JP4958466B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

各画素についての入力データに応じて各画素の表示を制御して画面表示を行う表示装置、特に画面における輝度ムラの補正に関する。

フラットディスプレイの１つとして液晶ディスプレイがあり、この液晶ディスプレイでは、画素毎にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を設け表示を制御するアクティブマトリクスタイプのものが主流になっている。また、表示素子としてＯＬＥＤ（有機発光ダイオード：有機ＥＬ素子）を用いる有機ＥＬディスプレイにおいてもアクティブマトリクスタイプのものが利用される。

図２０にアクティブ型の有機ＥＬ表示装置における１画素分の回路（画素回路）の構成を示す。水平方向に伸びるゲートライン（Ｇａｔｅ）をＨレベルにして、選択ＴＦＴ２をオンし、その状態で垂直方向に伸びるデータライン（Ｄａｔａ）に表示輝度に応じた電圧を有するデータ信号を載せることで、データ信号が保持容量Ｃに蓄積される。これによって、駆動ＴＦＴ１がデータ信号に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子３に供給して、有機ＥＬ素子３が発光する。

ここで、有機ＥＬ素子の発光量と電流はほぼ比例関係にある。通常、駆動ＴＦＴ１のゲート−ＰＶｄｄ間には画像の黒レベル付近でドレイン電流が流れ始めるような電圧（Ｖｔｈ）を与える。また、画像信号の振幅としては、白レベル付近で所定の輝度となるような振幅を与える。

図２１は駆動ＴＦＴ１の入力信号電圧（ゲートソース間電圧Ｖｇｓ＝データラインＤａｔａの電圧と電源ＰＶｄｄの差）に対する有機ＥＬ素子３に流れる電流icv（輝度に対応する）の関係を示している。そして、黒レベル電圧として、Ｖｔｈを与え、白レベル電圧として、Ｖｗを与えるように、データ信号を決定することで、有機ＥＬ素子３における適切な階調制御を行うことができる。

ここで、有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状の多数の画素を配列した表示パネルで構成される。このため、製造上の問題または経年変化等により、画素を駆動するＴＦＴのしきい値電圧（Ｖｔｈ）または電圧−電流（Ｖ−Ｉ）特性の傾き（ｇｍ）がばらつき、輝度ムラとなることがある。

そこで、この輝度ムラを補正するために、図１に示すように、各画素を駆動する信号データにある値を加算してＶｔｈの補正 (オフセット補正) を、また乗算することによりｇｍの補正 (ゲイン補正) をすることが提案されている。すなわち、図２に示す構成を有しており、（ａ）全画素の平均的特性に対し、（ｂ）水平ラインｎにおける画素の平均的特性が異なっている場合に、水平ラインｎのオフセット／ゲインを変更することで、ライン毎の輝度ムラの補正を行う。このような手法については、例えば特許文献１〜３に記載がある。

特開平１１−２８２４２０号公報 特開２００４−２６４７９３号公報 特開２００５−２８４１７２号公報

上述のような補正を全画素について行うと補正データはすべての画素毎に必要となるので、パネルの画素数分のデータを保持しておくメモリが必要となる。画素数の多いパネルの場合、大容量メモリが必要となり、コストも高くなる。また、濃いムラまで補正できるように補正用メモリのビット幅を大きくとると、必要なメモリサイズがそれだけ大きくなる。

本発明は、表示素子に発生する輝度不均一性を補正するための補正データを格納するメモリのサイズを小さくすることを目的とする。

本発明は、各画素についての入力データに応じて各画素の表示を制御して画面表示を行う表示装置において、各画素の輝度のばらつきを補正するためのデータを保持する補正用メモリと、この補正用メモリに保持されたデータと入力データとで演算を行い、輝度ムラの補正を行う補正手段と、を有し、前記補正用メモリ内にエントロピー符号化された補正データを保持し、前記補正手段においてデータの伸長を行いながら入力データと演算を行うことを特徴とする。

