JP4945208B2 - オンダイターミネーションの制御方法及びそれに係る制御回路 - Google Patents

オンダイターミネーションの制御方法及びそれに係る制御回路 Download PDF

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Description

本発明は、集積回路に関し、特に、半導体装置内のインピーダンスの制御のためのオンダイターミネーション(on−die termination:ODT)又は、オンチップターミネーション(on−chip termination:OCT)が高周波動作する際に発生する遅延固定ループクロックと内部クロックとの間のクロックドメインエラーを解決する制御方法及びそれに係る制御回路に関する。
CPU、メモリ、及びゲートアレイ等のように集積回路チップとして実現される様々な半導体装置(devices)は、パソコン、サーバ、又は、ワークステーションのような様々な電気的製品(electrical products)内に設置される。ほとんどの場合、前記半導体装置は、外部から転送される各種の信号を入力パッドを介して受信する受信回路、及び内部の信号を出力パッドを介して外部に提供する出力回路を有する。
一方、電気的製品の動作速度が高速化されるにつれて、信号伝達にかかる遅延時間を最小化するため、前記半導体装置の間にインターフェースされる信号のスイングの幅は、次第に低減されつつある。しかし、信号のスイングの幅が低減されるほど、外部の雑音による影響は増加し、インターフェース端におけるインピーダンスミスマッチング(mismatching、不整合)に応じる信号の反射もクリティカル(critical)になる。前記インピーダンスミスマッチングは、外部の雑音や、電源電圧の変動、動作温度の変化、製造工程の変化等に起因して発生する。
インピーダンスミスマッチングが発生すると、データの高速伝送が難しくなり、半導体装置のデータ出力端から出力される出力データが歪む可能性がある。受信側の半導体装置が前記歪んだ出力信号を入力端で受信した場合、セットアップ/ホールドフェイル又は入力レベルの判断ミス等の問題が頻繁に引き起こされ得る。
したがって、動作速度の高速化が要求される受信側の半導体装置は、オンダイターミネーション又はオンチップターミネーションと呼ばれているインピーダンスマッチング回路を前記集積回路チップ内のパッドの周辺に採用することになる。
図1Aは、低周波動作の際の従来のオンダイターミネーション制御方法を示すタイミング図である。また図1Bは、高周波動作の際の従来のオンダイターミネーション制御方法による問題を示すタイミング図である。図1A及びBに示すように、従来のオンダイターミネーションの具体的な制御方法は次の通りである。
まず、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)がアクティブになった後、外部クロック(EXT_CLK)の最初の立ち上がりエッジ(TO)に応答し、遅延固定ループクロック(DLL_CLK)がアクティブになる。そして、前記遅延固定ループクロックに応答し、オンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)がロジック「ハイ(high)」(論理ハイ)にアクティブになる。
続いて、次の外部クロックの2番目の立ち上がりエッジ(T1)に応答してオンダイターミネーションを動作させる。しかし、オンダイターミネーションイネーブル信号がアクティブになった後、実際にオンダイターミネーションが動作するためには、一定の遅延時間(DLL to ODT on Delay time)が必要である。ここで、一定の遅延時間は、オンダイターミネーションイネーブル信号がアクティブになり、実際にオンダイターミネーションが動作するために必ず必要な時間である。したがって、一定の遅延時間は、外部クロックの周波数が変動しても、常に一定の遅延時間を必要とする。
図1Aに示すように、従来のオンダイターミネーション制御方法においては、外部クロック(EXT_CLK)低周波で動作するため、外部クロックの1クロックT0〜T1は、一定の遅延時間(DLL to ODT on Delay time)より長い時間を有することになる。
よって、図1Aに示すように、所望の時間T1、すなわちオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)がアクティブになり、再び外部クロックがトグル(toggle)される瞬間に、正常にオンダイターミネーションを動作させることができる。
特開2005−228458
しかしながら、図1Bに示すように、外部クロック(EXT_CLK)が高周波で動作する場合、外部クロックの1クロックT0〜T1は、一定の遅延時間(DLL to ODT on Delay time)より短い時間を有することになる。よって、図1Bに示すように、所望の時間T1、すなわちオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)がアクティブになり、再び外部クロックがトグルされる瞬間に、オンダイターミネーションを動作させることができず、1クロックT2又はそれ以上のクロックでオンダイターミネーションが動作するという問題が発生し得る。即ち、所望の時間より遅い時間にオンダイターミネーションが動作することになる。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するためにオンダイターミネーションが動作する周波数に関係なく、遅延固定ループクロックと内部クロックとの間のクロックドメインエラーを解決し、所望のタイミングでオンダイターミネーションの動作を行うことができるオンダイターミネーション制御方法及びそれに係る制御回路を提供することにある。
上記の技術的な課題を達成するために、本願は以下に示すオンダイターミネーション制御回路及びオンダイターミネーション制御方法の発明を提供する。
本願第1の発明は、外部クロック及び遅延固定ループクロックを受信して、それぞれのクロックがトグルされる数を設定された値からカウントするカウンタ部と、オンダイターミネーション命令信号に応答し、前記外部クロックカウント値と前記遅延固定ループカウント値とを比較し、その値に応じてオンダイターミネーションの動作を制御する比較制御部と、を備えたことを特徴とするオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第2の発明は、外部リセット信号に応答し、前記遅延固定ループクロックのカウントを初期化させる第1リセット信号を出力し、一定の遅延時間後に前記外部クロックのカウントを初期化させる第2リセット信号を出力するリセット信号出力部と、をさらに備えたことを特徴とする前記第1の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第3の発明は、前記リセット信号出力部が、前記外部リセット信号に応答して入力される電源電圧を前記遅延固定ループクロックと同期させて前記第1リセット信号として出力することを特徴とする前記第2の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第4の発明は、前記リセット信号出力部が、前記第1リセット信号を一定時間遅延させた信号を外部クロックと同期させて前記第2リセット信号として出力することを特徴とする前記第2の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第5の発明は、前記リセット信号出力部が、前記外部リセット信号に応答し、入力される電源電圧を前記遅延固定ループクロックに同期化させて前記第1リセット信号として出力する遅延固定ループリセット信号生成手段と、前記第1リセット信号を一定時間分遅延させて遅延リセット信号として出力する遅延レプリカモデル手段と、前記遅延リセット信号を受信して前記外部クロックに同期化させて前記第2リセット信号として出力する外部リセット信号生成手段と、を備えたことを特徴とする前記第2の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第6の発明は、前記遅延固定ループリセット信号生成手段が、電源電圧をデータ入力、前記遅延固定ループクロックをクロック入力、前記外部リセット信号をリセット信号として受信し、前記第1リセット信号の論理レベルを決定する第1フリップフロップを備えたことを特徴とする前記第5の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第7の発明は、前記遅延レプリカモデル手段が、前記遅延固定ループクロックから前記外部クロックまでの遅延時間をモデリングして一定の時間を設定することを特徴とする前記第5の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第8の発明は、前記外部リセット信号生成手段が、前記遅延リセット信号をデータ入力、前記外部クロックをクロック受信して前記第2リセット信号の論理レベルを決定する第2フリップフロップを備えたことを特徴とする前記第5の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第9の発明は、前記カウンタ部が、前記第1リセット信号に応答してカウントを開始し、カウントされた値を遅延固定ループコードとして出力する遅延固定ループカウンタ手段と、前記第2リセット信号に応答してカウントを開始し、カウントされた値を外部コードとして出力する外部カウンタ手段と、を備えたことを特徴とする前記第2の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第10の発明は、前記比較制御部が、前記オンダイターミネーション命令信号のエッジ変動を感知して第1感知信号及び第2感知信号を出力する命令信号感知手段と、前記第1感知信号及び第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、第1比較信号及び第2比較信号を出力するコード比較手段と、前記第1比較信号及び第2比較信号に応答してオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定するイネーブル信号出力手段と、を備えたことを特徴とする前記第9の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第11の発明は、前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジを感知して第1感知信号をトグルすることを特徴とする前記第10の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第12の発明は、前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジを感知して第2感知信号をトグルすることを特徴とする前記第10の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第13の発明は、前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジを感知して前記第1感知信号をトグルする立ち上がりエッジ感知手段と、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジを感知して前記第2感知信号をトグルする立ち下がりエッジ感知手段と、を備えたことを特徴とする前記第10の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第14の発明は、前記立ち上がりエッジ感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号を一定時間遅延させて出力する第1遅延器と、前記オンダイターミネーション命令信号と前記遅延手段の出力信号とをNAND演算を行って出力する第1NANDゲートと、前記第1NANDゲートの出力信号を反転させて前記第1感知信号として出力する第1インバータと、を備えたことを特徴とする前記第13の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第15の発明は、前記第1遅延器が、前記オンダイターミネーション命令信号を受信して前記外部クロックの1クロック分遅延させて出力することを特徴とする前記第14の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第16の発明は、前記第1遅延器が、直列接続された複数のインバータを備え、受信した前記オンダイターミネーション命令信号の反転された信号を出力することを特徴とする前記第14の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第17の発明は、前記立ち下がりエッジ感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号を反転させて出力する第2インバータと、前記第2インバータの出力信号を一定時間遅延させて出力する第2遅延器と、前記第2インバータの出力信号及び前記遅延手段の出力信号をNAND演算を行って出力する第2NANDゲートと、前記第2NANDゲートの出力信号を反転させて前記第2感知信号として出力する第3インバータと、を備えたことを特徴とする前記第13の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第18の発明は、前記第2遅延器が、前記受信した前記第2インバータの出力信号を受信して前記外部クロックの1クロック分遅延させて出力することを特徴とする前記第17の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第19の発明は、前記第2遅延器が、直列接続された複数のインバータを備え、受信した前記第2インバータ出力信号の反転された信号を出力することを特徴とする前記第17の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第20の発明は、前記コード比較手段が、前記第1感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較して一致する場合、第1比較信号をトグルすることを特徴とする前記第13の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第21の発明は、前記コード比較手段が、前記第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較して一致する場合、第2比較信号をトグルすることを特徴とする前記第13の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第22の発明は、前記コード比較手段が、前記第1感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その結果に応じて第1比較信号のトグルを決定する第1比較手段と、前記第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その結果に応じて第2比較信号のトグルを決定する第2比較手段と、を備えたことを特徴とする前記第13の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第23の発明は、前記第1比較手段が、前記第1感知信号に応答して前記外部コードを保存する第1保存器と、前記第1保存手段に保存されたコードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その値に応答して前記第1比較信号のトグルを決定する第1論理器と、を備えたことを特徴とする前記第22の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第24の発明は、前記第1保存器が、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用し、前記遅延固定ループコードを1ビットずつ保存することを特徴とする前記第23の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第25の発明は、前記第1論理器が、前記レジスタに保存された1つのビットデータ及び前記遅延固定ループコードで1つのビットデータを排他的OR演算を行って出力する複数の第1排他的ORゲートと、前記第1排他的ORゲートの出力信号を全て受信してNAND演算を行って前記第1比較信号として出力する第3NANDゲートと、を備えたことを特徴とする前記第24の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第26の発明は、前記第2比較手段が、前記第2感知信号に応答して前記外部コードを保存する第2保存器と、前記第2保存手段に保存されたコードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その値に応答して前記第2比