JP4945208B2 - オンダイターミネーションの制御方法及びそれに係る制御回路 - Google Patents
オンダイターミネーションの制御方法及びそれに係る制御回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4945208B2 JP4945208B2 JP2006263839A JP2006263839A JP4945208B2 JP 4945208 B2 JP4945208 B2 JP 4945208B2 JP 2006263839 A JP2006263839 A JP 2006263839A JP 2006263839 A JP2006263839 A JP 2006263839A JP 4945208 B2 JP4945208 B2 JP 4945208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- die termination
- delay
- control circuit
- comparison
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/04—Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
- G06F1/10—Distribution of clock signals, e.g. skew
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L25/00—Baseband systems
- H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
- H04L25/0264—Arrangements for coupling to transmission lines
- H04L25/0298—Arrangement for terminating transmission lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Dram (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
Claims (41)
- 外部クロック及び遅延固定ループクロックを受信して、それぞれのクロックがトグルされる数を設定された値からカウントするカウンタ部と、
オンダイターミネーション命令信号に応答し、前記外部クロックの受信に係りカウントした数である外部クロックカウント値と前記遅延固定ループクロックの受信に係りカウントした数である遅延固定ループカウント値とを比較し、両カウント値の比較結果に応じてオンダイダーミネーション命令信号とオンダイターミネーションイネーブル信号との間の位相関係が一定になるようにオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定することでオンダイターミネーションの動作を制御する比較制御部と、
を備えたことを特徴とするオンダイターミネーション制御回路。 - 外部リセット信号に応答し、前記遅延固定ループクロックのカウントを初期化させる第1リセット信号を出力し、一定の遅延時間後に前記外部クロックのカウントを初期化させる第2リセット信号を出力するリセット信号出力部をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記リセット信号出力部が、前記外部リセット信号に応答して入力される電源電圧を前記遅延固定ループクロックと同期させて前記第1リセット信号として出力することを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記リセット信号出力部が、前記第1リセット信号を一定時間遅延させた信号を外部クロックと同期させて前記第2リセット信号として出力することを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記リセット信号出力部が、
前記外部リセット信号に応答し、入力される電源電圧を前記遅延固定ループクロックに同期化させて前記第1リセット信号として出力する遅延固定ループリセット信号生成手段と、
前記第1リセット信号を一定時間分遅延させて遅延リセット信号として出力する遅延レプリカモデル手段と、
前記遅延リセット信号を受信して前記外部クロックに同期化させて前記第2リセット信号として出力する外部リセット信号生成手段と、
を備えたことを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記遅延固定ループリセット信号生成手段が、電源電圧をデータ入力、前記遅延固定ループクロックをクロック入力、前記外部リセット信号をリセット信号として受信し、前記第1リセット信号の論理レベルを決定する第1フリップフロップを備えたことを特徴とする請求項5に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記遅延レプリカモデル手段が、前記遅延固定ループクロックから前記外部クロックまでの遅延時間をモデリングして一定の時間を設定することを特徴とする請求項5に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記外部リセット信号生成手段が、前記遅延リセット信号をデータ入力、前記外部クロックをクロック受信して前記第2リセット信号の論理レベルを決定する第2フリップフロップを備えたことを特徴とする請求項5に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記カウンタ部が、
前記第1リセット信号に応答してカウントを開始し、カウントされた値を遅延固定ループコードとして出力する遅延固定ループカウンタ手段と、
前記第2リセット信号に応答してカウントを開始し、カウントされた値を外部コードとして出力する外部カウンタ手段と、
を備えたことを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記比較制御部が、
前記オンダイターミネーション命令信号のエッジ変動を感知して第1感知信号及び第2感知信号を出力する命令信号感知手段と、
前記第1感知信号及び第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、第1比較信号及び第2比較信号を出力するコード比較手段と、
前記第1比較信号及び第2比較信号に応答してオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定するイネーブル信号出力手段と、
を備えたことを特徴とする請求項9に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジを感知して第1感知信号をトグルすることを特徴とする請求項10に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジを感知して第2感知信号をトグルすることを特徴とする請求項10に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記命令信号感知手段が、
前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジを感知して前記第1感知信号をトグルする立ち上がりエッジ感知手段と、
前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジを感知して前記第2感知信号をトグルする立ち下がりエッジ感知手段と、
を備えたことを特徴とする請求項10に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記立ち上がりエッジ感知手段が、
前記オンダイターミネーション命令信号を一定時間遅延させて出力する第1遅延器と、
前記オンダイターミネーション命令信号と前記遅延手段の出力信号とをNAND演算を行って出力する第1NANDゲートと、
