JP4883110B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

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Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの誘電率および電気絶縁性の向上を図るための改良に関するものである。
積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化の要求を満たす有効な手段の1つとして、積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層の薄層化を図ることがある。最近では、誘電体セラミック層の薄層化は、厚み1μm未満にまで進んでいる。
しかし、誘電体セラミック層の薄層化が進むと、電気絶縁性の確保が容易ではなくなる。そこで、誘電体セラミック層の、内部電極間における結晶粒子の数が少ないと絶縁性が下がるので、結晶粒子の粒径をある程度小さくする必要がある。他方、結晶粒子の粒径を小さくすると、誘電体セラミックの誘電率が下がってしまう。
よって、積層セラミックコンデンサにおける薄層品では、特に、高誘電率と高絶縁性との両立が大きな課題となっている。この両立のために、たとえば、以下のような技術がある。
特開2005‐243890号公報(特許文献1)では、誘電体セラミックの結晶粒子が、粒径の比較的大きい第1の結晶粒子と、粒径の比較的小さい第2の結晶粒子とからなり、第1の結晶粒子の平均粒径が0.1〜0.3μmであり、第1の結晶粒子の粒径が第2の結晶粒子の粒径の5倍以上であることが開示されている。また、誘電体セラミック層の一観察面での第1の結晶粒子の面積比率が71〜91%であることが好ましいとされている。
次に、特開2005‐33070号公報(特許文献2)では、誘電体セラミックの結晶粒子が、比較的小径の第1の結晶粒子と、それよりも大きい粒径が大きい第2の結晶粒子とを含み、第2の結晶粒子の面積比率が40%よりも小さいことが開示されている。
誘電体セラミック層の厚みとして、上記特許文献1および2のいずれにも、「1.5μm以下」の開示があり、特に特許文献1では、「1.0μm前後」の開示がある。しかし、特許文献1および2に記載の技術では、誘電体セラミック層の厚みが1μm未満になると、高い誘電率と高い電気絶縁性との両立ができない。
特開2005‐243890号公報 特開2005‐33070号公報
そこで、この発明の目的は、誘電体セラミック層の厚みが1μm未満となっても、高い誘電率と高い電気絶縁性との両立を可能とする積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
この発明は、積層された複数の誘電体セラミック層、および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極を備え、誘電体セラミック層が、ABO(Aは、Baを必ず含み、さらにCaおよびSrの少なくとも一方を含むことがある。Bは、Tiを必ず含み、さらにZrおよびHfの少なくとも一方を含むことがある。)で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、R(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種である。)、M(Mは、Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、WおよびVから選ばれる少なくとも1種である。)およびSiを含む、誘電体セラミックからなる、積層セラミックコンデンサに向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
すなわち、上記誘電体セラミックに含まれる結晶粒子を、誘電体セラミック層の厚みの1/4より大きい粒径を有する第1の結晶粒子と、誘電体セラミック層の厚みの1/4以下の粒径を有する第2の結晶粒子とに分類したとき、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、誘電体セラミック層の断面上での第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%であることを特徴としている。
上記誘電体セラミックの主成分としてのABOにおいて、好ましくは、Aは、Baを78〜100モル%、Srを0〜2モル%、Caを0〜20モル%含み、Bは、Tiを96〜100モル%、Zrを0〜2モル%、Hfを0〜2モル%含む。
また、好ましくは、誘電体セラミックの副成分としてのR、MおよびSiの各濃度は、ABO100モルに対して、それぞれ、元素として、0.1〜3.0モル、0.2〜5モルおよび0.1〜3.5モルの各範囲にあり、かつABOにおけるA/Bの比が0.96〜1.030である。
