JP4943426B2 - 被膜の生成方法 - Google Patents

Description

本発明は、初期ウェハーから開始して、決定された深さに埋込み注入ゾーンを形成するために、その面の１つを通して原子種を注入するステップを含み、次いでウェハーの注入面によって、およびこの注入ゾーンによって境界が定められる、被膜の生成に関する。

この技法は特に、前記注入の後、下記のステップ（図１Ａおよび１Ｂにより示される）を実施することによって、即ち
ウェハー１０のその注入面を受容基板２０に結合するステップと、
被膜１５が注入ゾーン１２から切り離されるように、エネルギー（典型的には熱および／または機械エネルギー）を供給するステップ（このステップは、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）という用語でも知られる）と
を実施することによって前記被膜をリフトオフするために用いられる。

次いで被膜１５をウェハー１０から離脱させて、受容基板２０上に移す（図１Ｂ参照）。

図１Ａおよび１Ｂを参照すると、ウェハー１０の面は、通常その周縁が面取りされており（面取り部１１および１１’）、したがって、受容基板２０とウェハー１０との結合は、主に、面取り１１上には位置していないウェハー１０の表面のみに生じる。

したがって、図１Ｂおよび１Ｃを参照すると、離脱後に注入ゾーンによって最初に境界が定められた被膜の面取り部分は、ウェハー１０に取着されたままであるので、被膜１５はウェハー１０の全表面から完全に離脱しているわけではなく、したがって、離脱させた被膜１５の体積にほぼ相当する中空体積を取り囲む、環１４が形成される。

被膜１５が結晶質材料で形成される特定の場合には、歪み（ゾーン１３ａおよび１３ｂから始まる）が被膜１５全体に伝播し、したがって大々的に有害な結果をもたらす可能性がある。

さらに受容基板２０そのものは、ウェハー１０の面取り部１１と必ずしも同一ではない周縁面取り部であって、そのため面取り部１１に対して斜めになる可能性のある周縁面取り部を有することもあり、したがって被膜１５は、縁部に沿って不規則に切り離される。

後者の作用は、結合界面での結合力が、当然ながら中心部分の場合よりも縁部に沿って弱いという点によっても強調される。

したがって、離脱させた被膜１５には、かなり不規則な縁部と内部欠陥または損傷がある。

この離脱問題を解決するための、文書に提案されている技法（例えば、特許文献１および２参照。）を、図２Ａから２Ｃに示す。この技法は、離脱前に、周縁面取りゾーンが除去されるようにウェハー１０のルーティングを行うこと、およびそのゾーンの代わりに、ウェハー１０の厚みの中に高さｈのステップを形成することにある。

したがって、この高さｈは、離脱を目的としてウェハー１０に形成された注入高さｈ１よりも、大きくなるように選択することができる。したがって注入ゾーン１２は、ステップ１１の底面から、したがってウェハー１０の周縁ゾーンから、（ｈ−ｈ１）に等しい距離だけ離れている。したがって、注入ゾーン１２および注入面によって境界が定められた被膜１５は、もはや面取りされた周縁ゾーンを含まず、その自由面は、受容基板２０との良好な結合に適切な平面のみからなる。

次に図２Ｂを参照すると、この被膜１５の全体は、縁部に沿った前記破断問題を有することなく離脱される。

したがって、離脱された被膜１５は、より良好な品質のものである。

しかし、受容基板２０および被膜１５は、その周縁部分に沿って（即ち、ステップ１１上）、ウェハー１０により汚染される。この理由は、ステップ１１にも注入が行われており、したがって、上にある部分を弱める注入ゾーン１２’を含むからである。さらに、注入ゾーン１２’が、被膜１５を切り離すために実施される熱処理のような外部応力にかけられると、この脆弱な部分から粒子が離れるようになることもあり、その後これらの粒子が、被膜１５および受容基板２０を汚染する。

この粒子汚染問題は、再び離脱されることになる、清浄な被膜を改善するのに必要な「再生」処理中にも、顕著になることもある。

この汚染は、同じウェハー１０を、数回の連続離脱作業で使用する場合に悪化することもあり、同じステップ１１が、その後、注入と熱処理とを交互に受けることになる。

したがって文書に基づいて（例えば、特許文献３参照。）、ウェハー１０’を再使用することができるように残りの注入ゾーン１２の除去を助けるため、離脱後のウェハー１０’（図２Ｃに示すような）を、熱および／または機械および／または化学再生処理にかけることも提案される。

しかし、文献により提案された再生作業は（例えば、特許文献３参照。）、環の選択的処理を必要とし、かつこの処理は離脱ごとに繰り返さなければならないので、依然として複雑で費用がかかる。

本発明は、これらの問題を解決することを提案する。

米国特許出願公開第２００４／０１２１５５７号明細書 国際公開第２００５／０３８９０３号パンフレット 米国特許第６５９６６１０号明細書 欧州特許第１５１９４０９号明細書 ＦＲ０２／０８６００

したがって本発明の１つの目的は、汚染を最小限に抑えながら、被膜が良好な結晶品質のものでありかつ規則的な境界を有するような手法で、ウェハーから被膜を離脱させることである。

別の目的は、汚染のリスクを最小限に抑えながら別の被膜を再び提供することができるように、被膜を提供したウェハーを再生するための手段を見出すことである。

第１の態様によれば、本発明は、初期ウェハーから開始して、この初期ウェハーの面の１つを通して原子種を注入するステップを含む、電子工学、光学、オプトロニクスでの利用を目的とした被膜の生成方法であって、下記の段階、即ち
（ａ）ウェハーの周縁を巡る、決定された高さのステップを形成する段階であって、このステップでのウェハーの平均厚さが、ウェハーの残りの平均厚さ未満である、ステップを形成する段階と、
（ｂ）原子種の注入に対して前記ステップを保護する段階と、
（ｃ）決定された注入深さで注入ゾーンが形成されるように、前記ステップを有するウェハーのその面を通して原子種を注入する段階と
を含み、
前記被膜は、その片側が、ウェハーの注入面によって決定され、もう一方の側が、注入ゾーンによって決定される方法を提案する。