較信号のトグルを決定する第2論理器と、を備えたことを特徴とする前記第22の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第27の発明は、前記第2保存器が、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用して前記外部コードを保存することを特徴とする前記第26の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第28の発明は、前記第2論理器が、前記レジスタに保存された1つのビットデータ及び前記遅延固定ループコードから1つのビットデータを排他的OR演算を行って出力する複数の第2排他的ORゲートと、前記第2排他的ORゲートの出力信号を全て受信し、NAND演算を行って前記第2比較信号として出力する第4NANDゲートと、を備えたことを特徴とする前記第27の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第29の発明は、前記イネーブル信号出力手段が、前記第1比較信号に応答して前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」(論理ハイ)にアクティブにすることを特徴とする前記第22の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第30の発明は、前記イネーブル信号出力手段が、前記第2比較信号に応答して前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」(論理ロー)に非アクティブにすることを特徴とする前記第22の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第31の発明は、前記イネーブル信号出力手段が、前記遅延固定ループクロックに同期されて前記オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする前記第22の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第32の発明は、前記イネーブル信号出力手段が、前記第1比較信号のトグルに応答して電源電圧を前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する立ち上がり器、前記第2比較信号のトグルに応答して接地電圧を前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する立ち下がり器と、前記オンダイターミネーションイネーブル信号を前記遅延固定ループクロックに同期化させる同期化器と、前記オンダイターミネーションイネーブル信号のフローティングを防止するラッチと、を備えたことを特徴とする前記第22の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第33の発明は、前記同期化器が、前記遅延固定ループクロックを反転させて出力する第4インバータと、前記第4インバータの出力信号をゲートで受信し、電源電圧と第1ノードとの間にドレイン−ソース経路を有する第1PMOSトランジスタと、前記遅延固定ループクロックをゲートで受信し、接地電圧と第2ノードとの間にドレイン−ソース経路を有する第1NMOSトランジスタと、を備えたことを特徴とする前記第32の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第34の発明は、前記立ち上がり器が、前記第1比較信号を反転させて出力する第5インバータと、ゲートで受信した前記第5インバータの出力信号に応答してドレイン−ソース経路に接続された前記第1ノードと第3ノードとが接続することを制御する第2PMOSトランジスタと、を備えたことを特徴とする前記第33の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第35の発明は、前記立ち下がり器は、ゲートで受信した前記第2比較信号に応答し、ドレイン−ソース経路に接続された前記第2ノード及び第3ノードが接続することを制御する第2NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする前記第33の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第36の発明は、前記ラッチが、第3ノードにかかる電圧を1入力として受信し、位相を反転させて出力する第6インバータ及び前記第6インバータの出力信号を反転して前記第6インバータの1入力として再び入力する第7インバータとからなるインバータラッチと、前記第6インバータの出力信号を反転させて前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する第8インバータと、を備えたことを特徴とする前記第33の発明に記載のオンダイターミネーション制御回路を提供するものである。
本願第37の発明は、外部リセット信号に応答して第1リセット信号をアクティブにし、一定の遅延時間後、第2リセット信号をアクティブにするリセットステップと、前記第1リセット信号に応答して遅延固定ループクロックを設定された値からカウントする遅延固定ループカウントステップと、前記第2リセット信号に応答して外部クロックを設定された値からカウントする外部カウントステップと、オンダイターミネーション命令信号に応答して前記外部クロックをカウントした値と、前記遅延固定ループクロックをカウントした値とを比較し、その値に応じてオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定する比較出力ステップと、を含むことを特徴とするオンダイターミネーション制御方法を提供するものである。
本願第38の発明は、前記リセットステップが、前記第1リセット信号を前記遅延固定ループクロックから前記外部クロックまでの遅延時間をモデリングして決定された一定時間分を遅延させ、第2リセットとして出力することを特徴とする前記第37の発明に記載のオンダイターミネーション制御方法を提供するものである。
本願第39の発明は、前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の論理レベルが遷移されるとき、前記外部クロックのカウント値をレジスタに保存し、レジスタに保存された値と遅延固定ループクロックのカウント値とを比較し、その値が同じとき、前記オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移することを特徴とする前記第37の発明に記載のオンダイターミネーション制御方法を提供するものである。
本願第40の発明は、前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジにおいて、前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」にアクティブにすることを特徴とする前記第37の発明に記載のオンダイターミネーション制御方法を提供するものである。
本願第41の発明は、前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジにおいて前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」に非アクティブにすることを特徴とする前記第37の発明に記載のオンダイターミネーション制御方法を提供するものである。
本発明によれば、外部クロック及び遅延固定ループクロックが高周波で動作する場合にも、外部クロック及び遅延固定ループクロックをカウントした値を利用して、オンダイターミネーションイネーブル信号をアクティブにするタイミングを決定するため、オンダイターミネーションイネーブル信号が所望しないタイミングでアクティブになることを防止できる。即ち、オンダイターミネーション命令信号がアクティブになった後、設計者の初期設定に応じてオンダイターミネーションイネーブル信号がアクティブになるタイミングを調節できる。
本発明のオンダイターミネーション制御回路は、外部クロックと遅延固定ループクロックとの間に一定の遅延時間を決定し、その遅延時間分の間隔を有しながら外部クロック及び遅延固定ループクロックのクロックをそれぞれカウントすることによって、両クロックの位相関係を一定にする。そのためには、オンダイターミネーション命令信号とオンダイターミネーションイネーブル信号との間の位相関係を一定にする構造が必要である。