この発明によれば、誘電体セラミック層の薄層化が厚み1μm未満にまで進んだとしても、高い誘電率および高い電気絶縁性を両立させることができる。よって、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化の要望に十分応えることができる。
この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサを図解的に示す断面図である。 図1に示した積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの好ましい製造方法を説明するための図である。 実験例において作製した、この発明の範囲内の試料6に係る誘電体セラミックについての粒度分布を示す図である。 実験例において作製した、この発明の範囲外の試料3に係る誘電体セラミックについての粒度分布を示す図である。
図1を参照して、まず、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ1について説明する。
積層セラミックコンデンサ1は、積層された複数の誘電体セラミック層2と誘電体セラミック層2間の特定の界面に沿って形成される複数の内部電極3および4とをもって構成される、コンデンサ本体5を備えている。内部電極3および4は、たとえばNiを主成分としている。
コンデンサ本体5の外表面上の互いに異なる位置には、第1および第2の外部電極6および7が形成される。外部電極6および7は、たとえばCuを主成分としている。図1に示した積層セラミックコンデンサ1では、第1および第2の外部電極6および7は、コンデンサ本体5の互いに対向する各端面上に形成される。内部電極3および4は、第1の外部電極6に電気的に接続される複数の第1の内部電極3と第2の外部電極7に電気的に接続される複数の第2の内部電極4とがあり、これら第1および第2の内部電極3および4は、積層方向に関して交互に配置されている。
上述の誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックは、ABO(Aは、Baを必ず含み、さらにCaおよびSrの少なくとも一方を含むことがある。Bは、Tiを必ず含み、さらにZrおよびHfの少なくとも一方を含むことがある。)で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、R(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種である。)、M(Mは、Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、WおよびVから選ばれる少なくとも1種である。)およびSiを含むものである。
上述の誘電体セラミックの主成分としてのABOにおいて、Aは、Baを78〜100モル%、Srを0〜2モル%、Caを0〜20モル%含み、Bは、Tiを96〜100モル%、Zrを0〜2モル%、Hfを0〜2モル%含むことが好ましい。
また、誘電体セラミックの副成分としてのR、MおよびSiの各濃度は、ABO100モルに対して、それぞれ、元素として、0.1〜3.0モル、0.2〜5モルおよび0.1〜3.5モルの各範囲にあり、かつABOにおけるA/Bの比が0.96〜1.030であることが好ましい。
このような積層セラミックコンデンサ1において、誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックは、後述する試料6について図3に例示するように、その結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークP1およびP2を有している。結晶粒子を、誘電体セラミック層2の厚みの1/4より大きい粒径を有する第1の結晶粒子と、誘電体セラミック層2の厚みの1/4以下の粒径を有する第2の結晶粒子とに分類したとき、第1の結晶粒子が粒度分布のピークP1を持ち、第2の結晶粒子が粒度分布のピークP2を持っている。そして、誘電体セラミック層2の断面上での第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%であることを特徴としている。
上述したような特徴的なセラミック構造を有する誘電体セラミックは、好ましくは、次のようにして製造される。誘電体セラミックの好ましい製造方法について、図2を参照しながら説明する。
まず、出発原料として、BaTiO等の主成分粉末11と、Dy、MgCO、MnCO、SiO等の副成分粉末12とを用意し、これらを混合し、熱処理する(工程1)。この熱処理によって、上記主成分粉末11と副成分粉末12との混合物13が凝集する。
次に、上記混合物13の一部については、できる限り単分散化処理することによって、単分散粒子14を得るとともに、残りの部分については、特に処理をすることなく、凝集状態のままの凝集粒子15として残す(工程2)。
次に、上記単分散粒子14と上記凝集粒子15とを所定の比率で混合し、それによって、誘電体セラミック原料を得る(工程3)。