被膜を生成するこの方法のその他の特徴は、下記の通りである：
段階（ａ）は、前記初期ウェハーを形成するために、被膜と基板との結合を含み、これらが一旦結合した後は、前記ステップがこの被膜と基板との間の面積の差によって少なくとも部分的に決定されるように、この被膜が基板よりも小さい面積を有する；
段階（ａ）は、前記ステップが形成されるように、ウェハーの周縁面から決定された除去深さまで至る、材料の除去を含む；
段階（ａ）はさらに、ステップの厚化を含む；
注入深さは、ステップの高さ以下である；
本発明の第１の実施形態によれば、段階（ｂ）は、少なくとも前記ステップ上に広がる保護層の形成と、このステップ上に位置付けられていない保護層の部分を、任意選択で異方性エッチングによってまたは研磨によって除去する作業とを含む；
本発明の第２の実施形態によれば、段階（ｂ）は、注入中にステップをマスキングすることによって、段階（ｃ）の間に示される；
段階（ｃ）は、注入ゾーンが脆弱ゾーンになるように実施され、この方法はさらに、下記の段階を含む：
受容基板をウェハーの注入面に結合し；次いで
脆弱ゾーン内でウェハーから被膜が切り離されるように、エネルギーを供給する；
この方法はさらに、下記の連続する段階を１回または複数回含む：
切離し面の下に新しい被膜を画定する脆弱ゾーンが形成されるように、前述の被膜の切離し面から原子種を注入する段階；および
受容基板をウェハーの注入面に結合する段階。

第２の態様によれば、本発明は、ウェハーの周縁を巡るステップが形成されるように、ウェハーの残りの部分よりも約１ミクロン以上小さい平均厚さを有する周縁ゾーンを含む、電子工学、光学、またはオプトロニクスでの利用を目的とする被膜を提供するためのウェハーであって、このステップは、このステップに原子種が注入されるの防止するために保護層で被覆されている、埋込み注入ゾーンを有するウェハーを提案する。

このウェハーのその他の特徴は、下記の通りである：
保護層は、非晶質材料で作製される；
保護層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＳＧ、またはＢＰＳＧを含む；
第１の実施形態によれば、ウェハーは、バルク結晶質材料で作製される；
第２の実施形態によれば、ウェハーは、主に結晶質材料からなる複合構造である；
ウェハーは、支持基板と、緩衝構造と、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）によって被膜をそこから切り離すことができるように十分厚い上層とを含み、この上層は、任意選択でＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘおよびＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙを含み、但しｘはｙとは異なり、ｘおよびｙはそれぞれ０と１の間である；
ステップの高さは、上層の厚さ以上である。

本発明のその他の特徴、目的、および利点は、次に示す図によって例示される下記の記述から、よりはっきりと明らかにされよう。

本発明による好ましい方法は、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）およびウェハー結合技法を使用する被膜離脱方法である。

本発明は、詳細には、引き続き実施されることになる離脱作業を目的としたドナーウェハーの作製に関し、下記の段階を実施する：
（ａ）ウェハーの周縁を巡るステップが形成されるように、ウェハーのルーティングを行うが、ステップ上のウェハーの平均厚さは、ウェハーの残りの部分の平均厚さ未満である；
（ｂ）ステップ上に、原子種が注入されるのを防止するように保護層を形成する；
（ｃ）原子種を、ルーティングがなされたウェハーの面を通して注入し、その内部に弱い埋込みゾーンが形成されるようにする。

これらの段階は、ステップの高さが注入高さよりも大きくなるように実施されることが有利である。

したがって、ウェハーの周縁ゾーンは、受容基板がウェハーの注入面に結合され、次いで注入ゾーン内の結合が破断されるとき、引き続き行われる離脱の品質を損なわない。

さらに保護層の存在は、ウェハーの周縁部分が、段階（ｃ）の間に原子種の注入に対して保護されることを保証し、したがって、引き続き行われる再生がより容易になり、かつ／または引き続き行われる離脱作業の品質が改善される。

図３Ａから３Ｆは、初期ウェハー３０から被膜をリフトオフするための、本発明による方法の様々な段階を示す。

ウェハー３０は主に、有利な場合には半導体材料などの１種または複数の結晶質材料からなる。

ウェハー３０は、バルク材料で作製され、または一続きの層からなる複合構造である。

第１の実施形態によれば、ウェハー３０は、面取り周縁ゾーン（上記にて論じられた）を含む。そのようなウェハー３０が、典型的には円形を有すると考えると、この面取り周縁ゾーンは、ウェハー３０の周縁を巡る環状の形を有する。この第１の実施形態によれば、ウェハー３０は真新しいウェハーであり、即ち本発明による離脱がまだ行われていない。

第２の実施形態によれば、ウェハー３０は、面取り周縁ゾーンを含み、上記にて論じられかつ図１Ａおよび１Ｂによって例示されたものと一致する少なくとも１つの薄膜離脱作業が施されている。したがって、この第２の実施形態によれば、ウェハー３０は、先にリフトオフされた被膜の体積とほぼ同一の中空体積を取り囲む、周縁環１４を含む。

本発明の第３の実施形態によれば、ウェハー３０は、本発明による離脱作業を事前に受けており、したがって既に、本発明によるルーティングが行われている。したがって初期ウェハー３０は、既に周縁ステップを含む。

本発明の第４の実施形態によれば、ウェハー３０は、先の作業の間に表面に被膜が移されている、支持基板から形成されたハイブリッド基板からなる。ウェハー３０は、例えばＳＯＩ（シリコンオンインシュレーター）ウェハーからなり、あるいはＳＳＯＩ（ストレインドシリコンオンインシュレーター）またはＳｉＧｅＯＩ（ＳｉＧｅオンインシュレーター）ウェハーからなる。この場合、ウェハー３０が被膜の移動によって生成されるので、ステップは既に、このウェハーの周縁を巡って存在するが、これは移動作業中の非移動環ゾーンに対応するものである。しかしこの「ステップ」は、十分ではないこともあり、ルーティング作業をこのタイプの基板に実施することも必要である。読者は、このタイプのウェハー３０およびこれを製造する方法に関するさらなる詳細について、文献（例えば、特許文献４参照。）を参照することができる。

図３Ａを参照すると、ウェハー３０のルーティングは、幅ｌおよび深さｈにわたって実施される。

ルーティングは、このように形成されたステップ３１が、ウェハー３０の前面１に本質的に垂直に位置する垂直壁３１ａと、任意選択でウェハー３０の前面１に平行に位置する水平壁３１ｂとからなり、これらの２つの壁３１ａおよび３１ｂが互いに交差するような方法で実施される。

