JP4865840B2 - ガンマ基準電圧発生回路及び平板表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ガンマ基準電圧発生回路及びこれを利用した平板表示装置に関する。
最近、陰極線管(CRT:Cathode Ray Tube)の短所である重さと体積とを減らすことができる各種平板表示装置(FPD:Flat Panel Display)が開発されている。平板表示装置としては、液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)、電界放出表示装置(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイパネル(PDP:Plasma Display Panel)及び有機発光ダイオード表示装置(OLED:Organic Light Emitting Diode Display)などがあり、これらの平板表示装置の大部分が実用化されて市販されている。
LCD及びOLEDは、それぞれ駆動電圧に応答して画像を表示する表示パネルと、この表示パネルに駆動電圧を供給する駆動回路とを備える。表示パネルには、アクティブスイッチング素子をそれぞれ持つ多数の画素がマトリックス形態で形成される。LCDは、表示パネルに印加される駆動電圧の強さによって、表示パネルに含まれる液晶層の光透過率を調節することで階調を表示している。OLEDは、表示パネルに印加される駆動電圧の強さによって、有機発光ダイオードに流れる電流量を調節することで階調を表示している。
一般的に、階調とは、人の視覚が感じる光の量を段階的に分けたものを意味する。人の視覚は、ウェーバーの法則(Weber’s law)によって、光の明るさに対して非線形的に反応する。そのため、チャンネル当たりk−bitのように限定されたビット深度内で線形的に光の明るさを測定すれば、人は、光の量が変わるときに、光の明るさが断続的に変化しているように感じる。すなわち、ポスタリゼーション(階調変更)が発生する。したがって、与えられたビット深度の限界内で最適の画質を達成するために、光の明るさは、非線形的に符号化される必要がある。このために、表示パネルの駆動特性と人の視覚認知特性との差を取り除く作業が必要となる。この作業をガンマ補正と言う。一般的に、ガンマ補正方法は、表示パネルの駆動特性によって固定された多数のガンマ基準電圧値を設定し、設定されたガンマ基準電圧値をそれぞれ分圧して、入力デジタルビデオデータのガンマ値を補償する。
図1は、従来の平板表示装置のガンマ補正回路を示す回路図である。
図1において、従来のガンマ補正回路は、外部から入力されるガンマデータ(GMA_Data)に応答してガンマ基準電圧(VRG)を発生する多数のデジタル−アナログコンバータ(以下「DAC」と称する)と、タップ(Tap)電圧であるガンマ基準電圧(VRG_k、VRG_k−1、VRG_k−2、・・・)を利用して多数のガンマ電圧を発生する抵抗ストリング(R−String)とを含む。DAC(DAC#k、DAC#k−1、DAC#k−2、・・・)は、互いに電気的に分離され、抵抗ストリング内のタップ端子にそれぞれガンマ基準電圧(VRG_k、VRG_k−1、VRG_k−2、・・・)を供給する。抵抗ストリングは、このようなガンマ基準電圧(VRG_k、VRG_k−1、VRG_k−2、・・・)のそれぞれを分圧して多数のガンマ電圧を発生する。
ところが、このような従来の平板表示装置には、次のような問題点がある。
第一に、従来の平板表示装置では、DACが互いに独立してガンマ基準電圧を発生するので、あるDACが発生した抵抗ストリング内のガンマ基準電圧は、そのDACに隣り合うDACが発生したガンマ基準電圧の変動に無関係に固定される。したがって、出力輝度または色座標を補正するために、特定範囲内の対応するガンマ基準電圧の変更が必要な場合、ガンマ補正を通じて、出力輝度特性を所望するガンマカーブと一致させるために、当該のガンマ基準電圧以外のすべてのガンマ基準電圧についても、個別に調整する必要がある。すなわち、ガンマ補正がとても多くの問題を引き起こすという問題があった。
第二に、従来の平板表示装置のガンマ特性は、約1.8〜2.2のガンマカーブによって決まるので、階調が低くなるほど階調間の差が不明瞭になり、階調表現能力が低下するという問題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、出力輝度または色座標を補正するガンマ補正を容易に実行することができるガンマ基準電圧発生回路及びこれを利用した平板表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、階調が低い場合であっても、正確にガンマ補正を実行することができるガンマ基準電圧発生回路及びこれを利用した平板表示装置を提供することにある。
