JP4946107B2

JP4946107B2 - 電磁界解析装置

Info

Publication number: JP4946107B2
Application number: JP2006072676A
Authority: JP
Inventors: 尚哉玉置; 常雄塚越
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2006-03-16
Filing date: 2006-03-16
Publication date: 2012-06-06
Anticipated expiration: 2026-03-16
Also published as: JP2007249642A

Description

本発明は、ＦＤＴＤ(Finite Difference Time Domain)法などの、電磁界解析領域を格子で分割して電磁界解析を行う場合の電磁界解析モデルの作成技術、およびその技術を用いた電磁界解析方法、及び装置に関する。

従来、電子機器または電子機器の一部構成要素における電磁界解析用モデルの作成方法の一つとして、ＣＡＤデータを用いて電磁界解析用モデルを作成することがあった。
特願２０００−０２８６６５号公報

しかし、一般にＣＡＤデータ量は非常に多く、構造が複雑すぎて解析時間が長い場合があった。例えば、ＦＤＴＤ法による電磁界解析を行う場合、電子機器構造を含めた解析領域を格子で分割して解析用モデルを作成するが、構造の最も小さい稜や構造間の最も小さい隙間などの寸法により格子寸法がほぼ決まるため、その最小寸法が解析領域に比べて極端に小さい場合には、解析時間が非常に長くなってしまうという問題があった。

背景技術の代表的な電磁界解析フローを図１６に示す。取り込んだＣＡＤデータから電磁界解析モデルを作成することについて、例えば特許文献１の第５６段落、第７３段落、第９６段落に記述されている。それらによれば、ＣＡＤデータが表す構造が消滅することなく、構造における最も小さい寸法以下に格子寸法を設定することが示されている。図３のＣＡＤデータを小格子で分割する例を図１７に示す。ＣＡＤデータの最小の線分を検出し、この線分の長さを辺の長さとする格子でＣＡＤデータ全体を分割する。このように細かい格子での分割によって、高精度の電磁界解析結果が得られる可能性が高いが、解析時間が非常に長い可能性がある。また、一部の解析領域のみ格子寸法を小さくする「サブグリッド法」と称される方法があるが、異なる寸法の格子間の界面接続条件など考慮すべき事項が増加し、高精度の解析を行うためにはその取り扱いに注意を要する。

本願発明は上記の問題を回避するとともに、簡便で効率的かつ実用的な電子機器開発に貢献できる電磁界解析方法、及びその方法を用いた電磁界解析装置を提供することにある。

本発明によれば、コンピュータが行なう電磁界解析方法であって、ＣＡＤデータ入力手段が、電子機器における構成物のＣＡＤデータを読み込み、格子条件入力手段が、解析モデルを分割する格子の寸法、もしくは解析モデルの分割数、もしくはその他格子の寸法を決めるためのパラメータ条件の人間による入力を受け付けてコンピュータに入力し、電磁界解析モデルデータ作成手段が、電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割することで第ｋの電磁界解析モデルデータを作成し、電磁界解析手段が、前記第ｋの電磁界解析モデルデータを電磁界解析し、結果データ記憶手段が、電磁界解析結果データとその格子条件の関係情報を記憶し、許容差分入力手段が、フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分の許容差分の人間による入力を受け付けてコンピュータに入力し、結果データ比較手段が、前記フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分と前記許容差分を比較し、終了手段が、前記許容差分の方が大きい場合には処理を終了し、前記フィードバック手段が、前記許容差分の方が小さい場合には、再び前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理に必要な新たな簡略化構造をフィードバックして、前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理からの処理を繰り返す電磁界解析方法であって、簡略化構造データ作成手段が、電子機器における構成物のうち同一材質かつ分離していない構成要素において、構成要素が内部に納まる一つの直方体、または板状の構成要素のひとつの面の外形が内部に納まる一つの長方形を第１の簡略化構造として作成し、第１のフィードバックの際に、前記第１の簡略化構造を構成する前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第２の簡略化構造として作成し、該第２の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とし、同様に、第ｎのフィードバックの際に、第ｎの簡略化構造を構成する集合要素である前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第ｎ＋１の簡略化構造として作成し、該第ｎ＋１の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とし、前記電磁界解析モデルデータ作成手段は、第ｋの前記簡略化構造データを基にして第ｋの電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする電磁界解析方法が提供される。