ステップ３１の幅ｌは、上記４つの実施形態の１つにおけるウェハー３０の周縁ゾーンの幅（即ち、実施形態１による面取り部、実施形態２による環、および実施形態３または４によるステップ）に等しいか、それ以上になるように選択されることが有利である。例えば幅ｌは、数ミリメートルに等しくてもよい。

ルーティングは、そこから除去される材料の深さｈが、引き続き実施される注入深さｅ（図３Ｃに例示される）以上になるように実施される。したがってルーティングの深さｈは、約１０００Åから数百μｍの間に及ぶように選択してもよい。このステップの厚さは、当然ながらウェハーの厚さ（数百μｍ）によって設定される限度内で、典型的にはリフトオフ被膜および再生作業中に除去された材料の厚さ（数μｍ）の１つまたは複数に対応させるために、除去される厚さ（典型的には１０００から２０００Å）よりも大きくなければならない。

このように、ウェハー３０が本質的に円形である場合、ルーティング後に得られた中空体積は、外形がウェハー３０の直径に等しくかつ内径がちょうど前記垂直壁３１ａにまで延び、高さがｈに等しい輪状円筒形である。

このルーティングに用いられる技法は、参照のためにその内容が本明細書に組み込まれる文献（例えば、特許文献１参照。）に記載されているものと、実質的に同じである。これらの技法は特に、ウェハー３０の周縁ゾーンの機械加工または化学エッチングを含んでもよい。

図３Ｂを参照すると、本発明による第２の段階は、引き続き実施される注入の際（図３Ｃに例示されるように）、ステップ３１上に（および特に前記ステップの水平壁３１ｂ上、また壁３１ａ上にも）、下にある部分３８を保護するのに十分な厚さの材料で保護層３６を形成することにある。保護層は、この壁３１ａに完全に平行ではないイオンビームに曝されないようにするために、垂直壁３１ｂ上にも設けられる。そのような「傾斜」注入作業は、ときどき、チャネリングの現象が防止されるように、非晶質保護層なしで結晶質材料を注入する場合にも実施される。

この保護層３６は、この機能を実現させることが可能な任意のタイプの材料から生成してもよい。したがって、非晶質相の材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、ＰＳＧ（リン酸シリケートガラス）、またはＢＰＳＧ（ホウケイ酸ガラス）などを選択することができる。したがって保護層の厚さは、注入されるイオンに対して十分な停止力が示されるように、選択された材料に一致する。

この保護層を生成するための概略的方法は、図４Ａおよび４Ｂによって例示され、下記の段階を含む：
ウェハー３０上に、保護材料で作製された層３６’を形成する段階（図４Ａ）；および
ステップ３１上に厚さｅ_ｈ３の保護層３６のみがその上部に保たれるように、ステップ３１上に位置付けられていない層３６’の部分を任意選択で除去する段階（図４Ｂ）。

図４Ａを参照すると、第１の段階は、ウェハー３０上に保護材料の層３６’を形成することにあり、この層３６’は、ウェハー３０の前面１上の平均厚さがｅ_ｈ１であり、ステップ３１の水平壁３１ｂ上の平均厚さがｅ_ｈ２であり、ステップ３１の垂直壁３１ａ上の平均厚さがｅ_ｖである。

これらの層は、材料の堆積および／または熱酸化法によって形成してもよい。

層３６’を堆積するために用いられる技法は、ＬＰＣＶＤ（低圧化学気相成長法）、ＰＥＣＶＤ（プラズマ増速化学気相成長法）、またはＣＶＤ（化学気相成長法）タイプのその他の技法でもよい。

層３６’をＳｉＯ_２で作製する場合、この層は、ＳｉＯ_２堆積によって堆積させることができ、あるいは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用い、任意選択で酸素および／またはオゾンと組み合わせ、ケイ素を含有する表面に付着させて形成することができ、あるいはシランおよびＯ_２（ＨＴＯとも呼ぶ）を使用して、ＬＰＣＶＤまたはＰＥＣＶＤで形成することができる。

任意選択で、リンなどのドーパントをＳｉＯ_２層３６’に付着させてもよく、したがってＰＳＧ層３６’が形成され、またはホウ素およびリンでもよく、したがってＢＰＳＧ層３６’が形成される。

保護層３６’をＳｉ_３Ｎ_４またはＳｉ_ｘＮ_ｙＨ_ｚで作製する場合、ＳｉＣｌ_２Ｈ_２およびＮＨ_３（ＬＰＣＶＤで）またはＳｉＨ_４およびＮＨ_３（ＰＥＣＶＤ）を使用して堆積してもよい。

ＬＰＣＶＤ技法を使用すると、典型的には、実質的に一定の厚さ（即ちｅ_ｈ１、ｅ_ｈ２、およびｅ_ｖがほぼ等しい）を有する層３６’が、露出表面全体にわたって形成される。したがって層は、ウェハー３０上の前面１、裏面２、およびステップ３１上に、実質的に均一に形成されることになる。

ＰＥＣＶＤ技法を使用すると、典型的には、実質的に一定の厚さを持たない層３６’が形成され、その堆積は主に、直接的に露出している面（ステップ３１の前面１、裏面２、および水平壁３１ｂ）に生じ、側壁（ステップ３１の垂直壁３１ａ）上にはより少ない程度で生ずる。

層３６’を、ウェハー３０の露出面の熱酸化によって形成する場合、これらの面は、ケイ素または別の容易に酸化可能な材料を含まなければならない。酸化は、前面１、裏面２、および側壁上に異なる酸化厚さを有する層３６’の形成をもたらすことができ、この酸化速度は、酸化される面上の結晶格子の向きに依存する。

層３６’は、最終的には樹脂またはポリマーのコーティングを含んでもよく、あるいはそこから完全に形成してもよい。

したがって、層３６’の全体は、熱酸化によって、材料の堆積によって、または酸化とその後に続く材料の堆積によって形成することができる。最後のケースでは、パシベーション層を形成することが可能であるウェハー３０との界面の品質を改善する目的で、または、引き続き行われる堆積によって引き起こされるあらゆる汚染を抑制する目的で、または、堆積層の選択的エッチングによる除去中に停止層を形成する目的で、堆積前の薄膜酸化を実際には考えることができる。