本発明に係るガンマ基準電圧発生回路は、Rガンマデータに対応してRガンマ基準電圧をそれぞれ発生する多数のDACを含む赤色(R)ガンマ基準電圧発生器と、Gガンマデータに対応してGガンマ基準電圧をそれぞれ発生する多数のDACを含む緑色(G)ガンマ基準電圧発生器と、Bガンマデータに対応してBガンマ基準電圧をそれぞれ発生する多数のDACを含む青色(B)ガンマ基準電圧発生器とを備え、R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおけるDACの内で、最大階調のガンマ基準電圧を発生するための最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、高電位電圧源に接続され、最上位DACを除く残りのDACのそれぞれの高電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う上位DACの出力端子にカスケード接続され、前記R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおける前記DACの内で、最小階調のガンマ基準電圧を発生するための最下位DACの低電位バイアス電圧入力端子は、基底電圧源に接続され、前記最下位DACを除く残りのDACのそれぞれの低電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う下位DACの出力端子にカスケード接続される
また、本発明に係る平板表示装置は、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)画素が形成された表示パネルと、外部から入力されるR、G、Bガンマデータを記憶するメモリと、メモリからロードされたR、G、Bガンマデータに対応した多数のR、G、Bガンマ基準電圧を発生するガンマ基準電圧発生回路と、多数のR、G、Bガンマ基準電圧をそれぞれ分圧して多数のR、G、Bガンマ電圧を発生し、このガンマ電圧をデータ電圧として表示パネルに供給するデータ駆動回路とを備え、ガンマ基準電圧発生回路は、多数のR、G、Bガンマ基準電圧を発生する多数のDACをそれぞれ有するR、G、Bガンマ基準電圧発生器を含み、R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおけるDACの内で、最大階調のガンマ基準電圧を発生するための最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、高電位電圧源に接続され、最上位DACを除く残りのDACのそれぞれの高電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う上位DACの出力端子にカスケード接続され、前記R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおける前記DACの内で、最小階調のガンマ基準電圧を発生するための最下位DACの低電位バイアス電圧入力端子は、基底電圧源に接続され、前記最下位DACを除く残りのDACのそれぞれの低電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う下位DACの出力端子にカスケード接続される。
本発明に係るガンマ基準電圧発生回路及びこれを利用した平板表示装置によれば、カスケード接続されたDACを通じて、出力輝度または色座標を補正するガンマ補正をより容易に実行することができることと共に、階調が低い場合またはすべての階調区間でさらに正確にガンマ補正を実行することができる。
また、本発明に係るガンマ基準電圧発生回路及びこれを利用した平板表示装置によれば、カスケード接続されたDACと最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子に接続される温度補償部とを備えることで、温度変化によって生じる表示品質の低下をあらかじめ防止することができる。
従来の平板表示装置のガンマ補正回路を示す回路図である。 本発明の実施の形態1に係る平板表示装置を示すブロック図である。 図2の平板表示装置のガンマ基準電圧発生回路を概略的に示す図である。 図2の平板表示装置のデータ駆動回路を示す図である。 本発明の実施の形態1に係るガンマ基準電圧発生回路のRガンマ基準電圧発生器を詳細に示す図である。 図5のRガンマ基準電圧発生器の機能を付加的に説明するための図である。 本発明の実施の形態1による、低階調に行くほど大きさが低くなる1ステップ電圧を示す図である。 本発明の実施の形態1による、256階調用抵抗ストリングに接続されるガンマ基準電圧発生回路の具体的な例を示す図である。 本発明の実施の形態2に係るガンマ基準電圧発生回路のRガンマ基準電圧発生器を詳細に示す図である。 図9のRガンマ基準電圧発生器の機能を付加的に説明するための図である。 本発明の実施の形態2による、256階調用抵抗ストリングに接続されるガンマ基準電圧発生回路の具体的な例を示す図である。 本発明の実施の形態3に係るガンマ基準電圧発生回路のガンマ基準電圧発生器を示す図である。
以下、図2〜図12を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付すことにより重複説明を省略する。
実施の形態1.
