JP4846070B2 - シリコン電磁鋳造装置 - Google Patents
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Description
100・・・炉体容器
200・・・るつぼ
300・・・誘導コイル
310・・・上方側の誘導コイル
320・・・下方側の誘導コイル
330・・・磁気遮蔽板
400・・・黒鉛台
500・・・上下動装置
600・・・温度制御炉
700・・・原料供給器
次に本発明の第1の実施形態について図1〜図3を参照しつつ説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るシリコン電磁鋳造装置(以下、本装置1という)の構成概略図、図2は本装置1の要部拡大図、図3は本装置の図2におけるIII−III線断面図である。
前記炉体容器100は、前記るつぼ200や誘導コイル300などを覆う態様で設けられた密閉容器である。
前記るつぼ200は、銅製からなり、内部を冷却水が循環してるつぼ200を冷却するようになっている。
前記誘導コイル300は、電圧が負荷されることにより、前記るつぼ200内のシリコン塊Sを誘導発熱させて溶解させるものである。
前記温度制御炉600は、溶解シリコンS’を緩やかに冷却して凝固させるためのものである。一般に、上方から下方に向けて所定の温度勾配を保持しており、最終的には溶解シリコンS’を所定温度まで緩やかに冷却するようになっている。
次に本発明の第2の実施形態について図4を参照しつつ説明する。
Claims (6)
- 炉体容器と、炉体容器の内部に設けられた導電性のるつぼと、該るつぼの外周に設けられた誘導コイルとを備え、前記炉体容器内を所定の気体にて一定圧力にして、シリコン塊を炉体容器内の中心線に沿って下降させ、前記誘導コイルに電圧を負荷することにより前記るつぼ内のシリコンを誘導発熱させて溶解したあとに凝固させるシリコン電磁鋳造装置において、
前記誘導コイルは、前記るつぼ内のシリコン塊を誘導発熱させて溶解させる複数の異なる誘導周波数の誘導コイルが上下に配置されてなり、前記複数の異なる誘導周波数の誘導コイルのうち、下側に配置された誘導コイルは高周波の誘導周波数を有するものとなされ、該高周波の誘導周波数を有する誘導コイルでは、溶解シリコンに対する撹拌力が弱く静的な溶解シリコンが保持されることを特徴とするシリコン電磁鋳造装置。 - 前記下側に配置された誘導コイルの誘導周波数は25kHz以上である請求項1に記載のシリコン電磁鋳造装置。
- 前記複数の異なる誘導周波数の各誘導コイルの間に磁気遮蔽板が設けられている請求項1または請求項2に記載のシリコン電磁鋳造装置。
- 各誘導コイルは、負荷される端子電圧が900V以下である請求項1から請求項3のいずれかに記載のシリコン電磁鋳造装置。
- 各誘導コイルは、負荷される端子電圧が600V以下である請求項1から請求項4のいずれかに記載のシリコン電磁鋳造装置。
- 前記るつぼの上方にプラズマトーチが設けられ、該プラズマトーチによりるつぼ内の溶解したシリコンにプラズマジェット加熱を付加する請求項1から請求項5のいずれかに記載のシリコン電磁鋳造装置。
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---|---|---|---|---|
JP2012036056A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Sumco Corp | シリコンの電磁鋳造装置 |
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CN111235399B (zh) * | 2020-03-13 | 2021-11-02 | 陕西创能新材料科技有限公司 | 制备钛棒的方法、钛棒、钛合金及钛合金器件 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0864354A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-08 | Semiconductor Res Found | 高周波誘導加熱コイル装置 |
JP2000264775A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-09-26 | Sumitomo Sitix Amagasaki:Kk | 電磁誘導鋳造装置 |
JP2001010900A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-16 | Sumitomo Sitix Of Amagasaki Inc | シリコン鋳塊切断方法 |
JP2001019594A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-23 | Sumitomo Sitix Of Amagasaki Inc | シリコン連続鋳造方法 |
JP2004342450A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 高周波誘導加熱装置及び半導体製造装置 |
WO2005019106A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Tokuyama Corporation | シリコン製造装置 |
JP2007051026A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Sumco Solar Corp | シリコン多結晶の鋳造方法 |
JP2007145610A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン半導体結晶の製造方法 |
JP2008174397A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sumco Solar Corp | 多結晶シリコンの鋳造方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4419177A (en) | 1980-09-29 | 1983-12-06 | Olin Corporation | Process for electromagnetically casting or reforming strip materials |
JPS61232295A (ja) | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Osaka Titanium Seizo Kk | シリコン結晶半導体の製造法 |
JP2630417B2 (ja) | 1988-04-15 | 1997-07-16 | 住友シチックス株式会社 | シリコン鋳造装置 |
JP2657240B2 (ja) | 1988-04-15 | 1997-09-24 | 住友シチックス株式会社 | シリコン鋳造装置 |
EP0349904B1 (en) | 1988-07-05 | 1994-02-23 | Sumitomo Sitix Co., Ltd. | Apparatus for casting silicon |
JP2660225B2 (ja) | 1988-08-11 | 1997-10-08 | 住友シチックス株式会社 | シリコン鋳造装置 |