また、本発明によれば、電子機器における構成物のＣＡＤデータを読み込むＣＡＤデータ入力手段と、解析モデルを分割する格子の寸法、もしくは解析モデルの分割数、もしくはその他格子の寸法を決めるためのパラメータ条件の人間による入力を受け付ける格子条件入力手段と、電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割することで第ｋの電磁界解析モデルデータを作成する電磁界解析モデルデータ作成手段と、前記第ｋの電磁界解析モデルデータを電磁界解析する電磁界解析手段と、電磁界解析結果データとその格子条件の関係情報を記憶する結果データ記憶手段と、フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分の許容差分の人間による入力を受け付ける許容差分入力手段と、前記フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分と前記許容差分を比較する結果データ比較手段と、前記許容差分の方が大きい場合には処理を終了する終了手段と、前記許容差分の方が小さい場合には、再び前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理に必要な新たな簡略化構造をフィードバックして、前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理からの処理を繰り返すフィードバック手段と、を有する電磁界解析装置であって、電子機器における構成物のうち同一材質かつ分離していない構成要素において、構成要素が内部に納まる一つの直方体、または板状の構成要素のひとつの面の外形が内部に納まる一つの長方形を第１の簡略化構造として作成し、且つ、第１のフィードバックの際に、前記第１の簡略化構造を構成する前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第２の簡略化構造として作成し、該第２の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とし、且つ、同様に、第ｎのフィードバックの際に、第ｎの簡略化構造を構成する集合要素である前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第ｎ＋１の簡略化構造として作成し、該第ｎ＋１の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とする簡略化構造データ作成手段を有し、前記電磁界解析モデルデータ作成手段は、第ｋの前記簡略化構造データを基にして第ｋの電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする電磁界解析装置が提供される。

本発明によれば、ＣＡＤデータを簡略化して作成する電磁界解析用モデルにより電磁界解析を行うことで、実用的な解析の時間と精度が得られる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。

図１は、以下に示す本発明の第１〜５の実施例に共通の電磁界解析装置の構成である。入力部、出力部、記憶部が情報処理部に接続している。

（第１の実施の形態）
図２は本発明の第１の実施の形態である電磁界解析方法を示すフロー図である。

図２のフロー図を用いて詳細な説明を行う。

電子機器の構成物であるプリント回路基板の一導体層に設けている図３のグラウンドパターンＣＡＤデータを電磁界解析装置に取り込む。ここでは、導体層の厚みは非常に薄いためこれを無視し、２次元構造のグラウンドパターンを一例とする。ちなみに、厚みを無視できないブロック状の構成物については、３次元構造として取り扱うことになるが、次元を一つ増やすだけで同様に取り扱うことができる。

ＣＡＤデータパターンに含まれる最小の線分または隙間を検出して、その最小長さを記憶媒体に記憶する。ＣＡＤデータパターンを分割する小格子の辺の長さが、この最小長さを超えるように、小格子の辺の長さを入力するか、またはＣＡＤデータパターンの分割数を入力するか、あるいはその他小格子の辺の長さを決めるためのパラメータを入力する。この入力条件に従って、ＣＡＤデータパターンを小格子で分割する（図４）。この時の小格子条件を、第１番目の小格子条件とする。なお、フローにおいてフィードバックした後の第２番目以降の小格子条件を決めるための、小格子条件を盛り込んでもよい。例えば、Ｎ番目の小格子条件における格子の辺の長さを０．１×Ｎ［ｍｍ］ずつ小さくしたり、または１／Ｎに小さくしたりしてもよい。あるいは、フィードバックした後の第２番目以降の小格子条件を、その都度入力することもできる。

装置の動作速度や記憶容量などの基本的な装置仕様、及び解析領域の格子数などの解析条件によって、一般におおよその解析時間の見積もりは可能である。機器開発の現場では、許される解析時間がほぼ決まっている場合がほとんどであることを考慮すると、装置操作者はその許される解析時間で解析を完了するような格子寸法を設定することができる。例えば、許される解析時間が通常より短くなった場合には大きめの格子寸法を選択し、逆に許される解析時間が長くなった場合には小さめの格子寸法を選択するなど、解析の時間と精度を勘案することで自由度の高い機器開発を行うことができる。