図2は、本発明の実施の形態1に係る平板表示装置を示すブロック図である。
図2を参照すれば、本発明の実施の形態1に係る平板表示装置は、表示パネル10、ガンマ基準電圧発生回路12、データ駆動回路14、ゲート駆動回路16、タイミングコントローラ18及びメモリ20を備える。
表示パネル10は、互いに交差する多数のデータライン(DL)とゲートライン(GL)とを持つと共に、データライン(DL)とゲートライン(GL)との交差領域に形成された多数のR、G、B画素(PR、PG、PB)を持つ。画素(PR、PG、PB)は、データライン(DL)から供給されるデータ電圧によって表示光を発生することで階調を実現する。データ電圧は、入力デジタルビデオデータ(RGB)に基づくアナログガンマ電圧である。
ガンマ基準電圧発生回路12は、メモリ20から入力されるガンマデータ(GMA_Data(R/G/B))に応答して、R、G、Bガンマ基準電圧(VRG_R、VRG_G、VRG_B)を発生する。ガンマ基準電圧発生回路12は、図3のように、赤色(R)ガンマ基準電圧発生器121、緑色(G)ガンマ基準電圧発生器122及び青色(B)ガンマ基準電圧発生器123を備える。
Rガンマ基準電圧発生器121は、メモリ20からのRガンマデータ(GMA_Data(R))に応答して、多数のRガンマ基準電圧(VRG_R1〜VRG_Rk)を発生する。このために、Rガンマ基準電圧発生器121は、Rガンマデータ(GMA_Data(R))をロードするための多数のレジスタと、このレジスタにそれぞれ接続されてレジスタに格納されたデータ値に対応したRガンマ基準電圧(VRG_R1〜VRG_Rk)を発生する多数のDACとを含む。
Gガンマ基準電圧発生器122は、メモリ20からのGガンマデータ(GMA_Data(G))に応答して、多数のGガンマ基準電圧(VRG_G1〜VRG_Gk)を発生する。このために、Gガンマ基準電圧発生器122は、Gガンマデータ(GMA_Data(G))をロードするための多数のレジスタと、このレジスタにそれぞれ接続されてレジスタに格納されたデータ値に対応したGガンマ基準電圧(VRG_G1〜VRG_Gk)を発生する多数のDACとを含む。
Bガンマ基準電圧発生器123は、メモリ20からのBガンマデータ(GMA_Data(B))に応答して、多数のBガンマ基準電圧(VRG_B1〜VRG_Bk)を発生する。このために、Bガンマ基準電圧発生器123は、Bガンマデータ(GMA_Data(B))をロードするための多数のレジスタと、このレジスタにそれぞれ接続されてレジスタに格納されたデータ値に対応したBガンマ基準電圧(VRG_B1〜VRG_Bk)を発生する多数のDACとを含む。
このようなR、G、Bガンマ基準電圧発生器(121〜123)に含まれたそれぞれのDACは、高電位バイアス電圧及び低電位バイアス電圧によって動作される。特に、それぞれのDACの高電位バイアス電圧入力端子は、すぐ隣り合う上位DACの出力端子に接続され、これによりガンマ基準電圧発生器のDACが互いにカスケード接続される。一方、それぞれのDACの高電位バイアス電圧入力端子がすぐ隣り合う上位DACの出力端子に接続され、それぞれのDACの低電位バイアス電圧入力端子がすぐ隣り合う下位DACの出力端子に接続されることで、ガンマ基準電圧発生回路12のDACが互いにカスケード接続される。ガンマ基準電圧発生回路12に対しては、図5〜図11を参照して詳しく後述する。
データ駆動回路14は、ガンマ基準電圧発生回路12からのガンマ基準電圧(VRG)を分圧して多数のガンマ電圧(VG)を発生する。そして、データ駆動回路14は、データ制御信号(DDC)に応答して入力デジタルビデオデータ(RGB)をガンマ電圧(VG)に変換して、このガンマ電圧(VG)をデータ電圧(Vdata)として表示パネル10のデータライン(DL)に供給する。このために、データ駆動回路14は、図4のように、抵抗ストリング(R−String(R))に接続されたRデータ駆動器141、抵抗ストリング(R−String(G))に接続されたGデータ駆動器142及び抵抗ストリング(R−String(B))に接続されたBデータ駆動器143を備える。