以下、添付した図面を参照しながら本発明の最も好ましい実施形態について説明する。
図2は、本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御回路を示すブロックダイアグラムである。同図に示すように、本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御回路は、外部クロック(EXT_CLK)及び遅延固定ループクロック(DLL_CLK)を受信し、それぞれのクロックがトグルされる個数を設定した値からカウントする「カウンタ部」1000と、外部リセット信号(RESET)に応答して遅延固定ループクロックのカウントを初期化する第1リセット信号(R1)を出力し、一定の遅延時間後、外部クロックのカウントを初期化する第2リセット信号(R2)を出力する「リセット信号出力部」2000、及びオンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)に応答して外部クロックカウント値と遅延固定ループカウント値とを比較し、その値に応じてオンダイターミネーションの動作を制御するオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)を出力する「比較制御部」3000を備える。
「カウンタ部」1000は、第2リセット信号(R2)に応答して外部クロック(EXT_CLK)のカウントを開始し、カウントした値を外部コード(EX_CODE)として出力する「外部カウンタ手段」1200、及び第1リセット信号(R1)に応答して遅延固定ループクロック(DLL_CLK)のカウントを開始し、カウントした値を遅延固定ループコード(DLL_CODE)として出力する「遅延固定ループカウンタ手段」1400を備える。
「比較制御部」3000は、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)のエッジ(edge)の変動を感知し、第1感知信号(P1)及び第2感知信号(P2)を出力する「命令信号感知手段」3200と、前記第1感知信号及び第2感知信号に応答し、前記外部コードと遅延固定ループコード(DLL_CODE)とを比較して第1比較信号(C1)及び第2比較信号(C2)を出力する「コード比較手段」3400、及び第1比較信号及び第2比較信号に応答してオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)の論理レベルを決定する「イネーブル信号出力手段」3600を備える。
図3は、図2に示すオンダイターミネーション制御回路のうち、「リセット信号出力部」2000を詳しく示した回路図である。
「リセット信号出力部」2000は、外部リセット信号に応答し、電源電圧(VDD)を遅延固定ループクロック(DLL_CLK)に同期化させ、第1リセット信号(R1)を出力する「遅延固定ループリセット信号生成手段」2200、第1リセット信号を、遅延固定ループクロックから外部クロック(EXT_CLK)までの遅延時間をモデリングして決定された一定時間分を遅延させ、遅延リセット信号(EN)として出力する「遅延レプリカモデル手段」2400、及び遅延リセット信号を外部クロックに同期化させ、第2リセット信号(R2)を出力する「外部リセット信号生成手段」2600を備える。
「遅延固定ループリセット信号生成手段」2200は、D−フリップフロップを備えるが、電源電圧VDDをデータ入力(D)、遅延固定ループクロックをクロック入力(CLK)、外部リセット信号をリセット入力(RST)として受信し、第1リセット信号(R1)の論理レベルを決定して出力する。
「外部リセット信号生成手段」2600は、D−フリップフロップを備えるが、遅延リセット信号(EN)をデータ入力、外部クロック(EXT_CLK)のクロック入力として受信し、第2リセット信号(R2)の論理レベルを決定して出力する。
図4は、図2に示すオンダイターミネーション制御回路の「比較制御部」3000の構成要素のうち、「命令信号感知手段」3200を詳しく示した回路図である。
「命令信号感知手段」3200は、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)の立ち上がりエッジ(Rising Edge)を感知し、第1感知信号(P1)をトグルする「立ち上がりエッジ感知手段」3220及び反転されたオンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジ(Falling Edge)を感知し、第2感知信号(P2)をトグルする「立ち下がりエッジ感知手段」3240を備えて構成される。
「立ち上がりエッジ感知手段」3220は、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)を、外部クロック(EXT_CLK)の1クロック分遅延させて出力する「第1遅延器」3222、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)と第1遅延器3222の出力信号をNAND演算を行って出力する「第1NANDゲート」(NAND1)、及び第1NANDゲートの出力信号を反転させて第1感知信号として出力する「第1インバータ」(INV1)を備える。
「立ち下がりエッジ感知手段」3240は、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)を反転させて出力する「第2インバータ」(INV2)と第2インバータの出力信号を外部クロックの1クロック分遅延させて出力する「第2遅延器」3242と、第2インバータの出力信号と第2遅延器3242との出力信号をNAND演算を行って出力させて「第2NANDゲート」(NAND2)、及び第2NANDゲートの出力信号を反転して第2感知信号として出力する「第3インバータ」(INV3)を備える。
また、上述した「立ち上がりエッジ感知手段」3220の構成要素のうち、「第1遅延器」3222及び「第2遅延器」3242は、直列接続された複数のインバータを備え、受信した信号を反転させて出力する。
図5は、図2に示すオンダイターミネーション制御回路の「比較制御部」3000の構成要素のうち、「コード比較手段」3400を詳しく示した回路図である。
「コード比較手段」3400は、第1感知信号(P1)に応答し、外部コード(EX_CODE)と遅延固定ループコード(DLL_CODE)とを比較して、その結果に応じて第1比較信号(C1)のトグルを決定する「第1比較手段」3420、及び第2感知信号に応答し、外部コードと遅延固定ループコードとを比較して、その結果に応じて第2比較信号(C2)のトグルを決定する「第2比較手段」3440を備える。図5を参照して「コード比較手段」3400の動作を具体的に説明すれば次の通りである。
第1に、「第1比較手段」3420は、上述した命令信号感知手段3200から受信した第1感知信号(P1)のトグルに応答し、上述したカウンタ部1000から受信した外部コード(EX_CODE)と遅延固定ループコード(DLL_CODE)とを比較する動作を開始し、その値が一致する場合、第1比較信号(C1)をトグルする。
第2に、「第2比較手段」3440は、上述した命令信号感知手段3200から受信した第2感知信号(P2)のトグルに応答し、上述したカウンタ部1000から受信した外部コード(EX_CODE)と遅延固定ループコード(DLL_CODE)とを比較する動作を開始し、その値が一致する場合、第2比較信号(C2)をトグルする。
即ち、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)の立ち上がりエッジにおいて、第1比較信号(C1)をトグルし、立ち下がりエッジにおいて第2比較信号(C2)をトグルする動作を行う。
さらに詳しくは、第1比較手段3420は、第1感知信号(P1)に応答して外部コード(EX_CODE)を保存する「第1保存器」3422、及び第1保存器3422に保存されたコードと遅延固定ループコード(DLL_CODE)とを比較し、その値に応答して第1比較信号のトグルを決定する「第1論理器」3424を備える。
「第1保存器」3422は、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用して外部コード(EX_CODE)を順番通りにそれぞれ1ビットずつ保存する。
「第1論理器」3424は、複数のレジスタのうち、1つのレジスタに保存された1ビットのデータと遅延固定ループコード(DLL_CODE)から1ビットデータとを順番通りに排他的OR演算を行って出力する複数の「第1排他的ORゲート」と、複数の第1排他的ORゲートの出力信号を全て一度に受信してNOR演算し、第1比較信号(C1)として出力する「第3NORゲート」(NOR3)とを備える。