いずれにせよ、その保護の役割を達成するには、層３６’の形成から最終的に形成されたステップ３１上の保護層３６の厚さを、意図されるエネルギーおよび線量に合わせた材料へのイオンの侵入よりも大きくしなければならない。厚さがＲ_ｐ＋５ΔＲ_ｐ以上（Ｒ_ｐは、注入のガウス分布のピークに関連した深さであり、ΔＲ_ｐは、この分布の標準偏差である−例示として図５を参照されたい）である保護層３６は、その保護機能を実現するのに十分であると見なすことができる。これは、そのような厚さが、十分に保護を行う保護層３６の形成に十分であることを、出願人が予測しているからである。

堆積される材料を最小限に抑えることが可能であり、したがって層３６’の厚さを調節することによって、作業のコストを最小限に抑えることが可能である。

任意選択で、図４Ｂに例示されるように、ステップ３１上には厚さｅ_ｈ３の保護層３６のみが保持されるように、前面１上に存在しかつステップ３１上には位置していない層３６’の部分を、除去するステップを設けてもよい。

したがって、離脱されることになる被膜（前面１上）を露出させ、ステップ３１を、後で行われる注入から保護する。

この目的で、また第１の技法を使用して、ウェハー３０の前面１を等方的にまたは異方的にエッチングしてもよい。例えば、好ましい技法であるプラズマＲＩＥ（反応性イオンエッチング）異方性エッチング技法を使用してもよい。異方性エッチングは特に、層３６’を、厚さｅ_ｈ１＞１で均一に堆積する場合（例えばＬＰＣＶＤ技法を用いて）に適切である。ステップの幅ｌは１ｍｍ程度であるので（典型的には０．５ｍｍから３ｍｍの間）、ｅ_ｈ１を、材料内へのイオン侵入の最大深さよりも実質的に大きくすることが好ましい。引き続き行われる、典型的にはｅ_ｈ１から１．３ｅ_ｈ１の間（安全域）の厚さの除去は、ステップ３１上の保護層３６が保存されることを意味する。

ステップ３１上には位置していない層３６’の部分を除去するために用いられる技法は、少なくとも部分的に、ＳｉＯ_２が、前面１上および任意選択で裏面２上で、下にあるシリコン表面よりも迅速に除去される研磨のような、選択的研磨を含んでもよい。

あるいは、材料の除去を必要としない保護層３６を形成するための技法を用いてもよい。したがって例えば、そのような関わりのある材料の性質によって可能である場合には、ウェハー３０の単純な酸化によって、（離脱される被膜の）前面１を酸化させることなく、ステップ３１を選択的に酸化させることができる。これは例えば、ウェハー３０が、Ｓｉ基板（これ自体が酸化する）上のＧｅ層（酸化せず、またはその酸化物は安定ではない）から形成されたハイブリッド基板からなり、ステップ３１がＳｉで作製され、前面１がＧｅで作製される場合に事実である。

保護層３６の形成：
−薄いＳｉＯ_２層のＬＰＣＶＤ堆積；
−前面１上に存在する保護材料を除去するための、ＲＩＥエッチングなどの異方性エッチング。

保護層３６の形成：
−任意選択の薄膜熱酸化の後の、ＳｉＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４のＰＥＣＶＤ堆積；Ｒ_ｐ＋５×ΔＲ_ｐ（上記参照）以上の厚さを選択してもよい。したがって、層３６’の厚さを調節することにより、堆積される材料の量を、したがって作業のコストを最小限に抑えることが可能である；
−下にある材料上でＳｉＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４層を選択的に除去するための、少なくとも前面１上のＣＭＰ（化学的機械平坦化）研磨。

保護層３６の形成：
−ウェハー３０の熱酸化；および
−下にある材料上でＳｉＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４層を選択的に除去するための、少なくとも前面１のＣＭＰ研磨。

保護層３６の形成：
−ＰＳＧまたはＢＰＳＧ形成を伴う汚染物質からウェハー３０が保護されるように、少なくとも厚さが約５から約５０ナノメートルの間の薄いＳｉ_３Ｎ_４またはＳｉＯ_２＋Ｓｉ_３Ｎ_４層を優先的に形成すること；
−ＰＳＧまたはＢＰＳＧの堆積；
−ＰＳＧまたはＢＰＳＧの流れが形成されるような、約８５０℃から約１１００℃の間の熱アニーリング。したがってステップ３１上の有効厚さｅ_ｈ３は、ステップ上に最初に形成された厚さｅ_ｈ２およびｅ_ｖ、前面１上の材料の厚さｅ_ｈ１、アニーリング温度、およびＰの濃度、および任意選択でＢの濃度に依存して、増加する；
−下にある材料上でＳｉＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４層を選択的に除去するための、少なくとも前面１のＣＭＰ研磨。

全ての場合において、層３６’を形成するステップおよび除去するステップは、問題となっている材料に関し、ステップ３１上の残りの保護層３６の厚さｅ_ｈ３が十分真っ直ぐに繋がって、下にあるウェハー３０の周縁ゾーン３８に、被膜離脱の調製に使用されるタイプの原子種が注入されるのを防ぐような方法で実施される。

したがって、注入エネルギーが２０ｋｅＶから２１０ｋｅＶの間でありかつ原子種（水素および／またはヘリウム）線量が１×１０^１６原子／ｃｍ^２から１×１０^１７原子／ｃｍ^２の場合、厚さｅ_ｈ３が約２ミクロンよりも大きいＳｉＯ_２保護層３６は、十分な保護をもたらすことができる。

最後に図３Ｂを参照すると、ウェハー３０は、ステップ３１を有する正面部分３１０と、ルーティングされなかった部分に対応する裏面部分３２０とを含む。裏面部分３２０の周縁部分３８は、ステップ３１の水平壁３１ａを超えて存在する部分として決定される。

したがって、ウェハー３０のこの周縁部分３８は、保護層３６によって、ウェハー３０の前面１を通した原子種のあらゆる注入から保護される。したがって、ウェハー３０の下部３２０は、従来技法の場合とは異なって、イオン注入に起因するいかなる脆弱化からも保護される。

図３Ｃを参照すると、原子注入ステップは、有利な場合にステップ３１の高さｈ以下であると決定された深さｅで、注入ゾーン３２が生成されるように、ウェハー３０の正面１を通して実施される。

用いられる原子種は、線量が１×１０^１６原子／ｃｍ^２から約１×１０^１７原子／ｃｍ^２であるヘリウムおよび／または水素および／またはその他のタイプのイオン化原子種でよい。

