JP4960419B2 - 半導体記憶装置及び半導体装置 - Google Patents
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Description
[構成]
はじめに、図1を参照して、第1実施形態に係る半導体記憶装置の全体構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置を示すブロック図である。第1実施形態に係る半導体記憶装置は、SRAMブロック10、及びレギュレータ20を有する。SRAMブロック10は、データの書き込み、及び読み出しを可能に構成されている。レギュレータ20は、電源電圧VDDを降圧して正の電圧VWLを生成し、SRAMブロック10に供給する。なお、SRAMブロック10とレギュレータ20は、同一のLSIチップの内部に設けられているが、レギュレータ20は、LSIチップの外部であってもよい。
次に、図4〜図6を参照して、製造工程により生じるSRAMセルMCの特性に応じた最適な電圧印加条件について説明する。図4及び図5は、各々、FS条件及びSF条件における、SRAMセルMCの不良率(sigma)と電圧VWLと電圧VBLとの関係を示す。ここで、FS条件及びSF条件は、SRAMセルMCを構成するNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの製造工程による特性の変動を示す。FS条件では、NMOSトランジスタが電流駆動力の大きい側に変動し(Fast)、PMOSトランジスタが電流駆動力の小さい側に変動する(Slow)。一方、SF条件では、NMOSトランジスタが電流駆動力の小さい側に変動し(Slow)、PMOSトランジスタが電流駆動力の大きい側に変動する(Fast)。
[数1]
{βn(VWL−Vthn)^2}/{βp(VDD−Vthp)^2}=一定
[数2]
VWL=Vthn+A
[数3]
−VBL=Vthn
[数4]
VWL=−VBL+A
第1実施形態に係る半導体記憶装置によれば、プロセス条件に応じて正の電圧VWLに応じて負の電圧VBLを設定可能に構成されているので、プロセス条件の変動によらず書き込み特性の悪化を抑制し、低電圧で書き込み動作を実行することができる。
[構成]
次に、図7を参照して、第2実施形態に係る半導体記憶装置の全体構成について説明する。図7は、第2実施形態に係る半導体記憶装置を示すブロック図である。なお、第2実施形態において、第1実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、図11及び図12を参照して、ワード線電圧VWLのプロセス及び温度依存性について説明する。図11は、製造条件及び温度条件によるワード線電圧VWLの変化を示している。
第2実施形態に係る半導体記憶装置は、第1実施形態の効果に加えて、信号CODE<0>、CODE<1>に応じて、ワード線WLの電圧VWLを段階的に制御することが可能となる。
以上、半導体記憶装置の実施形態を説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、追加、置換等が可能である。
Claims (6)
- 複数のワード線、これらワード線と交差する複数のビット線、並びに前記複数のワード線と前記複数のビット線の交差部に接続された複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、
前記メモリセルへのデータ書き込みの際に、選択したワード線を正の第1電圧まで駆動するワード線ドライバと、
前記メモリセルへのデータ書き込みの際に、選択したビット線を前記第1電圧に応じた負の第2電圧まで駆動するビット線ドライバとを備え、
前記ワード線ドライバ及び前記ビット線ドライバは、前記メモリセルの特性に応じて設定された前記第1電圧及び第2電圧をそれぞれ出力し、前記第1電圧及び第2電圧は、前記第1電圧のレベルが低いほど、前記第2電圧のレベルが高くなるように設定される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、データ保持部、及びこのデータ保持部と前記ビット線との間に接続されると共にゲートが前記ワード線に接続されたトランスファゲートを備えたSRAMセルからなる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記第1電圧及び第2電圧を指定する電圧設定情報を記憶する電圧設定情報記憶手段を有し、
前記ワード線ドライバは、前記電圧設定情報に基づいて前記第1電圧を生成し、
前記ビット線ドライバは、前記電圧設定情報に基づいて前記第2電圧を生成する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。 - 前記ワード線ドライバは、
PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタからなるインバータ回路と、
このインバータ回路の出力端に接続された降圧素子により構成され、
ワード線選択時には、前記電圧設定情報に基づいて前記降圧素子の抵抗値が調整され、前記PMOSトランジスタ及び降圧素子により、電源電圧と接地電位の間の中間電位を前記第1電圧として出力する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記ビット線ドライバは、負電位生成回路を構成するブースストラップ回路を有し、
前記ブートストラップ回路は、キャパシタ素子と、このキャパシタ素子の一端に接続された充電又は放電回路とを有し、前記充電又は放電回路の充電又は放電電流を前記電圧設定情報に基づいて調整することにより、前記キャパシタ素子の他端が高レベルから低レベルへと反転したときの前記キャパシタ素子の一端に現れる前記第2電圧を調整する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。 - 請求項1又は2記載の半導体記憶装置と、
前記第1電圧を生成する第1電圧生成用電源とを有し、
前記ワード線ドライバは、前記第1電圧生成用電源から供給される第1電圧を前記ワード線に出力し、
前記ビット線ドライバは、前記第1電圧生成用電源から供給される第1電圧から前記第2電圧を生成して前記ビット線に出力する
ことを特徴とする半導体装置。
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