また、第2比較手段3440は、第2感知信号(P2)に応答して外部コード(EX_CODE)を保存する「第2保存器」3442、及び第2保存器3442に保存されたコードと遅延固定ループコード(DLL_CODE)とを比較し、その値に応答して第2比較信号(C2)のトグルを決定する「第2論理器」3444を備える。
「第2保存器」3442は、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用して外部コード(EX_CODE)を順番通りに1ビットずつそれぞれ保存する。
「第2論理器」3444は、複数のレジスタのうち、1つのレジスタに保存された1ビットのデータと遅延固定ループコード(DLL_CODE)から1ビットのデータとを順番通りに排他的OR演算を行って出力する複数の「第2排他的ORゲート」と複数の第2排他的ORゲートの出力信号を全て一度に受信してNOR演算し、第2比較信号(C2)として出力する「第4NORゲート」(NOR4)とを備える。
前記コード比較部3400の構成要素において、表現として用いられた「順番通りに1ビットずつ保存する」とは、二進数の体系に合せて、0、1、2、3、・・・、n−1のように、順番通りに保存するという意味である。同様に、「複数」とは、外部コード(EX_CODE)及び遅延固定ループコード(DLL_CODE)の二進コードの数であるn個の整数を意味する。
図6は、図2に示すオンダイターミネーション制御回路の「比較制御部」3000の構成要素のうち、「イネーブル信号出力手段」3600を詳しく示す回路図である。
「イネーブル信号出力手段」3600は、オンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)を遅延固定ループクロック(DLL_CLK)に同期化させて出力する「同期化器」3620、第1比較信号(C1)に応答して電源電圧をオンダイターミネーションイネーブル信号として出力する「立ち上がり器」3640、第2比較信号(C2)に応答して接地電圧(VSS)をオンダイターミネーションイネーブル信号として出力する「立ち下がり器」3660、及びオンダイターミネーションイネーブル信号のフローティング(floating)を防止する「ラッチ」3680を備える。
「同期化器」3620は、遅延固定ループクロック(DLL_CLK)を反転させて出力する第4インバータ(INV4)、ゲートで第4インバータの出力信号を受信し、電源電圧と第1ノード(NODE1)の間にソース−ドレイン経路を有する「第1PMOSトランジスタ」(PM1)、及びゲートに遅延固定ループクロックを受信し、接地電圧と第2ノード(NODE2)との間にソース−ドレイン経路を有する「第1NMOSトランジスタ」(NM1)を備える。したがって、同期化部3620は、オンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)の論理レベルがロジック「ロー(low)」からロジック「ハイ(high)」へとアクティブになる場合には、第1NMOSトランジスタ及び第1PMOSトランジスタをターンオンさせ、また、ロジック「ハイ」からロジック「ロー」へと非アクティブになる場合には、第1NMOSトランジスタ及び第1PMOSトランジスタをターンオフさせる。
「立ち上がり器」3640は、第1比較信号(C1)を反転させて出力する「第5インバータ」(INV5)、及びゲートで第5インバータの出力信号を受信し、第1ノードと第3ノード(NODE3)との間にソース−ドレイン経路を有する「第2PMOSトランジスタ」(PM2)を備える。したがって、立ち上がり部3640は、第1比較信号のトグルに応答してオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)をロジック「ハイ」にアクティブにして出力する。
「立ち下がり器」3660は、ゲートで第2比較信号(C2)を受信し、第2ノードと第3ノードとの間にソース−ドレイン経路を有する「第2NMOSトランジスタ」(NM2)を備える。したがって、立ち下がり部3660は、第2比較信号のトグルに応答してオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)をロジック「ロー」に非アクティブにして出力する。
「ラッチ」3680は、第3ノードにかかる電圧を1入力として受信し、位相を反転させて出力する「第6インバータ」(INV6)と、第6インバータの出力信号を反転して第6インバータの1入力として再び入力する「第7インバータ」(INV7)からなるインバータラッチ及び第6インバータの出力信号を反転させてオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)として出力する「第8インバータ」(INV8)を備える。
以上で示したように、オンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)は、第1比較信号(C1)がトグルするときにアクティブになり、第2比較信号(C2)がトグルするときに非アクティブになる。したがって、本発明の実施形態を適用すると、外部クロック(EXT_CLK)と遅延固定ループクロック(DLL_CLK)が高周波で動作する場合にも、外部クロックと遅延固定ループクロックをカウントした値を利用してオンダイターミネーションイネーブル信号がアクティブになるタイミングを決定するため、オンダイターミネーションイネーブル信号が所望しないタイミングでアクティブになることを防止することができる。即ち、オンダイターミネーション命令信号がアクティブになった後、設計者の初期設定によってオンダイターミネーションイネーブル信号がアクティブになるタイミングを調節することができる。
図7は、本発明のオンダイターミネーション制御方法を示すタイミング図である。図7に示すように、本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御方法は、外部リセット信号(RESET)に応答して第1リセット信号(R1)をアクティブにし、一定の遅延時間後に、第2リセット信号(R2)をアクティブにするリセットステップ(a)と、第1リセット信号R1に応答して遅延固定ループクロック(DLL_CLK)を、設定された値0からカウントする遅延固定ループカウントステップ(b)と、第2リセット信号(R2)に応答して外部クロック(EXT_CLK)を、設定された値5からカウントする外部カウントステップ(c)、及びオンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)に応答して外部クロックをカウントした値と遅延固定ループクロックをカウントした値とを比較して(d)、その値に応じてオンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)の論理レベルを決定する(e)比較出力ステップを含む。
本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御方法のうち、リセットステップ(a)は、第1リセット信号を、遅延固定ループクロックから外部クロックまでの遅延時間をモデリングして決定された一定の時間(Replica Delay)の分を遅延させて第2リセットとして出力する。
本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御方法のうち、比較出力ステップ(d、e)は、オンダイターミネーション命令信号(ODT_CMD)の論理レベルが遷移されるとき、外部クロック(EXT_CLK)のカウント値をレジスタに保存し、レジスタに保存された値と遅延固定ループクロック(DLL_CLK)のカウント値とを比較し、その値が同じとき、オンダイターミネーションイネーブル信号(ODTEN)の論理レベルを遷移する。また、前記比較出力ステップ(d、e)において、オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移するとき、オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジにおいて、オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」にアクティブにする。同様に、前記比較出力ステップ(d、e)でオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移するとき、オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジにおいて、オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」に非アクティブにする。