注入エネルギーは、典型的には２０ｋｅＶから２１０ｋｅＶの間である。

任意選択で、保護層３６を除去する（好ましくは選択的に）作業が実施される。機械的な除去作業では、形成される結合および構造の品質に有害な粒子状汚染が生ずる可能性があるので、エッチングによってこれを除去することが好ましい。例えば、ＳｉＯ_２保護層３６を選択的にエッチングするために、ＨＦを使用することができる。

次いで離脱される被膜３５は、注入ゾーン３２によって、かつウェハー３０の前面１によって境界が定められる。

したがって注入ゾーン３２は、被膜３５と下にあるウェハー３０の部分との間の結合が他の部分よりも弱い、脆弱なゾーンを構成する。

図３Ｄは、受容基板４０を、ウェハー３０のその前面１に結合する段階を示す。

これらの面がより親水性になるように、かつ結合するのにより良好な品質になるように、結合作業の前に、結合される面の片方または両方を調製することが有利である。例えば、ＲＣＡ清浄化、またはプラズマ活性化、または塩酸をベースにした化学清浄化、化学的機械平坦化、研磨などを実施することが可能になる。

任意選択で、また注入の前に、結合の品質が改善されるように、結合される面の片方または両方の上に結合層を形成する。任意選択で、この結合層またはこれらの結合層は、一旦離脱させた被膜３５が受容基板４０から電気的に分離されるように、絶縁材料で作製される。したがってＳｉＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４結合層を使用することができる。

変形例として、ウェハー３０上の結合層は、ウェハー３０の前面１上に堆積された保護材料３６’の少なくとも一部を残すことにより、保護層３６中に形成されていてもよい（図４Ａ参照）。

結合強度を増大させるための熱処理は、任意選択で、例えば数時間にわたって約２００℃から約３５０℃の間の温度で結合した後に、実施することができる。

第１の実施形態で、受容基板４０は、面積がウェハー３０の前面１よりも大きい結合表面を有する。次いで離脱される被膜３５は、これが表面に移されることになる受容基板４０よりも小さい面積を有する。

第２の実施形態では、受容基板４０は、その面積がウェハー３０の前面１と実質的に同一である結合表面を有し、したがって受容基板４０と離脱される被膜３５との組合せには、目に見える周縁ステップがない。このため、特に、結合前に受容基板４０に対して適切なルーティング作業を実施すること、または受容基板４０よりも僅かに広い開始時ウェハー３０を選択すること、および最終的には前面１が受容基板４０と実質的に同一である面積を有するような方法で、適切なルーティングを実施することが可能である。この第２の実施形態は、ルーティングによって引き起こされた空きスペースに対して、ルーティング後のウェハー３０が受容基板４０とは異なるサイズを有していた場合に生成される可能性のある最終生成物上のあらゆる排他ゾーン（非移転ゾーン）を排除し、または最小限に抑えることが可能になるので、好ましいと考えられる。

次いで熱および／または機械エネルギーなどのエネルギーの供給により、注入ゾーン３２における結合が破壊され、したがって、被膜３５をウェハー３０から受容基板４０上に移すことが可能になり、したがって、図３Ｅに示される構造５０が生成される。

リフトオフされた被膜３５が半導体材料で作製される場合、および絶縁材料で作製された結合層がウェハー３０と受容基板４０との間に設けられる場合、得られる構造５０は、セミコンダクターオンインシュレーター構造である。

次いで被膜３５の切り離された面からあらゆる粗さを無くすために、またこの面を高品質にするために、任意選択の仕上げ段階を設けてもよい。

図３Ｆを参照すると、離脱後のウェハー３０’は、被膜３５から切断された前面部分３１０’を含み、完全に保存された裏面部分３２０は、ステップ３１上の保護層３６の存在のおかげである。

次いで保護層３６は、まだ行われていない場合には、例えばエッチングによって、任意選択で選択的エッチングによって、おそらくは除去してもよい。

次いでこのウェハー３０’を、新たな被膜離脱用のドナーウェハーとしてもう一度使用するために、任意選択で再生することができる。

このため前面１’は、別の受容基板との良好な結合を確実にするのに十分な品質の結合表面になるように、処理することが有利である。

この処理で化学種を使用する場合、保護層３６は、ウェハー３０の裏面部分３２０、特にステップ３１（垂直壁３１ａおよび水平壁３１ｂ）をあらゆる化学的侵襲から保護するのに役立てることができる。したがって保護層３６の材料は、この目的で選択することができる。したがって、まだ行われていない場合には、エッチングの前に保護層３６を生成することに注意すべきである。

次いでウェハー３０の前面部分３１０’を、後で行われる被膜離脱を目的として新たに注入された原子種が受容されるように処理された、前面１’上でのエピタキシャル成長を用いることによって、厚くすることができる。このエピタキシーは、任意選択で研磨またはエッチングステップの後に行ってもよい。

したがって、エピタキシーがウェハー３０’の前面１’上にのみ生じかつステップ３１上には生じないように、非晶質材料で作製された保護層３６が選択されていることが好ましい。したがってこの場合、保護層３６は、ステップ３１をいかなる堆積からも保護する機能を果たす。

第１の実施形態では、次の離脱を調製するための注入は、保護層３６が既に形成されている場合、前面１’の処理の直後に実施され、または既に形成されていない場合には、保護層３６の形成直後に実施される。

第１の特定の場合には、新しい注入は、ステップ３１の高さｈ’よりも大きい深さに位置付けられる。したがって離脱の後、この場合には無傷のままであるウェハー３０の裏面部分３２０以外、従来の技術から知られているものと一致した環（特に図１Ｃ参照）が再び得られる。

別の特定のケースでは、注入深さがステップ３１の高さｈ’未満であり、次いで離脱は実質的に、図３Ｂから３Ｆを参照した本発明による離脱に従う。したがってこの特定の場合、ある深さまで下がってルーティングが行われることになり、したがってウェハー３０の裏面部分３２０を侵害することなく、ウェハー３０の前面部分３１０から２つの被膜をリフトオフする手段がある。

第２の実施形態では、ステップの高さｈ’が増大するように別のルーティング作業を実施し、その結果、次の原子注入がステップ３１の次の高さ以下の深さで生ずるようになる。次いで図３Ａから３Ｆを参照しながら既に記述された離脱のためのウェハー３０の作製方法を、この最後の離脱のためのプロセスの残りで利用する。