また、前記エントロピー符号化としてハフマン符号化を使用することが好適である。

また、前記補正用メモリは、小エリアごとに異なるハフマンテーブルを持つことが好適である。

また、前記ハフマンテーブルは、当該表示装置における画素毎の表示特性に基づいて決定されていることが好適である。

また、画面中における複数画素からなる小エリア毎に、その小エリアについての輝度ムラ補正データを記憶しておき、この小エリア毎の輝度ムラ補正と、前記補正用メモリに記憶されているエントロピー符号化されているデータによる補正を組み合わせて表示を制御することが好適である。

また、前記補正用メモリとは別に、２水平ライン分の入力データを保持するバッファメモリを備え、入力データを順にバッファメモリに書き込み、各ラインの最後の画素の入力データから読み出して補正データと演算を行い、表示する画像の左右を反対にすることが好適である。

また、前記補正用メモリには、各水平ラインの先頭の画素の補正データ格納場所がわかるように補正データが記憶されており、前記補正手段は、表示パネルの垂直走査の方向を反対にすると同時に、前記補正用メモリから最終水平ラインから先頭水平ラインに向けて順に圧縮された補正データを読み出して伸長し、該当する画素の入力データと演算を行うことにより、表示の垂直走査方向を反対にすることが好適である。

また、前記補正用メモリには、各水平ラインの先頭の画素の補正データ格納場所がわかるように補正データが記憶されており、前記補正手段は、表示パネルの垂直走査の方向を反対にすると同時に、前記補正用メモリから最終水平ラインから先頭水平ラインに向けて順に圧縮された補正データを読み出して伸長し、前記バッファメモリから読み出される対応する画素の入力データと演算を行うことにより、表示の水平および垂直走査方向を反対にすることが好適である。

また、各画素は発光素子として有機ＥＬ素子を有することが好適である。

本発明によれば、エントロピー符号化を利用することで、輝度ムラを補正するために必要とするメモリの容量を小さくすることができる。また、圧縮データがメモリの最大容量を越えない限りは、補正できるムラの濃さに制限がなくなるという効果も得られる。

以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。

図４には、本発明の有機ＥＬ表示装置における、輝度データから表示パネルに供給される補正された輝度データ（アナログ信号）を作成するための構成を示してある。

表示パネル１０は、ＲＧＢの各色の画素を有しており、表示用の輝度信号は、ＲＧＢの各色ごとに別に入力されてくる。例えば、画素を垂直方向に同一色のものを配置することで、各データラインにはＲＧＢのいずれかのデータが供給され、これによって各画素において色ごとの表示が行える。なお、この例において、ＲＧＢの各信号は、それぞれ８ビットの輝度データである。

ＲＧＢの各信号はそれぞれ対応する３つのルックアップテーブルＬＵＴ２０に供給される。このルックアップテーブルＬＵＴ２０には、輝度データに対する発光輝度（駆動電流）の関係が所望のカーブとなるようにガンマ補正するとともに、表示パネル１０における、平均的なオフセット、ゲインを考慮したテーブルデータが記憶されている。すなわち、図１における特性（ａ）を補償するデータが記憶されている。

なお、ルックアップテーブルＬＵＴ２０に代えて、特性式を記憶しておき、演算によって輝度データを変換してもよい。また、ルックアップテーブルＬＵＴ２０には、画素毎の入力信号に同期した画素クロックが供給されており、ルックアップテーブルＬＵＴ２０からの出力も、この画素クロックに同期したものになっている。

３つのルックアップテーブルＬＵＴ２０の出力は、３つの乗算器２２に供給される。これら乗算器２２には、補正用ゲイン発生回路２４からの乗算補正値がそれぞれ供給されている。

３つの乗算器２２の出力は、３つの加算器２８にそれぞれ供給される。これら加算器２８には、補正用オフセット発生回路３０からのオフセット補正値がそれぞれ供給されている。

３つの加算器２８の出力は、データラッチ回路３２に供給され、ここで一旦ラッチされた後Ｄ／Ａ変換器３４に供給される。Ｄ／Ａ変換器３４は、ＲＧＢ各色のデジタル信号をそれぞれアナログ信号に変換し、表示パネル１０の対応するデータラインに供給する。そこで、これら各色ごとに画素位置に応じて補正されたデータ信号がデータラインに供給され、各画素において、ＥＬ素子がデータ信号に応じた電流で駆動される。