以上で示した本発明のオンダイターミネーション制御方法は、本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御回路が動作する順番及び方法を説明したものであり、その効果は上記で説明したオンダイターミネーション制御回路と同じなのでここでは省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想の範囲内から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。例えば、前記実施形態において、例示した論理ゲート及びトランジスタは、入力された信号の極性によって、その位置及び種類が異なるように実現されるべきである。
A:低周波動作の際の従来のオンダイターミネーションの制御方法を示すタイミング図B:高周波動作の際の従来のオンダイターミネーションの制御方法による問題点を示すタイミング図 本発明の実施形態に係るオンダイターミネーション制御回路を示すブロックダイアグラム 図2に示すオンダイターミネーション制御回路のリセット信号出力部の回路図 図2に示すオンダイターミネーション制御回路の命令信号感知手段の回路図 図2に示すオンダイターミネーション制御回路のコード比較手段の回路図 図2に示すオンダイターミネーション制御回路のイネーブル信号出力手段の回路図 本発明のオンダイターミネーション制御方法を示すタイミング図

Claims (41)

  1. 外部クロック及び遅延固定ループクロックを受信して、それぞれのクロックがトグルされる数を設定された値からカウントするカウンタ部と、
    オンダイターミネーション命令信号に応答し、前記外部クロックの受信に係りカウントした数である外部クロックカウント値と前記遅延固定ループクロックの受信に係りカウントした数である遅延固定ループカウント値とを比較し、両カウント値の比較結果に応じてオンダイダーミネーション命令信号とオンダイターミネーションイネーブル信号との間の位相関係が一定になるようにオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定することでオンダイターミネーションの動作を制御する比較制御部と、
    を備えたことを特徴とするオンダイターミネーション制御回路。
  2. 外部リセット信号に応答し、前記遅延固定ループクロックのカウントを初期化させる第1リセット信号を出力し、一定の遅延時間後に前記外部クロックのカウントを初期化させる第2リセット信号を出力するリセット信号出力部をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  3. 前記リセット信号出力部が、前記外部リセット信号に応答して入力される電源電圧を前記遅延固定ループクロックと同期させて前記第1リセット信号として出力することを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  4. 前記リセット信号出力部が、前記第1リセット信号を一定時間遅延させた信号を外部クロックと同期させて前記第2リセット信号として出力することを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  5. 前記リセット信号出力部が、
    前記外部リセット信号に応答し、入力される電源電圧を前記遅延固定ループクロックに同期化させて前記第1リセット信号として出力する遅延固定ループリセット信号生成手段と、
    前記第1リセット信号を一定時間分遅延させて遅延リセット信号として出力する遅延レプリカモデル手段と、
    前記遅延リセット信号を受信して前記外部クロックに同期化させて前記第2リセット信号として出力する外部リセット信号生成手段と、
    を備えたことを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  6. 前記遅延固定ループリセット信号生成手段が、電源電圧をデータ入力、前記遅延固定ループクロックをクロック入力、前記外部リセット信号をリセット信号として受信し、前記第1リセット信号の論理レベルを決定する第1フリップフロップを備えたことを特徴とする請求項5に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  7. 前記遅延レプリカモデル手段が、前記遅延固定ループクロックから前記外部クロックまでの遅延時間をモデリングして一定の時間を設定することを特徴とする請求項5に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  8. 前記外部リセット信号生成手段が、前記遅延リセット信号をデータ入力、前記外部クロックをクロック受信して前記第2リセット信号の論理レベルを決定する第2フリップフロップを備えたことを特徴とする請求項5に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  9. 前記カウンタ部が、
    前記第1リセット信号に応答してカウントを開始し、カウントされた値を遅延固定ループコードとして出力する遅延固定ループカウンタ手段と、
    前記第2リセット信号に応答してカウントを開始し、カウントされた値を外部コードとして出力する外部カウンタ手段と、
    を備えたことを特徴とする請求項2に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  10. 前記比較制御部が、
    前記オンダイターミネーション命令信号のエッジ変動を感知して第1感知信号及び第2感知信号を出力する命令信号感知手段と、
    前記第1感知信号及び第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、第1比較信号及び第2比較信号を出力するコード比較手段と、
    前記第1比較信号及び第2比較信号に応答してオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定するイネーブル信号出力手段と、
    を備えたことを特徴とする請求項9に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  11. 前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジを感知して第1感知信号をトグルすることを特徴とする請求項10に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  12. 前記命令信号感知手段が、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジを感知して第2感知信号をトグルすることを特徴とする請求項10に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  13. 前記命令信号感知手段が、
    前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジを感知して前記第1感知信号をトグルする立ち上がりエッジ感知手段と、
    前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジを感知して前記第2感知信号をトグルする立ち下がりエッジ感知手段と、
    を備えたことを特徴とする請求項10に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  14. 前記立ち上がりエッジ感知手段が、
    前記オンダイターミネーション命令信号を一定時間遅延させて出力する第1遅延器と、
    前記オンダイターミネーション命令信号と前記遅延手段の出力信号とをNAND演算を行って出力する第1NANDゲートと、
    前記第1NANDゲートの出力信号を反転させて前記第1感知信号として出力する第1インバータと、
