JP4848564B2 - 半導体メモリ装置のリセット制御回路 - Google Patents
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Description
図2は、本発明の実施形態に係る半導体メモリ装置のRAS信号発生回路を示すブロック図である。
そして、リセットエグジット信号発生部640を説明すると、初期リセット制御信号RSTBを遅延させて出力する第2遅延回路DELAY2、第2遅延回路DELAY2の出力信号を反転させる第4インバータINV4、初期リセット制御信号RSTB及び第4インバータINV4の出力信号を組み合わせる第2NANDゲートNAND2、並びに第2NANDゲートNAND2の出力信号を反転させる第5インバータINV5を備えてリセットエグジット信号RST_EXITPを生成する。
200 命令デコーダ部
300 RAS信号発生部
400 セルフプリチャージ部
500 リセット入力バッファ
600 リセット遷移信号発生部
700 リセット制御部
Claims (8)
- 半導体メモリ装置を備えるシステムのリセット動作に応じる該半導体メモリ装置のリセット動作を制御するリセット制御回路において、
前記システムのリセット動作の開始を示すリセットエントリー信号、及びシステムのリセット動作の終了を示すリセットエグジット信号を出力するリセット信号生成部と、
前記リセットエントリー信号がアクティブになることに応答して、プリチャージ信号を出力し、前記リセットエグジット信号がアクティブになることに応答してリフレッシュ信号を出力する動作選択部と
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記リセット信号生成部が、
システムのリセット信号であるリセットイネーブル信号を入力とする入力バッファ部と、
該入力バッファ部の出力信号に応答して前記リセットエントリー信号及び前記リセットエグジット信号を出力するリセット信号発生部と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記リセット信号発生部が、
前記リセットエントリー信号を発生するリセットエントリー信号発生部と、
前記リセットエグジット信号を発生するリセットエグジット信号発生部と
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記リセットエントリー信号発生部が、
前記入力バッファ部の出力信号を反転させる第1インバータと、
該第1インバータの出力信号を遅延させる第1遅延回路と、
該第1遅延回路の出力信号を反転させる第2インバータと、
前記第1インバータ及び第2インバータの出力信号を組み合わせる第1NANDゲートと、
該第1NANDゲートの出力信号を反転させてリセットエントリー信号として出力する第3インバータと
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記リセットエグジット信号発生部が、
前記入力バッファ部の出力信号を遅延させる第2遅延回路と、
該第2遅延回路の出力信号を反転させる第4インバータと、
前記入力バッファ部の出力信号及び第4インバータの出力信号を入力とする第2NANDゲートと、
前記第2NANDゲートの出力信号を反転させてリセットエグジット信号として出力する第5インバータと
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記動作選択部が、
前記プリチャージ信号を出力する第1動作選択部と、
前記リフレッシュ信号を出力する第2動作選択部と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記第1動作選択部が、
前記リセットエントリー信号とプリチャージ信号のソース信号に該当するプリチャージソース信号とを組み合わせる第1NORゲートと、
該第1NORゲートの出力信号を反転させて前記プリチャージ信号として出力する第6インバータと
を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。 - 前記第2動作選択部が、
前記リセットエグジット信号と、リフレッシュ信号のソース信号に該当するリフレッシュソース信号とを組み合わせる第2NORゲートと、
前記第2NORゲートの出力信号を反転させて前記リフレッシュ信号として出力する第7インバータと
を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置のリセット制御回路。
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