このように、本実施形態によれば、ルックアップテーブルＬＵＴ２０によって、平均的な駆動ＴＦＴを対象としたオフセット、Ｖ−Ｉ特性の補償と、ガンマ補正を行う。そして、補正用ゲイン発生回路２４、補正用オフセット発生回路３０が、各画素の位置における補正用ゲイン、補正用オフセットを出力する。従って、各画素における駆動トランジスタ（駆動ＴＦＴ）のしきい値電圧ＶｔｈのバラツキΔＶｔｈを補償するだけでなく、ゲートソース間電圧Ｖｇｓに対するドレイン電流（有機ＥＬの駆動電流）のＶ−Ｉ特性を補償して、輝度データに応じた適切な駆動電流を有機ＥＬ素子に供給することができる。

ここで、補正用ゲイン発生回路２４には、伸長回路３６を介しメモリ３８が接続されている。補正用ゲイン発生回路２４は、入力されてくる輝度データの画面上の位置に応じて、対応する乗算補正値を発生するものであるが、メモリ３８における対応する補正データを読み出し、乗算補正値を決定する。そして、このメモリ３８には、エントロピー符号化したデータが記憶されており、伸長回路３６において伸長処理が行われ、伸長された補正データが補正用ゲイン発生回路２４に供給される。

また、補正用オフセット発生回路３０には、伸長回路４０を介しメモリ４２が接続されている。補正用オフセット発生回路３０は、入力されてくる輝度データの画面上の位置に応じて、対応するオフセット補正値を発生するものであるが、メモリ４２における対応する補正データを読み出し、オフセット補正値を決定する。そして、このメモリ４２には、エントロピー符号化したデータが記憶されており、伸長回路４０において伸長処理が行われ、伸長された補正データが補正用オフセット発生回路３０に供給される。

「補正データ」
ムラには発生原因に応じていろいろな種類があり、補正値のばらつきもムラの種類によってかわる。しかし、一般的には補正値のヒストグラムは図３Ａ、３Ｂのように０を中心として、絶対値が大きくなるほど減少するような分布となる。そこで、エントロピー符号化を用いて補正データを圧縮し、メモリ３８，４２に格納する。表示を行う時には、伸長回路３６，４０において圧縮された補正データを伸長しつつ、画素データに対して補正演算を行う。

一例として、３２０×２４０画素のパネルを考え、簡単のため、Ｖｔｈのみを補正する場合を考える。信号データは６ｂｉｔとし、±２５％まで補正しようとすると、符号ビットを含めて１画素５ｂｉｔ（−１５〜＋１５）の補正データが必要となる。すなわち、通常は３２０×２４０×５＝３８４，０００ｂｉｔのメモリが必要になる。

ハフマン符号化を用いた時には、総データ量は、各補正値の“ハフマンコードのビット長×頻度”を全て合計することによって求まる。一例として、ムラの頻度分布及びハフマン符号が表１のようであるとき、総データ量は、２５１，２０５ｂｉｔとなる。必要なメモリサイズは、このデータ量にハフマンテーブルに必要とするサイズを加算したものとなる。

また、圧縮データがメモリの最大容量を越えない限りは、補正できるムラの濃さに制限がなくなるという利点もある。すなわち、この例では、±２５％を越えたムラが出現した場合、従来の方式では完全に補正ができない。

使用するハフマン符号は、一般的に行われる以下の手順により求める。
１）ｎ種類の補正値（シンボル）を頻度の高い方から順に並べる、
２）頻度の低いもの２つを選び、１または０の符号を割り当てこれを統合して１つのシンボルとする。このシンボルの頻度は、２つの合計とする、
３）上記処理によりｎ−１となったシンボルを再び頻度順に並べ直し、頻度の低いものを２つ選んで１または０を割り当てる、
４）上記処理をシンボル数が１になるまで繰り返し行い、途中で割り当てた符号を逆順で読み出しこれを対応するシンボルの符号とする、
上記手順により求めたハフマンテーブルを、補正値の圧縮データとともに装置内のメモリに保持しておきデコード時に使用する。