ここで、小格子は、ＣＡＤデータが本実施例のように２次元構造の場合には正方形、また３次元構造の場合には立方体に近いことが、精度の高い解析結果データを得るためには望ましく、そのようになるように小格子の辺の長さ、またはＣＡＤデータパターンの分割数、あるいはその他小格子の辺の長さを決めるためのパラメータを入力することが望ましい。

ＣＡＤデータパターンの小格子分割以外に、給電点や解析領域境界の吸収境界条件など必要な設定を行って電磁界解析モデルデータを作成し、電磁界解析を行う。

電磁界解析が終了したら、解析結果データと第１番目の小格子条件と関連付けて記憶媒体に記憶する。この時の解析結果データを、第１番目の解析結果データとする。

次に、辺の長さが、第１番目の小格子条件における小格子の辺の長さより小さく、かつＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える長さの辺を持つ小格子でＣＡＤデータパターンを分割する。この時の小格子条件を、第２番目の小格子条件とする。

小格子で分割された解析領域において、給電点や解析領域境界の吸収境界条件など必要な設定を行って電磁界解析モデルデータを作成し、電磁界解析を行う。

電磁界解析が終了したら、解析結果データと小格子条件を関連付けて記憶媒体に記憶する。この時の解析結果データを、第２番目の解析結果データとする。

次に、第１の解析結果データと第２の解析結果データを比較し、差分を計算する。この時の差分を、第１番目の差分とする。

ここで、第Ｎ−１番目の解析結果データと第Ｎ番目の解析結果データの許容差分を、例えば１ｄＢとして入力する。この入力処理は、第１番目の解析結果データが得られる前など上記差分を計算する前に行ってもよいし、または直後に行ってもよい。また、第１番目と第２番目の解析結果データの差分をＤ１２とし、同様に第２番目と第３番目の解析結果データの差分をＤ２３とすると、図５のような傾向のグラフが描かれ。Ｎを増やすと解析精度が高くなることから、ある値に漸近していくことを示している。したがって、Ｄ１２−Ｄ２３、Ｄ２３−Ｄ３４・・・・の各解析結果データ差分間の許容差分を、例えば１ｄＢとして入力する方法でもよい。

第１番目の差分と許容差分を比較し、許容差分のほうが大きい場合にはディスプレイなどによって処理の終了を装置操作者に知らせるともに、解析結果データと小格子条件の関連を示す情報を出力する。

すなわち、差分の差分が許容差分よりも小さいということは、解析結果が収束値にかなり近づいていることを意味するので、差分の差分が許容差分よりも小さくなったならば、解析を終了する。

一方、許容差分の方が小さい場合には、辺の長さが第２番目の小格子条件における小格子の辺の長さより小さく、かつＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える長さの辺を持つ小格子でＣＡＤデータパターンを含む解析領域を分割する。この時の小格子条件を、第３番目の小格子条件とする。

以降は、第Ｎ−１番目の解析結果データと第Ｎ番目の解析結果データの差分が、許容差分以下となるまで、Ｎを一つずつ増やして同様に処理を繰り返す。

（第２の実施の形態）
図６は本発明の第１の実施の形態である電磁界解析方法を示すフロー図である。

図６のフロー図を用いて詳細な説明を行う。

このパターンにおけるＸ軸方向とＹ軸方向の最小座標値と最大座標値を検出し、それらの差を求めることで各軸方向の長さＬｘとＬｙを求める（図７）。ＬｘとＬｙを辺の長さとする長方形を第１番目の簡略化構造とする。この第１番目の簡略化構造をＣＡＤパターンの材質で満たす。