次に、上記誘電体セラミック原料を分散させたセラミックスラリーを作製し、このセラミックスラリーをシート状に成形することによって、セラミックグリーンシート16を得る。セラミックグリーンシート16中には、上記単分散粒子14と上記凝集粒子15とが所定の比率で存在している。
図1に示すような積層セラミックコンデンサ1を製造するためには、上記セラミックグリーンシート16を積層する工程を経て、コンデンサ本体5の生の状態のものを作製し、これを焼成することが行なわれ、それによって、焼結体としての誘電体セラミック17が得られる(工程4)。
誘電体セラミック17において、種々大きさの結晶粒子が存在するが、これら結晶粒子は、比較的大きい粒径、より具体的には、誘電体セラミック層2の厚みの1/4より大きい粒径を有する第1の結晶粒子18と、比較的小さい粒径、より具体的には、誘電体セラミック層2の厚みの1/4以下の粒径を有する第2の結晶粒子19とに分類される。比較的大きい粒径を有する第1の結晶粒子18は、主として凝集粒子15に由来するものであり、焼成(工程4)中に、凝集粒子15の各々は1つの焼結体となって、第1の結晶粒子18を構成する。他方、比較的小さい粒径を有する第2の結晶粒子19は、主として単分散粒子14に由来するもので、焼成後も、ほぼその大きさのままで第2の結晶粒子19となる。なお、単分散粒子14の径が比較的大きい場合には、焼結により、第2の結晶粒子19になるものだけでなく、第1の結晶粒子18になるものもあり得る。
このようにして、凝集粒子15と単分散粒子14との比率を変えることによって、焼結体としての誘電体セラミック17中での第1の結晶粒子18と第2の結晶粒子19との存在比率を制御することができる。また、凝集粒子15の凝集度合いによって、第1の結晶粒子18の粒径を制御することができる。そして、これら第1の結晶粒子18と第2の結晶粒子19との存在比率や凝集粒子15の凝集度合いを制御することによって、第1の結晶粒子18の誘電体セラミック層2の断面上での面積比率を制御することができる。
以下に、この発明に基づいて実施した実験例について説明する。
[実験例1]
(A)誘電体セラミック原料の作製
まず、主成分の出発原料として、BaCOおよびTiOの各粉末を用意し、これら粉末を、BaTiOの組成になるように秤量した後、ボールミルにより混合し、1150℃で熱処理し、BaTiO粉末を得た。この粉末の平均粒径は0.15μmであり、Ba/Ti比は1.001であった。
他方、副成分として、BaCO、Dy、MgCO、MnCOおよびSiOの各粉末を用意した。
次に、上記BaTiO粉末を、水を媒体としてボールミルにより24時間攪拌処理し、できるだけ単分散化した。次いで、上記副成分粉末を加え、ボールミルにより24時間混合し、その後、蒸発乾燥した。この混合物において、副成分の配合比率は、BaTiOが100モルに対して、BaCOが1モル、Dyが0.5モル、MgCOが1モル、MnCOが0.3モル、SiOが1.5モルとなるようにした。
次に、上記混合物を、500℃で2時間熱処理し、その凝集を強めた。
次に、上記混合物の一部については、水を媒体として、ボールミルにより12時間処理し、できる限り単分散化処理した。他方、混合物の残りの部分については、特に処理をすることなく、凝集状態のままとして残した。そして、上記単分散化処理された単分散粒子と上記凝集状態のままの凝集粒子とをいくつかの異なる比率で混合し、それによって、後述する表1に示した種々の平均粒径、種々の粒度分布、および種々の面積比率を与え得る複数種類の誘電体セラミック原料を得た。
(B)積層セラミックコンデンサの作製
上記誘電体セラミック原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。
次に、このセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。
次に、上記セラミックグリーンシート上に、Niを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを、導電ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、コンデンサ本体となるべき生の積層体を得た。
次に、生の積層体を、N2雰囲気中にて300℃の温度に加熱し、脱バインダ処理を行なった後、酸素分圧10-10PaのH2‐N2‐H2Oガスからなる還元性雰囲気中にて、1150℃で2時間焼成し、生の積層体を焼結させてなるコンデンサ本体を得た。
次に、得られたコンデンサ本体の両端面に、B−LiO−SiO−BaO系ガラスフリットを含有するCuペーストを塗布し、N2雰囲気中において800℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅0.5mm、長さ1.0mm、厚さ0.5mmであった。また、有効誘電体セラミック層の数は300であり、1層あたりの内部電極の対向面積は0.3mmであった。