図６および７は、本発明により保護される周縁ステップ３１を有する、同じウェハー３０から連続して離脱される被膜の特定の場合を示す。

図６を参照すると、このウェハー３０におけるステップ３１の高さは、ウェハー３０の前面部分３１０が、各離脱間でルーティングを行う必要なくそこから１つまたは複数の被膜を連続して離脱させるのに十分厚くなるような高さである。

このステップ３１の第１の実施形態では、ルーティング作業は、上記内容に従って、適切な深さまでかつ適切な幅全体にわたって実施される。

ウェハー３０の切離し面は、各離脱間で簡単に再生される。

この構造は、ドナーウェハー３０を依然として保護したままで、いくつかの連続被膜を迅速にかつ簡単に離脱させる可能性をもたらすので、特に効率的である。

さらに保護層６は、ウェハー３０の裏面部分３２０の保護を保証し、特に、通常なら連続原子注入に曝される可能性のある、下にある部分３８を、連続原子注入から保護する。したがって、この保護層３６が存在しなかったなら、下にある部分３８は、被膜が徐々に離脱されるにつれ、粒子が切り離されて前面部分３１０、リフトオフされた被膜５０、および受容基板４０を汚染する可能性があるポイントまで、益々脆弱になる可能性がある。

したがって、例えばウェハー３０の裏面部分３２０は、シリコン支持基板と、その後に続く、決定された面上で濃度ｘ（０から１の間）に達するまで厚み全体にわたって徐々に増加するゲルマニウム濃度を有するＳｉＧｅで作製された緩衝構造からなるものでもよい。正面部分３１０は、この場合、例えばエピタキシャル成長させたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ材料で作製してもよく、その濃度ｘは、下にある緩衝層の表面を構成する材料の場合と実質的に同一である。

図６のステップ３１の第２の実施形態では、正面部分３１０が裏面部分３２０に結合されており、この正面部分３１０は裏面部分３２０よりも小さい面積を有し、したがって結合の後、前記ステップ３１が現れるが、追加のルーティング作業を実施することは必要不可欠なものではない。この既存のステップ３１の高さは、移される被膜の高さのおよそ半分である（例えば１７００Åであり、結晶質層が約２００Å、結合層が約１５００Åである）。したがって前面部分３１０は、被膜移転技法、例えばＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）を使用して、初期ドナーウェハーを離脱させることができる。

ステップ３１のこの第２の実施形態でも、結合段階は、結合される面の片方または両方の上での、絶縁材料で作製された結合層の形成を含んでよい。次いで生成されたウェハー３０は、ＳｉＧｅＯＩタイプ（例えば緩和ＳｉＧｅで作製された前面部分３１０を結合することによる）のウェハー３０などの、セミコンダクターオンインシュレータータイプのものであり、例えば、参照のため本明細書に組み込まれる文献（例えば、特許文献５参照。）に記載されている技法を参照されたい。特にこのウェハー３０は、酸化物／酸化物結合によって生成することができ、即ち、例えば厚さが約１５００Åの酸化物結合層が、前面部分３１０上に形成されており（緩和ＳｉＧｅ層）、例えば厚さが約１５００Åの酸化物結合層は、裏面部分３２０上に形成されることになる（例えばバルクＳｉで作製される）。

裏面部分３２０上に形成される結合層は、ステップ３１の水平面３１ａ上の保護層３６としても働くことができる。

任意選択の熱処理の後、移された被膜の結晶品質を改善するつもりで、この前面部分３１０を、約２ミクロンまで厚くしてもよい。したがってこの堆積の後に、図６に示されるウェハー３０が得られる（特定のルーティング作業を実施することなく）。

次いで任意選択で、ステップ３１上にシャープな輪郭が生成されるように、横方向の距離（例えば約１ｍｍから約３ｍｍの間）でルーティングを実施してもよい。次いで本発明による保護層３６を形成する。

図７は、各離脱間でルーティングを必ずしも行わずに、前面部分３１０が本発明による離脱によっていくつかの被膜を提供することができるように、ある高さにわたってルーティングが行われたウェハー３０を示す。

正面部分３１０は、第１の材料（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅ）の層と、第２の材料（３９ａ、３９ｂ、３９ｃ、３９ｄ、３９ｅ）の層を交互に含む複合構造であり、これらの層は最初に、ウェハーの裏面部分３２０から始まってルーティングの前に、エピタキシーにより形成される。したがって、一連のＳｉＧｅ層（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅ）および一連の弾力的に歪みのある材料Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙ層（３９ａ、３９ｂ、３９ｃ、３９ｄ、３９ｅ）（但し、ｘはｙとは異なり、ｘおよびｙはそれぞれ０から１の間である）からなる前面部分３１０を有することが可能になり、これらの層は、ＳｉＧｅ緩衝層３７ｂおよびバルクＳｉ支持基板３７ａも含めた裏面部分３２０からエピタキシャル成長させたものである。

したがって、連続離脱の調製のための連続注入の１つは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（３４ｅ）内で実施することがき、したがって、下にある歪みＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙ層（３９ｅ）によって、受容基板４０上に移すことが可能になる。

したがって、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の一部のみが保存されるように、受容基板およびこれらのリフトオフされた被膜を含む構造を処理することが可能になり、その結果、歪みＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ／Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙオンインシュレーター構造が得られる。

代替例として、残りのＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ全体は、最終的には歪みＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙオンインシュレーター構造が得られるように除去される。このため、これら２種の材料の間での選択的エッチングを実施してもよい。

残されたウェハー３０に関し、離脱表面は、研磨または化学エッチング作業によって、原子種が注入される層３４ｅの少なくとも一部が保存されるように再生することができる。

代替例として、層３４ｅの残り全体を、Ｓｉ_１−ｘＧＥ_ｘとその下のＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙ（層３９ｄ）との間で選択的エッチングを実施することによって、除去する。

保護層３６は、プレート３０の裏面部分３２０、特にステップ３１（垂直壁３１ａおよび水平壁３１ｂ）を、そのような化学的侵襲から保護できることにも留意すべきである。そのような停止層を生成するのに適切な材料を、特に選択することができる。

図７に示される、提案される方法による１つの特定の場合では、歪みＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙ層（層３９ａ、３９ｂ、３９ｃ、３９ｄ、３９ｅ）が弾性的に歪んだＳｉで作製されるように、ｙは、０に等しくなるように選択される。