前記第1NANDゲートの出力信号を反転させて前記第1感知信号として出力する第1インバータと、
を備えたことを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記第1遅延器が、前記オンダイターミネーション命令信号を受信して前記外部クロックの1クロック分遅延させて出力することを特徴とする請求項14に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記第1遅延器が、直列接続された複数のインバータを備え、受信した前記オンダイターミネーション命令信号の反転された信号を出力することを特徴とする請求項14に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記立ち下がりエッジ感知手段が、
前記オンダイターミネーション命令信号を反転させて出力する第2インバータと、
前記第2インバータの出力信号を一定時間遅延させて出力する第2遅延器と、
前記第2インバータの出力信号及び前記遅延手段の出力信号をNAND演算を行って出力する第2NANDゲートと、
前記第2NANDゲートの出力信号を反転させて前記第2感知信号として出力する第3インバータと、
を備えたことを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記第2遅延器が、前記受信した前記第2インバータの出力信号を受信して前記外部クロックの1クロック分遅延させて出力することを特徴とする請求項17に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記第2遅延器が、直列接続された複数のインバータを備え、受信した前記第2インバータ出力信号の反転された信号を出力することを特徴とする請求項17に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記コード比較手段が、前記第1感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較して一致する場合、第1比較信号をトグルすることを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記コード比較手段が、前記第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較して一致する場合、第2比較信号をトグルすることを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記コード比較手段が、
前記第1感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その結果に応じて第1比較信号のトグルを決定する第1比較手段と、
前記第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その結果に応じて第2比較信号のトグルを決定する第2比較手段と、
を備えたことを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記第1比較手段が、
前記第1感知信号に応答して前記外部コードを保存する第1保存器と、
前記第1保存手段に保存されたコードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その値に応答して前記第1比較信号のトグルを決定する第1論理器と、
を備えたことを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記第1保存器が、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用し、前記遅延固定ループコードを1ビットずつ保存することを特徴とする請求項23に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記第1論理器が、
前記レジスタに保存された1つのビットデータ及び前記遅延固定ループコードで1つのビットデータを排他的OR演算を行って出力する複数の第1排他的ORゲートと、
前記第1排他的ORゲートの出力信号を全て受信してNAND演算を行って前記第1比較信号として出力する第3NANDゲートと、
を備えたことを特徴とする請求項24に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記第2比較手段が、
前記第2感知信号に応答して前記外部コードを保存する第2保存器と、
前記第2保存手段に保存されたコードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その値に応答して前記第2比較信号のトグルを決定する第2論理器と、
を備えたことを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記第2保存器が、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用して前記外部コードを保存することを特徴とする請求項26に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記第2論理器が、
前記レジスタに保存された1つのビットデータ及び前記遅延固定ループコードから1つのビットデータを排他的OR演算を行って出力する複数の第2排他的ORゲートと、
前記第2排他的ORゲートの出力信号を全て受信し、NAND演算を行って前記第2比較信号として出力する第4NANDゲートと、
を備えたことを特徴とする請求項27に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記イネーブル信号出力手段が、前記第1比較信号に応答して前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」にアクティブにすることを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記イネーブル信号出力手段が、前記第2比較信号に応答して前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」に非アクティブにすることを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記イネーブル信号出力手段が、前記遅延固定ループクロックに同期されて前記オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記イネーブル信号出力手段が、
前記第1比較信号のトグルに応答して電源電圧を前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する立ち上がり器と、
前記第2比較信号のトグルに応答して接地電圧を前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する立ち下がり器と、
前記オンダイターミネーションイネーブル信号を前記遅延固定ループクロックに同期化させる同期化器と、
前記オンダイターミネーションイネーブル信号のフローティングを防止するラッチと、
を備えたことを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記同期化器が、
前記遅延固定ループクロックを反転させて出力する第4インバータと、
前記第4インバータの出力信号をゲートで受信し、電源電圧と第1ノードとの間にドレイン−ソース経路を有する第1PMOSトランジスタと、
前記遅延固定ループクロックをゲートで受信し、接地電圧と第2ノードとの間にドレイン−ソース経路を有する第1NMOSトランジスタと、
を備えたことを特徴とする請求項32に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記立ち上がり器が、
前記第1比較信号を反転させて出力する第5インバータと、
