JP4926033B2 - 回路基板及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板及びにこれを用いたパッケージ並びに電子装置に関する。

近年、電力、鉄道車両、産業機器や家電製品のインバータ部分やコンバータに用いられているスイッチングデバイスとして、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のパワーモジュールが幅広く使用されている。パワーモジュールは大電流が流れることから、セラミック基板の表面に配線導体として金属板をロウ材によって接合したものが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−２８６７５４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術は、配線導体としての金属板は断面形状が長方形であったり、周縁部に段差が設けられて薄肉部が形成された凸形状であるため、セラミック基板に衝撃が加わった際に、配線導体上に実装した電子素子やワイヤ等が衝撃により配線導体から剥離したり、配線導体どうしを電気的に接続するワイヤ等が衝撃により剥離する問題点を有していた。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基体に衝撃が加わった場合であっても、配線導体が受ける衝撃を抑制し、配線導体上に載置された電子素子やワイヤ等の剥離を生じ難くした回路基板及びパッケージ並びに電子装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明にかかる回路基板は、誘電体からなる基体と、前記基体の一主面に、隣接させて下面がロウ材を介して接合された複数の配線導体と、を具
備した回路基板であって、前記配線導体は、上面と下面とを有する平板形状であるとともに、前記配線導体の上面から下面にかけて段階的に小さく形成されており、前記配線導体の重心は、該配線導体の厚み方向の中央よりも上面側に位置していることを特徴とするものである。

また、本発明にかかるパッケージは、上記のいずれかに記載の回路基板と、前記基体の一主面に設けられた枠体と、前記枠体上に接合される蓋部材とを備えたものである。

さらに、本発明にかかる電子装置は、上記記載のパッケージと、前記パッケージ内部に前記配線導体と電気的に接続された電子素子とを備えたものである。

本発明にかかる回路基板によれば、配線導体の重心を従来よりも上部に位置させることができるため、基体に衝撃が加わった場合であっても、配線導体上に実装した電子素子やワイヤ等へ振動が加わることを抑制することから、配線導体と電子素子又はワイヤ等との接合信頼性を高めることができる。

また、本発明にかかるパッケージによれば、基体に衝撃が加わった場合であっても、配線導体と電子素子又はワイヤ等との接合信頼性を高めることができることから、枠体や蓋部材の取り付け時に基体に衝撃が加わった場合であっても、配線導体の位置ずれを抑制できるため、歩留まりを従来よりも向上させたパッケージとすることができる。

さらに、本発明にかかる電子装置によれば、配線導体と電子素子又はワイヤ等との接合信頼性を高めることができる。それゆえ、例えば、車載用や鉄道用に使用されるインバータなど、基体に衝撃が加わり易い環境下で使用した場合であっても、動作信頼性の高い電子装置とすることができる。

本発明の回路基板及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置について、以下に詳細に説明する。

図１（ａ）は本発明の回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。また、図１（ｂ），図１（ｃ），図１（ｄ）はそれぞれ本発明の回路基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。また、図２は本発明のパッケージおよび電子装置の一例を示す斜視図である。

図中、１は基体、２は配線導体、３は枠体、４は放熱部材、５は電子素子、１０は蓋部材、５０は回路基板である。

例えば、回路基板５０に枠体３と蓋部材１０を備えることによりパッケージとすることができる。また、このパッケージ内部に配線導体２と電気的に接続してなる電子素子５を備えることで電子装置９０とすることができる。

＜回路基板＞
本発明に係る回路基板５０は、基体１と配線導体２とを備えてなるものである。

（基体）
基体１は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム），ＡｌＮ（窒化アルミニウム），ＳｉＣ（窒化ケイ素）等のセラミックスやガラス，樹脂等の誘電体から成る基板状のものである。基体１がセラミックスからなる場合は、従来周知のセラミックス製造方法を用いることができる。また、基体１が樹脂からなる場合は、トランスファモールド法やインジェクションモールド法を用いることができる。