EP0450494B1 (en) | 1990-03-30 | 1996-06-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Manufacturing method for single-crystal silicon |
JP2883910B2 (ja) | 1990-03-30 | 1999-04-19 | 株式会社住友シチックス尼崎 | 単結晶シリコンの製造方法 |
JPH04331792A (ja) | 1991-04-30 | 1992-11-19 | Osaka Titanium Co Ltd | シリコン単結晶製造方法 |
US5268063A (en) | 1990-04-27 | 1993-12-07 | Sumitomo Sitix Co., Ltd. | Method of manufacturing single-crystal silicon |
DE4022389C2 (de) * | 1990-07-13 | 1995-06-08 | Leybold Ag | Schmelz- und Gießofen |
JP3000109B2 (ja) * | 1990-09-20 | 2000-01-17 | 株式会社住友シチックス尼崎 | 高純度シリコン鋳塊の製造方法 |
JP2696664B2 (ja) | 1993-12-28 | 1998-01-14 | 住友シチックス株式会社 | シリコン鋳造方法 |
JP3603971B2 (ja) | 1995-02-27 | 2004-12-22 | 住友チタニウム株式会社 | 導電性パイプの製造方法 |
JP2896432B2 (ja) | 1995-05-15 | 1999-05-31 | 株式会社住友シチックス尼崎 | シリコン鋳造装置 |
JPH0914863A (ja) | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Sumitomo Sitix Corp | 高周波溶解装置 |
JPH1053490A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ装置 |
JPH1053485A (ja) | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Sumitomo Sitix Corp | 電子ビーム溶解による単結晶引き上げ方法 |
JPH10101319A (ja) | 1996-09-24 | 1998-04-21 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン鋳造方法 |
CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
JP3844849B2 (ja) | 1997-06-25 | 2006-11-15 | 住友チタニウム株式会社 | 多結晶シリコンおよび塩化亜鉛の製造方法 |
KR19990052121A (ko) * | 1997-12-20 | 1999-07-05 | 이구택 | 자기장 차폐성이 우수한 전자기 연속주조 시스템 |
JP3603676B2 (ja) | 1999-07-01 | 2004-12-22 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコン連続鋳造方法 |
WO2006088037A1 (ja) | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Sumco Solar Corporation | シリコン鋳造装置およびシリコン基板の製造方法 |
JP2007019209A (ja) | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用多結晶シリコンおよびその製造方法 |
JP4317575B2 (ja) | 2005-08-19 | 2009-08-19 | Sumcoソーラー株式会社 | シリコン電磁鋳造装置およびその操作方法 |
US8017862B2 (en) | 2005-10-21 | 2011-09-13 | Sumco Solar Corporation | Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same |
JP2007261832A (ja) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sumco Solar Corp | 窒化珪素離型材粉末、離型材の作製方法及び焼成方法 |
JP2008156166A (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Sumco Solar Corp | シリコンインゴットの鋳造方法および切断方法 |
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WO2009130786A1 (ja) | 2008-04-25 | 2009-10-29 | テイーアンドエス インベストメント リミテッド | 太陽電池用シリコン原料製造方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0864354A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-08 | Semiconductor Res Found | 高周波誘導加熱コイル装置 |
JP2000264775A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-09-26 | Sumitomo Sitix Amagasaki:Kk | 電磁誘導鋳造装置 |
JP2001010900A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-16 | Sumitomo Sitix Of Amagasaki Inc | シリコン鋳塊切断方法 |
JP2001019594A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-23 | Sumitomo Sitix Of Amagasaki Inc | シリコン連続鋳造方法 |
JP2004342450A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 高周波誘導加熱装置及び半導体製造装置 |
WO2005019106A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Tokuyama Corporation | シリコン製造装置 |
JP2007051026A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Sumco Solar Corp | シリコン多結晶の鋳造方法 |
JP2007145610A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン半導体結晶の製造方法 |
JP2008174397A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sumco Solar Corp | 多結晶シリコンの鋳造方法 |
Also Published As
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