ＣＡＤデータパターンに含まれる最小の線分または隙間を検出して、第１番目の簡略化構造を分割する小格子の辺の長さが、この最小長さを超えるように、小格子の辺の長さを入力するか、または第１番目の簡略化構造の分割数を入力するか、あるいはその他小格子の辺の長さを決めるためのパラメータを入力する。この入力条件に従って第１番目の簡略化構造を小格子で分割する（図８）。この時の小格子条件を、第１番目の小格子条件とする。なお、フローにおいてフィードバックした後の第２番目以降の小格子条件を決めるための、小格子条件を盛り込んでもよい。例えば、Ｎ番目の小格子条件における格子の辺の長さを０．１×Ｎ［ｍｍ］ずつ小さくしたり、または１／Ｎに小さくしたりしてもよい。あるいは、フィードバックした後の第２番目以降の小格子条件を、その都度入力することもできる。

第１番目の簡略化構造の小格子分割以外に、給電点や解析領域境界の吸収境界条件など必要な設定を行って電磁界解析モデルデータを作成し、電磁界解析を行う。

次に、Ｘ軸方向の辺の長さがＬｘより小さく、Ｙ軸方向の辺の長さがＬｙより小さく、かつＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える長さの辺を持つ大格子でＣＡＤデータ構造を分割する（図９）。これを第２番目の簡略化構造とし、この時の大格子条件を第２番目の大格子条件とする。この第２番目の簡略化構造をＣＡＤパターンの材質で満たす。なお、フローにおいてフィードバックした後の第２番目以降の大格子条件を決めるための、大格子条件を盛り込んでもよい。例えば、Ｎ番目の大格子条件における格子の辺の長さを０．１×Ｎ［ｍｍ］ずつ小さくしたり、または１／Ｎに小さくしたりしてもよい。あるいは、フィードバックした後の第２番目以降の大格子条件を、その都度入力することもできる。

次に、辺の長さが、第１番目の小格子条件における小格子で第２番目の簡略化構造を分割する（図１０）。図８の例では、大格子により構成される簡略化構造は長方形であるため、小格子は、この長方形全体を網羅するが、図１０の例では、大格子により構成される簡略化構造はＬ字型であるため、小格子は、このＬ字型の部分のみを網羅するのみであり、右上の１／４の部分を覆わない。この時の小格子条件を、第２番目の小格子条件とする。なお、辺の長さが、第１番目の小格子条件における小格子の辺の長さより小さく、かつＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える長さの辺を持つ小格子で第２番目の簡略化構造を分割してもよく、例えば図１のように第１番目の簡略化構造をＸ軸方向に６分割、Ｙ軸方向に８分割した場合、第２番目の簡略化構造におけるひとつの大格子を、Ｘ軸方向に６分割、Ｙ軸方向に８分割するなどしてもよい。

電磁界解析が終了したら、解析結果データと小格子条件及び大格子条件を関連付けて記憶媒体に記憶する。この時の解析結果データを、第２番目の解析結果データとする。

ここで、第Ｎ−１番目の解析結果データと第Ｎ番目の解析結果データの許容差分を、例えば１ｄＢとして入力する。この入力処理は、第１番目の解析結果データが得られる前など上記差分を計算する前に行ってもよいし、または直後に行ってもよい。

第１番目の差分と許容差分を比較し、許容差分のほうが大きい場合にはディスプレイなどによって処理の終了を装置操作者に知らせるともに、解析結果データと小格子条件及び大格子条件の関連を示す情報を出力する。

一方、許容差分の方が小さい場合には、辺の長さが第２番目の大格子条件における大格子の辺の長さより小さく、かつＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える長さの辺を持つ大格子でＣＡＤデータパターンを分割する。この時の大格子条件を、第３番目の小格子条件とする。

また、Ｎを増す際に、大格子を小格子化して小格子は寸法を変えない、または小格子を小格子化して大格子は寸法を変えない、または大格子と小格子をともに小格子化する、のいずれかを選択してもよい。