また、各試料に係る積層セラミックコンデンサを断面研磨し、電子顕微鏡(SEM)で観察した。そして、観察画像をもとに、内部電極間に挟まれた誘電体セラミック層の厚みを測長した。その結果、誘電体セラミック層の厚みは、試料12および13を除いて、0.8μmであった。また、試料12の誘電体セラミック層の厚みは1.6μm、試料13の誘電体セラミック層の厚みは2.4μmであった。
(C)セラミック構造の分析
各試料に係る積層セラミックコンデンサを断面研磨し、焼成温度よりも100℃低い温度を目安に、熱エッチング処理したものを電子顕微鏡で観察した。そして、この観察画像をもとに、200個以上の観察粒子について円相当径を求めた。このように求められた円相当径が、誘電体セラミック層の厚みの1/4(図3および図4に示した試料6および試料3では、0.2μm)以下のものを第2の結晶粒子と分類し、誘電体セラミック層の厚みの1/4よりも大きいものを第1の結晶粒子と分類し、第1および第2の結晶粒子の各々について、平均粒径を求めた。
また、上記観察画像をもとに、第1および第2の結晶粒子の各々について、誘電体セラミック層の断面上での面積比率を求めた。
さらに、上記のように、観察画像をもとに求められた200個以上の結晶粒子の円相当径から、粒度分布を算出した。これをグラフ化し、誘電体セラミック層の厚みの1/4で2つの領域に分けた。代表的に、試料6についての粒度分布をグラフ化したものが図3に、試料3についての粒度分布をグラフ化したものが図4にそれぞれ示されている。そして、第1および第2の結晶粒子の各々の領域で粒度分布についてのピークP1,P2の有無を確認した。ここでピークとは頻度で2%以上のものを指すこととした。
これらの結果が表1に示されている。
Figure 0004883110
(D)電気特性の評価
得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサにつき、誘電率および絶縁抵抗(log IR)を求めた。なお、誘電率は、温度25℃、1kHz、および0.5Vrmsの条件下で測定した。また、絶縁抵抗は、温度25℃において直流電圧6.3Vを180秒間印加した後に測定した。これらの結果が表2に示されている。
Figure 0004883110
表1および表2において、試料番号に*を付したものは、この発明の範囲外のものである。
まず、この発明の範囲内にある試料4〜7では、結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークを有し、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%の範囲内にあるという条件を満たしている。その結果、これら試料4〜7では、誘電率および絶縁性(log IR)の双方について優れた特性を示した。
他方、試料1〜3では、いずれも、第1の結晶粒子の面積比率が41%未満であった。特に、試料1および2では、第1の結晶粒子の粒度分布にピークが確認できなかった。その結果、試料1〜3では、高い絶縁性(log IR)が得られたが、誘電率が低くなった。
また、試料8および9では、いずれも、第1の結晶粒子の面積比率が69%を超えた。特に、試料9では、第2の結晶粒子の粒度分布にピークが確認できなかった。その結果、試料8および9では、高い誘電率が得られたが、絶縁性(log IR)が低くなった。
これは、結晶粒子と結晶粒子との間である粒界が絶縁性に大きく寄与しており、絶縁性を高めるためには、粒界を多くすること、すなわち、粒径を小さくした方が有利であることに関連していると考えられる。特に、誘電体セラミック層の厚みの1/4というラインは、絶縁性に与える影響が急変するポイント、すなわち臨界点になっていると考えられる。
試料10および11では、結晶粒子の粒度分布が2つのピークを有していなかった。その結果、試料10および11では、誘電率および絶縁性(log IR)のいずれもが低かった。
試料12は、誘電体セラミック層の厚みを1.6μmとしたものであり、試料13は、同厚みを2.4μmとしたものである。これら試料12および13では、試料4〜7の場合と同様、結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークを有し、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%の範囲内にあるという条件を満たしている。その結果、これら試料12および13においても、誘電率および絶縁性(log IR)の双方について優れた特性を示した。
[実験例2]
この発明に係る積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの主成分であるABOにおいて、Aサイトは、Baを必ず含み、さらにBaの一部がCaおよびSrの少なくとも一方で置換されることがあり、Bサイトは、Tiを必ず含み、さらにTiの一部がZrおよびHfの少なくとも一方で置換されることがあるが、実験例2では、AサイトにおけるCaおよびSrの各置換量ならびにBサイトにおけるZrおよびHfの各置換量を変えて、電気特性を評価した。
