトニック結晶を利用した回折格
子、導波路、急峻曲がり導波路等を作成することができ
る。また、本発明では、フォトニック結晶を電気光学効
果により作成するので、結晶構造・形状を容易に変化さ
せることができるという利点を有する。このため、本発
明によれば、格子構造が可変な回折格子、構造が可変な
導波路等従来にはない光デバイスを実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の光デバイスの平面図。

【図２】本発明の実施例１の光デバイスの断面図。

【図３】本発明の実施例１のフォトニック結晶の模式
図。

【図４】本発明の実施例１のフォトニック結晶の模式
図。

【図５】本発明の実施例２の回折格子の模式図。

【図６】本発明の実施例２の回折格子の模式図。

【図７】本発明の実施例３のフォトニック結晶の模式
図。

【図８】本発明の実施例３の導波路の模式図。

【図９】本発明の実施例３の交差型導波路の模式図。

【図１０】本発明の実施例４の模式図。

【図１１】本発明の実施例４の急峻曲がり導波路の模式
図。

【図１２】本発明の実施例４の急峻曲がり導波路の模式
図。

【図１３】本発明の実施例５の光デバイスの平面図。

【図１４】本発明の実施例５のフォトニック結晶の模式
図。

【符号の説明】

１…電気光学効果を示す基板（導波路コア層）、２…電
極群、３…電極群、４…電気光学効果により屈折率が変
化した領域、５…電気光学効果により屈折率が変化した
領域、６…フォトニック結晶、７…フォトニック結晶、
８…フォトニック結晶、９…フォトニック結晶、１０…
フォトニック結晶、１１…フォトニック結晶、１２…フ
ォトニック結晶、１３…格子点が存在しない１の領域、
１４…光ファイバ、１５…フォトニック結晶、１６…フ
ォトニック結晶、１７…フォトニック結晶、１８…フォ
トニック結晶、１９…格子点が存在しない領域、２０…
格子点が存在しない領域、２１…電極群、２２…電極
群、２３…フォトニック結晶、２４…フォトニック結
晶、２５…格子点が存在しない領域、２６光ファイバ、
２７…フォトニック結晶、２８…フォトニック結晶、２
９…フォトニック結晶、３０…格子点が存在しない領
域、３１…格子点が存在しない領域、３２光ファイバ、
３３光ファイバ、３４…電極群、３５…電極群、３６…
フォトニック結晶。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コア層が電気光学効果を示すスラブ光導波
路と、電気光学効果によりコア層の屈折率を変化させる
手段を備え、コア層中の少なくとも一部分に所望の周期
的屈折率パターンを誘起してフォトニック結晶を形成し
たことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】スラブ導波路の両表面上に一定の間隔で互
いに平行な複数の電極を一方の面上の電極が他の面上の
電極と上記導波路をはさんで交差するように配置し、か
つ上記電極の幅および電極の間隔を導波光波長の１／４
以下とし、上記電極を適宜選択して交差する電極間に電
圧を印加することにより、所望のフォトニック結晶構造
を上記コア層内部に形成することを特徴とする請求項１
記載の光デバイス。
【請求項３】コア層内部のフォトニック結晶が導波光に
対する回折格子として機能することを特徴とする請求項
２記載の光デバイス。
【請求項４】上記回折格子構造が可変であることを特徴
とする請求項３記載の光デバイス。
【請求項５】上記コア層内部のフォトニック結晶が導波
光に対する導波路として機能することを特徴とする請求
項２記載の光デバイス。
【請求項６】上記導波路構造が可変であることを特徴と
する請求項５記載の光デバイス。
【請求項７】上記導波路構造が急峻曲がり導波路として
機能することを特徴とする請求項２記載の光デバイス。
【請求項８】フォトニック結晶の単位格子構造が、正方
形状、長方形状あるいは菱形状であることを特徴とする
請求項２記載の光デバイス。