抵抗ストリング(R−String(R)、R−String(G)、R−String(B))は、それぞれタップ(Tap)電圧であるR、G、Bガンマ基準電圧(VRG_R1〜VRG_Rk、VRG_G1〜VRG_Gk、VRG_B1〜VRG_Bk)を分圧して、多数のR、G、Bガンマ電圧(VG_R1〜VG_R256、VG_G1〜VG_G256、VG_B1 〜VG_B256)を発生する。
Rデータ駆動器141は、データ制御信号(DDC)に応答して、入力されるRデジタルビデオデータの階調値に対応するRガンマ電圧を選択し、このRガンマ電圧をRデータ電圧(Vdata−R)としてデータライン(DL)に供給する。Gデータ駆動器142は、データ制御信号(DDC)に応答して、入力されるGデジタルビデオデータの階調値に対応するGガンマ電圧を選択し、このGガンマ電圧をGデータ電圧(Vdata−G)としてデータライン(DL)に供給する。Bデータ駆動器143は、データ制御信号(DDC)に応答して、入力されるBデジタルビデオデータの階調値に対応するBガンマ電圧を選択し、このBガンマ電圧をBデータ電圧(Vdata−B)としてデータライン(DL)に供給する。
ゲート駆動回路16は、データ電圧が供給される表示パネル10の水平ラインを選択するスキャンパルスを、ゲートライン(GL)に順次供給する。
タイミングコントローラ18は、外部システムボードから入力されるデジタルビデオデータ(RGB)を、表示パネル10の解像度と一致するように再整列して、再整列したデジタルビデオデータ(RGB)をデータ駆動回路14に供給する。また、タイミングコントローラ18は、水平及び垂直同期信号(Hsync、Vsync)、データイネーブル信号(DE:Data Enable)及びドットクロック信号(DCLK)などのタイミング信号を受信し、データ駆動回路14及びゲート駆動回路16の動作タイミングを制御するための制御信号(DDC、GDC)を発生する。
メモリ20は、色座標の補正及び/または出力輝度の補正のために実験的に決められたガンマデータ(GMA_Data(R/G/B))を、ROMライター(writer)を通じて受信し、そのガンマデータ(GMA_Data(R/G/B))を格納する。メモリ20は、データの更新及び消去が可能な不揮発性メモリ、例えば、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)及び/またはEDID ROM(Extended Display Identification Data ROM)を含む。外部システムボードに電源が印加されると(Power ON)、メモリ20に格納されたガンマデータ(GMA_Data(R/G/B))は、ガンマ基準電圧発生回路12のレジスタにロードされる。ここで、本発明は、色座標の補正のために、外部メモリに代えて、別途の光センサとイメージ処理器とを備えてもよい。具体的には、光センサは、赤色、緑色、青色間の輝度の差を検出し、イメージ処理器は、輝度の差を色座標と一致するように補正してもよい。これにより、ガンマデータは補正され、この補正されたガンマデータをガンマ基準電圧発生回路のレジスタに供給することができる。この場合、レジスタは、補正されたガンマデータを格納することができるように、不揮発性メモリで実現されることが望ましい。
図5及び図6は、本発明の実施の形態1に係るガンマ基準電圧発生回路のRガンマ基準電圧発生器121を詳細に示す図である。
Gガンマ基準電圧発生器122及びBガンマ基準電圧発生器123は、入出力される信号が異なるだけで、その詳細構成は、Rガンマ基準電圧発生器121と同一であるから、これらに対する詳細な説明は省略する。
図5を参照すれば、Rガンマ基準電圧発生器121は、Rガンマデータ(GMA_Data(R))がロードされるk個のレジスタと、このレジスタと一対一にそれぞれ接続され、レジスタに格納されたデータ値に対応したRガンマ基準電圧を発生するk個のDACを備える。