（第３の実施の形態）
図１１は本発明の第３の実施の形態であり、第１または第２の実施の形態における大格子及び小格子への分割方法を示している。

ＣＡＤパターンや簡略化構造を大格子または小格子に分割する際に、一つの格子の半分以上の領域にＣＡＤパターン領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子の集まりにＣＡＤパターンの材質を満たす（図４、図１１）。一つの格子の半分以上の領域にＣＡＤパターン領域、もしくは簡略化構造領域を含むかどうかの判断方法の例として、図１２のように積分計算によって、ＣＡＤパターン領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子内面積（斜線部面積）Ｓ１〜Ｓ４、及びＳａｌｌ＝Ｓ１＋Ｓ２＋Ｓ３＋Ｓ４を求めることで、Ｓａｌｌが格子面積の半分以上かどうかを判断することができる。ここで、Ｓａｌｌは、格子中に実際に物質が存在する領域の面積である。またディスプレイ上において、図の斜線部に含まれる画素数をカウントすることによって判断することもできる。

（第４の実施の形態）
図１３と図１４は本発明の第４の実施の形態であり、第１または第２の実施の形態における大格子及び小格子への分割方法を示している。

ＣＡＤパターンや簡略化構造を大格子または小格子に分割する際に、一つの格子内にＣＡＤパターン領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子の集まりにＣＡＤパターンの材質を満たす。すなわち、物質の存在を表す画素が少なくとも１つでもある格子に含まれているならば、その格子を解析の対象とし、それ以外の格子は、解析の対象から外す（計算に入れない）。

（第５の実施の形態）
図１５は本発明の第５の実施の形態である。

第１または第２の実施の形態のフローにより得られるが得られた場合に、この最終の小格子条件と大格子条件を図１５のフロー図に入力し、電磁界解析を行う。

ＣＡＤパターンにおいて一部形状の変更、または解析条件において給電位置の変更などを行うことで、電磁界解析結果がどのように変化するか知りたい場合、第１または第２の実施の形態のフローを再度行わずに、実用的な精度と時間で電磁界解析を行うことができる。

なお電磁界解析の結果としては、解析領域内の各点における電界、磁界、電流などを例に挙げることができる。

本発明の電磁解析装置の構成を示す図本発明の第１の実施の形態を示すフロー図ＣＡＤパターンを示す図小格子分割処理を示す図解析結果が収束していく様子を示す図本発明の第２の実施の形態を示すフロー図第１番目の簡略化構造を示す図小格子分割処理を示す図第２番目の簡略化構造を示す図小格子分割処理を示す図小格子分割処理を示す図格子内面積の導出を示す図小格子分割処理を示す図小格子分割処理を示す図本発明の第５の実施の形態を示すフロー図従来技術の実施の形態を示すフロー図従来技術の小格子分割処理を示す図