    を備えたことを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  15. 前記第1遅延器が、前記オンダイターミネーション命令信号を受信して前記外部クロックの1クロック分遅延させて出力することを特徴とする請求項14に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  16. 前記第1遅延器が、直列接続された複数のインバータを備え、受信した前記オンダイターミネーション命令信号の反転された信号を出力することを特徴とする請求項14に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  17. 前記立ち下がりエッジ感知手段が、
    前記オンダイターミネーション命令信号を反転させて出力する第2インバータと、
    前記第2インバータの出力信号を一定時間遅延させて出力する第2遅延器と、
    前記第2インバータの出力信号及び前記遅延手段の出力信号をNAND演算を行って出力する第2NANDゲートと、
    前記第2NANDゲートの出力信号を反転させて前記第2感知信号として出力する第3インバータと、
    を備えたことを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  18. 前記第2遅延器が、前記受信した前記第2インバータの出力信号を受信して前記外部クロックの1クロック分遅延させて出力することを特徴とする請求項17に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  19. 前記第2遅延器が、直列接続された複数のインバータを備え、受信した前記第2インバータ出力信号の反転された信号を出力することを特徴とする請求項17に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  20. 前記コード比較手段が、前記第1感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較して一致する場合、第1比較信号をトグルすることを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  21. 前記コード比較手段が、前記第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較して一致する場合、第2比較信号をトグルすることを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  22. 前記コード比較手段が、
    前記第1感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その結果に応じて第1比較信号のトグルを決定する第1比較手段と、
    前記第2感知信号に応答して前記外部コードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その結果に応じて第2比較信号のトグルを決定する第2比較手段と、
    を備えたことを特徴とする請求項13に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  23. 前記第1比較手段が、
    前記第1感知信号に応答して前記外部コードを保存する第1保存器と、
    前記第1保存手段に保存されたコードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その値に応答して前記第1比較信号のトグルを決定する第1論理器と、
    を備えたことを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  24. 前記第1保存器が、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用し、前記遅延固定ループコードを1ビットずつ保存することを特徴とする請求項23に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  25. 前記第1論理器が、
    前記レジスタに保存された1つのビットデータ及び前記遅延固定ループコードで1つのビットデータを排他的OR演算を行って出力する複数の第1排他的ORゲートと、
    前記第1排他的ORゲートの出力信号を全て受信してNAND演算を行って前記第1比較信号として出力する第3NANDゲートと、
    を備えたことを特徴とする請求項24に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  26. 前記第2比較手段が、
    前記第2感知信号に応答して前記外部コードを保存する第2保存器と、
    前記第2保存手段に保存されたコードと前記遅延固定ループコードとを比較し、その値に応答して前記第2比較信号のトグルを決定する第2論理器と、
    を備えたことを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  27. 前記第2保存器が、1ビットを保存することができる複数のレジスタを利用して前記外部コードを保存することを特徴とする請求項26に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  28. 前記第2論理器が、
    前記レジスタに保存された1つのビットデータ及び前記遅延固定ループコードから1つのビットデータを排他的OR演算を行って出力する複数の第2排他的ORゲートと、
    前記第2排他的ORゲートの出力信号を全て受信し、NAND演算を行って前記第2比較信号として出力する第4NANDゲートと、
    を備えたことを特徴とする請求項27に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  29. 前記イネーブル信号出力手段が、前記第1比較信号に応答して前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」にアクティブにすることを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  30. 前記イネーブル信号出力手段が、前記第2比較信号に応答して前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」に非アクティブにすることを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  31. 前記イネーブル信号出力手段が、前記遅延固定ループクロックに同期されて前記オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  32. 前記イネーブル信号出力手段が、
    前記第1比較信号のトグルに応答して電源電圧を前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する立ち上がり器
    前記第2比較信号のトグルに応答して接地電圧を前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する立ち下がり器と、
    前記オンダイターミネーションイネーブル信号を前記遅延固定ループクロックに同期化させる同期化器と、
    前記オンダイターミネーションイネーブル信号のフローティングを防止するラッチと、
    を備えたことを特徴とする請求項22に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  33. 前記同期化器が、
    前記遅延固定ループクロックを反転させて出力する第4インバータと、
    前記第4インバータの出力信号をゲートで受信し、電源電圧と第1ノードとの間にドレイン−ソース経路を有する第1PMOSトランジスタと、
    前記遅延固定ループクロックをゲートで受信し、接地電圧と第2ノードとの間にドレイン−ソース経路を有する第1NMOSトランジスタと、
    を備えたことを特徴とする請求項32に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  34. 前記立ち上がり器が、
    前記第1比較信号を反転させて出力する第5インバータと、
    ゲートで受信した前記第5インバータの出力信号に応答してドレイン−ソース経路に接続された前記第1ノードと第3ノードとが接続することを制御する第2PMOSトランジスタと、