それぞれのDACは、レジスタからのRガンマデータ(GMA_Data(R))をデコーディングするためのデコーダと、デコーディングされたRガンマデータ(GMA_Data(R))によってRガンマ基準電圧(VRG_R)を選択する分圧用内部抵抗ストリングとを含む。内部抵抗ストリングの分圧ノード数は、Rガンマデータ(GMA_Data(R))のビット数によって異なる。例えば、Rガンマデータ(GMA_Data(R))が5ビットの場合、内部抵抗ストリングは25個の分圧ノードを持つことができる。分圧ノードにかかる電圧レベルは、内部抵抗ストリングの両端に印加される高電位バイアス電圧と低電位バイアス電圧とによって決まる。それぞれのDACの高電位バイアス電圧入力端子がすぐ隣り合う上位DACの出力端子に接続されることで、Rガンマ基準電圧発生器121のDACが互いにカスケード接続される。一方、Rガンマ基準電圧発生器121の最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、高電位電圧源(VDD)に直接接続されるか、または図8のようにバイアス外部調整部を経由して高電位電圧源(VDD)に接続される。すべてのDACの低電位バイアス電圧入力端子は、基底電圧源(GND)に接続される。
例えば、図6のように、j+1番目のDACの高電位バイアス電圧入力端子は、その上位DACの出力端子(12V)に接続され、j番目のDACの高電位バイアス電圧入力端子は、j+1番目のDACの出力端子(10.8V)に接続され、j−1番目のDACの高電位バイアス電圧入力端子は、j番目のDACの出力端子(9.6V)に接続される。これによって、相対的に高階調のガンマ基準電圧を発生するj+1番目のDACは、0V〜12Vの範囲内の32個の分圧電圧の中で入力されるRガンマデータ(5ビット)のデコーディング値に対応して、10.8Vの分圧電圧をj+1番目ガンマ基準電圧として出力する。相対的に中間階調のガンマ基準電圧を発生するj番目のDACは、0V〜10.8Vの範囲内の32個の分圧電圧の中で入力されるRガンマデータ(5ビット)のデコーディング値に対応して、9.6Vの分圧電圧をj番目ガンマ基準電圧として出力する。そして、相対的に低階調のガンマ基準電圧を発生するj−1番目のDACは、0V〜9.6Vの範囲内の32個の分圧電圧の中で入力されるRガンマデータ(5ビット)のデコーディング値に対応して、8.4Vの分圧電圧をj−1番目ガンマ基準電圧として出力する。
図6に示した例で分かるように、本発明の実施の形態1に係るガンマ基準電圧発生回路では、互いにカスケード接続されたDACを含むことで、出力輝度または色座標の補正のために、特定範囲内の対応するガンマ基準電圧の変更が必要な場合であっても、当該のガンマ基準電圧以外のすべてのガンマ基準電圧を個別に調整する必要がない。なぜなら、当該のガンマ基準電圧よりも低い階調のガンマ基準電圧は、当該のガンマ基準電圧の変更によって、自動で所望するガンマカーブと一致するように補正されるからである。
また、本発明の実施の形態1に係るガンマ基準電圧発生回路は、互いにカスケード接続されたDACを含み、図7のように、低階調に行くほど従来技術と比較して1ステップ電圧(1−step voltage)の大きさが低下する。これにより、低階調におけるDACの出力正確度を高めて、1.8〜2.2ガンマカーブ上でのガンマ表現をさらに正確に実現することができる。これは、図6でDACからの相対的に高階調の出力電圧12Vを32の電圧に分割する場合と比べて、DACからの相対的に低階調の出力電圧9.6Vを32の電圧に分割するほうがより分解能が高いからである。
図8は、本発明の実施の形態1による、256階調用抵抗ストリングに接続されるガンマ基準電圧発生回路の具体的な例を示す図である。
図8を参照すれば、ガンマ基準電圧発生回路から発生された8個のガンマ基準電圧(VRG1〜VRG8)は、それぞれ256階調用抵抗ストリングのタップ端子(Tap1〜Tap8)に印加される。このタップ端子(Tap1〜Tap8)とDACとの間には、それぞれバッファ(Buffer)が接続され、出力されるガンマ基準電圧(VRG1〜VRG8)を安定化させる。最大階調のガンマ基準電圧(VRG8)を発生するDACの高電位バイアス電圧入力端子は、バイアス外部調整部に接続される。バイアス外部調整部は、高電位電圧源(VDD)と基底電圧源(GND)との間に接続された多数の抵抗を備え、この抵抗の値が変更されることによって、最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子に印加される高電位バイアス電圧を可変することができる。このようなバイアス外部調整部を利用すれば、その抵抗値の調整を通じて最上位DACに印加される高電位バイアス電圧のみを変更することにより、残りのDACに印加される高電位バイアス電圧が全て変更されるので、出力輝度または色座標の補正がずっと容易になる。
実施の形態2.