図５には、補正演算のための構成が示されている。メモリ５０には、ハフマンテーブルと圧縮データが記憶されている。入力されてくるデータに対応する補正データは、メモリ５０から読み出されハフマンデコード部５２においてハフマンデコードされ、補正値として補正演算部５４に供給される。なお、この補正演算部５４が図４における乗算器２２または加算器２８に該当し、メモリ５０が図４におけるメモリ３８または４２に、ハフマンデコード部５２が図４における伸長回路３６または４０に該当する。

表１の符号をハフマン木によって表すと図６のようになる（一部分のみ図示）が、表１のテーブルの代わりにハフマン木を以下に示すようにメモリに保存しておくと、デコード時にそのまま利用でき都合が良い。

まず、図７のように木の節に番号を割り当てる。このとき、根に０を割り当てる以外は任意である。それぞれの節につき対応するメモリのアドレスに、１の側の情報をＢｉｔ１１から６に、０の側の情報をＢｉｔ５から０に保存する。１の側に葉がついている場合はＢｉｔ１１に０、Ｂｉｔ１０から６にデータを、節がついている場合はＢｉｔ１１に１、Ｂｉｔ１０から６に節の番号を保存する。同様に、０の側に葉がついている場合はＢｉｔ５に０、Ｂｉｔ４から０にデータを、節がついている場合はＢｉｔ５に１、Ｂｉｔ４から０に節の番号を保存する。このとき、データは、符号付５ビットの整数であり、節の番号は符号無し５ビットの整数である。表１のようにハフマン符号を割り当てた場合のメモリの内容を表２に示す。

この表２に基づいて符号を割り当てた場合には、伸長は以下の手順で行う。
０）メモリの読み出しアドレスを０にする、
１）メモリデータ読み出し、
２）圧縮データ１Ｂｉｔ読み込み、
３）読み込んだ圧縮データが１ならばメモリから読み込んだデータのうち上位６Ｂｉｔを、０ならば下位６Ｂｉｔを取り出す、
４）取り出したデータのＭＳＢが１ならば下位５Ｂｉｔをメモリの読み出しアドレスとし、ＭＳＢが０ならば下位５Ｂｉｔを伸長結果として出力しＳＲＡＭの読み出しアドレスを０にする、
５）１）から４）を圧縮データがなくなるまで（ラインが終了するまで）行う。

この場合、ハフマン木のデータ格納に必要なメモリの量は、補正値がｎビットの時、節の数が２^ｎ−１個、葉の数が２^ｎ個なので、２（ｎ＋１）×（２^ｎ−１）ビットとなる。この例のように補正値が５ビットなら、３７２ビット必要となる。

以上の例ではパネルごとにハフマンテーブルを求め、表示時にはパネル固有のテーブルを用いて伸長した。もしパネルごとにムラ補正値の頻度分布があまり変化しないようであれば、同じハフマンテーブルを全てのパネルに適用しても良い。

表３に固定ハフマンテーブルの一例を示す。

また、パネル上の位置によって著しくムラの傾向が変わる場合は、数水平ラインごとなど小エリアごとに異なるハフマンテーブルを持っても良い。この場合、ハフマン符号の量(ハフマンテーブルのサイズ)に比べて小エリア内の画素数が十分大きいほど、ハフマンテーブルによるメモリ量の増加が抑えられる。

また、特許文献２，３に述べられている各小エリアごとのムラ補正と各画素の補正を上基本実施形態の処理に組み合わせることにより、エントロピー符号化を効率良く行うことができる。

例として、図８Ａのように縦筋及び横筋状にムラのあるパネルのＶｔｈを補正することを考える。実際には、筋はうっすらと確認できる程度であったり、本数が非常に多いことがある。工場出荷時に、まず縦及び横筋の補正データを求める。