なお、基体１は、放熱性の観点から比較的高い熱伝導率を有しているＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＳｉＣ（窒化ケイ素）等のセラミックスの基体１を用いることが好ましい。また、基体１は、製造コストの観点からＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）を用いることが好ましい。さらに、基体１は、回路基板５０に加わる振動を吸収するという観点から樹脂であることが好ましい。

（配線導体）
配線導体２は、例えばＡｌ（アルミニウム）板，Ｃｕ（銅）板，Ｆｅ（鉄）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）板等の導電性材料からなる。配線導体２は、所定の形状にパターニング等で形成することができる。また、配線導体２は、伝送する電気信号が抵抗によって損失するのを防止する観点から低い抵抗値を有するＣｕ（銅）を主成分とすることが好ましい。従って、配線導体２をＣｕ（銅）を主成分として形成することにより、低インダクタンス化が可能となる。また、Ｃｕ（銅）は比較的高い熱伝導率を有しており放熱性の観点からも好ましい。

また、配線導体２をＡｌ（アルミニウム）板とすれば、軽量であるという観点から好ましい。

さらに、配線導体２をＦｅ（鉄）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）板とすれば、熱膨張係数が他の導電性材料と比較してセラミックスに近似していることから、回路基板に熱が加わった場合であっても、基体１と配線導体２との熱膨張係数差に起因した応力を抑制することができる。

なお、配線導体２が炭素繊維にＣｕ（銅）を含浸させた複合材料や、複数種類の導電性材料からなる複合材料でもよいことは言うまでもない。

配線導体２と基体１との接合は、基体１の一主面に金属層が形成されるとともに、該金属層と配線導体２とは、ロウ材１ｂを介して接合することが好ましい。例えば、基体１がセラミックスから成る場合、基体１の一主面にＷ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン），Ｍｎ（マンガン）等から成るメタライズ層１ａを形成し、このメタライズ層１ａと配線導体２とを従来周知のＡｇ（銀）−Ｃｕ（銅）ロウ材，Ａｇロウ材等のロウ材１ｂを用いて接合できる。メタライズ層１ａの形成方法としては、例えば、Ｗ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン），Ｍｎ（マンガン）等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、基体１となるセラミック生成形体の上面に、予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。

また、メタライズ層１ａを形成する代わりに活性金属層１ａを用いて接合してもよい。活性金属層１ａを用いる場合は、活性金属層１ａがロウ材１ｂの役割もするため、活性金属層１ａとロウ材１ｂとを同時に形成できるため作業工程をメタライズ層を形成する場合よりも減らすことができる。特に、Ｔｉ（チタン）を含有する活性金属層１ａを用いた場合には、セラミックスの基体１と配線導体２との接合界面に、Ｔｉ（チタン）とセラミックスとの化合物を生じるため、該化合物によってセラミックスの基体１と配線導体２との接合信頼性を高めることができるため好ましい。

本発明に係る回路基板５０において、配線導体２の重心は、配線導体２の厚み方向の中央よりも上面側に位置している。例えば、配線導体２を上面と下面とを有する平板形状とする場合、図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ），図１（ｄ）に示すように、配線導体２の上面２ａの方が下面２ｂよりも大きくなるように形成すればよい。なお、配線導体２として、複合材料を使用する場合は、配線導体２の上側を密度の高い第１導電性材料とし、配線導体２の下側に第１導電性材料よりも密度の低い第２導電性材料とすれば、配線導体２の重心を、配線導体２の厚み方向の中央よりも上面側に位置させることができる。