図9及び図10は、本発明の実施の形態2に係るガンマ基準電圧発生回路のRガンマ基準電圧発生器121を詳細に示す図である。
Gガンマ基準電圧発生器122及びBガンマ基準電圧発生器123は、入出力される信号が異なるだけで、その詳細構成は、Rガンマ基準電圧発生器121と同一であるから、これに対する詳細な説明は省略する。
図9を参照すれば、Rガンマ基準電圧発生器121は、Rガンマデータ(GMA_Data(R))がロードされるk個のレジスタと、このレジスタと一対一にそれぞれ接続され、レジスタに格納されたデータ値に対応したRガンマ基準電圧を発生するk個のDACを備える。
それぞれのDACは、レジスタからのRガンマデータ(GMA_Data(R))をデコーディングするためのデコーダと、デコーディングされたRガンマデータ(GMA_Data(R))によってRガンマ基準電圧(VRG_R)を選択する分圧用内部抵抗ストリングとを含む。内部抵抗ストリングの分圧ノード数は、Rガンマデータ(GMA_Data(R))のビット数によって異なる。例えば、Rガンマデータ(GMA_Data(R))が5ビットの場合、内部抵抗ストリングは25個の分圧ノードを持つことができる。分圧ノードにかかる電圧レベルは、内部抵抗ストリングの両端に印加される高電位バイアス電圧と低電位バイアス電圧とによって決まる。それぞれのDACの高電位バイアス電圧入力端子がすぐ隣り合う上位DACの出力端子に接続され、それぞれのDACの低電位バイアス電圧入力端子がすぐ隣り合う下位DACの出力端子に接続されることで、Rガンマ基準電圧発生器121のDACが互いにカスケード接続される。一方、Rガンマ基準電圧発生器121の最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、高電位電圧源(VDD)に直接接続されるか、または図11のようにバイアス外部調整部を経由して高電位電圧源(VDD)に接続される。Rガンマ基準電圧発生器121の最下位DACの低電位バイアス電圧入力端子は、基底電圧源(GND)に直接接続されるか、または図11と同様にバイアス外部調整部を経由して基底電圧源(GND)に接続される。
例えば、図10のように、j+1番目のDACの高電位バイアス電圧入力端子は、その上位DACの出力端子(12V)に接続され、j番目のDACの高電位バイアス電圧入力端子は、j+1番目のDACの出力端子(10.8V)に接続され、j−1番目のDACの高電位バイアス電圧入力端子は、j番目のDACの出力端子(9.6V)に接続される。また、j+1番目のDACの低電位バイアス電圧入力端子は、j番目のDACの出力端子(9.6V)に接続され、j番目のDACの低電位バイアス電圧入力端子は、j−1番目のDACの出力端子(8.4V)に接続され、j−1番目のDACの低電位バイアス電圧入力端子は、その下位DACの出力端子(7.2V)に接続される。これによって、相対的に高階調のガンマ基準電圧を発生するj+1番目のDACは、9.6V〜12Vの範囲内の32個の分圧電圧の中で入力されるRガンマデータ(5ビット)のデコーディング値に対応して、10.8Vの分圧電圧をj+1番目ガンマ基準電圧として出力する。相対的に中間階調のガンマ基準電圧を発生するj番目のDACは、8.4V〜10.8Vの範囲内の32個の分圧電圧の中で入力されるRガンマデータ(5ビット)のデコーディング値に対応して、9.6Vの分圧電圧をj番目ガンマ基準電圧として出力する。そして、相対的に低階調のガンマ基準電圧を発生するj−1番目のDACは、7.2V〜9.6Vの範囲内の32個の分圧電圧の中で入力されるRガンマデータ(5ビット)のデコーディング値に対応して、8.4Vの分圧電圧をj−1番目ガンマ基準電圧として出力する。
図10に示した例で分かるように、本発明の実施の形態2に係るガンマ基準電圧発生回路では、互いにカスケード接続されたDACを含むことで、出力輝度または色座標の補正のために、特定範囲内の対応するガンマ基準電圧の変更が必要な場合であっても、当該のガンマ基準電圧以外のすべてのガンマ基準電圧を個別に調整する必要がない。なぜなら、当該のガンマ基準電圧以外のすべてのガンマ基準電圧は、当該のガンマ基準電圧の変更によって、自動で所望するガンマカーブと一致するように補正されるからである。