次に、各画素の補正データを求め、縦及び横筋補正のデータと演算を行う。この演算結果の圧縮データと縦横筋補正のデータの両方を表示装置のメモリに格納しておく。ここで、演算を行う代わりに、縦及び横筋の補正データで補正を行った状態で、各画素の補正データを求めても良い。パネルに画像を表示する時は、画素データを伸長した後に逆演算を行い、各画素データの補正を行う。

このための構成を図９に示す。このように、メモリ５０には、ハフマンテーブル、圧縮データの他に縦横筋補正データを記憶しておく。ハフマンデコード部５２はハフマンテーブルおよび圧縮データを利用してハフマンデコードを行い、補正データを得これを縦横筋補正部５６に供給する。メモリ５０の縦横筋補正データを利用して、ハフマンデコード部５２からの補正データにさらに縦横筋の補正データを追加して修正する。そして、修正された補正値が補正演算部５４に供給される。

図８Ｂに示す画素ｚ（ｍ，ｎ）の圧縮前のデータは次の演算式で求める。

オフセットデータ：Zo(m, n) = zo(m, n) − xo(m) − yo(n)、ゲインデータ：Zg(m, n) = zg(m, n) ／（xg(m) × yg(n)）とする。

ここで、Zo(m, n)：(m, n)の位置にある画素ｚの縦横筋補正後の残留オフセット補正データ、zo(m, n)：(m, n)の位置にある画素ｚのオフセット補正データ、xo(m)：水平位置mの垂直ライン上の画素のオフセット補正データの平均値、yo(n)：垂直位置ｎの水平ライン上の画素のオフセット補正データの平均値、Zg(m, n)：(m, n)の位置にある画素ｚの縦横筋補正後の残留ゲイン補正データ、zg(m, n)：(m, n)の位置にある画素ｚのゲイン補正データ、xg(m)：水平位置mの垂直ライン上の画素のゲイン補正データの平均値、yg(n)：垂直位置ｎの水平ライン上の画素のゲイン補正データの平均値である。

表示時には、次の演算により補正値を求める。

オフセット補正値：zo(m, n) = Zo(m, n) + xo(m) + yo(n)、ゲイン補正値：zg(m, n) = Zg(m, n) × xg(m) × yg(n)

縦横の補正値はオフセット、ゲインそれぞれ（水平ライン数＋垂直ライン数）となるので、画素ごとの補正値の数に比べると一般には非常に少なく、消費するメモリ量はごくわずかである。縦筋ムラ、横筋ムラの多いパネルで、画素ごとの補正値を求めた時に補正値のヒストグラムが図３Ａであったとすると、この処理により、図３Ｂのように値を０近辺に集中させることができる。これにより、圧縮後のデータ量を低減することができる。

なお、縦横の筋ムラを補正した場合は、図１０に示すような画面全体にわたって輝度が斜めに緩やかに変化するムラも同時に改善できる。

「発明の他の実施形態」
図１１Ａ、１１Ｂのように画像の水平走査方向を反対に表示したい場合、図１２に示すような構成で表示を行う。

画像信号データ用に２水平ライン分のバッファ６０を備え、奇数番目の水平ラインの信号データをバッファ６０ａに、偶数番目の水平ラインの信号データをバッファ６０ｂに最初のアドレスから書き込む。奇数ラインの書き込み中は偶数ラインを、偶数ラインの書き込み中は奇数ラインをバッファ６０の設定したアドレスから逆順に読み出し、伸長された補正データと演算を行う。なお、アドレス発生部６２が書き込みの場合にはバッファ６０の先頭から順番の書き込みアドレスを発生し、読み出しの場合にはバッファ６０の最終アドレスから順番の読み出しアドレスを発生する。

これにより、パネルの駆動タイミングを変えずに左右が反転した画像を表示することができ、ムラの補正も正しく行うことができる。なお、反転でない通常の表示時には、書き込み方向と読み出し方向は同じ方向にする。

また、入力データをバッファに蓄えて逆順に読み出す代わりに、伸長後の補正値を２ライン分バッファに蓄え、書き込み中でないラインのデータを逆順に読み出して入力データと演算を行っても良い。