    を備えたことを特徴とする請求項33に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  35. 前記立ち下がり器は、ゲートで受信した前記第2比較信号に応答し、ドレイン−ソース経路に接続された前記第2ノード及び第3ノードが接続することを制御する第2NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項33に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  36. 前記ラッチが、
    第3ノードにかかる電圧を1入力として受信し、位相を反転させて出力する第6インバータ及び前記第6インバータの出力信号を反転して前記第6インバータの1入力として再び入力する第7インバータとからなるインバータラッチと、
    前記第6インバータの出力信号を反転させて前記オンダイターミネーションイネーブル信号として出力する第8インバータと、
    を備えたことを特徴とする請求項33に記載のオンダイターミネーション制御回路。
  37. 外部リセット信号に応答して第1リセット信号をアクティブにし、一定の遅延時間後、第2リセット信号をアクティブにするリセットステップと、
    前記第1リセット信号に応答して遅延固定ループクロックを設定された値からカウントする遅延固定ループカウントステップと、
    前記第2リセット信号に応答して外部クロックを設定された値からカウントする外部カウントステップと、
    オンダイターミネーション命令信号に応答して前記外部クロックをカウントした値と、前記遅延固定ループクロックをカウントした値とを比較し、両カウント値の比較結果に応じてオンダイダーミネーション命令信号とオンダイターミネーションイネーブル信号との間の位相関係が一定になるようにオンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを決定する比較出力ステップと、
    を含むことを特徴とするオンダイターミネーション制御方法。
  38. 前記リセットステップが、前記第1リセット信号を前記遅延固定ループクロックから前記外部クロックまでの遅延時間をモデリングして決定された一定時間分を遅延させ、第2リセットとして出力することを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
  39. 前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の論理レベルが遷移されるとき、前記外部クロックのカウント値をレジスタに保存し、レジスタに保存された値と遅延固定ループクロックのカウント値とを比較し、その値が同じとき、前記オンダイターミネーションイネーブル信号の論理レベルを遷移することを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
  40. 前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち上がりエッジにおいて、前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ハイ」にアクティブにすることを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
  41. 前記比較出力ステップが、前記オンダイターミネーション命令信号の立ち下がりエッジにおいて前記オンダイターミネーションイネーブル信号をロジック「ロー」に非アクティブにすることを特徴とする請求項37に記載のオンダイターミネーション制御方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625298B1 (ko) * 2005-09-29 2006-09-15 주식회사 하이닉스반도체 온 다이 터미네이션 제어 장치
KR100845807B1 (ko) * 2007-06-13 2008-07-14 주식회사 하이닉스반도체 온 다이 터미네이션 제어신호 생성회로
KR100929846B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-04 주식회사 하이닉스반도체 온 다이 터미네이션 제어 회로
KR100863536B1 (ko) * 2007-11-02 2008-10-15 주식회사 하이닉스반도체 온 다이 터미네이션 제어회로 및 그 제어방법
KR100921832B1 (ko) * 2008-03-03 2009-10-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치의 온 다이 터미네이션 제어회로
KR100933676B1 (ko) * 2008-04-30 2009-12-23 주식회사 하이닉스반도체 캘리브래이션 회로, 이를 포함하는 반도체 메모리장치, 및캘리브래이션 회로의 동작 방법
KR100936806B1 (ko) * 2008-07-03 2010-01-14 주식회사 하이닉스반도체 도메인 크로싱 회로 및 방법
US8497706B2 (en) * 2011-08-15 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Adjustable data drivers and methods for driving data signals
KR20160085007A (ko) 2015-01-07 2016-07-15 삼성전자주식회사 반도체 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4317353B2 (ja) * 2001-10-19 2009-08-19 三星電子株式会社 メモリシステムの能動終端抵抗の制御装置及び方法
KR100468728B1 (ko) 2002-04-19 2005-01-29 삼성전자주식회사 반도체 집적회로의 온-칩 터미네이터, 그 제어 회로 및 그제어 방법
KR100502408B1 (ko) 2002-06-21 2005-07-19 삼성전자주식회사 액티브 터미네이션을 내장한 메모리 장치의 파워-업시퀀스를 제어하는 메모리 시스템과 그 파워-업 및 초기화방법
KR100464437B1 (ko) 2002-11-20 2004-12-31 삼성전자주식회사 온칩 dc 전류 소모를 최소화할 수 있는 odt 회로와odt 방법 및 이를 구비하는 메모리장치를 채용하는메모리 시스템
US7142461B2 (en) * 2002-11-20 2006-11-28 Micron Technology, Inc. Active termination control though on module register
KR100506976B1 (ko) 2003-01-03 2005-08-09 삼성전자주식회사 온다이 터미네이션 회로를 가지는 동기 반도체 메모리 장치
KR100532426B1 (ko) * 2003-03-25 2005-11-30 삼성전자주식회사 온-칩 터미네이션 저항의 미스매치를 보상할 수 있는반도체 장치
KR100515068B1 (ko) * 2003-12-19 2005-09-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자의 온 다이 터미네이션을 위한 회로 및방법
KR100528164B1 (ko) 2004-02-13 2005-11-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 기억 소자에서의 온 다이 터미네이션 모드 전환회로 및 그 방법
US7516281B2 (en) * 2004-05-25 2009-04-07 Micron Technology, Inc. On-die termination snooping for 2T applications in a memory system implementing non-self-terminating ODT schemes
KR100670674B1 (ko) 2005-06-30 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100625298B1 (ko) * 2005-09-29 2006-09-15 주식회사 하이닉스반도체 온 다이 터미네이션 제어 장치
JP4930875B2 (ja) * 2005-09-29 2012-05-16 株式会社ハイニックスセミコンダクター オンダイターミネーション制御装置

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