ゲートで受信した前記第5インバータの出力信号に応答してドレイン−ソース経路に接続された前記第1ノードと第3ノードとが接続することを制御する第2PMOSトランジスタと、
を備えたことを特徴とする請求項33に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 前記立ち下がり器は、ゲートで受信した前記第2比較信号に応答し、ドレイン−ソース経路に接続された前記第2ノード及び第3ノードが接続することを制御する第2NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項33に記載のオンダイターミネーション制御回路。
- 前記ラッチが、
第3ノードにかかる電圧を1入力として受信し、位相を反転させて出力する第6インバータ及び前記第6インバータの出力信号を反転して前記第6インバータの1入力として再び入力する第7インバータとからなるインバータラッチと、
前記第6インバータの出力信号を反転させて前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する第8インバータと、
を備えたことを特徴とする請求項33に記載のオンダイターミネーション制御回路。 - 外部リセット信号に応答して第1リセット信号をアクティブにし、一定の遅延時間後、第2リセット信号をアクティブにするリセットステップと、
前記第1リセット信号に応答して遅延固定ループクロックを設定された値からカウントする遅延固定ループカウントステップと、
前記第2リセット信号に応答して外部クロックを設定された値からカウントする外部カウントステップと、
オンダイターミネーション命令信号に応答して前記外部クロックをカウントした値と、前記遅延固定ループクロックをカウントした値とを比較し、両カウント値の比較結果に応じてオンダイダーミネーション命令信号とオンダイターミネーションイネーブル信号との間の位相関係が一定になるようにオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定する比較出力ステップと、
を含むことを特徴とするオンダイターミネーション制御方法。 - 前記リセットステップが、前記第1リセット信号を前記遅延固定ループクロックから前記外部クロックまでの遅延時間をモデリングして決定された一定時間分を遅延させ、第2リセットとして出力することを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
- 前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の論理レベルが遷移されるとき、前記外部クロックのカウント値をレジスタに保存し、レジスタに保存された値と遅延固定ループクロックのカウント値とを比較し、その値が同じとき、前記オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移することを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
- 前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジにおいて、前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」にアクティブにすることを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
- 前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジにおいて前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」に非アクティブにすることを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050090953 | 2005-09-29 | ||
KR10-2005-0090953 | 2005-09-29 | ||
KR10-2006-0049027 | 2006-05-30 | ||
KR1020060049027A KR100761359B1 (ko) | 2005-09-29 | 2006-05-30 | 온-다이 터미네이션 제어회로 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007097183A JP2007097183A (ja) | 2007-04-12 |
JP4945208B2 true JP4945208B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=37905495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006263839A Expired - Fee Related JP4945208B2 (ja) | 2005-09-29 | 2006-09-28 | オンダイターミネーションの制御方法及びそれに係る制御回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7365564B2 (ja) |
JP (1) | JP4945208B2 (ja) |
DE (1) | DE102006045255B4 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100625298B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2006-09-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 제어 장치 |
KR100845807B1 (ko) * | 2007-06-13 | 2008-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 제어신호 생성회로 |
KR100929846B1 (ko) * | 2007-10-23 | 2009-12-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 제어 회로 |
KR100863536B1 (ko) * | 2007-11-02 | 2008-10-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 제어회로 및 그 제어방법 |
KR100921832B1 (ko) * | 2008-03-03 | 2009-10-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리장치의 온 다이 터미네이션 제어회로 |
KR100933676B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2009-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캘리브래이션 회로, 이를 포함하는 반도체 메모리장치, 및캘리브래이션 회로의 동작 방법 |
KR100936806B1 (ko) * | 2008-07-03 | 2010-01-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 도메인 크로싱 회로 및 방법 |
US8497706B2 (en) * | 2011-08-15 | 2013-07-30 | Micron Technology, Inc. | Adjustable data drivers and methods for driving data signals |
KR20160085007A (ko) | 2015-01-07 | 2016-07-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4317353B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2009-08-19 | 三星電子株式会社 | メモリシステムの能動終端抵抗の制御装置及び方法 |