図１３Ａ、１３Ｂのように画像の垂直走査方向を反対にしたい場合は、表示パネルの垂直走査の方向を反対にすると同時に、図１４に示すような構成で表示を行う。

メモリ５０には、ハフマンテーブル、圧縮データに加えて各水平ラインの先頭の画素の補正データ格納位置を示すアドレステーブルを備え、最終ラインから補正データの伸長を行い、該当する画素の入力データと演算を行う。図１５に示すように、圧縮データは、各ラインの先頭がアドレスで指定できるように配置してある。

補正値の最小量子化ステップは、画像信号データの最小量子化ステップと同一である必要は無い。ムラを完全に補正しなくても、すなわち、理論上薄いムラが残っていても視覚上ほとんど認識できないこともある。したがって、補正値の量子化ステップを可変とし、ハフマン圧縮した結果がメモリ容量を最大限に生かせるように量子化ステップを決定することもできる。

図１６に、固定ハフマンテーブルを用いた時のこの場合の圧縮完了までのフローチャートを示す。まず、全画素について補正値を求め（Ｓ１）、ｎ＝１にセットする（Ｓ２）。次に各画素の補正値をｎで除算し（Ｓ３）、その後ハフマン圧縮する（Ｓ４）。

次に、データ量がメモリサイズより小さいかを判定し（Ｓ５）、ＮＯであれば、ｎ＝ｎ＋１として（Ｓ６）、Ｓ３に戻る。そして、Ｓ５の判定でＹＥＳとなった場合にｎおよび圧縮データをメモリ５０に書き込み処理を終了する。

また、図１７に表示装置の補正演算部分のブロック図を示す。メモリ５０には、圧縮データと共にｎの値が記憶されている。ハフマンデコード部５２は、メモリ５０からの圧縮データと固定ハフマンテーブル７０からのデータにより補正値／ｎを発生する。ハフマンデコード部５２からの補正値／ｎは乗算器７２に供給され、ここでメモリ５０からｎが乗算されて、補正値となり、これが補正演算部５４に供給される。

なお、この例では、入力データ及び補正データはともに１０ｂｉｔとなっているが、ｎの値によって補正データの精度が変わる。ｎの値は、ハードウエアの簡単化のため２ｋ（ｋは正の整数）としても良い。

また、図４において、圧縮データを保存するメモリ３８及び４２は不揮発性メモリとし、出荷時にデータを書き込んでおいても良いし、メモリ３８及び４２はＲＡＭとし、表示装置の電源投入時に別に用意した不揮発性メモリからこれらのメモリ３８，４２にロードする形式にしても良い。図１８にこの場合の構成の例を、図１９にパネルへの実装例を示す。

ドライバＩＣ８０は、ルックアップテーブルＬＵＴ２０〜Ｄ／Ａ変換器３４を収容する。このドライバＩＣ８０にはフレキシブルケーブル８２が接続されており、このフレキシブルケーブル８２の先端部が接続端子部８４となっている。フレキシブルケーブル８２には不揮発性メモリ８６が搭載される。また、ドライバＩＣには、メモリデータ転送回路８８が設けられており、このメモリデータ転送回路８８は、フレキシブルケーブル８２上の不揮発性メモリ８６に接続されている。そこで、電源投入時に、メモリデータ転送回路８８によって、不揮発性メモリ８６内のデータが、ドライバＩＣ８０内のメモリ３８，４２に転送される。

なお、ドライバＩＣ８０はＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）となっていて、表示パネル１０のガラス上に置かれている。不揮発性メモリ８６としてはフラッシュメモリが好適である。

このように、本実施形態によれば、輝度ムラを補正するために必要とするメモリの容量を小さくすることができる。また、圧縮データがメモリの最大容量を越えない限りは、補正できるムラの濃さに制限がなくなるという効果も得られる。