また、本発明の実施の形態2に係るガンマ基準電圧発生回路は、互いにカスケード接続されたDACを含み、すべての階調区間でDACの出力正確度を高めて、1.8〜2.2ガンマカーブ上でのガンマ表現をさらに正確に実現することができる。
図11は、本発明の実施の形態2による、256階調用抵抗ストリングに接続されるガンマ基準電圧発生回路の具体的な例を示す図である。
図11を参照すれば、ガンマ基準電圧発生回路から発生された8個のガンマ基準電圧(VRG1〜VRG8)は、それぞれ256階調用抵抗ストリングのタップ端子(Tap1〜Tap8)に印加される。このタップ端子(Tap1〜Tap8)とDACとの間には、それぞれバッファ(Buffer)が接続され、出力されるガンマ基準電圧(VRG1〜VRG8)を安定化させる。最大階調のガンマ基準電圧(VRG8)を発生するDACの高電位及び低電位バイアス電圧入力端子と、最小階調のガンマ基準電圧(VRG1)を発生するDACの高電位及び低電位バイアス電圧入力端子とは、それぞれバイアス外部調整部に接続される。バイアス外部調整部は、高電位電圧源(VDD)と基底電圧源(GND)との間に接続された多数の抵抗を備え、この抵抗の値が変更されることによって、最上位DACの高電位及び低電位バイアス電圧入力端子と、最下位DACの高電位及び低電位バイアス電圧入力端子とに印加される高電位バイアス電圧を可変することができる。このようなバイアス外部調整部を利用すれば、その抵抗値の調整を通じて最上位DAC及び/または最下位DACに印加されるバイアス電圧のみを変更することにより、残りのDACに印加されるバイアス電圧が全て変更されるので、出力輝度または色座標の補正がずっと容易になる。
実施の形態3.
図12は、本発明の実施の形態3に係るガンマ基準電圧発生回路のガンマ基準電圧発生器を詳細に示す図である。このようなガンマ基準電圧発生器は、R、G、Bガンマ基準電圧発生器の中のいずれか一つであってもよい。
図12を参照すれば、本発明の実施の形態3に係るガンマ基準電圧発生器は、最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子に接続される温度補償部を除き、図5に示されたRガンマ基準電圧発生器と実質的に同一であるので、これらに対する詳細な説明は省略する。
温度補償部は、温度センサと比較器とを含む。
温度センサは、高電位電圧源(VDD)と基底電圧源(GND)との間に接続され、NTCサーミスタ(Negative Temperature Coefficient of Resistor)などを含む。温度センサは、表示パネルの温度が標準温度(25℃)よりも高くなるほどその出力電圧(Vo)値を低め、標準温度(25℃)よりも低くなるほどその出力電圧(Vo)値を高める。
比較器は、温度センサからの出力電圧(Vo)とあらかじめ決められた基準電圧(Vref)とを差動増幅し、その差動増幅された電圧を最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子に供給する。
本発明の実施の形態3に係るガンマ基準電圧発生回路では、このような温度補償部を利用して、標準温度よりも高い温度では最上位DACの高電位バイアス値を低めて、標準温度よりも低い温度では最上位DACの高電位バイアス値を高めることで、表示パネルの温度変化に対応してすべてのDACの高電位バイアス値を自動で調整することができる。これにより、表示パネルの温度変化によって生じる表示品質の低下、例えば高温になるほど出力輝度が増加する一方低温になるほど出力輝度が減少する現象は、あらかじめ防止される。

Claims (6)

  1. Rガンマデータに対応してRガンマ基準電圧をそれぞれ発生する多数のデジタル−アナログコンバータ(DAC)を含む赤色(R)ガンマ基準電圧発生器と、
    Gガンマデータに対応してGガンマ基準電圧をそれぞれ発生する多数のDACを含む緑色(G)ガンマ基準電圧発生器と、
    Bガンマデータに対応してBガンマ基準電圧をそれぞれ発生する多数のDACを含む青色(B)ガンマ基準電圧発生器と、を備え、