より一般的には、本発明は、上述の実施例のみに限定されず、特にウェハー３０は、ステップ３１上に形成された保護層３６によって必ずしも保護されず、ステップ３１を注入から保護することが可能な任意のタイプの保護にまで及ぶ。

したがって第１の代替の保護方法では、注入中に、ステップ３１上にマスクを設けてもよい。したがってこのマスクは、ウェハー３０の前面１の下にある脆弱ゾーン３２を形成しようとするイオンのみ通過するように、またイオンがステップ３１に到達するのを防ぐように設計することができる。このマスクは、インプランターと同一レベルに、またはウェハー３０と同一レベルに、または中間レベルに位置付けることができる。

ステップ３１を保護する第２の代替方法では、また、イオンビームで所定経路に沿って１つまたは複数のウェハー３０を走査させる注入システムを使用するという文脈では、この所定経路は、イオンが各ウェハー３０の前面１のみに到達するように、かつステップ３１には到達しないように決定される。したがって、イオンビームおよび／またはウェハー３０用の移動支持体を制御するのに適切な手段は、各ウェハー３０上のイオンの経路を予め画定する。したがって走査は、例えばオートメーションコンピュータプログラムを使用して経路を予め決定することにより、自動的に制御することができる。

したがって当然ながら、当業者なら、本発明がＳｉＧｅおよび歪みＳｉの場合に限定されず、任意の結晶質または非結晶質材料に利用することができ、本発明による離脱または原子注入を実施することができることが理解されよう。特に結晶質材料は、第ＩＩ、ＶＩ族、または第ＩＩＩ、Ｖ族の合金、および／またはドープ材料、および／または濃度が約５％から約５０％に及ぶ炭素を含む材料に属するものを選択することができる。

被膜をリフトオフするための、第１の既知の方法の、様々な段階を示す図である。 被膜をリフトオフするための、第１の既知の方法の、様々な段階を示す図である。 被膜をリフトオフするための、第１の既知の方法の、様々な段階を示す図である。 被膜をリフトオフする第２の既知の方法の、様々な段階を示す図である。 被膜をリフトオフする第２の既知の方法の、様々な段階を示す図である。 被膜をリフトオフする第２の既知の方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による被膜のリフトオフ方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による被膜のリフトオフ方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による被膜のリフトオフ方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による被膜のリフトオフ方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による被膜のリフトオフ方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による被膜のリフトオフ方法の、様々な段階を示す図である。 本発明による保護層の形成における２段階を示す図である。 本発明による保護素の形成における２段階を示す図である。 注入材料の厚さ全体にわたる、注入エネルギーの分布を示すグラフである。 本発明による、いくつかの連続被膜離脱作業を受けることができる、第１のウェハーを示す図である。 本発明による、いくつかの連続被膜離脱作業を受けることができる、第２のウェハーを示す図である。

Claims (38)