すなわち、第１導電性材料として、例えばＣｕ（銅），鉄（Ｆｅ），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ（銀），金（Ａｕ），Ｐｔ（白金）といった導電性材料を用いることができる。また、第２導電性材料として、例えばＡｌ（アルミニウム），Ｍｇ（マグネシウム）といった導電性材料を用いることができる。ここで、第１導電性材料として、Ｃｕ（銅），鉄（Ｆｅ），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ（銀），金（Ａｕ），Ｐｔ（白金）、第２導電性材料として、Ａｌ（アルミニウム），Ｍｇ（マグネシウム）を組み合わせた場合は、配線導体２の側面に傾斜を設けることなく、配線導体２の重心位置を配線導体２の厚み方向の中央よりも上面側に位置させることができるため、配線導体２側面の傾斜加工が不要となるといった効果を奏する。

このように、配線導体２の重心を配線導体２の厚み方向の中央よりも上面側に位置させることによって、配線導体２の重心を従来よりも上部に位置させることができるため、基体１に衝撃が加わった場合であっても、配線導体２上に実装した電子素子５やワイヤ等へ振動が加わることを抑制できることから、配線導体２と電子素子５又はワイヤ等との接合信頼性を高めることができる。また、この構成によれば、重心位置と基体との間で、従来よりも配線導体２を塑性変形させ易くできるため、上記振動を減衰させることができる。

また、配線導体２の下面２ｂの方が上面２ａよりも小さくなるように形成することで、隣り合う配線導体２を絶縁耐圧性の高い空気雰囲気の部位で近づけることができるため、従来よりも隣り合う配線導体２同士の沿面距離を長くすることができる。また、配線導体２をロウ材１ｂによって接合する場合、配線導体２の下面２ｂの外周部にロウ材１ｂのフィレットが形成されても、上面２ａより下面２ｂの方が小さいので下面２ｂ同士の距離をあけることができ、下面２ｂにおいて隣り合う配線導体２の間で接合時の溶融したロウ材１ｂ同士が表面張力によって互いに接触してしまうのを抑制し、配線導体２同士の電気的短絡を抑制できる。

さらに、配線導体２において、ワイヤの実装面積を従来よりも広げることができるため、従来よりも多くのワイヤボンディング処理を施すことができることから、特に大電流を必要とする回路基板において特に好ましい。

またさらに、配線導体２の下面２ａの面積を従来よりも小さくすることができるため、配線導体２とメタライズ層１ａとの接合面積を従来よりも小さくすることができる。それゆえ、メタライズ層１ａと配線導体２との接合面で、基体１と配線導体２との熱膨張差を小さくし、基体１に作用する配線導体２との熱膨張差による応力を低減させ、基体１にクラック等の破損が生ずるのを有効に防止することができる。

以下、添付図面に基づき、詳細に説明する。

図１（ａ）は、上面２ａと下面２ｂとを直線で結んだ逆台形状の配線導体２である。図１（ａ）に示す配線導体２の形成方法は、例えば、プレス加工にて側面に傾斜面を形成した後、プレス打ち抜き加工によって所定の形状に打ち抜くことが挙げられる。

図１（ａ）の構成によれば、配線導体２の基体１に接合される側の角部が鈍角となるため、配線導体２に作用する基体１との熱膨張差による応力を緩和できる点で好ましい。

図１（ｂ）は、上面２ａと下面２ｂとを曲面で結んだ逆台形状の配線導体２である。図１（ｂ）に示す配線導体２の形成方法は、例えば、下面２ｂ側からエッチング加工が挙げられる。図１（ｂ）の構成によれば、配線導体２側面の曲面部にロウ材１ｂが這い上がり易くなって、配線導体２側面に良好なロウ材１ｂのフィレットを形成でき、配線導体２を基体１に強固に接合できるという観点から好ましい。

図１（ｃ）は、上面２ａから下面２ｂにかけて段階的に小さく形成された配線導体２である。図１（ｃ）に示す配線導体２の形成方法は、配線導体２となる金属板にプレス加工や切削加工を施すことや、平面視での大きさが異なる複数枚の金属板を貼り合わせることが挙げられる。

