JP4707461B2 - 半導体記憶素子のクロック生成装置 - Google Patents
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Description
クロックバッファ111は、外部クロックCLKを受信して内部クロックiCLKを生成する。位相検出器112は、内部クロックiCLKの位相とフィードバックされて印加されるフィードバッククロックの位相とを比較し、シフト制御信号SR、SLを出力するか、遅延固定がなされたことを示す遅延固定信号dll lockbを出力する。遅延ライン制御器113は、位相検出器112から出力されるシフト制御信号SR、SLに応じて遅延ライン114の遅延量を調節する。遅延モニタ115は、遅延ライン114の出力rclk dllが、実際のデータの経路における遅延条件と同じ遅延条件を経るように構成されている。ここで、遅延モニタ115は、ダミークロックバッファ、ダミー出力バッファおよびダミーロードを備え、レプリカ回路とも呼ばれる。
312 コマンドデコーダ
313 モードレジスタ
314 クロック制御器
315 クロック発生器
Claims (14)
- 半導体記憶素子に用いられるクロックの生成装置において、
内部クロック信号を受信し、制御信号に制御されて、立ち上がりクロックおよび立ち下がりクロックを生成するクロック発生器と、
リード命令、ライト命令および外部アドレスに応答して、前記制御信号を生成する制御部とを備え、さらに、
前記制御部が、
前記リード命令により活性化されたリード信号、前記ライト命令により活性化されたライト信号、データ出力オフ信号およびバンク活性化信号に応答して、前記制御信号を生成するクロック制御器と、
前記リード命令および前記外部アドレスに応答して、前記データ出力オフ信号および前記バンク活性化信号を生成するモードレジスタとを備え、
前記クロック制御器が、
前記データ出力オフ信号と前記バンク活性化信号とを受信して、否定論理積する第1NANDゲートと、
該第1NANDゲートの出力を反転させる第1インバータと、
該第1インバータの出力と前記ライト信号とを受信して、否定論理和する第1NORゲートと、
該第1NORゲートの出力を所定時間遅延させる遅延器と、
前記リード信号を反転させる第2インバータと、
前記遅延器の出力と前記第2インバータの出力とを受信して、ラッチするラッチ部と、
該ラッチ部の出力を反転させる第3インバータと
を備えることを特徴とするクロック生成装置。 - 前記制御信号が、前記リード命令により活性化され、少なくともCASレイテンシおよびバースト長の間、活性化状態に維持されることを特徴とする請求項1に記載のクロック生成装置。
- 前記クロック制御器から出力される前記制御信号が、パルス形の前記リード信号に応答して第1論理状態に遷移し、前記データ出力オフ信号と前記バンク活性化信号との論理結合に応答して、第2論理状態に遷移するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のクロック生成装置。
- 前記クロック制御器から出力される制御信号が、予め決定された前記CASレイテンシの間およびバースト長の間以外に、少なくとも1/2クロックの間イネーブルされることを特徴とする請求項2に記載のクロック生成装置。
- 前記遅延器が、少なくとも1/2クロックだけ遅延させる機能を有することを特徴とする請求項1に記載のクロック生成装置。
- 前記ラッチ部が、
第2NANDゲート及び第3NANDゲートを備え、
前記第2インバータの出力と前記第3NANDゲートの出力とが前記第2NANDゲートに入力され、
前記遅延器の出力と前記第2NANDゲートの出力とが前記第3NANDゲートに入力されることを特徴とする請求項1に記載のクロック生成装置。 - 前記リード信号が、外部からリード命令が印加された場合に、前記半導体記憶素子内のコアからデータを読み出すために、パルス形の第2論理状態の信号に遷移するように構成されていることを特徴とする請求項4に記載のクロック生成装置。
- 前記ライト信号が、外部からライト命令が印加された場合に、前記半導体記憶素子内のコアにデータを書き込むために、論理状態が遷移するように構成されていることを特徴とする請求項4に記載のクロック生成装置。
- 前記バンク活性化信号が、前記半導体記憶素子内のコアを構成する複数のバンクのうち、1つ以上のバンクを活性化させるための活性化命令が印加された場合に、論理状態が遷移するように構成されていることを特徴とする請求項4に記載のクロック生成装置。
- 前記データ出力オフ信号が、前記リード命令と外部から印加される所定のアドレス信号とを利用して、予め決定された前記CASレイテンシの後、バースト長の間、前記第1論理状態に維持されるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のクロック生成装置。
- 前記クロック発生器が、
前記内部クロックの立ち上がりエッジに応答して、前記立ち上がりクロックを生成し、 前記制御信号に制御されて、前記立ち上がりクロックを出力する立ち上がりクロック生成部と、
前記内部クロックの立ち下がりエッジに応答して、前記立ち下がりクロックを生成し、前記制御信号に制御されて、前記立ち下がりクロックを出力する立ち下がりクロック生成部と
を備えることを特徴とする請求項1に記載のクロック生成装置。 - 前記立ち上がりクロック生成部が、
前記内部クロックを受信する直列に接続された第4および第5インバータと、
該第5インバータの出力を所定時間遅延させる第1遅延手段と、
該第1遅延手段の出力と前記制御信号の出力とを否定論理和する第2NORゲートと、
前記第5インバータの出力と前記第2NORゲートの出力とを否定論理積する第4NANDゲートと、
該第4NANDゲートの出力を反転させ、前記立ち上がりクロックを出力する第6インバータと
を備えることを特徴とする請求項11に記載のクロック生成装置。 - 前記立ち下がりクロック生成部が、
前記内部クロックを受信する第7インバータと、
該第7インバータの出力を所定時間遅延させる第2遅延手段と、
該第2遅延手段の出力と前記制御信号の出力とを否定論理和する第3NORゲートと、
前記第7インバータの出力と前記第3NORゲートの出力とを否定論理積する第5NANDゲートと、
該第5NANDゲートの出力を反転させ、前記立ち下がりクロックを出力する第8インバータと
を備えることを特徴とする請求項11に記載のクロック生成装置。 - 前記立ち下がりクロック生成部が、前記立ち上がりクロックと前記立ち下がりクロックとの位相遅延を考慮し、前記立ち下がりクロック生成部内の信号伝達経路上に、少なくとも1つの伝達ゲートを、さらに備えることを特徴とする請求項13に記載のクロック生成装置。
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