1. 初期ウェハーから開始して、電子工学、光学、またはオプトロニクスでの利用を目的とした被膜（３５）の生成方法であって、下記の段階、即ち
   （ａ）前記ウェハーの周縁を巡る、決定された高さ（ｈ）のステップ（３１）を形成する段階であって、前記ステップでの前記ウェハーの平均厚さが、前記ウェハーの残りの平均厚さ未満である、ステップを形成する段階と、
   （ｃ）決定された注入深さで注入ゾーン（３２）が形成されるように、前記初期ウェハーの面の１つを通して原子種を注入する段階と
   を含み、
   前記方法は、段階（ａ）と（ｃ）の間に、前記ステップを有する前記ウェハーの面からの原子種の注入に対する保護層（３６）を前記ステップ（３１）上に形成する段階（ｂ）を含み、前記保護層（３６）の厚さは、段階（ｃ）で使用されるエネルギーおよび線量に合わせた材料内へのイオンの侵入の最大深さよりも大きく、段階（ｃ）の注入が、前記ステップ（３１）を有する前記ウェハーの前記面を通して行われ、前記被膜（３５）は、その片側が、前記ウェハーの注入面によって決定され、もう一方の側が、前記注入ゾーン（３２）によって決定されることを特徴とする方法。
2. 段階（ａ）は、前記初期ウェハーを形成するために、被膜と基板との結合を含み、これらが一旦結合した後は、前記ステップが前記被膜と前記基板との間の面積の差によって少なくとも部分的に決定されるように、前記被膜が前記基板よりも小さい面積を有することを特徴とする請求項１に記載の被膜生成方法。
3. 段階（ａ）は、前記ステップが形成されるように、前記ウェハーの周縁面から決定された除去深さにまで至る、材料の除去を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の被膜生成方法。
4. 段階（ａ）は、前記ステップの厚化をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の被膜形成方法。
5. 注入深さは、前記ステップの高さ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の被膜生成方法。
6. 前記ウェハーは、被膜離脱作業に事前にかけられており、したがって前記ウェハーは、周縁ゾーンに環を有し、段階（ａ）は、この環の事前の除去を含むことを特徴とする前記請求項１〜５のいずれかに記載の被膜生成方法。
7. 前記ステップの高さは、約１ミクロン以上になるように選択されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の被膜生成方法。
8. 前記保護層は、前記ステップ上に位置付けられていない前記ウェハー部分上に、段階（ｂ）中に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の被膜生成方法。
9. 段階（ｂ）は、形成された前記保護層の厚さが、平均して、前記注入のガウス分布のピークに関連付けられた前記注入深さと、この分布の標準偏差の約５倍に相当する深さとの合計に実質的に等しく、またはそれよりも大きくなるように実施されることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の被膜生成方法。
10. 前記保護層は、前記ステップ（３１）上に位置付けられていない前記ウェハー部分上に、段階（ｂ）中に形成されていて、前記ステップ上に位置付けられていない前記保護層部分を除去する作業をさらに含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の被膜生成方法。
11. この除去段階は、異方性エッチングによって実施されることを特徴とする請求項１０に記載の被膜生成方法。
12. 前記除去は、前記ウェハーを研磨することによって実施されることを特徴とする請求項１０に記載の被膜生成方法。
13. 段階（ｃ）の後に、前記保護層を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の被膜生成方法。
14. 段階（ｂ）は、前記保護層が非晶質材料で作製された層になるように実施されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の被膜生成方法。
15. 前記保護層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＳＧ、またはＢＰＳＧを含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の被膜生成方法。
16. 段階（ｃ）は、前記注入ゾーンが脆弱ゾーンになるように実施され、下記の段階、即ち：
    −受容基板を前記ウェハーの注入面に結合する段階；次いで
    −前記脆弱ゾーン内で前記ウェハーから前記被膜が切り離されるように、エネルギーを供給する段階
    をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の被膜生成方法。
17. 前記受容基板は、前記ウェハーと実質的に同一の結合面を有するように、結合前に、段階（ａ）の場合と同様の材料離脱も受けていることを特徴とする請求項１６に記載の被膜生成方法。
18. 切離しの後に、段階（ｂ）から（ｃ）を再び実施することを特徴とする請求項１６または１７に記載の被膜生成方法。
19. 前記初期ステップの高さおよび前記注入深さは、前記被膜の切離し後に、前記ステップの平均高さ以下の第２の注入深さで、切離し面を通して原子種を注入することにより、第２の被膜を形成する手段があるように選択されることを特徴とする請求項１６または１７に記載の被膜生成方法。
20. 下記の連続する段階、即ち：
    −切離し面の下に新しい層を画定する脆弱ゾーンが形成されるように、先の被膜が切り離された面を通して原子種を注入する段階と；
    −受容基板を前記ウェハーの注入面に結合する段階と；
    −前記脆弱ゾーン内で前記ウェハーから前記被膜が切り離されるように、エネルギーを供給する段階と
    を、１回または複数回さらに含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載の被膜生成方法。
21. 前記初期ステップ高さおよび連続する注入深さは、連続的に切り離された被膜の最後から切り離した後に、前記ステップと同一高さである得られた前記ウェハーの平均厚さが、最後の切離し面と同一高さである得られた前記ウェハーの平均厚さ以下になるように選択されることを特徴とする請求項２０に記載の被膜生成方法。
22. 前記初期ステップ高さおよび連続する注入深さは、連続的に切り離された被膜の最後から切り離した後に、前記ステップの平均高さ以下の深さで切離し面を通して原子種を注入することにより、別の層を形成する手段を有するように選択されることを特徴とする請求項２１に記載の被膜生成方法。
23. 清浄化および／または化学エッチング作業は、被膜の切離し後に、切離し面の品質が、ウェハーからの別の被膜離脱のための受容基板に対してさらなる結合作業を実施するのに十分であるように実施されることを特徴とする請求項２０から２２のいずれかに記載の被膜生成方法。
24. 段階（ｂ）で形成された前記保護層は、清浄化および／または化学エッチング作業中に使用される化学薬品から前記ステップを保護することも可能であることを特徴とする請求項２３に記載の被膜生成方法。
25. 前記保護層を形成した後に、次の注入ステップの前に前記ウェハーの前面（１’）にエピタキシャル層を成長させることを特徴とする請求項２４に記載の被膜生成方法。
26. 前記ウェハーは、基板上にＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を含み、但しｘは０から１の間であり、各被膜はこのＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層から離脱されることを特徴とする請求項１６から２５のいずれかに記載の被膜生成方法。
27. 前記ウェハーは、基板上に、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を含み次いで弾性的に歪みのあるＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙ層を含み、但しｘおよびｙは０から１の間であり、ｙは実質的にｘとは異なり、前記注入はＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層で行われることを特徴とする請求項１６から２５のいずれかに記載の被膜生成方法。
28. 前記ウェハーは、支持基板上に複合構造を含み、複合構造は、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層と弾性的に歪みのあるＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙ層とが交互に配されて形成され、但しｘおよびｙは０から１の間であり、ｙは、実質的にｘとは異なり、各注入は、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層で行われることを特徴とする請求項２０から２５のいずれかに記載の被膜生成方法。
29. 少なくとも１つの選択的エッチング作業は、前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の残りの部分が少なくとも除去されるように、離脱後に実施されることを特徴とする請求項２８に記載の被膜生成方法。
30. 前面（１）および裏面（２）を含み、ウェハーの周縁を巡るステップ（３１）を有する正面部分（３１０）とルーティングされない裏面部分（３２０）が形成されるように、ウェハーの残りの部分よりも小さい平均厚さを有する周縁ゾーンを含む、電子工学、光学、またはオプトロニクスでの利用を目的とする被膜（３５）を提供するためのウェハー（３０）であって、前記ステップ（３１）が、前記前面（１）に本質的に垂直に位置する垂直壁（３１ａ）と前記前面（１）に並行に位置する水平壁（３１ｂ）とからなり、これらの２つの壁（３１ａ、３１ｂ）が互いに交差していて、前記ステップ（３１）の高さ（ｈ）は約１ミクロン以上であり、前記ウェハー（３０）が前記ステップ（３１）の高さ（ｈ）以下である前面（１）からの深さ（ｅ）で前面部分（３１０）内に位置する埋込み注入ゾーン（３２）を含み、前記被膜（３５）は、前記前面（１）と前記埋込み注入ゾーン（３２）との間に延在しており、前記ステップ（３１）が、前記前面（１）からの原子種の注入に対する保護層（３６）で被覆されており、前記保護層（３６）の厚さが前記被膜（３５）の１つよりも厚いことを特徴とするウェハー。
31. 前記保護層（３６）は、非晶質材料で作製されることを特徴とする請求項３０に記載のウェハー。
32. 前記保護層（３６）は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＳＧ、またはＢＰＳＧを含むことを特徴とする請求項３０または３１に記載のウェハー。
33. 前記ウェハーは、バルク結晶質材料で作製されることを特徴とする請求項３０〜３２のいずれかに記載のウェハー。
34. 前記ウェハーは、主に結晶質材料からなる複合構造であることを特徴とする請求項３０から３２のいずれかに記載のウェハー。
35. 前記ウェハーは、支持基板、緩衝構造、およびＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）によって被膜をそこから切り離すことができるように十分厚い上層を含むことを特徴とする請求項３０から３４のいずれかに記載のウェハー。
36. 前記上層は、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を含むことを特徴とする請求項３５に記載のウェハー。
37. 前記上層は、任意選択でＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘおよびＳｉ_１−ｙＧｅ_ｙを含み、但しｘはｙとは異なり、ｘおよびｙはそれぞれ０と１の間であることを特徴とする請求項３５に記載のウェハー。
38. 前記ステップ（３１）の高さは、前記上層の厚さ以上であることを特徴とする請求項３５〜３７のいずれかに記載のウェハー。

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