図１（ｃ）の構成によれば、配線導体２側面の段差部にロウ材１ｂのフィレットを一定の大きさに形成し易くできるとともに、重心位置の調整を行い易くできる。なお、図１（ｃ）では、段差が１つだけ形成された例を示しているが、これに限定されず段差は複数形成されていても構わない。

このような構成によれば、複数形成された段差のうち最も下側の段差をロウ材１ｂのフィレット形成用として機能させ、上側の段差を重心位置の調整用として機能させることができ、より重心位置の調整がし易くなるという観点から好ましい。

図１（ｄ）は、下面２ｂと配線導体２の側面との間にＲ状（曲面状）に面取りされた配線導体２である。図１（ｄ）に示す配線導体２の形成方法は、配線導体２をプレス打ち抜き加工によって所定の形状に打ち抜く際、打ち抜き加工時に用いる上金型と下金型とのクリアランス寸法を適宜調整することが挙げられる。

このような構成によれば、１回のプレス打ち抜き加工によって配線導体２を容易に形成できるという観点から好ましい。

なお、図示しないが下面２ｂと配線導体２の側面との間にＣ面状に面取りされたもの等、種々の形状とすることができる。また、配線導体２として、複合材料を使用する場合は、配線導体２の上側を密度の高い第１導電性材料とし、配線導体２の下側に第１導電性材料よりも密度の低い第２導電性材料とすればよい。第１導電性材料と第２導電性材料とを従来周知の接着剤により接合して配線導体２を得ることができる。

本発明に係る重心位置の測定方法は、まず、回路基板５０を樹脂モールドし、回路基板５０をクロスセクションする。次に、鏡面出しを行い、配線導体２の断面形状を確認する。最後に、配線導体２の断面形状の画像を読み取った後、ＪＩＳ Ｂ−０６０１に基づき、配線導体２の両端距離において、配線導体２の上側の平均線と配線導体２の下側の平均線を算出する。この算出結果に基づき、配線導体２の上側の平均線と配線導体２の下側の平均線との最大距離を配線導体２の厚みとする。また、配線導体２の断面部分に対して、ＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定によって、上記配線導体２の上側の平均線から配線導体２の下側の平均線まで、その厚み方向に均一な間隔で１０箇所成分分析する。なお、配線導体２と、ロウ材との境界線は、ＳＥＭ写真により確認することができる。

上述の成分分析によって、配線導体２が同一の材質である場合は、配線導体２の断面形状の画像を読取りした後、例えばＩ−ｄｅａｓ ＮＸ Ｓｅｒｉｅｓ（米国ＵＳＧ社製）等のＣＡＤソフトを用いることによって、その重心位置を特定することができる。

また、上述の成分分析によって、配線導体２が複数の化合物から構成される場合は、まず、上記鏡面出しを行った箇所から配線導体２の長さ方向に１ｍｍの肉厚で再度切断する。また、配線導体２のみを取り出すために、従来周知の化学エッチングで配線導体２に付着した樹脂、ロウ材等を除去する。次に、上記配線導体２厚み方向の中央で切断する。最後に、切断した配線導体２を、それぞれアルキメデス法で測定することにより、配線導体２の重心位置が該配線導体の厚み方向の中央よりも上面側に位置しているか特定することができる。すなわち、切断した配線導体２のうち、上側の配線導体２の方が下側の配線導体２よりも密度が高ければ、配線導体の重心は、該配線導体の厚み方向の中央よりも上面側に位置していることがわかる。

以上のようにして、配線導体の重心は、該配線導体の厚み方向の中央よりも上面側に位置しているか否かの判定を行うことができる。

図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ），図１（ｄ）では、各配線導体２の断面が左右対称の形状である場合を示しているが、これに限られることはない。少なくとも配線導体２同士が隣接する側の配線導体２の１側面だけに傾斜面や曲面が形成されている形態であればよい。この構成により、配線導体２をロウ材１ｂによって接合する場合、配線導体２の下面２ｂの外周部にロウ材１ｂのフィレットが形成されても、下面２ｂ同士の距離をあけることができ、下面２ｂにおいて隣り合う配線導体２の間で接合時の溶融したロウ材１ｂ同士が表面張力によって互いに接触してしまうのを防止し、配線導体２同士の電気的短絡を防止することができる。