    前記R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおける前記DACの内で、最大階調のガンマ基準電圧を発生するための最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、高電位電圧源に接続され、前記最上位DACを除く残りのDACのそれぞれの高電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う上位DACの出力端子にカスケード接続され
    前記R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおける前記DACの内で、最小階調のガンマ基準電圧を発生するための最下位DACの低電位バイアス電圧入力端子は、基底電圧源に接続され、前記最下位DACを除く残りのDACのそれぞれの低電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う下位DACの出力端子にカスケード接続される
    ことを特徴とするガンマ基準電圧発生回路。
  2. 前記最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、温度補償部を通じて前記高電位電圧源に接続されることを特徴とする請求項1に記載のガンマ基準電圧発生回路。
  3. 前記温度補償部は、
    前記高電位電圧源に接続され、周りの温度が標準温度よりも高くなるほどその出力電圧値を低め、周りの温度が標準温度よりも低くなるほどその出力電圧値を高める温度センサと、
    前記温度センサからの出力電圧とあらかじめ決められた基準電圧とを差動増幅し、その差動増幅された電圧を前記最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子に供給する比較器と、
    を備えることを特徴とする請求項に記載のガンマ基準電圧発生回路。
  4. 赤色(R)、緑色(G)、青色(B)画素が形成された表示パネルと、
    外部から入力されるR、G、Bガンマデータを記憶するメモリと、
    前記メモリからロードされた前記R、G、Bガンマデータに対応した多数のR、G、Bガンマ基準電圧を発生するガンマ基準電圧発生回路と、
    前記多数のR、G、Bガンマ基準電圧をそれぞれ分圧して多数のR、G、Bガンマ電圧を発生し、このガンマ電圧をデータ電圧として前記表示パネルに供給するデータ駆動回路と、を備え、
    前記ガンマ基準電圧発生回路は、多数のR、G、Bガンマ基準電圧を発生する多数のDACをそれぞれ有するR、G、Bガンマ基準電圧発生器を含み、
    前記R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおける前記DACの内で、最大階調のガンマ基準電圧を発生するための最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、高電位電圧源に接続され、前記最上位DACを除く残りのDACのそれぞれの高電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う上位DACの出力端子にカスケード接続され
    前記R、G、Bガンマ基準電圧発生器のそれぞれにおける前記DACの内で、最小階調のガンマ基準電圧を発生するための最下位DACの低電位バイアス電圧入力端子は、基底電圧源に接続され、前記最下位DACを除く残りのDACのそれぞれの低電位バイアス電圧入力端子は、隣り合う下位DACの出力端子にカスケード接続される
    ことを特徴とする平板表示装置。
  5. 前記最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子は、温度補償部を通じて前記高電位電圧源に接続されることを特徴とする請求項に記載の平板表示装置。
  6. 前記温度補償部は、
    前記高電位電圧源に接続され、周りの温度が標準温度よりも高くなるほどその出力電圧値を低め、周りの温度が標準温度よりも低くなるほどその出力電圧値を高める温度センサと、
    前記温度センサからの出力電圧とあらかじめ決められた基準電圧とを差動増幅し、その差動増幅された電圧を前記最上位DACの高電位バイアス電圧入力端子に供給する比較器と、
    を備えることを特徴とする請求項に記載の平板表示装置。
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