JP4965854B2 - 不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図6及び図7ではナノチップ電極不揮発性メモリ抵抗体RRAMセルの製造工程を表している。図に示すとおり、下部電極は酸化イリジウムナノチップから成る。このメモリ抵抗体は説明の簡潔のためにCMRと記載している。上部電極は、PtやTiN等の非酸化性耐熱金属もしくは耐熱金属の化合物でできている。
102 :第1電極
104 :ナノチップ
106 :メモリ抵抗体材料
108 :第2電極
110 :基板
112 :ナノチップの先端
114 :厚さ
200 :ナノチップの底部寸法
202 :ナノチップの高さ
300 :耐熱金属膜
400 :材料
500 :材料
Claims (39)
- 第1金属材料を有機金属化学的気相成長法(MOCVD)により堆積し、前記堆積された第1金属材料から、前記第1金属材料の酸化物からなる突起物を成長させ、第1電極を形成する工程と、
前記突起物に隣接するメモリ抵抗体材料を形成する工程と、
前記メモリ抵抗体材料に隣接する第2電極を形成する工程と、を備え、
前記メモリ抵抗体材料が前記第1電極と前記第2電極の間に位置することを特徴とする不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。 - 前記第1電極を形成する工程が、酸化イリジウム(IrOx)からなる前記突起物を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、及び貴金属を含むグループから選択される材料から形成された基板を提供する工程を備え、
前記突起物を形成する工程が、メチルシクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)前駆体を供給する工程、有機金属化学的気相成長法(MOCVD)を用いてIrを堆積させる工程、及び、前記堆積したIrからIrOx からなる前記突起物を生成する工程を有することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。 - 前記突起物を形成する工程が、約350℃の温度で前記Irを堆積させる工程と、10〜50torrの範囲の酸素圧で前記Irを堆積させる工程を有することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記基板上に耐熱金属膜を形成する工程を備え、
前記MOCVD法を用いてIrを堆積させる工程において、前記耐熱金属膜上にIrを堆積させることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。 - 前記第1電極を形成する工程において、50nm以下の底部寸法を有する前記突起物を形成することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記第1電極を形成する工程において、5〜50nmの範囲の高さを有する前記突起物を形成することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記第1電極を形成する工程において、1μm2当たり100本を越える密度で前記突起物を形成することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記メモリ抵抗体材料を形成する工程において、Pr0.3Ca0.7MnO3(PCMO)、巨大磁気抵抗(CMR)膜、遷移金属酸化物、モット絶縁体、高温超電導体(HTSC)材料を含むグループから選択されるメモリ抵抗体材料を形成することを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記第1電極を形成する工程が、先端を有する前記突起物を備えた下部電極を形成する工程を備え、
前記メモリ抵抗体材料を形成する工程が、前記突起物を備えた下部電極上に前記メモリ抵抗体材料を等角的(comformally)に堆積させる工程、及び、前記メモリ抵抗体材料を平坦化させる工程を有し、
前記第2電極を形成する工程が、前記メモリ抵抗体材料上に上部電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項1〜9の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。 - 前記メモリ抵抗体材料を等角的に堆積させる工程が、メモリ抵抗体材料を50〜200nmの範囲の厚さで前記突起物上に等角的に堆積させる工程を備え、
前記メモリ抵抗体材料を平坦化させる工程において、前記突起物と前記上部電極の間に30〜200nmの範囲で、前記メモリ抵抗体材料の厚さを残すことを特徴とする請求項10に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。 - 前記上部電極を形成する工程が、上部電極材料を等角的に堆積させる工程と、前記上部電極材料、メモリ抵抗体材料、及び、前記下部電極を選択エッチングする工程を備え、更に、前記メモリセル付近に保護膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項10又は11に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記第2電極を形成する工程において、Pt、耐熱金属、耐熱金属の酸化物、耐熱金属の窒化物、及びAlを含むグループから選択される材料から第2電極を形成することを特徴とする請求項1〜12の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 前記メモリ抵抗体材料を形成する工程において、前記突起物付近、すなわち、前記突起物の周囲、前記突起物の上、前記突起物の間に、前記メモリ抵抗体材料を形成することを特徴とする請求項1〜13の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。
- 請求項1〜14の何れか一項に記載の製造方法により製造された不揮発性メモリ抵抗体セルの記憶状態を変更する記憶状態変更方法であって、
第2電極、メモリ抵抗体材料、及び、前記メモリ抵抗体材料に隣接する、突起物を備えた第1電極を有してなるメモリ抵抗体セルを供給する工程、
前記第2電極に電圧パルスを供給する工程、
前記突起物近傍に電界を生成する工程、及び、
前記電界に応じて、前記メモリ抵抗体材料の抵抗特性を生成する工程を有することを特徴とする記憶状態変更方法。 - 前記第2電極に電圧パルスを供給する工程が、パルス幅の狭い正電圧パルスを供給する工程を有し、