(A)誘電体セラミック原料の作製
まず、主成分の出発原料として、BaCO、CaCO、SrCO、TiO、ZrOおよびHfOの各粉末を用意し、これら粉末を、表3に示すように秤量した後、ボールミルにより混合し、1100〜1200℃で熱処理し、BaTiO系のABO粉末を得た。この粉末の平均粒径は0.11〜0.17μmであった。
Figure 0004883110
他方、副成分として、BaCO、Y、MgCO、MnCO、VおよびSiOの各粉末を用意した。
次に、上記ABO粉末を、水を媒体としてボールミルにより24時間攪拌処理し、できるだけ単分散化した。次いで、上記副成分粉末を加え、ボールミルにより24時間混合し、その後、蒸発乾燥した。この混合物において、副成分の配合比率は、ABOが100モルに対して、BaCOが1モル、Yが0.5モル、MgCOが0.5モル、MnCOが0.1モル、Vが0.05モル、SiOが1.5モルとなるようにした。
以後、実験例1における試料6の場合と同様の操作を経て、試料に係る誘電体セラミック原料を得た。
(B)積層セラミックコンデンサの作製
実験例1における試料6の場合と同様の操作を経て、試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。
(C)セラミック構造の分析
実験例1の場合と同様に実施した。その結果、試料101〜109のいずれについても、実験例1における試料6とほぼ同等の結果が得られた。すなわち、結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークを有し、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%の範囲内にあるという条件を満たしていた。
(D)電気特性の評価
実験例1の場合と同様に実施した。その結果が表4に示されている。
Figure 0004883110
表4からわかるように、試料101〜109のいずれにおいても、誘電率および絶縁性(log IR)の双方について優れた特性を示した。
[実験例3]
実験例3では、誘電体セラミックの組成を組成式:[100ABO]+aRO3/2+bMO+cSiOで表わしたとき、Rを、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種の間で変え、Mを、Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、WおよびVから選ばれる少なくとも1種の間で変え、さらに、m、a、bおよびcを種々に変えて、電気特性を評価した。
(A)誘電体セラミック原料の作製
組成式:[100ABO]+aRO3/2+bMO+cSiOにおいて、表5に示すような組成が得られるように、出発原料粉末を用意し、これら粉末を秤量した後、ボールミルにより混合し、実験例1における試料6の場合と同様の操作を経て、上記組成式で表わされる組成の誘電体セラミック原料を得た。
Figure 0004883110
(B)積層セラミックコンデンサの作製
実験例1における試料6の場合と同様の操作を経て、試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。
(C)セラミック構造の分析
実験例1の場合と同様に実施した。その結果、試料301〜317のいずれについても、実験例1における試料6とほぼ同等の結果が得られた。すなわち、結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークを有し、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%の範囲内にあるという条件を満たしていた。
(D)電気特性の評価
実験例1の場合と同様に実施した。その結果が表6に示されている。
Figure 0004883110
表6からわかるように、試料301〜317のいずれにおいても、誘電率および絶縁性(log IR)の双方について優れた特性を示した。
[実験例4]
実験例4は、不純物の影響を評価したものである。すなわち、原料作製等、積層セラミックコンデンサの製造工程において、Sr、Zr、Hf、Zn、Na、Ag、Ni、B、Y、AlおよびPdの少なくとも1種が不純物として混入する可能性があり、これらが、結晶粒子内および結晶粒子間を占める結晶粒界に存在する可能性がある。また、積層セラミックコンデンサの焼成工程などにおいて、内部電極成分が結晶粒子内および結晶粒子間を占める結晶粒界に拡散し存在する可能性がある。
(A)誘電体セラミック原料の作製
実験例2における試料101の組成に、表7に示す不純物を加えたことを除いて、実験例2の場合と同様の操作を経て、各試料に係る誘電体セラミック原料を得た。
Figure 0004883110
(B)積層セラミックコンデンサの作製
実験例2における試料101の場合と同様の操作を経て、試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。
(C)セラミック構造の分析
実験例2の場合と同様に実施した。その結果、試料401〜409のいずれについても、実験例2における試料101とほぼ同等の結果が得られた。すなわち、結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークを有し、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%の範囲内にあるという条件を満たしていた。
(D)電気特性の評価
実験例2の場合と同様に実施した。その結果が表8に示されている。
Figure 0004883110
表8からわかるように、試料401〜409のいずれにおいても、誘電率および絶縁性(log IR)の双方について優れた特性を示した。
[実験例5]
実験例5では、Si含有する焼結助剤として種々の組成のものを用い、焼結助剤の種類の違いによる影響を調査した。
(A)誘電体セラミック原料の作製
実験例1における試料6の組成中の焼結助剤成分としてのSiに代えて、表9に示す成分の焼結助剤を用いたことを除いて、実験例1における試料6の場合と同様の操作を経て、各試料に係る誘電体セラミック原料を得た。
Figure 0004883110
(B)積層セラミックコンデンサの作製
実験例1における試料6の場合と同様の操作を経て、試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。
(C)セラミック構造の分析
実験例1の場合と同様に実施した。その結果、試料501〜509のいずれについても、実験例1における試料6とほぼ同等の結果が得られた。すなわち、結晶粒子の粒度分布が少なくとも2つのピークを有し、第1の結晶粒子と第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%の範囲内にあるという条件を満たしていた。
(D)電気特性の評価
実験例1の場合と同様に実施した。その結果が表10に示されている。
Figure 0004883110
表10からわかるように、試料501〜509のいずれにおいても、誘電率および絶縁性(log IR)の双方について優れた特性を示した。
1 積層セラミックコンデンサ
2 誘電体セラミック層
3,4 内部電極
17 誘電体セラミック
18 第1の結晶粒子
19 第2の結晶粒子
P1,P2 ピーク

Claims (3)

  1. 積層された複数の誘電体セラミック層、および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極を備え、
    前記誘電体セラミック層は、ABO(Aは、Baを必ず含み、さらにCaおよびSrの少なくとも一方を含むことがある。Bは、Tiを必ず含み、さらにZrおよびHfの少なくとも一方を含むことがある。)で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、R(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種である。)、M(Mは、Mn、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、Li、Al、Mo、WおよびVから選ばれる少なくとも1種である。)およびSiを含む、誘電体セラミックからなり、
    前記誘電体セラミックに含まれる結晶粒子を、前記誘電体セラミック層の厚みの1/4より大きい粒径を有する第1の結晶粒子と、前記誘電体セラミック層の厚みの1/4以下の粒径を有する第2の結晶粒子とに分類したとき、前記第1の結晶粒子と前記第2の結晶粒子とのそれぞれが粒度分布のピークを持ち、前記誘電体セラミック層の断面上での前記第1の結晶粒子の面積比率が41〜69%である、
    積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記誘電体セラミックの主成分としてのABOにおいて、Aは、Baを78〜100モル%、Srを0〜2モル%、Caを0〜20モル%含み、Bは、Tiを96〜100モル%、Zrを0〜2モル%、Hfを0〜2モル%含む、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記誘電体セラミックの副成分としてのR、MおよびSiの各濃度は、ABO100モルに対して、それぞれ、元素として、0.1〜3.0モル、0.2〜5モルおよび0.1〜3.5モルの各範囲にあり、かつABOにおけるA/Bの比が0.96〜1.030である、請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。
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