Claims

コンピュータが行なう電磁界解析方法であって、
ＣＡＤデータ入力手段が、電子機器における構成物のＣＡＤデータを読み込み、
格子条件入力手段が、解析モデルを分割する格子の寸法、もしくは解析モデルの分割数、もしくはその他格子の寸法を決めるためのパラメータ条件の人間による入力を受け付けてコンピュータに入力し、
電磁界解析モデルデータ作成手段が、電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割することで第ｋの電磁界解析モデルデータを作成し、
電磁界解析手段が、前記第ｋの電磁界解析モデルデータを電磁界解析し、
結果データ記憶手段が、電磁界解析結果データとその格子条件の関係情報を記憶し、
許容差分入力手段が、フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分の許容差分の人間による入力を受け付けてコンピュータに入力し、
結果データ比較手段が、前記フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分と前記許容差分を比較し、
終了手段が、前記許容差分の方が大きい場合には処理を終了し、
前記フィードバック手段が、前記許容差分の方が小さい場合には、再び前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理に必要な新たな簡略化構造をフィードバックして、前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理からの処理を繰り返す電磁界解析方法であって、
簡略化構造データ作成手段が、
電子機器における構成物のうち同一材質かつ分離していない構成要素において、構成要素が内部に納まる一つの直方体、または板状の構成要素のひとつの面の外形が内部に納まる一つの長方形を第１の簡略化構造として作成し、
第１のフィードバックの際に、前記第１の簡略化構造を構成する前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第２の簡略化構造として作成し、該第２の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とし、
同様に、第ｎのフィードバックの際に、第ｎの簡略化構造を構成する集合要素である前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第ｎ＋１の簡略化構造として作成し、該第ｎ＋１の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とし、
前記電磁界解析モデルデータ作成手段は、第ｋの前記簡略化構造データを基にして第ｋの電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする電磁界解析方法。
前記電磁界解析モデルデータ作成手段は、電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割し、一つの格子の半分以上の領域にＣＡＤデータ構造領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子の集まりで電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする請求項１記載の電磁界解析方法。
前記電磁界解析モデルデータ作成手段は、電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割し、ＣＡＤデータ構造領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子の集まりで電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする請求項１記載の電磁界解析方法。
請求項１乃至３のいずれか１項の電磁界解析方法により得られる電磁界解析結果の格子条件を入力し、
電磁界解析モデルデータ作成手段が、前記格子条件により電磁界解析モデルデータを作成し、
電磁界解析手段が、電磁界解析モデルデータを電磁界解析する電磁界解析方法。
電子機器における構成物のＣＡＤデータを読み込むＣＡＤデータ入力手段と、
解析モデルを分割する格子の寸法、もしくは解析モデルの分割数、もしくはその他格子の寸法を決めるためのパラメータ条件の人間による入力を受け付ける格子条件入力手段と、
電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割することで第ｋの電磁界解析モデルデータを作成する電磁界解析モデルデータ作成手段と、
前記第ｋの電磁界解析モデルデータを電磁界解析する電磁界解析手段と、
電磁界解析結果データとその格子条件の関係情報を記憶する結果データ記憶手段と、
フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分の許容差分の人間による入力を受け付ける許容差分入力手段と、
前記フィードバック手段による第ｊのフィードバックの直前の第ｊの電磁界解析結果データと前記第ｊのフィードバックの直後の第（ｊ＋１）の電磁界解析結果データとの差分と前記フィードバック手段による第（ｊ−１）のフィードバックの直前の第（ｊ−１）の電磁界解析結果データと前記第（ｊ−１）のフィードバックの直後の第ｊの電磁界解析結果データとの差分との間の差分と前記許容差分を比較する結果データ比較手段と、
前記許容差分の方が大きい場合には処理を終了する終了手段と、
前記許容差分の方が小さい場合には、再び前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理に必要な新たな簡略化構造をフィードバックして、前記電磁界解析モデルデータ作成手段により行なわれる電磁界解析モデルデータの作成処理からの処理を繰り返すフィードバック手段と、
を有する電磁界解析装置であって、
電子機器における構成物のうち同一材質かつ分離していない構成要素において、構成要素が内部に納まる一つの直方体、または板状の構成要素のひとつの面の外形が内部に納まる一つの長方形を第１の簡略化構造として作成し、且つ、第１のフィードバックの際に、前記第１の簡略化構造を構成する前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第２の簡略化構造として作成し、該第２の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とし、且つ、同様に、第ｎのフィードバックの際に、第ｎの簡略化構造を構成する集合要素である前記直方体又は前記長方形よりも小さい直方体又は長方形の集合であって、前記構成要素又は外形が内部に収まる集合を第ｎ＋１の簡略化構造として作成し、該第ｎ＋１の簡略化構造を前記新たな簡略化構造とする簡略化構造データ作成手段を有し、
前記電磁界解析モデルデータ作成手段は、第ｋの前記簡略化構造データを基にして第ｋの電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする電磁界解析装置。
電磁界解析モデルデータ作成手段が、
電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割し、一つの格子の半分以上の領域にＣＡＤデータ構造領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子の集まりで電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする請求項５記載の電磁界解析装置。
電磁界解析モデルデータ作成手段が、
電磁界解析領域を、その辺の長さがＣＡＤデータ構造に含まれる最小の線分または隙間を越える大きさの格子で分割し、ＣＡＤデータ構造領域、もしくは簡略化構造領域を含む格子の集まりで電磁界解析モデルデータを作成することを特徴とする請求項５記載の電磁界解析装置。
請求項５乃至７のいずれか１項の電磁界解析装置により得られる電磁界解析結果の格子条件を入力する入力手段と、
前記格子条件により電磁界解析モデルデータを作成する電磁界解析モデルデータ作成手段と、
電磁界解析モデルデータを電磁界解析する電磁界解析手段を有する電磁界解析装置。