従来例における補正を説明する図である。 従来例の構成を示す図である。 ムラの発生状態を示す図である。 ムラの発生状態を示す図である。 実施形態の構成を示す図である。 補正部分の構成例を示す図である。 ハフマン符号化を説明する図である。 ハフマン符号化を説明する図である。 縦横筋による不均一を示す図である。 画素位置を示す図である。 補正部分の他の構成例を示す図である。 全体的な不均一の例を示す図である。 入力画像を示す図である。 表示画像を示す図である。 左右方向反転のための構成を示す図である。 入力画像を示す図である。 表示画像を示す図である。 補正部分の他の構成例を示す図である。 メモリ内の格納状態を示す図である。 固定ハフマンテーブルを利用する場合ハフマン符号化生成の処理を説明するフローチャートである。 補正部分の他の構成例を示す図である。 ドライバＩＣおよびフレキシブルケーブルを利用する場合の構成を示す図である。 ドライバＩＣおよびフレキシブルケーブルを利用する場合の実装状態を示す図である。 アクティブ型の有機ＥＬ表示装置における１画素分の回路（画素回路）の構成を示す図である。 駆動ＴＦＴの入力信号電圧に対する有機ＥＬ素子に流れる電流の関係を示す図である。

符号の説明

１０ 表示パネル、２０ ルックアップテーブルＬＵＴ、２２ 乗算器、２４ 補正用ゲイン発生回路、２８ 加算器、３０ 補正用オフセット発生回路、３２ データラッチ回路、３４ 変換器、３６，４０ 伸長回路、３８，４２，５０ メモリ、５２ ハフマンデコード部、５４ 補正演算部、５６ 縦横筋補正部、６０ バッファ、６２ アドレス発生部、７０ 固定ハフマンテーブル、７２ 乗算器、８０ ドライバＩＣ、８２ フレキシブルケーブル、８４ 接続端子部、８６ 不揮発性メモリ、８８ メモリデータ転送回路。

Claims (7)

1. 各画素についての入力データに応じて各画素の表示を制御して画面表示を行う表示装置において、
   各画素の輝度のばらつきを補正するためのデータを保持する補正用メモリと、
   この補正用メモリに保持されたデータと入力データとで演算を行い、輝度ムラの補正を行う補正手段と、
   を有し、
   前記補正用メモリ内にエントロピー符号化された補正データを保持し、前記補正手段においてデータの伸長を行いながら入力データと演算を行い、
   前記エントロピー符号化としてハフマン符号化を使用し、
   前記補正用メモリは、小エリアごとに異なるハフマンテーブルを持つ
   ことを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記ハフマンテーブルは、当該表示装置における画素毎の表示特性に基づいて決定されていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または２に記載の表示装置において、
   画面内における複数画素からなる小エリア毎に、その小エリアについての輝度ムラ補正データを記憶しておき、この小エリア毎の輝度ムラ補正と、前記補正用メモリに記憶されているエントロピー符号化されているデータによる補正を組み合わせて表示を制御することを特徴する表示装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置において、
   前記補正用メモリとは別に、２水平ライン分の入力データを保持するバッファメモリを備え、
   入力データを順にバッファメモリに書き込み、各ラインの最後の画素の入力データから読み出して補正データと演算を行い、表示する画像の左右を反対にすることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置において、
   前記補正用メモリには、各水平ラインの先頭の画素の補正データ格納場所がわかるように補正データが記憶されており、
   前記補正手段は、表示パネルの垂直走査の方向を反対にすると同時に、前記補正用メモリから最終水平ラインから先頭水平ラインに向けて順に圧縮された補正データを読み出して伸長し、該当する画素の入力データと演算を行うことにより、表示の垂直走査方向を反対にすることを特徴とする表示装置。
6. 請求項４に記載の表示装置において、
   前記補正用メモリには、各水平ラインの先頭の画素の補正データ格納場所がわかるように補正データが記憶されており、
   前記補正手段は、表示パネルの垂直走査の方向を反対にすると同時に、前記補正用メモリから最終水平ラインから先頭水平ラインに向けて順に圧縮された補正データを読み出して伸長し、前記バッファメモリから読み出される対応する画素の入力データと演算を行うことにより、表示の水平および垂直走査方向を反対にすることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の表示装置において、
   各画素は発光素子として有機ＥＬ素子を有することを特徴とする表示装置。