また好ましくは、放熱部材４が基体１の他主面に設けられてもよい。放熱部材４は、放熱性の観点から比較的高い熱伝導率を有しているＡｌ（アルミニウム）やＣｕ（銅）等の金属からなることが好ましい。放熱部材４と基体１との接合は、例えば、基体１がセラミックスから成る場合、基体１の他主面にメタライズ層を形成し、このメタライズ層と放熱部材４とを従来周知のＡｇ（銀）−Ｃｕ（銅）ロウ材を用いて接合してもよいし、活性金属層を用いて放熱部材４と基体１とを接合してもよい。特にＴｉ（チタン）を含有する活性金属層を用いた場合には、上述した理由によって基体１と放熱部材４との接合信頼性を高めることができる。

＜パッケージ及び電子装置＞
次に、上述した回路基板５０を用いたパッケージについて説明する。

本発明に係るパッケージは、回路基板５０の一主面に枠体３を設け、枠体３上に蓋部材１０を備えてなるものである。

枠体３は、Ｆｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）−Ｃｏ（コバルト）合金やＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）合金，Ｃｕ（銅）等の金属やＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム），ＡｌＮ（窒化アルミニウム），ＳｉＣ（窒化ケイ素）等のセラミックスやガラス，樹脂等の誘電体等からなる。

枠体３は、図２に示されるように、基体１の一主面を平面視して、例えば配線導体２を囲うようにして設けられるものである。枠体３は、枠体３の取り付け安定性の観点から基体１の外周よりも内側に位置するように設けることが好ましい。枠体３と基体１との接合は、例えば、基体１がセラミックスから成る場合、基体１の一主面にメタライズ層を形成し、このメタライズ層と枠体３とを従来周知のＡｇ（銀）−Ｃｕ（銅）ロウ材を用いて接合してもよいし、活性金属層を用いて接合してもよい。特にＴｉ（チタン）を含有する活性金属層を用いた場合には、上述した理由によって基体１と枠体３との接合信頼性を高めることができる。

また、図１に示すように枠体３に入出力端子６を設けることにより、パッケージ内外を電気的に接続してもよい。入出力端子６は、例えば図１に示すように枠体３に貫通孔を設け、当該貫通孔にパッケージの内外を挿通するリード端子７を設けることによって形成される。枠体３が金属から成る場合、リード端子７をガラス等の絶縁体を介して枠体３と絶縁した状態で貫通孔に固定する。

また、入出力端子６は、例えば長方形の誘電体から成る平板部の上面の一方の長辺から他方の長辺にかけてＷ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン），Ｍｎ（マンガン）等のメタライズ層によって線路導体が形成され、この平板部の短辺方向のほぼ中央部に四角柱状の誘電体から成る立壁部が線路導体を間に挟んで形成されたものであってもよい。線路導体は、例えば、Ｗ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン），Ｍｎ（マンガン）等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、平板部となるセラミック生成形体の上面に、予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。平板部および立壁部は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）質セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質セラミックス，ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）質セラミックス等の誘電体から成り、好ましくは、セラミックグリーンシート積層法によって形成されるのがよい。

このような誘電体から成る入出力端子６は、枠体３が誘電体から成る場合は枠体３と一体に形成すればよい。また枠体３が金属から成る場合は枠体３に入出力端子６を取り付ける箇所に入出力端子６を取り付けるための貫通孔や切り欠きを設けておき、この貫通孔や切り欠きに入出力端子６を接合することで取り付ければよい。