KR100468728B1 (ko) | 2002-04-19 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적회로의 온-칩 터미네이터, 그 제어 회로 및 그제어 방법 |
KR100502408B1 (ko) | 2002-06-21 | 2005-07-19 | 삼성전자주식회사 | 액티브 터미네이션을 내장한 메모리 장치의 파워-업시퀀스를 제어하는 메모리 시스템과 그 파워-업 및 초기화방법 |
KR100464437B1 (ko) | 2002-11-20 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 온칩 dc 전류 소모를 최소화할 수 있는 odt 회로와odt 방법 및 이를 구비하는 메모리장치를 채용하는메모리 시스템 |
US7142461B2 (en) * | 2002-11-20 | 2006-11-28 | Micron Technology, Inc. | Active termination control though on module register |
KR100506976B1 (ko) | 2003-01-03 | 2005-08-09 | 삼성전자주식회사 | 온다이 터미네이션 회로를 가지는 동기 반도체 메모리 장치 |
KR100532426B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 온-칩 터미네이션 저항의 미스매치를 보상할 수 있는반도체 장치 |
KR100515068B1 (ko) * | 2003-12-19 | 2005-09-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 소자의 온 다이 터미네이션을 위한 회로 및방법 |
KR100528164B1 (ko) | 2004-02-13 | 2005-11-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 소자에서의 온 다이 터미네이션 모드 전환회로 및 그 방법 |
US7516281B2 (en) * | 2004-05-25 | 2009-04-07 | Micron Technology, Inc. | On-die termination snooping for 2T applications in a memory system implementing non-self-terminating ODT schemes |
KR100670674B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
KR100625298B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2006-09-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온 다이 터미네이션 제어 장치 |
JP4930875B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | オンダイターミネーション制御装置 |
-
2006
- 2006-09-25 US US11/525,951 patent/US7365564B2/en active Active
- 2006-09-26 DE DE102006045255A patent/DE102006045255B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-28 JP JP2006263839A patent/JP4945208B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007097183A (ja) | 2007-04-12 |
DE102006045255B4 (de) | 2009-12-17 |
US7365564B2 (en) | 2008-04-29 |
US20070126470A1 (en) | 2007-06-07 |
DE102006045255A1 (de) | 2007-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4945208B2 (ja) | オンダイターミネーションの制御方法及びそれに係る制御回路 | |
JP4190662B2 (ja) | 半導体装置及びタイミング制御回路 | |
KR100305546B1 (ko) | 반도체장치,반도체시스템및디지탈지연회로 | |
JP4290537B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7915924B2 (en) | Method and apparatus for selecting an operating mode based on a determination of the availability of internal clock signals | |
TWI665683B (zh) | 在半導體記憶體中提供內部記憶體命令及控制信號之裝置及方法 | |
JP4817348B2 (ja) | 半導体メモリ装置で用いられる遅延固定ループ | |
JP3429977B2 (ja) | スキュー低減回路及び半導体装置 | |
US7352644B2 (en) | Semiconductor memory with reset function | |
KR100761359B1 (ko) | 온-다이 터미네이션 제어회로 및 방법 | |
US10685698B2 (en) | Monotonic variable delay line | |
KR100929846B1 (ko) | 온 다이 터미네이션 제어 회로 | |
KR101679036B1 (ko) | Odt 레이턴시 클럭 제어회로 및 제어방법 | |
JP5642935B2 (ja) | インピーダンス調整回路及びこれを備える半導体装置 | |
US12055968B2 (en) | Semiconductor apparatus including a clock path | |
CN113223569A (zh) | 抗亚稳锁存器 | |
US20190109587A1 (en) | Pipelined latches to prevent metastability | |
US7916560B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US7813217B2 (en) | Semiconductor memory device and method for operating the same | |
KR20060075611A (ko) | 출력 인에이블 신호 생성회로 | |
KR100583101B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 출력 제어 회로 | |
CN113628646A (zh) | 控制时钟发生的电子器件 | |
KR20090070128A (ko) | 출력 인에이블 신호 생성 회로 | |
JP2004146057A (ja) | 半導体装置、半導体装置システム及びディジタル遅延回路 | |
KR20060062551A (ko) | 온다이 터미네이션용 지연 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120305 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |