JP4881014B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、硬度が比較的高く突出量の大きな突起電極を形成することから、電極自体の応力を緩和し難い構造であることに変わりはない。
この後、各第1電極及び各第2電極を加熱することにより融着材が溶融し、第1半導体チップ及び第2半導体チップが互いに接近可能な状態となる。そして、検出用電極同士の接触状態に基づいて、他の電極同士を接続する第1半導体チップ及び第2半導体チップの相対位置が決定され、この相対位置となるよう第1半導体チップ及び第2半導体チップの位置が制御される。そして、第1半導体チップ及び第2半導体チップの相対位置が一定のまま融着材が冷却して硬化し、全ての電極について接続が完了する。
さらに、検出用電極同士を先行して接触させ、融着材を加熱して溶融した後に他の電極同士を接触させるようにしたので、他の電極に加わる負荷を低減することができる。また、検出用電極の接触状態に基づいて、他の電極を接続する際の第1半導体チップ及び第2半導体チップの相対位置が決定されるので、他の電極の接続位置を精度よく制御することができる。
110 回路形成面
120 第1電極
122 パッド電極部
124 バリアメタル層
126 融着材
128 表面電極部
130 通常電極
132 検出用電極
200 半導体チップ
210 回路形成面
220 第2電極
222 パッド電極部
224 バリアメタル層
226 融着材
228 表面電極部
230 通常電極
232 検出用電極
240 金属ポスト
300 半導体装置
Claims (2)
- 回路形成面に複数の第1電極が形成された第1半導体チップと、回路形成面に複数の第2電極が形成された第2半導体チップを、互いに前記回路形成面が対向して前記各第1電極と前記各第2電極とが接触するよう位置決めし、前記各第1電極と前記各第2電極の少なくとも一方の表面をなす融着材を加熱し溶融させて前記各第1電極及び前記各第2電極を接続するにあたり、
前記融着材を前記第1半導体チップと前記第2半導体チップの少なくとも一方の前記回路形成面から突出するよう形成するとともに、前記各第1電極及び前記各第2電極の少なくとも一組が、前記第1半導体チップと前記第2半導体チップを前記回路形成面が対向する状態で互いに接近させると他の電極に先行して接触する検出用電極となるよう電極を形成する電極形成工程と、
前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップを、前記回路形成面を対向させた状態で互いに接近させるチップ接近工程と、
前記チップ接近工程にて前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップが接近した際に、前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの前記検出用電極同士の接触状態を検出する接触状態検出工程と、
前記接触状態検出工程にて検出された前記検出用電極同士の接触状態に基づいて、他の前記電極同士を接続する前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの相対位置を決定する接続位置決定工程と、
前記接続位置決定工程にて決定された前記相対位置となるよう前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの位置を制御する位置制御工程と、を含み、
前記接触状態検出工程は、
前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの前記検出用電極同士の接触を検出する接触検出工程と、
前記接触検出工程にて前記検出用電極同士の接触が検出された後、前記融着材を加熱するとともに、前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップに互いに接近する方向へ予め設定された荷重を加える荷重制御工程と、
前記荷重制御工程の後、前記検出用電極の前記融着材が溶融して前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップが接近を開始したことを検知する溶融検知工程と、を含み、
前記接続位置決定工程は、前記溶融検知工程にて前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップが接近を開始した位置を基準として、他の前記電極同士を接続する前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップの相対位置を決定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電極形成工程にて、前記融着材を、前記各第1電極及び前記各第2電極の表面に配することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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