また、誘電体から成る入出力端子６においては、線路導体にリード端子７が電気的に接続されていてもよい。

蓋部材１０は、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）等のセラミックスやガラス，樹脂等の誘電体からなるものでもよいし、Ｆｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）−Ｃｏ（コバルト）合金やＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）合金等の金属からなるものでもよい。

好ましくは、枠体３を金属製とするとともに蓋部材１０を金属製とするのが良く、枠体３とこの枠体３上の蓋部材１０とをシーム溶接により接合することができる。特に、枠体３をＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系の高抵抗の金属とすれば、枠体３と蓋部材１０とのシーム溶接を好適に行なうことができる。

枠体３と蓋部材１０とをシーム溶接することで、枠体３付近を局所的に熱処理することが可能となるため、回路基板５０に過剰な熱量が加わることを抑制でき、回路基板５０に搭載される電子素子５が熱によって破壊するのを防止できる。

また、シーム溶接をすることで、配線導体２と基体１、若しくは、放熱部材４と基体１との接合面に介在するロウ材や半田等の接合材が再溶融することを抑制できるため、基体１と配線導体２、若しくは基体１と放熱部材４との位置ずれを抑制できる。

本発明に係るパッケージによれば、上述の回路基板５０を用いることから、配線導体２どうしの距離を近づけることが可能となり、配線導体２の複雑な配線パターンも形成できるとともに、パッケージの小型化にも対応することができる。

最後に、上述したパッケージを用いた電子装置９０について説明する。

本発明に係る電子装置９０は、パッケージ内部に配線導体２と電気的に接続してなる電子素子５を備えたものである。

電子素子５は、大電流が流れる半導体素子を用いることができる。電子素子５の取り付け方法は、上述した配線導体２にワイヤボンディングによって電気的に接続してもよいし、上述した配線導体２上にフリップチップ接合してもよい。特に、電子素子５をフリップチップ接合した場合には、電子素子５が発熱した場合であっても、配線導体２を介してパッケージ外部へ放熱し易いため好ましい。

また、鉄道車両用、車載用インバータといった断続的に振動が加わる環境下において、本発明に係る電子装置９０は、基体１に衝撃が加わった場合であっても、配線導体２の位置ずれを生じさせ難くすることができるため、配線導体２からワイヤ等が外れることを抑制でき、結果として動作信頼性の高い電子装置を提供することができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等支障ない。

（ａ）は本発明の回路基板の実施の形態の一例を示す断面図、（ｂ）は本発明の回路基板の実施の形態の他の例を示す断面図、（ｃ）は本発明の回路基板の実施の形態のさらに他の例を示す断面図、（ｄ）は本発明の回路基板の実施の形態のさらに他の例を示す断面図である。 本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す分解斜視図である。

符号の説明

１：基体
２：配線導体
３：枠体
４：放熱部材
５：電子素子
１０：蓋部材
５０：回路基板
９０：電子装置

Claims (7)

1. 誘電体からなる基体と、
   前記基体の一主面に、隣接させて下面がロウ材を介して接合された複数の配線導体と、
   を具備した回路基板であって、
   前記配線導体は、上面と下面とを有する平板形状であるとともに、前記配線導体の上面から下面にかけて段階的に小さく形成されており、前記配線導体の重心は、該配線導体の厚み方向の中央よりも上面側に位置していることを特徴とする回路基板。
2. 前記基体の他主面に接合された放熱部材を有することを特徴とする請求項１記載の回路基板。
3. 前記基体は、窒化アルミニウム焼結体又は窒化ケイ素焼結体からなることを特徴とする請求項１または２記載の回路基板。
4. 前記放熱部材は、銅からなることを特徴とする請求項２または３記載の回路基板。
5. 前記配線導体は、銅を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路基板と、前記基体の一主面に設けられた枠体と、前記枠体上に接合される蓋部材とを備えたパッケージ。
7. 請求項６記載のパッケージと、前記パッケージ内部に前記配線導体と電気的に接続された電子素子とを備えた電子装置。
   

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