前記メモリ抵抗体材料に抵抗特性を生成する工程において、高抵抗状態を生成することを特徴とする請求項15に記載の記憶状態変更方法。 - 前記第2電極に電圧パルスを供給する工程が、パルス幅の狭い負電圧パルスを供給する工程を有し、
前記メモリ抵抗体材料に抵抗特性を生成する工程において、低抵抗状態を生成することを特徴とする請求項16に記載の記憶状態変更方法。 - 前記第2電極に電圧パルスを供給する工程が、パルス幅の広い正電圧パルスを供給する工程を有し、
前記メモリ抵抗体材料に抵抗特性を生成する工程において、低抵抗状態を生成することを特徴とする請求項16に記載の記憶状態変更方法。 - 前記抵抗特性を生成する工程において、前記低抵抗状態に比べ1000〜100,000倍の範囲で抵抗値が大きい高抵抗状態を生成することを特徴とする請求項15に記載の記憶状態変更方法。
- 前記正電圧パルスを供給する工程と前記負電圧パルスを供給する工程において、1.5〜7Vの範囲の絶対電圧値と、1〜500nsの範囲の狭いパルス幅を備えた電圧パルスを供給することを特徴とする請求項17に記載の記憶状態変更方法。
- 前記パルス幅の広い正電圧パルスを供給する工程において、1.5〜7Vの範囲の電圧値と1〜10msの範囲のパルス幅とを備えた電圧パルスを供給することを特徴とする請求項18に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、50nm以下の底部寸法を有する前記突起物を備えた前記第1電極を供給することを特徴とする請求項15〜21の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、5〜50nmの範囲の高さを有する前記突起物を備えた前記第1電極を供給することを特徴とする請求項15〜21の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、1μm2当たり100本を越える密度を有する前記突起物を備えた前記第1電極を供給することを特徴とする請求項15〜21の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、酸化イリジウム(IrOx)からなる前記突起物を備えた前記第1電極を供給することを特徴とする請求項15〜24の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、Pr0.3Ca0.7MnO3(PCMO)、巨大磁気抵抗(CMR)膜、遷移金属酸化物、モット絶縁体、高温超電導体(HTSC)材料を含むグループから選択されるメモリ抵抗体材料を形成することを特徴とする請求項15〜25の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、先端を備えた前記突起物を有する前記第1電極を供給すること、及び、前記突起物の先端と前記第2電極との間に30〜200nmの厚さを有するメモリ抵抗体材料を供給することを特徴とする請求項15〜26の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 前記メモリ抵抗体セルを供給する工程において、Pt、耐熱金属、耐熱金属の酸化物、耐熱金属の窒化物、及びAlを含むグループから選択される材料から成る前記第2電極を供給することを特徴とする請求項15〜27の何れか一項に記載の記憶状態変更方法。
- 突起物を有する第1電極、
前記突起物付近のメモリ抵抗体材料、及び、
前記メモリ抵抗体材料付近の第2電極を備えてなり、
前記メモリ抵抗体材料が前記第1電極と前記第2電極の間に位置することを特徴とする請求項1〜14の何れか一項に記載の製造方法により製造された不揮発性メモリ抵抗体セル。 - 前記突起物が50nm以下の底部寸法を有することを特徴とする請求項29に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- 前記突起物が5〜50nmの範囲の高さを有することを特徴とする請求項29に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- 前記突起物が1μm2当たり100本を超える密度を有することを特徴とする請求項29に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- 前記突起物が酸化イリジウム(IrOx)からできていることを特徴とする請求項29〜32の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- 基板及び、前記基板と前記第1電極との間に位置する耐熱金属膜を更に備えることを特徴とする請求項33に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、及び貴金属を含むグループから選択される材料からできた基板を備え、
前記第1電極が前記基板に隣接して形成されることを更に特徴とする請求項29〜34の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。 - 前記メモリ抵抗体材料が、Pr0.3Ca0.7MnO3(PCMO)、巨大磁気抵抗(CMR)膜、遷移金属酸化物、モット絶縁体、高温超電導体(HTSC)材料を含むグループから選択される材料であることを特徴とする請求項29〜35の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- 前記突起物が先端を有し、
前記メモリ抵抗体材料が、前記突起物の先端と前記第2電極の間に30〜200nmの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項29〜36の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。 - 前記第2電極が、Pt、耐熱金属、耐熱金属の酸化物、耐熱金属の窒化物、及びAlを含むグループから選択される材料であることを特徴とする請求項29〜37の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
- 前記メモリ抵抗体材料が、前記突起物付近、すなわち、前記突起物の周囲、前記突起物の上、前記突起物の間にあることを特徴とする請求項29〜38の何れか一項に記載の不揮発性メモリ抵抗体セル。
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